JPS61258389A - メモリ制御信号発生装置 - Google Patents

メモリ制御信号発生装置

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Publication number
JPS61258389A
JPS61258389A JP60097837A JP9783785A JPS61258389A JP S61258389 A JPS61258389 A JP S61258389A JP 60097837 A JP60097837 A JP 60097837A JP 9783785 A JP9783785 A JP 9783785A JP S61258389 A JPS61258389 A JP S61258389A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shift register
output
dram
4fsc
clock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60097837A
Other languages
English (en)
Inventor
Naotake Saito
斉藤 尚武
Satoru Hirayama
悟 平山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60097837A priority Critical patent/JPS61258389A/ja
Publication of JPS61258389A publication Critical patent/JPS61258389A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はテレビジョン信号を画像表示する際に、525
本インタレース走査を525本ノンインタレース走査に
変換して高精細画像として表示する際に用いる高精細信
号変換装置(インタレースからノンインタレースへの変
換装置)に係り。
特に該変換装置において記憶装置として使用されるDR
AMを駆動するための制御信号を発生するメモリ制御信
号発生装置に関する。
〔発明の背景〕
テレビ画像のディジタル処理技術の進展に伴い画像を記
憶する大容量の画像メモリの必要性が高まっている。一
般にテレビ画像のディジタル処理の分野では、クロック
パルスの周波数トして4.fsc (fscは色副搬送
波周波数で3.579545 MHz)が用いられる。
Jfsc中14.3 M Hzであり1周期は約70n
sとなる。大容量画像メモリとしてはS RAM(S 
tatic Random Access Memor
y )、 D RAM (DynamicRandom
 Access Memory )、 CCD (Ch
arge CoupledDenice )などが考え
られているが、使い易すさからSRAMおよびDRAM
が使用されることが多い。
SRAMは、DRAMと比較すると高速で駆動回路も簡
単であるという特長を持っているが。
高価なtめD R,A Mが使用されろ傾向にある。
DRAMは、コンピュータ、情報機器端末などに広く利
用されているが、これらの分野では高速性が要求される
ようになり、アクセスタイムが100yLs 、 12
0yLs 、 150nsなとの高速D RAMが使用
されろようになってきた。DRAMをり−ド/ライトサ
イクルのモードで使用する場合。
リード/ライトサイクルタイムは、アクセスタイムの約
2倍であり一例として、  100nsアクセスタイム
のDRAMでは230rcsである。コンピュータ、情
報端末機器などでは、リード/ライトサイクルタイムと
しては% 400ns〜500nsで使用されることが
多く1例えば前記230nsのDRAMを使用すると1
70+ss 〜270nsのマージンがある。
ある。
テレビ信号なデ・イジタル画像処理する場合。
前記したようにサイクルタイムは70rLSであり。
このような高速で動作するDRAMはないので。
並列化して用いる必要がある。ディジタル回路の特性か
ら4並列化して用いると都合がよく。
この場合、サイクルタイムは280ルSである。現在、
比較的高速のり−ド/ライトサイクルタイムが2301
s COD RA Mを用いた場合、マージンは約50
yzsであり、このような高速で動作させるための駆動
回路は開発されていない。例えば。
文献(TMM 4164C、を子技術1981年3月号
)にはDRAMの駆動法は述べられているが、前記した
ような高速のり−ド/ライトサイクルで動作せしめる装
置は開示されていない。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、DRAMをリード/ライトサイクルタ
イム28035で動作せしめるためのメモリ制御信号発
生装置を提供するにある。
〔発明の概要〕
上記した目的を達成するため本発明では、4fscをク
ロックとし、 4fscを1/4分周した信号を入力と
する第1のシフトレジスタと4fscを反転した信号を
クロックとし、第1のシフトレジスタの出力を入力とす
る第2のシフトレジスタを具備し、第1と第2のシフト
レジスタの出力の論理演算を行うことにより、RAS、
CASおよびWEなどのメモリ制御信号を発生せしめる
ようにした。
〔発明の実施例〕
以下1本発明の実施例を第1図、第2図および第3図に
より説明する。第3図は、DRAMを駆動するための主
要なタイミングチャートを示したものである。ただし、
リード/ライトモードである。CLKはクロック周波数
は4fsc 、デユーティ比は50%である。ADDR
ESはDRAM内の記憶素子の番地、 RAS (Ro
