JPS61258482A - フオトコンダクタ - Google Patents
フオトコンダクタInfo
- Publication number
- JPS61258482A JPS61258482A JP61061051A JP6105186A JPS61258482A JP S61258482 A JPS61258482 A JP S61258482A JP 61061051 A JP61061051 A JP 61061051A JP 6105186 A JP6105186 A JP 6105186A JP S61258482 A JPS61258482 A JP S61258482A
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- JP
- Japan
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- layer
- inp
- type
- region
- gainas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/28—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors
- H10F30/287—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors the devices having PN heterojunction gates
- H10F30/2877—Field-effect phototransistors having PN heterojunction gates
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はフォトコンダクタに関するものであり、特に
感光性の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）に関するもの
である。。
感光性の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）に関するもの
である。。
［問題点解決のための手段］
この発明によれば、光放射の入射に応答して電子・ホー
ル対が生成されチャンネル領域とチャンネル領域に関連
したゲートと及び低移動度型のキャリアを累積させて、
それらのリリースを制御するチャンネル領域中の急俊な
ヘテロ接合とを具備しているフォトコンダクタが提供さ
れる。
ル対が生成されチャンネル領域とチャンネル領域に関連
したゲートと及び低移動度型のキャリアを累積させて、
それらのリリースを制御するチャンネル領域中の急俊な
ヘテロ接合とを具備しているフォトコンダクタが提供さ
れる。
［実施例］
通常の化合物半導体接合ＦＥＴ （ＪＥＦＴ）は感光性
のＦＥＴ （フォトＦＥＴ）として使用されることがで
きる。この様なフォトＦＥＴは比較的高い伝導度を持つ
チャンネル層を上面に有する半導体基板を具備する。ソ
ース、ドレイン及びゲートの接点は同じ表面からチャン
ネル層に形成される。このフォトＦＥＴは前記表面上に
入射する光あるいは下方から基板上に入射する光を検出
するために使用され、この様なフォトＦＥＴ１用の受信
回路は第１ａ図に示されている。ゲートバイアス抵抗Ｒ
が必要であり、受信雑音を減らすために大きな値（典型
的に１メグオーム）を頁末される。
のＦＥＴ （フォトＦＥＴ）として使用されることがで
きる。この様なフォトＦＥＴは比較的高い伝導度を持つ
チャンネル層を上面に有する半導体基板を具備する。ソ
ース、ドレイン及びゲートの接点は同じ表面からチャン
ネル層に形成される。このフォトＦＥＴは前記表面上に
入射する光あるいは下方から基板上に入射する光を検出
するために使用され、この様なフォトＦＥＴ１用の受信
回路は第１ａ図に示されている。ゲートバイアス抵抗Ｒ
が必要であり、受信雑音を減らすために大きな値（典型
的に１メグオーム）を頁末される。
フォトＦＥＴを集積した形で生産することが難しいだけ
ではなく、この様な高値抵抗は応答速度を遅くし、複雑
になる。ＣをフォトＦＥＴＩのキャパシタンスとすると
、時定数τ−ＲＣであるから高い値Ｒから生じる受信回
