JPS61246368A - 金属膜の堆積方法 - Google Patents
金属膜の堆積方法Info
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- JPS61246368A JPS61246368A JP8796485A JP8796485A JPS61246368A JP S61246368 A JPS61246368 A JP S61246368A JP 8796485 A JP8796485 A JP 8796485A JP 8796485 A JP8796485 A JP 8796485A JP S61246368 A JPS61246368 A JP S61246368A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は直流平板マグネトロンスノ？ツタ法による金属
膜の堆積方法に関するものである。
膜の堆積方法に関するものである。
従来、直流子板マグネトロンスパッタ法による金属膜の
堆積では、金属ターグツト裏面に永久磁石または電磁石
を配置し、ターゲット表面にリング状にプラズマを封じ
込めている。
堆積では、金属ターグツト裏面に永久磁石または電磁石
を配置し、ターゲット表面にリング状にプラズマを封じ
込めている。
上述の従来技術では、堆積膜の堆積分布は、基板をター
ゲットに対向させて配置している場合に、中心が厚く、
基板周辺が薄くなるのが普通である。
ゲットに対向させて配置している場合に、中心が厚く、
基板周辺が薄くなるのが普通である。
半導体集積回路製造工程の配線工程では、ふつう堆積分
布が中心部と周辺で５−程度の差がある。
布が中心部と周辺で５−程度の差がある。
後工程のアルミのドライエツチング工程では、中心部に
比べて周辺部の方がエツチング率が５％程度速いため、
周辺がオーバーエッチされる欠点があったＯ 本発明は前記問題点を解消した金属膜の堆積方法を提供
するものである＠ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、直流平板マグネトロンの外部より垂直磁場を
印加することにより、磁場分布を変化させ、膜厚分布を
制御した金属膜を堆積することを特徴とする金属膜の堆
積方法である。
比べて周辺部の方がエツチング率が５％程度速いため、
周辺がオーバーエッチされる欠点があったＯ 本発明は前記問題点を解消した金属膜の堆積方法を提供
するものである＠ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、直流平板マグネトロンの外部より垂直磁場を
印加することにより、磁場分布を変化させ、膜厚分布を
制御した金属膜を堆積することを特徴とする金属膜の堆
積方法である。
以下、本発明の一実施例を図によって説明する。
本発明は、平板マグネトロンスＡ’ツタ法においてター
ゲット表面に垂直な磁場を印加することにヨシ、磁場分
布を変化させてターゲット面のス／や、り侵蝕ａ４ター
ンを変え、これにより、基板に対する被スパ、り粒子の
飛来方向を変更させ、堆積分布を、中心に比べて周辺が
厚くなるようにしたものである。
ゲット表面に垂直な磁場を印加することにヨシ、磁場分
布を変化させてターゲット面のス／や、り侵蝕ａ４ター
ンを変え、これにより、基板に対する被スパ、り粒子の
飛来方向を変更させ、堆積分布を、中心に比べて周辺が
厚くなるようにしたものである。
第１図は本発明を実施する装置である。ターゲット２０
面の侵蝕ノ４ターンは主にターゲット面に垂直な成分に
よって決められるので、平板マグネトロンに真空槽１５
０外部よりコイル１０により垂直磁場１００ｔ−加える
構造とし、コイル電流（直流）値を変えるととにより、
垂直磁場強度を変えるようにする。このとき、外部コイ
ル１０による磁場印加を効果的に行うためにターゲット
２０真面の永久磁石または電磁石３０はマグネトロン放
電が維持できる範囲内で最も弱い磁石とする。４０は銅
プロ、り、５０はシールド、６０は基板、７０はヒータ
、８０は陽極、９０は陰極である。１１０は排気系、１
２０は冷却水、１３０はガス導入口、１４０はシリンダ
ーである。
面の侵蝕ノ４ターンは主にターゲット面に垂直な成分に
よって決められるので、平板マグネトロンに真空槽１５
０外部よりコイル１０により垂直磁場１００ｔ−加える
構造とし、コイル電流（直流）値を変えるととにより、
垂直磁場強度を変えるようにする。このとき、外部コイ
ル１０による磁場印加を効果的に行うためにターゲット
２０真面の永久磁石または電磁石３０はマグネトロン放
電が維持できる範囲内で最も弱い磁石とする。４０は銅
プロ、り、５０はシールド、６０は基板、７０はヒータ
、８０は陽極、９０は陰極である。１１０は排気系、１
２０は冷却水、１３０はガス導入口、１４０はシリンダ
ーである。
以上、本実施例によれば、通常の平板マグネトロンス／
母、タ装置の外部よりフイル１０ヲ使用してター４”、
）２０面に垂直に磁場１００ ｆ：印加しである。
母、タ装置の外部よりフイル１０ヲ使用してター４”、
）２０面に垂直に磁場１００ ｆ：印加しである。
コイル１０の電流を増すと、リング状の侵蝕領域はター
ゲット中心へ移動し、コイル電流を減すと、ターゲット
周辺へ移動する。これに伴い、堆積分布の最大値は中心
部より周辺へ動くので、中心部より周辺部の方が厚い堆
積分布を実現できる。尚、中心部より周辺部の膜厚は５
％程度厚くする。
ゲット中心へ移動し、コイル電流を減すと、ターゲット
周辺へ移動する。これに伴い、堆積分布の最大値は中心
部より周辺へ動くので、中心部より周辺部の方が厚い堆
積分布を実現できる。尚、中心部より周辺部の膜厚は５
％程度厚くする。
以上説明したように本発明は、通常の直流平板マグネト
ロンの外部より垂直磁場を印加することにより、侵蝕領
域をターグツト面内で移動させるため、堆積分布を変え
ることができ、したがって、半導体集積回路製造工程の
配線工程において、後工程のアルミＰライエッチでのオ
ーバーエッチを防ぐことができる効果を有するものであ
る。
ロンの外部より垂直磁場を印加することにより、侵蝕領
域をターグツト面内で移動させるため、堆積分布を変え
ることができ、したがって、半導体集積回路製造工程の
配線工程において、後工程のアルミＰライエッチでのオ
ーバーエッチを防ぐことができる効果を有するものであ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す装置の断面概略図であ
る。 １０・・・コイル、２０・・・ターダウト、３０・・・
