JPS61256221A - レゾルバ励磁回路 - Google Patents
レゾルバ励磁回路Info
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- JPS61256221A JPS61256221A JP9785085A JP9785085A JPS61256221A JP S61256221 A JPS61256221 A JP S61256221A JP 9785085 A JP9785085 A JP 9785085A JP 9785085 A JP9785085 A JP 9785085A JP S61256221 A JPS61256221 A JP S61256221A
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- JP
- Japan
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- resolver
- circuit
- excitation
- residual voltage
- voltage
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は速度、位置検出器のｌ／ゾルバの励磁回路に関
する。
する。
プレシレスレゾルバのような機械的非接触型の位置検出
器は位置を微分して速度を検出することができ、近年サ
ーボ用検出器として使用されつつある。しかもこの用途
として、工作機用、駆動制御用検出器として高精度が要
求される用途力゛く増えている。速度検出器自体の低速
度の速度リップルだけでなく、中、高速時の速度リップ
ルを小さくすることは、工作機の用途の中で、特に精密
加工機等に要求されている。
器は位置を微分して速度を検出することができ、近年サ
ーボ用検出器として使用されつつある。しかもこの用途
として、工作機用、駆動制御用検出器として高精度が要
求される用途力゛く増えている。速度検出器自体の低速
度の速度リップルだけでなく、中、高速時の速度リップ
ルを小さくすることは、工作機の用途の中で、特に精密
加工機等に要求されている。
しかし、レゾルバには周知のごとく、速度検出誤差要因
としてレゾルバ本体に起因する位相誤差がある。これは
レゾルバ本体の加工精度、巻線方法、歯形、材質等に原
因するものである。また、一方で、レゾルバを励磁する
回路では、例えば２相励磁−１相接出方式では励磁波形
歪、電圧バランス、位相差が考えられる。この誤差を改
善するために、従来、各種の提案がなされている。この
速度誤差を生じる原因の１つにレゾルバに存在する残留
電圧に起因するものがある。
としてレゾルバ本体に起因する位相誤差がある。これは
レゾルバ本体の加工精度、巻線方法、歯形、材質等に原
因するものである。また、一方で、レゾルバを励磁する
回路では、例えば２相励磁−１相接出方式では励磁波形
歪、電圧バランス、位相差が考えられる。この誤差を改
善するために、従来、各種の提案がなされている。この
速度誤差を生じる原因の１つにレゾルバに存在する残留
電圧に起因するものがある。
第７図はレゾルバのステータに残留電圧が生じるモデル
例（２極、ステータ側２相励磁、ロータ側検出巻線の場
合で、コイル旧とＤ３の巻き方向（実線）が同じ、コイ
ルＤ２とＤ４の巻き方向（点線）が同じ）を示している
。
例（２極、ステータ側２相励磁、ロータ側検出巻線の場