路の時定数τの高い値によって第１ｂ図において示され
る入力光パルスと比較して、第１Ｃ図のように長く尾を
引いた出力（フォトＦＥＴ受信装置の出力）を生成する
。
ではなく、この様な高値抵抗は応答速度を遅くし、複雑
になる。ＣをフォトＦＥＴＩのキャパシタンスとすると
、時定数τ−ＲＣであるから高い値Ｒから生じる受信回
路の時定数τの高い値によって第１ｂ図において示され
る入力光パルスと比較して、第１Ｃ図のように長く尾を
引いた出力（フォトＦＥＴ受信装置の出力）を生成する
。
すなわちＦＥＴは応答速度が遅くなる。
ＣＲが入力パルス長により近いこの様な値にまで時定数
τ随を減らすことが望ましく、またこの様に応答速度を
増すことも望ましい。しかしながらこのことは高い値の
ゲートバイアス抵抗が使用される時に近いレベルに受信
雑音が維持されるという方法でなされなければならない
。
τ随を減らすことが望ましく、またこの様に応答速度を
増すことも望ましい。しかしながらこのことは高い値の
ゲートバイアス抵抗が使用される時に近いレベルに受信
雑音が維持されるという方法でなされなければならない
。
このことは受信回路においてゲートバイアス抵抗を省略
し、ゲート接点からある距離をおいてチヤンネル層中に
急俊なヘテロ接合を設けることによってフォトＦＥＴの
構造を修正することでなされる。受信回路は第２ａ図に
示されている。
し、ゲート接点からある距離をおいてチヤンネル層中に
急俊なヘテロ接合を設けることによってフォトＦＥＴの
構造を修正することでなされる。受信回路は第２ａ図に
示されている。
第３図はこのように修正されたフォトＦＥＴの実施例を
示している。この装置は半絶縁性！ｎＰ基板１０とｎ型
ＧａＩｎＡｓチャンネル層１１どソース、ドレイン接点
１２．１３を有する通常の感光性ＪＦＥＴに基づいてる
。チャンネル層１１の一部においてｎ−１ｎｐ領域１４
が配置され、ゲート接点１６が配置されているｐ型Ｉｎ
Ｐ領域１５との接触によって領域１５はＪＥＦＴの要求
されたｐゲートを構成する。第３図の装置はｎ＋ＩｎＰ
Ｉｉ域１４が追加されることによって修正されたＪＦＥ
Ｔである。
示している。この装置は半絶縁性！ｎＰ基板１０とｎ型
ＧａＩｎＡｓチャンネル層１１どソース、ドレイン接点
１２．１３を有する通常の感光性ＪＦＥＴに基づいてる
。チャンネル層１１の一部においてｎ−１ｎｐ領域１４
が配置され、ゲート接点１６が配置されているｐ型Ｉｎ
Ｐ領域１５との接触によって領域１５はＪＥＦＴの要求
されたｐゲートを構成する。第３図の装置はｎ＋ＩｎＰ
Ｉｉ域１４が追加されることによって修正されたＪＦＥ
Ｔである。
この装置は図示のように下から光が入射し、また帯域構
造は第４図に示されている。光がチャンネル１ｉｉｌｌ
において入射すると、光子によって誘発された電子・ホ
ール対が生じる。通常のフォトＦＥＴにおいて電子・ホ
ール対の内の電子はゲート接点からチャンネルの無空乏
部分に追いやられそれから接点に押しやられる。また対
の内のホールはゲート接点の方に追いやられる。ｎ−Ｉ
ｎＰ領域１４が存在することによって急俊なヘテロ接合
１８およびホール（少数キャリアであり、低い方の移動
度のキャリア）の累積を引起こす価電子帯における電位
障害１７が存在する。すなわちこの電位障害１７はホー
ルを捕捉しゲートへのリリースを制御する。この電位障
壁１１の高さとホールが捕捉される容量は時定数を決定
する。時定数は構成段階に依存し、要求値を得るために
供給された電界によって調整できる。この様な場合の応
答特性は第２ｂ図に示され、時定数は第１ａ図のパルス
長にほぼ等しい。この様な電位障壁を配置することによ
って附随の雑音が検出された電流のショット雑音より大
きいということはありえないと言うことが分る。最適条
件で作動するためには層１４がその下の層１１より厚く
なければならない。
造は第４図に示されている。光がチャンネル１ｉｉｌｌ
において入射すると、光子によって誘発された電子・ホ
ール対が生じる。通常のフォトＦＥＴにおいて電子・ホ
ール対の内の電子はゲート接点からチャンネルの無空乏
部分に追いやられそれから接点に押しやられる。また対
の内のホールはゲート接点の方に追いやられる。ｎ−Ｉ
ｎＰ領域１４が存在することによって急俊なヘテロ接合
１８およびホール（少数キャリアであり、低い方の移動
