JPS6125775B2 - - Google Patents
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- JPS6125775B2 JPS6125775B2 JP676579A JP676579A JPS6125775B2 JP S6125775 B2 JPS6125775 B2 JP S6125775B2 JP 676579 A JP676579 A JP 676579A JP 676579 A JP676579 A JP 676579A JP S6125775 B2 JPS6125775 B2 JP S6125775B2
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- Japan
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- evaporation source
- substrate
- hcd
- ion plating
- gas discharge
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホローカソードデイスチヤージ（以下
HCDと略記する）型イオンプレーテイング装置
の改良に係り、ガス放電プラズマの強度分布が広
い範囲にわたつて均一になるような装置の提供を
目的としている。
HCDと略記する）型イオンプレーテイング装置
の改良に係り、ガス放電プラズマの強度分布が広
い範囲にわたつて均一になるような装置の提供を
目的としている。
従来のHCD型イオンプレーテイング装置は、
第１図に示すように、真空室１中に、蒸発源２と
基板４とを対向させ、この対向軸から離れた位置
に前記蒸発源２を対向させてHCD型電子銃を配
した構成からなり、HCD型電子銃３より発生さ
る熱電子を蒸発源の加熱源及びガス放電プラズマ
の形成源として利用するもので、前記ガス放電プ
ラズマの主体がHCD型電子銃から蒸発源に向う
熱電子ビームを中心として存在することが知られ
ている。
第１図に示すように、真空室１中に、蒸発源２と
基板４とを対向させ、この対向軸から離れた位置
に前記蒸発源２を対向させてHCD型電子銃を配
した構成からなり、HCD型電子銃３より発生さ
る熱電子を蒸発源の加熱源及びガス放電プラズマ
の形成源として利用するもので、前記ガス放電プ
ラズマの主体がHCD型電子銃から蒸発源に向う
熱電子ビームを中心として存在することが知られ
ている。
近年上記HCD型イオンプレーテイング装置を
大きな成膜速度を与え、真空室の径に近い大型の
基板上で均質な膜を与えるところの量産に適した
装置に改良することが試みられている。
大きな成膜速度を与え、真空室の径に近い大型の
基板上で均質な膜を与えるところの量産に適した
装置に改良することが試みられている。
しかしながら上記従来の装置においては、大き
な成膜速度を得るにはガス放電プラズマの強度が
不足し、更に大型基板上に均質な膜を形成するよ
うにガス放電プラズマを広い範囲に均一に分布さ
せることが困難であつた。
な成膜速度を得るにはガス放電プラズマの強度が
不足し、更に大型基板上に均質な膜を形成するよ
うにガス放電プラズマを広い範囲に均一に分布さ
せることが困難であつた。
本発明は、蒸発源に対して新たに陽極を設けた
構成によつて従来の装置の欠点を解決し、ガス放
電プラズマの強度が広い範囲にわたつて均一に分
布する量産方式のHCD型電子銃の提供を可能な
らしめたものである。
構成によつて従来の装置の欠点を解決し、ガス放
電プラズマの強度が広い範囲にわたつて均一に分
布する量産方式のHCD型電子銃の提供を可能な
らしめたものである。
以下本発明の詳細を図及び実施例に従つて説明
する。
する。
本発明になる装置は、第２図に示すように、排
気系とガス導入系（図示せず）を有する真空室１
中に、蒸発源２と基板４とを対向させて設け、こ
の対向軸から離れた位置に前記蒸発源２に対向さ
せてHCD型電子銃３を設けてなるHCD型イオン
プレーテイング装置に、新たな陽極５を前記対向
軸に関して対称的に設けた構成からなり、前記陽
極５が、前記蒸発源２に対して正にある電位を印
加されることによつて、前記真空室１中に形成さ
れたガス放電プラズマの強度及び分布を変えうる
ことを特色としている。
気系とガス導入系（図示せず）を有する真空室１
中に、蒸発源２と基板４とを対向させて設け、こ
の対向軸から離れた位置に前記蒸発源２に対向さ
せてHCD型電子銃３を設けてなるHCD型イオン
プレーテイング装置に、新たな陽極５を前記対向
軸に関して対称的に設けた構成からなり、前記陽
極５が、前記蒸発源２に対して正にある電位を印