永久磁石、６０・・・基板、７０・・・ヒータ、８０・
・・陽極、９０・・・陰極、１５０・・・真空槽。
る。 １０・・・コイル、２０・・・ターダウト、３０・・・
永久磁石、６０・・・基板、７０・・・ヒータ、８０・
・・陽極、９０・・・陰極、１５０・・・真空槽。
Claims (1)
- （１）直流平板マグネトロンの外部より垂直磁場を印加
することにより、磁場分布を変化させて、侵蝕領域をタ
ーゲット面内で移動させ、膜厚分布を制御した金属膜を
堆積することを特徴とする金属膜の堆積方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8796485A JPS61246368A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 金属膜の堆積方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8796485A JPS61246368A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 金属膜の堆積方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61246368A true JPS61246368A (ja) | 1986-11-01 |
Family
ID=13929538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8796485A Pending JPS61246368A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 金属膜の堆積方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61246368A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5783048A (en) * | 1995-02-23 | 1998-07-21 | Tokyo Electron Limited | Sputtering cathode with uniformity compensation |
| US6224724B1 (en) | 1995-02-23 | 2001-05-01 | Tokyo Electron Limited | Physical vapor processing of a surface with non-uniformity compensation |
| WO2009157439A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| WO2010134346A1 (ja) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | 株式会社アルバック | 成膜方法及び成膜装置 |
| WO2012070195A1 (ja) * | 2010-11-24 | 2012-05-31 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
| JP2013001965A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング方法 |
| DE10196150B4 (de) * | 2000-07-27 | 2013-07-04 | Spp Process Technology Systems Uk Ltd. | Magnetron-Sputtervorrichtung und Verfahren zum Steuern einer solchen Vorrichtung |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP8796485A patent/JPS61246368A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5783048A (en) * | 1995-02-23 | 1998-07-21 | Tokyo Electron Limited | Sputtering cathode with uniformity compensation |
| US6224724B1 (en) | 1995-02-23 | 2001-05-01 | Tokyo Electron Limited | Physical vapor processing of a surface with non-uniformity compensation |
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| WO2009157439A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| JPWO2009157439A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2011-12-15 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| WO2010134346A1 (ja) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | 株式会社アルバック | 成膜方法及び成膜装置 |
| TWI464285B (zh) * | 2009-05-20 | 2014-12-11 | 愛發科股份有限公司 | 成膜方法及成膜裝置 |
| WO2012070195A1 (ja) * | 2010-11-24 | 2012-05-31 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
| JP5795002B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2015-10-14 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
| JP2013001965A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング方法 |
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