JPS61240968A - Ｐ、ｎ型半導体ゲルマニウム磁界増幅治療具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、Ｐ、Ｎ型半導体ゲルマニウムの熱起電力を利
用した単安定電子回路を有する治療具を人体の皮膚に貼
付する治療具ならびにこれによる治療方法に関するもの
であって、特にＰ型、Ｎ型半導体の接合部に永久磁石を
配設することによって熱起電力を増幅させて治療効果の
向上を図ることを目的とするものである。

ゲルマニウム金属小片を用いた皮膚貼着用の治療駒は公
知で６？）治療用として広く使用されている。しかしこ
の治療駒は単体ゲルマニウム金属を使用するため起電力
が少くしかもこれが持続することがなく期待する効果が
得られない欠点を有している。

本発明は、この点を解決するために開発され念ものであ
って、ゲルマニウム半導体の熱起電力を利用すると共に
、この半導体に磁力を加えることにより熱起電力がロー
レンツ力によって増幅する現象を利用してＰＸ　Ｎ型ジ
ャンクション面をもって電子回路を構成し、微弱ではお
るが永続的な電子回路を局部に設けることによシ生体に
電子の局部的回路を形成し、生体電位差の平活化を図る
ことによって生体細胞の異常電位の解消および神経系統
の電子信号メカニズムの異常を正常にする作用を助成し
、身体の正常な働きを回復させる画期的な治療具ならび
に治療方法を提供するものである。

添付図面によシ本発明の治療具の形状を説明すると、中
央に円錐型状の突起Ｔを有する円板形のゲルマニウム金
属体の中央部の肌に深く当る部分と周縁の肌に軽く当る
部分をＰ型（１）、Ｈ型（２）の半導体で構成し、この
接合部分に永久磁石（３）を配設するものである。図に
おいてはＰ型半導体（１）が中心部にあり周縁部にＮ型
半導体（２）を設けであるがこの組合せは逆であっても
効果は同様であり、各図の（イ）は平面図を示しく口）
は平面図Ａ−Ａ図面図を示している。又第５図の符号（
４）はＰ型（１）とＮ型（２）の半導体の接合面に設け
た溝であり、この溝（４）は空隔てあっても絶縁物を充
填してもよい。

本発明の治療具は直径が５露程度の円形であり絆創膏の
ような貼着布によって人体の「ツボ」と称される経穴上
の皮膚に貼付するものであって、金属片小片の押圧によ
る指圧的治療と半導体ゲルマニウムの起電力による治療
効果を併せて奏するものである。

次に本発明方法の治療効果を理論に基いて説明する。

本発明は熱発電理論のゼーベック効果を利用するもので
、他の間接的な手段を使うことなく直接熱を電気変換す
ることができる。又、この発電素子は構造が簡単で取扱
いが容易であり、半永久的に使用でき、かつ、小さくて
熱変換率を大きくとれるという大きな特性を有している
。