合で、コイル旧とＤ３の巻き方向（実線）が同じ、コイ
ルＤ２とＤ４の巻き方向（点線）が同じ）を示している
。
今、ステータに残留磁気が生じたため、ギャップ磁束密
度Ｂｇ（θ）をＢｇ（θ） ＝ Ｂｇｍ ｓｉｎθ（Ｂ
ｇｍ：ギャップ最大磁束密度、θ：ステータロットＮｏ
、Ｓ１１からロータスロー７ トＮｏ、ＳＲ１までの角
度）とする、ｔた、第７図（１）各’＋ イルＯＬ、
［１２，０３，Ｄ４ニ鎖交する磁束をそれぞれΦ１．Φ
２．Φ３．Φ４とすると、 Φ＋＝ｆＢｇ（θ）１１文ｌ１ｒ１１ｄθ＝ Ｂｇｍ
ｓ文’ ｒ ｅ ｆ ｓ１ｎθ−ｄＯただし、文：
ターロ長、ｒ：ロータ径、ψ＝ ２π１５ 同様にして θ４４ψ Φ２ ＝ −Ｂｇｍ ＊１ｍ ｒｆ ５ｉｎｏ−ｄθ
θ＋２９ θ◆３９ 。
度Ｂｇ（θ）をＢｇ（θ） ＝ Ｂｇｍ ｓｉｎθ（Ｂ
ｇｍ：ギャップ最大磁束密度、θ：ステータロットＮｏ
、Ｓ１１からロータスロー７ トＮｏ、ＳＲ１までの角
度）とする、ｔた、第７図（１）各’＋ イルＯＬ、
［１２，０３，Ｄ４ニ鎖交する磁束をそれぞれΦ１．Φ
２．Φ３．Φ４とすると、 Φ＋＝ｆＢｇ（θ）１１文ｌ１ｒ１１ｄθ＝ Ｂｇｍ
ｓ文’ ｒ ｅ ｆ ｓ１ｎθ−ｄＯただし、文：
ターロ長、ｒ：ロータ径、ψ＝ ２π１５ 同様にして θ４４ψ Φ２ ＝ −Ｂｇｍ ＊１ｍ ｒｆ ５ｉｎｏ−ｄθ
θ＋２９ θ◆３９ 。
Φ３＝Ｂｇｍ＠ＭａｒＪ ｓ＋ｎｅ＊ｄθＯ◆ψ
Ｏ。
Φ４ ＝＝Ｂｇｍ ＊ｌａ ｒｆ ５ｉｎｏ−ｄθθ
６ψ 検出コイルの総鎖交磁束Φ腸は Φ■＝ΣΦｎ＝Φｌ＋Φ２＋Φ３＋Φ４ｍｌ ＝ ＢｇｍｅＪｌ” ｒｅＶ＊ ｃｏｓθ＝ｎ
ａｃｏｓ θ （ｎ＝ Ｂｇｍｓ、Ｑ＊
ｒ ＠ Ｖ。
６ψ 検出コイルの総鎖交磁束Φ腸は Φ■＝ΣΦｎ＝Φｌ＋Φ２＋Φ３＋Φ４ｍｌ ＝ ＢｇｍｅＪｌ” ｒｅＶ＊ ｃｏｓθ＝ｎ
ａｃｏｓ θ （ｎ＝ Ｂｇｍｓ、Ｑ＊
ｒ ＠ Ｖ。
■＝定数）
今、ロータＲ１，Ｒ２，・・・、Ｒ５がθ＝ωｎ−ｔ（
θパ ：回転角速度）で移動していると、検出コイル端
子電圧Ｖθ１は ｄΦ腸 Ｖ６１＝−ｈｅ − ｔ ＝ＮＦＩ＊ｎ・ωｈφ ｓｉｎωＭｔ ＝に２・０Ｍ ６ ｓｉｎωＭｔ ただし、ＮＲ：検出巻線ターン数 と表わされる。これが残留電圧として発生し、回転数に
比例して大きくなる。図中には記載していないが、励磁
相に励磁電圧Ｖα＝Ｖｏ＠ｓｉｎωｔ、Ｖμ＝Ｖｏｏｃ
ｏｓωｔを印加したときの検出電圧Ｖθ２は Ｖａ２ ＝ Ｋ３ｅ ５ｉｎ（ωｔ＋θ）、に３：比例
定数θ＝ωｉ ◆ｔとすると、 Ｖａ２ ＝ Ｋ３ ＃ ５ｉｎ（ω＋ωｎ）ｔで表わさ
れるから、前述の残留磁束Ｖａｚが加わることにより、
ロータＲ１〜Ｒ５がωＨで回転しているときの検出電圧
Ｖｅは Ｖａ ＝に３１１５ｉｎ（ω＋ωｎ）ｔ ＋に２＠ （
１）Ｍ ・ｓｉｎωＭｋ となる、この電圧をこのまま第９図に示す速度検出回路
（Ｒ／Ｄ変換はレゾルバ／デジタル変換の意）を通した
ときの速度ωれ′は となり、第８図に示すように速度リップルが生じる。速
度リップルパーセント（ピークツーピーク）は２■／（
１−ｍ’）であるため、ロータ角速度ωｈが大きくなる
程、大きくなり、例えば中高速時の速度誤差を嫌う用途
にはこの誤差除去は絶対に必要となる。
θパ ：回転角速度）で移動していると、検出コイル端
子電圧Ｖθ１は ｄΦ腸 Ｖ６１＝−ｈｅ − ｔ ＝ＮＦＩ＊ｎ・ωｈφ ｓｉｎωＭｔ ＝に２・０Ｍ ６ ｓｉｎωＭｔ ただし、ＮＲ：検出巻線ターン数 と表わされる。これが残留電圧として発生し、回転数に
