JPS61258502A - マイクロ波フイルタ - Google Patents
マイクロ波フイルタInfo
- Publication number
- JPS61258502A JPS61258502A JP10029085A JP10029085A JPS61258502A JP S61258502 A JPS61258502 A JP S61258502A JP 10029085 A JP10029085 A JP 10029085A JP 10029085 A JP10029085 A JP 10029085A JP S61258502 A JPS61258502 A JP S61258502A
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- JP
- Japan
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- dielectric block
- open end
- shield plate
- coaxial
- coaxial resonators
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 15
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はマイクロ波領域においてバンドパスフィルタや
分波器等に使用されるマイクロ波フィルタに関する。
分波器等に使用されるマイクロ波フィルタに関する。
(従来技術)
従来、マイクロ波フィルタとしでは、たとえば第3図に
示すように、入力側同軸コネクタ1および出力側同軸コ
ネクタ2を有する金属のケース3内に、複数個の誘電体
同軸共振器4,4.・・・、4を収容するととも1こ、
」1記入力側同軸コネクタ1と出力側同軸コネクタ2と
の間の間隔よりもや・短く、はず一定幅を有する誘電体
板5の同一の主表面に所定の間隔をおいて電極6,6.
・・・、6を形成してなる結合基板7を収容し、これら
電極6゜6、・・・、6に夫々上記誘電体同軸共振器4
,4゜・・・I4の結合棒4a、4a+・・・、4aを
半田付けする一方、上記誘電体板5の一端に形成された
電極6aを入力側同軸コネクタ1の中心導体1aに、ま
た、上記誘電体板5の他端に形成された電極6bを出力
側同軸コネクタ2の中心導体2alこ夫々接続してなる
ものが周知である。
示すように、入力側同軸コネクタ1および出力側同軸コ
ネクタ2を有する金属のケース3内に、複数個の誘電体
同軸共振器4,4.・・・、4を収容するととも1こ、
」1記入力側同軸コネクタ1と出力側同軸コネクタ2と
の間の間隔よりもや・短く、はず一定幅を有する誘電体
板5の同一の主表面に所定の間隔をおいて電極6,6.
・・・、6を形成してなる結合基板7を収容し、これら
電極6゜6、・・・、6に夫々上記誘電体同軸共振器4
,4゜・・・I4の結合棒4a、4a+・・・、4aを
半田付けする一方、上記誘電体板5の一端に形成された
電極6aを入力側同軸コネクタ1の中心導体1aに、ま
た、上記誘電体板5の他端に形成された電極6bを出力
側同軸コネクタ2の中心導体2alこ夫々接続してなる
ものが周知である。
上記フィルタは、第4図1こ示すように、入力側同軸コ
ネクタ1の中心導体1aと出力側同軸コネクタ2の中心
導体2aとの間にて、誘電体板5上で相互に隣接する電
極6,6間に形成される静電容量C,C,・・・、Oを
結合容量として、誘電体同軸共振器4,4.・・・、4
を結合してなる等価回路を有する。
ネクタ1の中心導体1aと出力側同軸コネクタ2の中心
導体2aとの間にて、誘電体板5上で相互に隣接する電
極6,6間に形成される静電容量C,C,・・・、Oを
結合容量として、誘電体同軸共振器4,4.・・・、4
を結合してなる等価回路を有する。
上記のようなマイクロ波フィルタでは、各誘電体同軸共
振器4の結合棒4a75弓1き出されている開放端から
は電磁波がもれてお1)、一つの誘電体同軸共振器4か
らもれた電磁波が第5図に示すように、結合基板7の隣
接する電極6,6の間に形成される静電容量Cの池に、
一つおきもしくはそれ以上離れた電極6,6間に形成さ
れる浮遊容量C゛を通して他の誘電体同軸共振器4と結
合する。
振器4の結合棒4a75弓1き出されている開放端から
は電磁波がもれてお1)、一つの誘電体同軸共振器4か
らもれた電磁波が第5図に示すように、結合基板7の隣
接する電極6,6の間に形成される静電容量Cの池に、
一つおきもしくはそれ以上離れた電極6,6間に形成さ
れる浮遊容量C゛を通して他の誘電体同軸共振器4と結