w Address 5trobe)CAs (CCo
11u Ac1dress  5trobe )、 W
B (Write Enable)はメモリ制御信号で
ある。tRP r tRASなどは、DRAMの交流特
性を表すパラメータで1表1は高速DRAMの代表的な
数値例である。
表  1 単位:n、3 以下1表1の数値例を用いて説明する。
リード/ライトサイクルタイムは280nsであるから
、この時間内で1サイクル終了させることが必要である
。そのためには1表1に示した交流特性を満足するよう
に時間を配分する必要b’−ある。クロックCLKは4
fsc(約14.3MHz)であるから、サイクルタイ
ムば70ns、パルス幅は35nsである。このため2
表1に示したtRP + ’Ri8などの交流特性は、
 35n、sの整数倍となるよって設計すると都合がよ
いが、仕様を満足させるためには、必ずしも35nsの
整数倍とならない。第3図ではRAS 、CASに関す
る仕様については、 35nsの整数倍としたがWEに
ついては仕様を満足させるため、 35nsの整数倍で
はないようにした。
第3図で0内は仕様の限界値(この場合最小値)である
第1図に、第3図のタイミングチャートに示したメモリ
制御信号を発生させるための装置(すなわち本発明の一
実施例)を示す。第1図で。
1.2,3.4はDフリップフロップ(以下D−FFと
略記する)、5,6,7.8は2人力NAND回路、9
,10.11はインバータである。D−FFIおよびD
−FF2は第1のシフトレジスタを構成し、D−FF3
およびD−FF4は第2のシフトレジスタを構成する。
第10シフトレジスタのクロックはCLK、第2のシフ
トレジスタのクロックはCLKである。また、第2のシ
フトレジスタの入力は、第1のシフトレジスタの第1ビ
ット出力Q1である。
第2図に、第1図に示したメモリ制御信号発生装置の詳
細なタイミングチャートを示ス、第3図に示したタイミ
ングは、下記論理式によりFr’J 、 CA Sを発
生させることにより実現することができる。
RAS = Q2Q3   (11 てτ”J = (:5Q4(2) 次に、WEを発生させるために、まずQlを20ns遅
延させた信号Qxを発生させ;、、WEは下式により発
生させることが可能である。
WE = QXQ2    (3) Qxは、D−FFIの出力Q1をインバータ10および
11で遅延させることにより得ることができる。
遅延時間域の調整は、インバータの数により行いインバ
ータの数が奇数の場合はD−FFIの出力Q1を用いれ
ばよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、DRAMを高速で動作させることがで
きるので、映像信号を記憶せしめることができ1画像メ
モリを容易に構成できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図に示した実施例のタイミングチャート、第3図はDR
AMを駆動する制御信号のタイミングチャートである。 1.2,3.4・・・D−フリップフロップ5.6,7
.8・・・2人力NAND回路。 9 、10 、11・・・インバータ。 代理人弁理士 小 川 勝 ′男 第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  クロックCLKとしてfsc(fscは副搬送波周波
    数)を使用し、4fscを1/4分周した信号を入力と
    する第1のシフトレジスタと、@CLK@をクロックと
    し第1のシフトレジスタの第1ビットの出力を入力とす
    る第2のシフトレジスタを具備し、第1のシフトレジス
    タの出力と第2のシフトレジスタの第1ビットの出力と
    の論理演算および第2のシフトレジスタの出力と第1の
    シフトレジスタの出力との論理演算により、DRAM(
    ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)を駆動す
    るための@RAS@および@CAS@信号を発生させ、
    第1のシフトレジスタの第1ビットの出力をインバータ
    を用いて所望の時間遅延させた信号と、第1のシフトレ
    ジスタの出力との論理演算により@WE@信号を発生さ
    せることにより、280ns(1/fsc)の時間内で
    リード/ライトモード動作を可能ならしめることを特徴
    とするメモリ制御信号発生装置。
JP60097837A 1985-05-10 1985-05-10 メモリ制御信号発生装置 Pending JPS61258389A (ja)

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JP60097837A JPS61258389A (ja) 1985-05-10 1985-05-10 メモリ制御信号発生装置

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JP (1) JPS61258389A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02216697A (ja) * 1989-02-16 1990-08-29 Nippon Avionics Co Ltd Dram制御回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02216697A (ja) * 1989-02-16 1990-08-29 Nippon Avionics Co Ltd Dram制御回路

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