比例して大きくなる。図中には記載していないが、励磁
相に励磁電圧Ｖα＝Ｖｏ＠ｓｉｎωｔ、Ｖμ＝Ｖｏｏｃ
ｏｓωｔを印加したときの検出電圧Ｖθ２は Ｖａ２ ＝ Ｋ３ｅ ５ｉｎ（ωｔ＋θ）、に３：比例
定数θ＝ωｉ ◆ｔとすると、 Ｖａ２ ＝ Ｋ３ ＃ ５ｉｎ（ω＋ωｎ）ｔで表わさ
れるから、前述の残留磁束Ｖａｚが加わることにより、
ロータＲ１〜Ｒ５がωＨで回転しているときの検出電圧
Ｖｅは Ｖａ ＝に３１１５ｉｎ（ω＋ωｎ）ｔ ＋に２＠ （
１）Ｍ ・ｓｉｎωＭｋ となる、この電圧をこのまま第９図に示す速度検出回路
（Ｒ／Ｄ変換はレゾルバ／デジタル変換の意）を通した
ときの速度ωれ′は となり、第８図に示すように速度リップルが生じる。速
度リップルパーセント（ピークツーピーク）は２■／（
１−ｍ’）であるため、ロータ角速度ωｈが大きくなる
程、大きくなり、例えば中高速時の速度誤差を嫌う用途
にはこの誤差除去は絶対に必要となる。
一方、この残留電圧が発生する原因には、レゾルバ内部
のステータコア材質（透磁率、磁化方向性）、ギャップ
、偏心、直交性が主因となる内部要因と、直接原因とな
る外部要因に分けられる。この外部要因として ｌ） α相、β相の何れかに直流分が加わり、ステータ
コアが直流磁化されたために生じる残留磁気、 ２） レゾルバのステータ周辺に、直流静止磁界が加わ
った時に生じる残留磁気 などが考えられる。１）については第１０図に、レゾル
バのα相のみ直流電流を通電した場合の残留電圧の変化
が示されている。これは、実験的にどの程度の直流電圧
がレゾルバに印加された場合に残留電圧が発生するかを
見たものである。
のステータコア材質（透磁率、磁化方向性）、ギャップ
、偏心、直交性が主因となる内部要因と、直接原因とな
る外部要因に分けられる。この外部要因として ｌ） α相、β相の何れかに直流分が加わり、ステータ
コアが直流磁化されたために生じる残留磁気、 ２） レゾルバのステータ周辺に、直流静止磁界が加わ
った時に生じる残留磁気 などが考えられる。１）については第１０図に、レゾル
バのα相のみ直流電流を通電した場合の残留電圧の変化
が示されている。これは、実験的にどの程度の直流電圧
がレゾルバに印加された場合に残留電圧が発生するかを
見たものである。
一般に、励磁相に直流分が加わる原因として、励磁アン
プを搭載した制御電源の投入、遮断時には第１１図に示
すような励磁回路および電源を使用した際には１第１２
図に示すような直流電圧が投入、遮断時にレゾル八励磁
相に印加され、結果的に残留電圧が発生することが挙げ
られる。残留電圧が発生しても、市販の脱磁装置等で脱
磁な行なえば可能となるが、モータにレゾルバが付いた
状態で実施するにはかなりめんどうになり、しかも、制
御盤の投入、遮断時変ごとに、脱磁をすることは実際的
でない。
プを搭載した制御電源の投入、遮断時には第１１図に示
すような励磁回路および電源を使用した際には１第１２
図に示すような直流電圧が投入、遮断時にレゾル八励磁
相に印加され、結果的に残留電圧が発生することが挙げ
られる。残留電圧が発生しても、市販の脱磁装置等で脱
磁な行なえば可能となるが、モータにレゾルバが付いた
状態で実施するにはかなりめんどうになり、しかも、制
御盤の投入、遮断時変ごとに、脱磁をすることは実際的
でない。
本発明の目的は、残留電圧による速度リップルを除去し
たレゾルバ励磁回路を提供することである。
たレゾルバ励磁回路を提供することである。