合する。
この結合により、各誘電体同軸共振器4のアイソレーシ
ョンが悪化し、フィルタのバンドパス特性が劣化する。
ョンが悪化し、フィルタのバンドパス特性が劣化する。
このため、第3図のマイクロ波フィルタでは、隣接する
誘電体同軸共振器4,4の間にシールド板(図示せず。
誘電体同軸共振器4,4の間にシールド板(図示せず。
)を挿入し、上記浮遊容量C゛による結合をなくしてい
る。
る。
ところで、マイクロ波フィルタとしては、上記のように
、複数の誘電体同軸共振器4,4.・・・。
、複数の誘電体同軸共振器4,4.・・・。
4を結合基板7で結合したものの池に、具体的には図示
しないが、一つの誘電体ブロックに複数段の同軸共振器
か一体に形成されたものも使用されている。
しないが、一つの誘電体ブロックに複数段の同軸共振器
か一体に形成されたものも使用されている。
この種のマイクロ波フィルタでは、一つの誘電体ブロッ
クに形成された複数段の同軸共振器のうち、隣接する同
軸共振器同志は誘電体ブロック内で相互に電磁的に結合
されるので、第3図のマイクロ波フィルタのような結合
基板7は不要で、この結合基板7の浮遊容量C゛による
同軸共振器同志の結合はない。しかしながら、二のタイ
プのマイクロ波フィルタにおいても、誘電体ブロックの
一つの面に形成された各同軸共振器の開放端からの電磁
波のもれがある。この電磁波のもれによって一つおトも
しくはそれ以」二部れた同軸共振器同志か結合し、これ
によI)マイクロ波フィルタのバンドパス特性が劣化す
る。
クに形成された複数段の同軸共振器のうち、隣接する同
軸共振器同志は誘電体ブロック内で相互に電磁的に結合
されるので、第3図のマイクロ波フィルタのような結合
基板7は不要で、この結合基板7の浮遊容量C゛による
同軸共振器同志の結合はない。しかしながら、二のタイ
プのマイクロ波フィルタにおいても、誘電体ブロックの
一つの面に形成された各同軸共振器の開放端からの電磁
波のもれがある。この電磁波のもれによって一つおトも
しくはそれ以」二部れた同軸共振器同志か結合し、これ
によI)マイクロ波フィルタのバンドパス特性が劣化す
る。
ところで、この種のマイクロ波フィルタでは、従来より
、誘電体ブロックの開放端からの電磁波のもれによる同
軸共振器の結合を防止し、バンドパス特性の劣化を防止
するようにしたものはなかった。
、誘電体ブロックの開放端からの電磁波のもれによる同
軸共振器の結合を防止し、バンドパス特性の劣化を防止
するようにしたものはなかった。
(発明の目的)
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、一つ
の誘電体ブロックに形成された同軸共振器の開放端から
もれた電磁波による結合をなくした、アイソレーション
特性の良好なマイクロ波フィルタを提供することを目的
としている。
の誘電体ブロックに形成された同軸共振器の開放端から
もれた電磁波による結合をなくした、アイソレーション
特性の良好なマイクロ波フィルタを提供することを目的
としている。
(発明の構I#、)
このため、本発明は、同軸共振器の開放端を構成しでい
る誘電体ブロックの面には誘電体ブロックの外側面に形
成された導電膜に導通するシールド板取付用電極が隣接
する同軸共振器の間に形成されており、上記シールド板
取付用電極にはシールド板か固定されていることを特徴
としている。
る誘電体ブロックの面には誘電体ブロックの外側面に形
成された導電膜に導通するシールド板取付用電極が隣接
する同軸共振器の間に形成されており、上記シールド板
取付用電極にはシールド板か固定されていることを特徴
としている。
すなわち、本発明は、誘電体ブロックの開放端に形成さ
れたシールド板取付用電極にシールド板を取り付けるこ
とにより、誘電体ブロックの開放端からもれる電磁波に
よる同軸共振器同志の結合をなくしたものである。
れたシールド板取付用電極にシールド板を取り付けるこ
とにより、誘電体ブロックの開放端からもれる電磁波に
よる同軸共振器同志の結合をなくしたものである。
(発明の効果)
本発明によれば、誘電体ブロックの開放端に設けられた
シールド板により誘電体ブロックの開放端からもれる電
磁波による同軸共振器同志の結合カナくするので、同軸
共振器のアイソレーション特性が良好なものとなり、マ
イクロ波フィルタのフィルタ特性の劣化が防止される。
シールド板により誘電体ブロックの開放端からもれる電
磁波による同軸共振器同志の結合カナくするので、同軸
共振器のアイソレーション特性が良好なものとなり、マ
イクロ波フィルタのフィルタ特性の劣化が防止される。
(実施例)
以下、添付図面を参照しっ)本発明の詳細な説明する。