度のキャリア）の累積を引起こす価電子帯における電位
障害１７が存在する。すなわちこの電位障害１７はホー
ルを捕捉しゲートへのリリースを制御する。この電位障
壁１１の高さとホールが捕捉される容量は時定数を決定
する。時定数は構成段階に依存し、要求値を得るために
供給された電界によって調整できる。この様な場合の応
答特性は第２ｂ図に示され、時定数は第１ａ図のパルス
長にほぼ等しい。この様な電位障壁を配置することによ
って附随の雑音が検出された電流のショット雑音より大
きいということはありえないと言うことが分る。最適条
件で作動するためには層１４がその下の層１１より厚く
なければならない。
第５図は逆ＨＥＭＴ （高電子移動度トランジスタ）フ
ォトＦＥＴを示す。逆１−ＩＥＭＴフォトＦＥ■は少数
キャリアを累積し、そのリリースを制御する電位障壁を
設けるために第３図に似た方法で修正された。第５図の
装置は゛半絶縁性ＩｎＰ基板２０を具備し、図示されて
いるようにそれに光が入射し、その上にｐ型ＩｎＰ層２
１が配置され、ｎ＋ＩｎＰＩ１２２は層２１上に配置さ
れ、実質上ドープ処理されていないＧａ Ｉ ｎＡｓ層
２３は層２２上に配置される。ソースおよびドレイン接
点２８と２９は層２３に設けられる。層２３の一部にお
いてｒＭ ＩｎＰ領域２４が設けられ、少数キャリアの
ために電位障壁を決定する。またｐ型ＩｎＰＩｉ域２５
とゲート接点２６によってｐタイプゲートが与えられる
。この様なＨＥＭＴ装置では層２２に隣接した層２３の
領域において生じる２次元の電子ガス２７によって移動
度が改良される。最適条件で作動する゛ためには層２４
はその下に位置する層２３より厚くなければならない。
ォトＦＥＴを示す。逆１−ＩＥＭＴフォトＦＥ■は少数
キャリアを累積し、そのリリースを制御する電位障壁を
設けるために第３図に似た方法で修正された。第５図の
装置は゛半絶縁性ＩｎＰ基板２０を具備し、図示されて
いるようにそれに光が入射し、その上にｐ型ＩｎＰ層２
１が配置され、ｎ＋ＩｎＰＩ１２２は層２１上に配置さ
れ、実質上ドープ処理されていないＧａ Ｉ ｎＡｓ層
２３は層２２上に配置される。ソースおよびドレイン接
点２８と２９は層２３に設けられる。層２３の一部にお
いてｒＭ ＩｎＰ領域２４が設けられ、少数キャリアの
ために電位障壁を決定する。またｐ型ＩｎＰＩｉ域２５
とゲート接点２６によってｐタイプゲートが与えられる
。この様なＨＥＭＴ装置では層２２に隣接した層２３の
領域において生じる２次元の電子ガス２７によって移動
度が改良される。最適条件で作動する゛ためには層２４
はその下に位置する層２３より厚くなければならない。
第６図は埋め込みゲートフォトＦＥＴを示す。
この埋め込みゲートフォトＦＥＴは少数キャリアを累積
し、そのリリースを制御する電位障壁を有するように修
正されている。第６図の装置は表面にｐ型ＩｎＰゲート
３１が埋め込まれた半絶縁基板３０を具備し、その表面
上およびゲート３１の上には前記電位障壁を形成するた
めのｎ型ｔｎｐ層３２が配置され、層３２上にはｎ型Ｇ
ａ ［ｎＡ８チャンネル層３３、ソース、ドレイン接点
３４と３５が層３３に設けられている。図には示されて
いないがｐ型ＩｎＰゲート３１に対する接点も存在する
。光は示されているように基板３０に入射する。第７図
は第６図における埋め込みゲートフォトＦＥＴの帯域構
造を示す。電位障壁が少数キャリアを累積し、そのリリ
ースを制御する役目を持つということは３６において説
明される。最適条件で作動するには層３２の厚み（ｂ）
は層３３の厚み（ａ）より厚くならなければならない、
第６図と１７図はそのように示してはいない。このＦＥ
Ｔの感光性範囲を広くするため先端を除いて逆のタイプ
の接点対の側面が接するためにソースとドレーンの接点
をインターデジタルに組合わせることができる。
し、そのリリースを制御する電位障壁を有するように修
正されている。第６図の装置は表面にｐ型ＩｎＰゲート
３１が埋め込まれた半絶縁基板３０を具備し、その表面
上およびゲート３１の上には前記電位障壁を形成するた
めのｎ型ｔｎｐ層３２が配置され、層３２上にはｎ型Ｇ
ａ ［ｎＡ８チャンネル層３３、ソース、ドレイン接点
３４と３５が層３３に設けられている。図には示されて
いないがｐ型ＩｎＰゲート３１に対する接点も存在する
。光は示されているように基板３０に入射する。第７図