本発明のレゾルバ励磁回路は、位相検出電圧のみを通過
させ、残留電圧による成分を除去する微分フィルタ回路
を備えたことを特徴とする。
させ、残留電圧による成分を除去する微分フィルタ回路
を備えたことを特徴とする。
これにより、レゾルバの材質変更等の対策が不必要にな
り、簡単な回路で残留電圧の影響による速度リップルを
除去することが可能となる。
り、簡単な回路で残留電圧の影響による速度リップルを
除去することが可能となる。
本発明の他のレゾルバ励磁回路は、レゾルバ励磁増幅器
を脱磁装置として使用し、電源投入後の通常励磁電圧を
印加する前に脱磁電流をレゾルバに通電し、レゾルバの
残留電圧を脱磁させる脱磁回路を備えたことを特徴とす
る。
を脱磁装置として使用し、電源投入後の通常励磁電圧を
印加する前に脱磁電流をレゾルバに通電し、レゾルバの
残留電圧を脱磁させる脱磁回路を備えたことを特徴とす
る。
これにより、基本的に残留電圧をレゾルバから除去でき
、電源投入、遮断時の影響を除去できる。
、電源投入、遮断時の影響を除去できる。
本発明の他のレゾルバ励磁回路は、位相検出電圧のみを
通過させ、残留電圧による成分を除去する微分フィルタ
回路を備えるとともに、レゾルバ励磁増幅器を脱磁装置
として使用し、電源投入後の通常励磁電圧を印加する前
に脱磁電流をレゾルバに通電し、レゾルバの残留電圧を
脱磁させる脱磁回路を備えたことを特徴とする。
通過させ、残留電圧による成分を除去する微分フィルタ
回路を備えるとともに、レゾルバ励磁増幅器を脱磁装置
として使用し、電源投入後の通常励磁電圧を印加する前
に脱磁電流をレゾルバに通電し、レゾルバの残留電圧を
脱磁させる脱磁回路を備えたことを特徴とする。
本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明によるレゾルバ励磁回路の一実施例のブ
ロック図である。
ロック図である。
本実施例は、励磁回路ｌ、ローパスフィルタ２、波形整
形回路３、Ｒ／Ｄ変換器４からなる従来回路のレゾルバ
５の後段に、微分フィルタ回路６を挿入して従来、残留
電圧成分が重畳されたままで生じていた速度リップルを
除去するようにしたものである。
形回路３、Ｒ／Ｄ変換器４からなる従来回路のレゾルバ
５の後段に、微分フィルタ回路６を挿入して従来、残留
電圧成分が重畳されたままで生じていた速度リップルを
除去するようにしたものである。
基本波成分はに＋−３ｉｎ（ω＋ωｎ）ｔ、残留電圧成
分はに２ ｅωｓｉｎωｓｔであるため、ω＋ωＨを通
過させ、微分フィルタ回路６によりωｈをカットする。
分はに２ ｅωｓｉｎωｓｔであるため、ω＋ωＨを通
過させ、微分フィルタ回路６によりωｈをカットする。
この方式は、前もって残留電圧成分比に２・ω／ Ｋ＋
が分かっていれば基本波成分のω＋ωｉの通過域と、残
留電圧成分ω１の減衰比により、微分フィルタ回路６の
カットオフ周波数およびフィルタ次数が決定される。
が分かっていれば基本波成分のω＋ωｉの通過域と、残
留電圧成分ω１の減衰比により、微分フィルタ回路６の
カットオフ周波数およびフィルタ次数が決定される。
第２図は回転数に対する速度リップル（ｐ−ｐ）を、本
実施例と従来例を対比して図示したもの（レゾルバは多
極、微分フィルタ回路６の次数は２次）である。
実施例と従来例を対比して図示したもの（レゾルバは多
極、微分フィルタ回路６の次数は２次）である。
第３図は脱磁回路と兼用したレゾルバ励磁回路の一実施