加されることによつて、前記真空室１中に形成さ
れたガス放電プラズマの強度及び分布を変えうる
ことを特色としている。
ここで前記陽極５は、一般的には蒸発源２と基
板４の間でかつ前記両者の対向軸に対して対称的
な位置に中空筒状形状で設けるが、更に別個な陽
極を蒸発源２に対して基板４の反対側に設けた複
数陽極の応用も効果的である。
板４の間でかつ前記両者の対向軸に対して対称的
な位置に中空筒状形状で設けるが、更に別個な陽
極を蒸発源２に対して基板４の反対側に設けた複
数陽極の応用も効果的である。
実施例 １
第２図に示す構成からなり、円筒状真空室１に
対する直径比が８／10であるような円形基板を用
いた装置によつて、酸素ガス中でスズの反応性イ
オンプレーテイングを行い、HCD型電子銃３に
最近接及び最遠接する基板の各部分で形成された
酸化スズの酸化度（Ｏ／Sn）を測定したとこ
ろ、最近接及び最遠接の各部分でそれぞれ２／
１，２／１であつた。
対する直径比が８／10であるような円形基板を用
いた装置によつて、酸素ガス中でスズの反応性イ
オンプレーテイングを行い、HCD型電子銃３に
最近接及び最遠接する基板の各部分で形成された
酸化スズの酸化度（Ｏ／Sn）を測定したとこ
ろ、最近接及び最遠接の各部分でそれぞれ２／
１，２／１であつた。
一方、第１図の構成からなる装置と、上記と同
様な基板とを用いて上記に示した同様な測定を同
じ条件で行つて比較したところ、最近接及び最遠
接の各部分におる酸化度は（Ｏ／Sn）はそれぞ
れ1.8／１，1.4／１であつた。
様な基板とを用いて上記に示した同様な測定を同
じ条件で行つて比較したところ、最近接及び最遠
接の各部分におる酸化度は（Ｏ／Sn）はそれぞ
れ1.8／１，1.4／１であつた。
一般に反応性イオンプレーテイングのプロセス
においては、他の条件が一定の場合には、蒸発粒
子と反応性ガスとの反応性がイオン化雰囲気であ
るガス放電プラズマの強度に対応することが知ら
れている。
においては、他の条件が一定の場合には、蒸発粒
子と反応性ガスとの反応性がイオン化雰囲気であ
るガス放電プラズマの強度に対応することが知ら
れている。
実施例１は、かかる反応性イオンプレーテイン
グの例で、反応性に対応する酸化度の測定結果か
ら、従来の装置に較べて本発明になる装置ではガ
ス放電プラズマの強度が基板の大きさに対して充
分均一に分布していることを示している。
グの例で、反応性に対応する酸化度の測定結果か
ら、従来の装置に較べて本発明になる装置ではガ
ス放電プラズマの強度が基板の大きさに対して充
分均一に分布していることを示している。
実施例 ２
第２図の構成からなり、真空室に対する基板の
直径比が８／10であるような基板を用いた装置に
よつて、HCD型電子銃の出力を100Aに設定し、
窒素ガス中でのチタンの反応性イオンプレーテイ
ングを行つたところ、約90Aの陽極電流が測定さ
れ、基板全域に黄褐色の均質なチタンのチツ化物
が形成され、前記チツ化物の基板各部分における
窒化度は、TiN0.05〜TiN0.97の範囲にあつた。
直径比が８／10であるような基板を用いた装置に
よつて、HCD型電子銃の出力を100Aに設定し、
窒素ガス中でのチタンの反応性イオンプレーテイ
ングを行つたところ、約90Aの陽極電流が測定さ
れ、基板全域に黄褐色の均質なチタンのチツ化物
が形成され、前記チツ化物の基板各部分における
窒化度は、TiN0.05〜TiN0.97の範囲にあつた。
従来から或る種の金属例えばチタンが蒸発温度
に加熱されると多量の熱電子を放出し強度の大な
るガス放電プラズマを形成しうることが知られて
いた。
に加熱されると多量の熱電子を放出し強度の大な
るガス放電プラズマを形成しうることが知られて
いた。
実施例２は、蒸発源のチタンに対する陽極の作
用によつて、HCD型電子銃の出力に近い放電電
流を伴なう強度の大なるガス放電プラズマが本発
明の装置によつて形成されることを示している。
用によつて、HCD型電子銃の出力に近い放電電
流を伴なう強度の大なるガス放電プラズマが本発
明の装置によつて形成されることを示している。
更に実施例２は、大型の基板に形成された膜の
色調や組成が均一であることから、本発明になる
装置がガス放電プラズマの分布の均一性にも優れ
ていることを示している。
色調や組成が均一であることから、本発明になる
装置がガス放電プラズマの分布の均一性にも優れ
ていることを示している。
本発明になる装置は、上述のように、量産方式
に適したガス放電プラズマの分布や強度を与えう
る装置で、量産プロセスで従来装置の約２〜３倍
の成膜速度及び処理個数が得られ、設備投資も含
めた観点から評価すれば莫大な利益が期待できる