は第６図における埋め込みゲートフォトＦＥＴの帯域構
造を示す。電位障壁が少数キャリアを累積し、そのリリ
ースを制御する役目を持つということは３６において説
明される。最適条件で作動するには層３２の厚み（ｂ）
は層３３の厚み（ａ）より厚くならなければならない、
第６図と１７図はそのように示してはいない。このＦＥ
Ｔの感光性範囲を広くするため先端を除いて逆のタイプ
の接点対の側面が接するためにソースとドレーンの接点
をインターデジタルに組合わせることができる。
第８図は埋め込みゲートフォトＨＥＭＴを示す。
この埋め込みゲートフォトＨＥＭＴは電位障壁を形成す
るように修正されている。第８図の装置はｐ型ＩｎＰゲ
ート４１が表面に埋め込まれた半絶縁性［ｎＰ基板４０
を具備し、その表面およびゲート４１上に前記電位障壁
を形成するためのｎ型ＩｎＰ層４２が配置され、層４２
上には実質上ドープ処理されていないＧａ ｒ ｎＡｓ
層４３が、また層４３上にはｎ、”ｌｎＰ層４層厚４置
され、合金のあるいはイオン注入によって形成したソー
スおよびドレイン領域４５．４６およびソースとドレイ
ン接点４７．．４８が設けられている。図には示されて
いないがｐ型ＩｎＰゲート４１との接点も存在する。光
は図示のように基板４０に入射し、層４４に隣接した層
４３において形成される２次元電子ガス４９は移動度を
改良する。ソースとドレイン接点は感光性範囲を広くす
するためにこの構造上にインターデジタルに組合わされ
ることができる。
るように修正されている。第８図の装置はｐ型ＩｎＰゲ
ート４１が表面に埋め込まれた半絶縁性［ｎＰ基板４０
を具備し、その表面およびゲート４１上に前記電位障壁
を形成するためのｎ型ＩｎＰ層４２が配置され、層４２
上には実質上ドープ処理されていないＧａ ｒ ｎＡｓ
層４３が、また層４３上にはｎ、”ｌｎＰ層４層厚４置
され、合金のあるいはイオン注入によって形成したソー
スおよびドレイン領域４５．４６およびソースとドレイ
ン接点４７．．４８が設けられている。図には示されて
いないがｐ型ＩｎＰゲート４１との接点も存在する。光
は図示のように基板４０に入射し、層４４に隣接した層
４３において形成される２次元電子ガス４９は移動度を
改良する。ソースとドレイン接点は感光性範囲を広くす
するためにこの構造上にインターデジタルに組合わされ
ることができる。
この発明は（３ａｌｎＡｓと■ｎＰからなる装置、 に
関連して説明したが、それに限定されるものではない。
関連して説明したが、それに限定されるものではない。
関連した放射に感光性である化合物半導体をＱａ ｌ
ｎＡＳに代えて使用し、帯域ギャップは広いが前記置換
した化合物半導体に等しい格子定数を有し、少数キャリ
アの累積を引起こす価電子帯において必要な段階を有す
る化合物半導体を代えて使用することができる。
ｎＡＳに代えて使用し、帯域ギャップは広いが前記置換
した化合物半導体に等しい格子定数を有し、少数キャリ
アの累積を引起こす価電子帯において必要な段階を有す
る化合物半導体を代えて使用することができる。
第１ａ図は感光性ＦＥＴ用の通常の受信回路を示し、第
１ｂ図は入力光パルスを示し、第１Ｃ図はＦＥＴの応答
特性を示し、第２ａ図はこの発明による感光性ＦＥＴ用
の受信回路を示し、第２ｂ図は第１ｂ図において示した
ように入力光パルスに対する応答特性を示し、第３図は
この発明による感光性ＦＥＴの実施例の断面図を示し、
第４図は第３図の実施例の帯域構造を示し、第５図はこ
の発明による感光性ＦＥＴの別の実施例の断面図を示し
、第６図はこの発明による感光性ＦＥＴのさらに別の実
施例の断面図を示し、第７図は第６図の実施例の帯域構
造を示し、第８図はこの発明による感光性ＦＥＴのさら
に別の実施例の断面図を示す。 １０・・・基板、１１・・・チャンネル層、１２・・・
ソース、ドレイン接点、１３・・・ソース、ドレイン接
点、１４・・・ｎ−ＩｎＰ領域、１５・・・ｐ！！！
Ｉ ｎ Ｐ領域、１６ ・・・ゲート接点、１７・・・
電位障壁、１８・・・ヘテロ接合。
１ｂ図は入力光パルスを示し、第１Ｃ図はＦＥＴの応答
特性を示し、第２ａ図はこの発明による感光性ＦＥＴ用
の受信回路を示し、第２ｂ図は第１ｂ図において示した
ように入力光パルスに対する応答特性を示し、第３図は
この発明による感光性ＦＥＴの実施例の断面図を示し、