例のブロック図である。
例のブロック図である。
本回路の原理は、一般にレゾルバ励磁周波数は１〜５
Ｋ）Ｉｚ程度で使用されることが多く、励磁側から見た
レゾルバ励磁入力インピーダンスは大きく、励磁電流は
励磁増幅器の瞬時電流よりかなり小さいものとなり、励
磁増幅器の通電能力以下が使用される（定電圧励磁）、
そこで、励磁周波数を通常の励磁周波数より小さくし、
励磁入力インピーダンスを小さくして励磁電流を大きく
とる。
Ｋ）Ｉｚ程度で使用されることが多く、励磁側から見た
レゾルバ励磁入力インピーダンスは大きく、励磁電流は
励磁増幅器の瞬時電流よりかなり小さいものとなり、励
磁増幅器の通電能力以下が使用される（定電圧励磁）、
そこで、励磁周波数を通常の励磁周波数より小さくし、
励磁入力インピーダンスを小さくして励磁電流を大きく
とる。
一方、ステータの残留磁気を除去するためには第５図に
示すように十分な起磁力をステータ周辺に加えれば最終
的に残留磁気を消磁させることが可能である。この方法
は一般に残留磁気を脱磁する方法として周知のことであ
る。この残留磁気を零にさせる電流波形をレゾルバの励
磁巻線に加えてやればレゾルバの残留磁気をなくすこと
が可能である。
示すように十分な起磁力をステータ周辺に加えれば最終
的に残留磁気を消磁させることが可能である。この方法
は一般に残留磁気を脱磁する方法として周知のことであ
る。この残留磁気を零にさせる電流波形をレゾルバの励
磁巻線に加えてやればレゾルバの残留磁気をなくすこと
が可能である。
ＲＯＭ１３、ＲＯＭ１３Ａにそれぞれα相、β相の励磁
パターンが入ったテーブルが格納されている。Ｉ１０ボ
ート１８はＣＰＵＩＩの出力を受けてイニシャル時と通
常励磁状態に一定の電圧、脱磁動作中は０の電圧ａを出
力し、レベル変換器１９はこれら出力ａをそれぞれロウ
レベル、ハイレベルの出力ａ′に変換する。インバータ
２１は、レベル変換器１９の出力ａ′を反転する。アナ
ログフィー２チ２０１゜２０３はレベル変換器１９の出
力ａ′がロウレベル、つまりイニシャル時と通常励磁状
態にオンし、アナログスイッチ２０２は脱磁動作中にオ
ンする。コンデンサＣ１は抵抗Ｒ１を介して充放電され
、ｂ点の信号が抵抗Ｒ２、アナログスイッチ２０２、抵
抗Ｒ３＋ Ｒｉｉを経てＤ／Ａ変換器１４ 、１４Ａに
基準電圧ｄとして供給される。基準電圧発生回路１７も
基準電圧ＣをＤ／Ａ変換器１４ 、 ｉ４Ａに供給する
。カウンタ１２はＣＰＵＩＩの出力をカウントし、ＲＯ
Ｍ１３．１３Ａをアクセスするアドレスを発生する。励
磁増幅器１５．１５ＡはそれぞれＤ／Ａ変換器１４．１
４Ａの出力を増幅してα相励磁電流Ｉα、β相励磁電流
■βをレゾルバ１６に流す。
パターンが入ったテーブルが格納されている。Ｉ１０ボ
ート１８はＣＰＵＩＩの出力を受けてイニシャル時と通
常励磁状態に一定の電圧、脱磁動作中は０の電圧ａを出
力し、レベル変換器１９はこれら出力ａをそれぞれロウ
レベル、ハイレベルの出力ａ′に変換する。インバータ
２１は、レベル変換器１９の出力ａ′を反転する。アナ
ログフィー２チ２０１゜２０３はレベル変換器１９の出
力ａ′がロウレベル、つまりイニシャル時と通常励磁状
態にオンし、アナログスイッチ２０２は脱磁動作中にオ
ンする。コンデンサＣ１は抵抗Ｒ１を介して充放電され
、ｂ点の信号が抵抗Ｒ２、アナログスイッチ２０２、抵
抗Ｒ３＋ Ｒｉｉを経てＤ／Ａ変換器１４ 、１４Ａに
基準電圧ｄとして供給される。基準電圧発生回路１７も