装置である。
に適したガス放電プラズマの分布や強度を与えう
る装置で、量産プロセスで従来装置の約２〜３倍
の成膜速度及び処理個数が得られ、設備投資も含
めた観点から評価すれば莫大な利益が期待できる
装置である。
第１図は従来のHCD型イオンプレーテイング
装置の構成を示す模式図、第２図は本発明になる
装置の構成を示す模式図である。 １…真空室、２…蒸発源、３…HCD型電子
銃、４…基板、５…陽極。
装置の構成を示す模式図、第２図は本発明になる
装置の構成を示す模式図である。 １…真空室、２…蒸発源、３…HCD型電子
銃、４…基板、５…陽極。
Claims (1)
- １ 排気系およびガス導入系を有する真空室中
に、蒸発源および基板を対向させて設け、この対
向軸から離れた位置に前記蒸発源に対向させて
HCD型電子銃を配置したHCD型イオンプレーテ
イング装置において、さらに前記蒸発源に対して
正の電位を印加し得る陽極を前記対向軸に対し対
称な位置に設け、前記真空室内におけるガス放電
プラズマの強度を高め、かつ広い範囲にわたつて
均一に分布させるようにしたことを特徴とする
HCD型イオンプレーテイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP676579A JPS55100975A (en) | 1979-01-23 | 1979-01-23 | Hcd type ion plating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP676579A JPS55100975A (en) | 1979-01-23 | 1979-01-23 | Hcd type ion plating device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55100975A JPS55100975A (en) | 1980-08-01 |
| JPS6125775B2 true JPS6125775B2 (ja) | 1986-06-17 |
Family
ID=11647263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP676579A Granted JPS55100975A (en) | 1979-01-23 | 1979-01-23 | Hcd type ion plating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55100975A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0717064U (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-28 | ダイワ精工株式会社 | 魚釣用両軸受型リールのバックラッシュ防止装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947381A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Joshin Uramoto | シートプラズマを利用したイオン打込み方法 |
| JP2567843B2 (ja) * | 1986-06-04 | 1996-12-25 | 株式会社 昭和真空 | ハイブリツドイオンプレ−テイング方法とその装置 |
| US6946031B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-09-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Rod for a coating device, and process for producing the same |
-
1979
- 1979-01-23 JP JP676579A patent/JPS55100975A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0717064U (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-28 | ダイワ精工株式会社 | 魚釣用両軸受型リールのバックラッシュ防止装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55100975A (en) | 1980-08-01 |
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