第４図は第３図の実施例の帯域構造を示し、第５図はこ
の発明による感光性ＦＥＴの別の実施例の断面図を示し
、第６図はこの発明による感光性ＦＥＴのさらに別の実
施例の断面図を示し、第７図は第６図の実施例の帯域構
造を示し、第８図はこの発明による感光性ＦＥＴのさら
に別の実施例の断面図を示す。 １０・・・基板、１１・・・チャンネル層、１２・・・
ソース、ドレイン接点、１３・・・ソース、ドレイン接
点、１４・・・ｎ−ＩｎＰ領域、１５・・・ｐ！！！
Ｉ ｎ Ｐ領域、１６ ・・・ゲート接点、１７・・・
電位障壁、１８・・・ヘテロ接合。
Claims (8)
- （１）光放射線の入射に応答して電子・ホール対が生成
されるチャンネル領域と、チャンネル領域に関連したゲ
ートと、及び低移動度のキャリアの累積を生じさせ、そ
のリリースを制御するチャンネル領域中の急俊なヘテロ
接合とを有するフォトコンダクタ。 - （２）チャンネル領域に二つの電気の接点を有し、その
うちの一つは他方に対して正にバイアスされ、ゲートが
二つの接点間においてチャンネル領域と協同して動作す
ることをを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォ
トコンダクタ。 - （３）半絶縁性ＩｎＰの基板を具備しているフォトＦＥ
Ｔ形式のフォトコンダクタであって、チャンネル領域が
基板の一つの表面上に配置されたｎ型ＧａＩｎＡｓ層を
有し、二つの電気の接点がｎ型ＧａＩｎＡｓ層の表面に
おいて間隔を置いて位置し、さらにチャンネル領域が二
つの接点間で表面からｎ型ＧａＩｎＡｓに入込んだｎ＾
−ＩｎＰ領域を有し、ゲートがｎ＾−ＩｎＰ領域と接触
するｐ型ＩｎＰを具備する特許請求の範囲第２項記載の
フォトコンダクタ。 - （４）半絶縁性ＩｎＰの基板を具備した逆ＨＥＭＴ形式
のフォトＦＥＴであって、基板の表面上に位置するｐ型
ＩｎＰ層と、このｐ型ＩｎＰ層上に位置するｎ＾＋Ｉｎ
Ｐ層と、このｎ＾＋ＩｎＰ層上の実質上ドープ処理され
ていないＧａＩｎＡｓの層とを備え、このＧａＩｎＡｓ
の層はその一部にチャンネル領域を有し、二つの電気の
接点がＧａＩｎＡｓ層の表面に間隔を置いて設けられ、
ｎ＾−ＩｎＰ領域がチャンネル領域を構成し、二つの接
点間で表面からＧａＩｎＡｓ層中に入込んでおり、ゲー
トがｎ＾−ＩｎＰ領域との接触するｐ型ＩｎＰ領域で構
成されている特許請求の範囲第２項記載のフォトコンダ
クタ。 - （５）半絶縁性ＩｎＰ基板を具備している埋め込みゲー
ト形式のフォトＦＥＴであって、基板の表面に前記ゲー
トを構成するｐ型ＩｎＰ領域が入込んで形成され、前記
表面及びｐ型ＩｎＰ領域上にｐ型ＩｎＰ領域に接触して
配置されるｎ型ＩｎＰ層と、ｎ型ＩｎＰ層上に配置され
たｎ型ＧａＩｎＡｓ層と、及びチャンネル領域を構成す
るｎ型ＧａＩｎＡｓとｎ型ＩｎＰ層とを有し、二つの電
気の接点がｎ型ＧａＩｎＡｓ層の表面上で引離される特
許請求の範囲第２項記載のフォトコンダクタ。 - （６）半絶縁性ＩｎＰ基板を具備している埋め込みゲー
ト形式のフォトＨＥＭＴであって、基板の表面に前記ゲ
ートを構成するｐ型ＩｎＰ領域が入込んで形成され、前
記表面上及びｐ型ＩｎＰ領域の上でｐ型ＩｎＰ領域に接
触して配置されるｎ型ＩｎＰ層とｎ型ＩｎＰ層上の実質
上のドープ処理されていないＧａＩｎＡｓ層と、ＧａＩ
ｎＡｓ層上に配置されたｎ＾＋ＩｎＰ層とを有し、Ｇａ
ＩｎＡｓ層とｎ型ＩｎＰ層とはチャンネル領域を構成し
、二つの電気の接点がｎ型ＩｎＰ層の表面に間隔を置い
て配置され、ｎ＾＋ＩｎＰ層の中に入込んだ合金または
イオン注入領域を介してＧａＩｎＡｓ層に接続されてい
る特許請求の範囲第２項記載のフォトコンダクタ。 - （７）二つの電気の接点が接点間の距離を増加させずに
広い感光性の領域を得るためにインターデジタルに組合
わされる特許請求の範囲第５項あるいは第６項記載のフ
ォトコンダクタ。 - （８）ＧａＩｎＡｓが関係する放射線に対して感光性の
化合物半導体によって置換され、ＩｎＰは前記化合物半
導体に等しい格子定数の化合物によって置換されるが、
前記累積を引起こす前記化合物半導体に関係する価電子
帯においてバンドギャップが広がり必要な段階部分を持
っている特許請求の範囲第３項から第７項のいずれか１