基準電圧ＣをＤ／Ａ変換器１４ 、 ｉ４Ａに供給する
。カウンタ１２はＣＰＵＩＩの出力をカウントし、ＲＯ
Ｍ１３．１３Ａをアクセスするアドレスを発生する。励
磁増幅器１５．１５ＡはそれぞれＤ／Ａ変換器１４．１
４Ａの出力を増幅してα相励磁電流Ｉα、β相励磁電流
■βをレゾルバ１６に流す。
本回路はアナログスイッチ２０１，２０２，２０３を使
用して脱磁動作と通常励磁動作のレゾルバ励磁電圧レベ
ルを切替える方式をとっており、励磁周波数の切替えは
、ＲＯＭ１３．１３Ａの励磁パターンで行なっている。
用して脱磁動作と通常励磁動作のレゾルバ励磁電圧レベ
ルを切替える方式をとっており、励磁周波数の切替えは
、ＲＯＭ１３．１３Ａの励磁パターンで行なっている。
基本的にＲＯＭ＋、３ 、１３Ａのみで励磁電圧レベル
と励磁周波数を切替えることも可能である。
と励磁周波数を切替えることも可能である。
第４図は第３図のレゾルバ励磁回路のタイムチャートで
ある。
ある。
電源を投入した時ＣＰＵＩＩはリセット状態でＴ。
の区間はＣＰＵＩＩは動作していない０次にＴ２の区間
では、ＣＰＵＩＩはＩ１０ボート１８より出力し、この
出力の一つがＲＯＭ１３．１３Ａ内にある脱磁励磁パタ
ーンが入ったテーブル値をアクセスすると、Ｄ／Ａ変換
器１４．１４Ａはレゾルバ励磁周波数より低い周波数を
出力する、この時、コンデンサＣ１の両端に接続された
アナログスイッチ２０＋がオーブ／となりｂ点の信号は
図に示すごとく、電圧が小さくなり、Ｄ／Ａ変換器１４
．１４Ａの基準電圧となり、最軽的にＩα、 工βには
励磁電流より大きな脱磁電流が流れる。この電流が流れ
た後、Ｔ３の区間では通常の励磁電流が流れ、制御動作
が始まる。
では、ＣＰＵＩＩはＩ１０ボート１８より出力し、この
出力の一つがＲＯＭ１３．１３Ａ内にある脱磁励磁パタ
ーンが入ったテーブル値をアクセスすると、Ｄ／Ａ変換
器１４．１４Ａはレゾルバ励磁周波数より低い周波数を
出力する、この時、コンデンサＣ１の両端に接続された
アナログスイッチ２０＋がオーブ／となりｂ点の信号は
図に示すごとく、電圧が小さくなり、Ｄ／Ａ変換器１４
．１４Ａの基準電圧となり、最軽的にＩα、 工βには
励磁電流より大きな脱磁電流が流れる。この電流が流れ
た後、Ｔ３の区間では通常の励磁電流が流れ、制御動作
が始まる。
このように、例えば、制御電源の遮断時に残留電圧が生
じていても、このＴ２の区間内に脱磁されるため、その
後の制御時に残留磁気がなくなり、速度リップルは生じ
ない、この他に、ステータの周辺に直流静止磁界が発生
し、取り除かれた後残留磁気が生じるが、この場合も制
御電源を再投入することにより、脱磁を行ない、この残
留磁気をなくすることが可能である。
じていても、このＴ２の区間内に脱磁されるため、その
後の制御時に残留磁気がなくなり、速度リップルは生じ
ない、この他に、ステータの周辺に直流静止磁界が発生
し、取り除かれた後残留磁気が生じるが、この場合も制
御電源を再投入することにより、脱磁を行ない、この残
留磁気をなくすることが可能である。
第６図（１）、 （２）は本実施例の脱磁効果の例を示
す図である。
す図である。
この例はα相に直流電圧を加え、試験的に残留電圧を発
生させ、この時の速度リップルをモニターした時の結果
で、脱磁電流１２０ｍＡ、通常励磁電流２５鳳Ａ、速度
Ｎ ＝ ２００ＯＲ／Ｍの条件で行なった。
生させ、この時の速度リップルをモニターした時の結果