熱発電を効率よく作動させる九めには半導体のゲルマニ
ウムＰ、Ｎ接合回路を利用することが最も効果的である
。更に、半導体に磁界を作用させるとローレンツ力によ
シ磁界の強さの二乗に比例した抵抗が現われ電気的出力
が増加する現象が見られる。％ＫＮ型Ｇｅ、Ｎ型Ｓ１の
ように多谷間半導体と呼ばれるものでこの現象は著しｂ
ｏしかし普通はＰ、Ｎ接合に対して、横軸よシ磁界を加
えることによって起電力が増加するがＮ型Ｇｏの実測結
果は横からの磁界（横効果）よりはるかに縦効果が大き
いことがわかっている。このように、磁界をＰ、Ｈ型ゲ
ルマニウム熱起電力半導体に加えること、によシ熱起電
力を更に効率良く利用し、又、この発電により生体にお
ける電解質のカリウムイオンとナトリウムイオンとの細
胞電位差反応によシＰ、Ｎ回路に電解電圧を生じること
による持続性の電位を発生させる単安定電子回路（この
電位差は静電位と呼ばれ細胞内外でのイオン濃度差が起
因していると言われている）のような現象を生じさせ、
これによシ生体の異常電位の解消及び神経系統の電子信
号メカニズムの異常を正常にする作用を助成することに
より身体の正常な働きを回復させる画期的な方法で、真
性ゲルマニウムにドープ剤としてＰ、Ａ［３，Ｓｂ等を
ドナとしてＮ型半導体を形成し、同じく真性ゲルマニウ
ムにドープ剤としてＢ、Ａｌ、Ｇａ、ｇｎ等をアクセグ
声としてＰ型半導体を成形し、Ｐ、Ｎ半導体の接続部分
に永久磁石（焼結型又は金属型）を配設し、これにより
肌から受ける体温による熱起電力を利用して電子の流れ
を発生させるよう構成された治療具で特にゲルマニウム
の低温での熱起電力による電子の流れと共に波動効果が
引き出され、それに基く熱電効果（グレビツヂ効果）を
もたらし荷電粒子流の熱電効果に重なって大きく現われ
る熱電効率の良いものを得るには熱電諸系数の絶対値が
大きいばかりでなく抵抗率を熱伝導率の積ＰＸ（ローカ
イ）が小さくなければならない。

次にゲルマニウム半導体の性能向上のための条件として
は大きく４つの条件が必要である。

■　平均的原子量が犬であること ■　原子の結合の小さなイオン性の強い結合であること ■　共有結合の場合有効質量が小さいこと■　イオン結
合の場合有効質量が大舞いこと更にゲルマニウム半導体
に縦軸に磁界を設けることにより特性が飛躍的に向上す
る。

またゲルマニウム半導体のＰ％　ＮＩＬ治療治具と、金
属の固有電位による治療治具を比較すると半導体内の電
子の数はほとんどの金属に比べ非常に小さい。しかし電
子の数はゲルマニウム半導体では温度と共に急激に増加
する。それに対して金属は本質的には一定である。また
半導体では極〈僅かな構造の変化にも敏感で正電荷と負
電子に別れて導かれ熱起電力用半導体のドーグ剤のキャ
リヤ濃度は普通トランジスター用半導体材料のキャリヤ
濃度よフはるかに大きく縮体半導体の形になっている方
が適する。

次にゲルマニウムＰ、Ｎ型半導体のゼーベック係数は金
属よシ大きく　１０００μｖ／℃にも達するが金属では
２０μＶ／℃程度で合金にしても５０μｖ／℃程度であ
る。

まだゲルマニウムの性質として金属ゲルマニウムは室温
では空気、水、酸素と反応しないばか夛でなく金属であ
っても酸化物としても毒性はない。この九め安心して皮
膚に接触させることが出来る。

次いでその治療効果について電子工学的立場から考えて
見るとまず生体にはエネルギー活動による電位が存在す
ることは広く知られている。

そしてその電位が皮膚の上より顕著に認められる部分が
人体では東洋医学で「ツボ」と言われている部分でこれ
は皮電計等の測定によっても明らかにわかる現象であシ
解剖学的には角質の一部にホール状の欠陥がある部分と
言われている。これは最も外部との電子的な通路に適し
ている部分である。こ＼にＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウム
磁界増幅治療具を貼付するとき体温による（Ｐ型半導体
の温度はＮ型半導体の温度より高くすること）熱起電力
にて発生する電位差から半導体ゲルマニウムのＮ型半導
体よシ外周の自由電子が原子的に接触している遷移領域
を通してＰ型半導体に移動しＭＷ半導体に負の自由電子
を生ぜしめＰ型半導体に正電荷ホールを生ぜしめこれに
よｐＮ型半導体ゲルマニウムより負電荷の自由電子が飛
び出し体内における高電荷（グラス電荷を持つ）と結び
つくととによｐ生体の異常電位（生体細胞酸化物による
プラス電荷）の電位を低くシ、これＫｊ９細胞内部の電
位を正常化する。この現象はＮ型半導体よシ負電荷の自
由電子が放出されＦｉｌの半導体に正電荷のホールを生
ぜしめる回路を構成する。Ｐ１Ｎ半導体回路を形成した
場合負の自由電子が放出されている間中永続する。ｉ九
温度変化及び細胞内のエネルギー活動による電位が変動
することによっても多数の負自由電子が放出される。