項に記載のフォトコンダクタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB08507343A GB2172742B (en) | 1985-03-21 | 1985-03-21 | Photoconductor |
| GB8507343 | 1985-03-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258482A true JPS61258482A (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=10576378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61061051A Pending JPS61258482A (ja) | 1985-03-21 | 1986-03-20 | フオトコンダクタ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4814836A (ja) |
| EP (1) | EP0201688A1 (ja) |
| JP (1) | JPS61258482A (ja) |
| AU (1) | AU5463286A (ja) |
| GB (1) | GB2172742B (ja) |
| NZ (1) | NZ215466A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008047767A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Ｉｉｉ族窒化物半導体装置 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4833512A (en) * | 1986-04-11 | 1989-05-23 | Itt Gallium Arsenide Technology Center, A Division Of Itt Corporation | Heterojunction photo-detector with transparent gate |
| JP2527791B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1996-08-28 | 三菱電機株式会社 | Ｍｓｍ型半導体受光素子 |
| US5633512A (en) * | 1990-05-23 | 1997-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device for varying the mobility of electrons by light irradiation |
| US5111255A (en) * | 1990-06-05 | 1992-05-05 | At&T Bell Laboratories | Buried channel heterojunction field effect transistor |
| US5138416A (en) * | 1991-07-12 | 1992-08-11 | Xerox Corporation | Multi-color photosensitive element with heterojunctions |
| US5459343A (en) * | 1992-02-21 | 1995-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Back gate FET microwave switch |
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| US5416040A (en) * | 1993-11-15 | 1995-05-16 | Texas Instruments Incorporated | Method of making an integrated field effect transistor and resonant tunneling diode |
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