で、脱磁電流１２０ｍＡ、通常励磁電流２５鳳Ａ、速度
Ｎ ＝ ２００ＯＲ／Ｍの条件で行なった。
着磁電流が１２ｔ）＋ｗＡ以上になると、残留電圧が多
少残るが、着磁電流が１２０ｍＡ以下の場合、はぼ零に
近い残留電圧の値であった。
少残るが、着磁電流が１２０ｍＡ以下の場合、はぼ零に
近い残留電圧の値であった。
以上説明したように本発明は、検出回路に微分フィルタ
回路を入れることにより、レゾルバの材質変更等の対策
が不必要になり、簡単な回路で残留電圧の影響による速
度リップルを除去することが可能となり、また脱磁回路
を入れることにより、基本的に残留電圧をレゾルバから
除去でき、電源投入、遮断時の残留電圧を除去すること
が可能となる。
回路を入れることにより、レゾルバの材質変更等の対策
が不必要になり、簡単な回路で残留電圧の影響による速
度リップルを除去することが可能となり、また脱磁回路
を入れることにより、基本的に残留電圧をレゾルバから
除去でき、電源投入、遮断時の残留電圧を除去すること
が可能となる。
第１図は本発明によるレゾルバ励磁回路の一実施例のブ
ロック図、第２図は第１図の実施例における速度リップ
ルを従来と対比して示した図、第３図は本発明の他の実
施例のブロック図、第４図は第３図の実施例のタイムチ
ャート、第５図は第３図の実施例における消磁動作を示
す図、第６図は第３図の実施例の脱磁効果の例を示す図
、第７図はレゾルバのステータに残留電圧が生じるモデ
ル例を示す図、第８図は速度リップルを示す図、第９図
は従来の速度検出回路の回路図、第１θ図はレゾルバの
α相のみ直流電流を通電した場合の残留電圧の変化を示
す図、第１１図はレゾルバ励磁回路の従来例の回路図、
第１２図は第１１図の回路において直流電圧の投入、遮
断時・に残留電圧が生じる様子を示す図である。 １；励磁回路、 ２：ローバスフィルタ、３：波形
整形回路、４ ： Ｒ／Ｄ変換器、５．１１３：レゾル
バ、１ｔ：ＣＰＵ、１２コカウンタ、 １３．１３
Ａ ： ＲＯＭ、１４、１４Ａ ： Ｄ／Ａ変換器
、 １５．１５Ａ、励磁増幅器。 １７：基準電圧発生回路、 １８：Ｉ１０ボート、１３ニレベル変換器、２０１．２
０２，２０３ ：アナログスイッチ、２１：インバー
タ。 特許出願人 株式会社 安ノ］１電機製作所代 理
人 若 林 忠第１図 第２ｒＩＩＩ 第３図 第４図 第１θ 図 手 続 補 正 書（自発） 昭和６０年６月 今日
ロック図、第２図は第１図の実施例における速度リップ
ルを従来と対比して示した図、第３図は本発明の他の実
施例のブロック図、第４図は第３図の実施例のタイムチ
ャート、第５図は第３図の実施例における消磁動作を示
す図、第６図は第３図の実施例の脱磁効果の例を示す図
、第７図はレゾルバのステータに残留電圧が生じるモデ
ル例を示す図、第８図は速度リップルを示す図、第９図
は従来の速度検出回路の回路図、第１θ図はレゾルバの
α相のみ直流電流を通電した場合の残留電圧の変化を示
す図、第１１図はレゾルバ励磁回路の従来例の回路図、
第１２図は第１１図の回路において直流電圧の投入、遮
断時・に残留電圧が生じる様子を示す図である。 １；励磁回路、 ２：ローバスフィルタ、３：波形
整形回路、４ ： Ｒ／Ｄ変換器、５．１１３：レゾル
バ、１ｔ：ＣＰＵ、１２コカウンタ、 １３．１３
Ａ ： ＲＯＭ、１４、１４Ａ ： Ｄ／Ａ変換器
、 １５．１５Ａ、励磁増幅器。 １７：基準電圧発生回路、 １８：Ｉ１０ボート、１３ニレベル変換器、２０１．２