そこで生体の電子が最も飛び出しやすい「ツボ」に本発
明のＰ、Ｎ型半導体ゲルマニウム磁界増幅治療具を貼り
付けると生体の電位によりＰ１Ｎ型半導体ゲルマニウム
に電気的刺激を与えると共に局部的に半導体回路が形成
され生体内部の高電位の電子（プラス電荷）が「ツボ」
を通じてＮ型半導体により放出された負の自由電子によ
り平滑化され、高電位の電化細胞の電位を低下させるこ
とにより生体の異常電位を正常化する。そして細胞活動
の正常化をはかることによシ生体の自然治療力を強める
効果がある。

次に生体電子工学的立場からその治療効果を考えて見る
と生体細胞膜の両側忙は電位差があ多細胞内部は細胞外
部よりも負電位になっている。この電位差は静電位と呼
ばれる。筋肉や神経などの細胞は外からの刺激に応じて
興奮するがその際興奮し九部分は他の部分に対して負の
電荷を生じる。これを活動電位といい、これは、細胞内
外のナトリウムイオンとカリウムイオンの＃度差で生体
の物質代紺に基づくエネルギー補給によってす）　＋７
ウムイオンを細胞外に押し出しカリウムイオンを細胞内
にくみ入れる作用（ナトリウムイオン−カリウムイオン
交換ボング）の能動輸送によって維持されている。これ
をＦ、Ｎ型半導体ゲルマニウム磁界増幅治療具の半導体
電子回路により能動輸送を助長する電子的治療効果は電
圧よシも身体に流れる電流と治療場所に主に支配され、
つまシ細胞の一部に生じた興奮が電気的及び化学的変化
を伴い、隣接部分はある短かい時間（１〜１９ｍ８）で
平常に戻り興奮した部分は隣へ隣へと移動していき、や
がて細胞の端に及び興奮の大きさも速さも減少しない。

このことから治療点が経穴経路の上に置かれ＼ば治療点
より遠くても治療効果に変りがないことがわかる。

しかし本発明のＰ、Ｍ型半導体ゲルマニウム磁界増幅治
療具は局部的な回路構成になっており治療点上にＮ型部
が取り付けられたとき最も大きな効果を発揮する。そし
てその場合以外でも「ツボ」と称される経穴経路上に貼
付することによっても治療効果としては充分効果を発揮
することが出来るものでありその効果は従来のこの種の
主に指圧的治療を目的とした貼着駒に比べて特に顕著で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図、第４図、第５図はそれぞれ本
発明の治療具の形状を示す実施例図であり、（イ）は平
面図を示し、（ロ）は０）図Ａ−Ａ断面図を示す。 （イ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
ｃａ）第３図 （イ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　１口）第４ （イ） 第５図 （イ） （ロ） （ロ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、中央に円錐型突起を有する小形円板形状のゲルマニ
   ウム金属体の中央部と周縁部をＰ型、Ｎ型の組合せとし
   、その組合せ接合部分に永久磁石を配設してなるＰ、Ｎ
   型半導体ゲルマニウム貼着治療具。 ２、ゲルマニウム半導体小片をＰ型Ｎ型で形成し、この
   接合部に永久磁石を配設してＰ型、Ｎ型のジャンクショ
   ン面を設け、肌からの微少な温度差により熱起電力を発
   生させ、これに磁力を加えることにより該熱起電力を増
   幅させてカリウムイオンとナトリウムイオンの交換によ
   って生ずる電解電圧により細胞電位差を発生させて単安
   定電子回路を形成するＰ、Ｎ型半導体治療具を治療点に
   貼付する治療方法。