０２，２０３ ：アナログスイッチ、２１：インバー
タ。 特許出願人 株式会社 安ノ］１電機製作所代 理
人 若 林 忠第１図 第２ｒＩＩＩ 第３図 第４図 第１θ 図 手 続 補 正 書（自発） 昭和６０年６月 今日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、位相検出電圧のみを通過させ、残留電圧による成分
を除去する微分フィルタ回路を備えたことを特徴とする
レゾルバ励磁回路。 ２、レゾルバ励磁増幅器を脱磁装置として使用し、電源
投入後の通常励磁電圧を印加する前に脱磁電流をレゾル
バに通電し、レゾルバの残留電圧を脱磁させる脱磁回路
を備えたことを特徴とするレゾルバ励磁回路。 ３、位相検出電圧のみを通過させ、残留電圧による成分
を除去する微分フィルタ回路を備えるとともに、レゾル
バ励磁増幅器を脱磁装置として使用し、電源投入後の通
常励磁電圧を印加する前に脱磁電流をレゾルバに通電し
、レゾルバの残留電圧を脱磁させる脱磁回路を備えたこ
とを特徴とするレゾルバ励磁回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9785085A JPS61256221A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | レゾルバ励磁回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9785085A JPS61256221A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | レゾルバ励磁回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61256221A true JPS61256221A (ja) | 1986-11-13 |
Family
ID=14203211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9785085A Pending JPS61256221A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | レゾルバ励磁回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61256221A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012118049A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Hyundai Motor Co Ltd | リゾルバの位置誤差を最適補償する装置及び方法 |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP9785085A patent/JPS61256221A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012118049A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Hyundai Motor Co Ltd | リゾルバの位置誤差を最適補償する装置及び方法 |
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