第1図に示すマイクロ波フィルタ11はステップドイン
ピーダンス型と呼ばれるもので、入力側同軸コネクタ1
2および出力側同軸フネクタ13を有する金属製のケー
ス14内に収容されている。
ピーダンス型と呼ばれるもので、入力側同軸コネクタ1
2および出力側同軸フネクタ13を有する金属製のケー
ス14内に収容されている。
上記マイクロ波フィルタ11は、たとえば酸化 “チ
タン系のセラミック誘電体からなる直方体状の誘電体ブ
ロック15に段付トの貫通孔16−1゜16−2.・・
・を設け、これら貫通孔1.6−1.16−2.・・・
の各内面に夫々導電膜17−1.17−2.・・を形成
するとともに、」1記貫通孔1G−1,16−2,・・
・を取1)囲む誘電体ブロック15の外側面に導電膜1
8を形成し、上記導電膜17−1,17−2,・・・と
導電膜18とを、短絡導電膜1つで相互に短絡するよう
にしたものである。
タン系のセラミック誘電体からなる直方体状の誘電体ブ
ロック15に段付トの貫通孔16−1゜16−2.・・
・を設け、これら貫通孔1.6−1.16−2.・・・
の各内面に夫々導電膜17−1.17−2.・・を形成
するとともに、」1記貫通孔1G−1,16−2,・・
・を取1)囲む誘電体ブロック15の外側面に導電膜1
8を形成し、上記導電膜17−1,17−2,・・・と
導電膜18とを、短絡導電膜1つで相互に短絡するよう
にしたものである。
上記誘電体ブロック15内には、貫通孔16−1.16
−2.・・・に対応して同軸共振器21−1゜21−2
.・・・が形成され、これら同軸共振器21−1.:2
1−2.・・は隣接するもの同志が誘電体ブロック15
内で電磁的に相互に結合している。
−2.・・・に対応して同軸共振器21−1゜21−2
.・・・が形成され、これら同軸共振器21−1.:2
1−2.・・は隣接するもの同志が誘電体ブロック15
内で電磁的に相互に結合している。
」−記誘電体ブロック15の短絡導電膜19か形成され
た面に対向する面か゛、」1記同軸共振器21−1.2
1−2.・・・の開放端22となっている。
た面に対向する面か゛、」1記同軸共振器21−1.2
1−2.・・・の開放端22となっている。
」1記開放端22の同軸共振器21−1と21−2との
間、同軸共振器21−2と21−3との間・・・には、
第2図に示すように、誘電体ブロック15の厚み方向に
導電膜18に接続されたシールド板取付用電極23−1
.23−2.・・・が形成され、これらシールド板取付
用電極23−1.23−2゜・・・には、シールド板2
4−1.21−2.・・・の各一端が夫々半田付けされ
ている。」1記シールド板241.24.−2.・・・
の各他端は、第1図に示すように、ケース]4に半田付
けされる。
間、同軸共振器21−2と21−3との間・・・には、
第2図に示すように、誘電体ブロック15の厚み方向に
導電膜18に接続されたシールド板取付用電極23−1
.23−2.・・・が形成され、これらシールド板取付
用電極23−1.23−2゜・・・には、シールド板2
4−1.21−2.・・・の各一端が夫々半田付けされ
ている。」1記シールド板241.24.−2.・・・
の各他端は、第1図に示すように、ケース]4に半田付
けされる。
上記誘電体ブロック15の両端部に位置する同軸共振器
21−1および21−2は、誘電体ユニット25および
26に埋設された導線27および28によ1)、入力側
同軸コネクタ12および出力側同軸コネクタ13に静電
的に夫々結合される。
21−1および21−2は、誘電体ユニット25および
26に埋設された導線27および28によ1)、入力側
同軸コネクタ12および出力側同軸コネクタ13に静電
的に夫々結合される。
このような構成であれば、誘電体ブロック15の開放端
22からもれた電磁波によるーっ主たはそれ以」−離れ
た同軸共振器間の結合がなくなり、マイクロ波フィルタ
のバンドパス特性の劣化が防止される。
22からもれた電磁波によるーっ主たはそれ以」−離れ
た同軸共振器間の結合がなくなり、マイクロ波フィルタ
のバンドパス特性の劣化が防止される。
本発明は、隣接する誘電体同軸共振器の結合度を調整す
るために、誘電体ブロックの隣接する誘電体同軸共振器
間に空洞を有するたとえば特開昭!’) 8−94.0
号公報に開示されているフィルタ等にも適用することも
できる。
るために、誘電体ブロックの隣接する誘電体同軸共振器
間に空洞を有するたとえば特開昭!’) 8−94.0
号公報に開示されているフィルタ等にも適用することも
できる。
また、本発明は、ステップドインピーダンス型1υ、外
のもの1こも適用することかできる。
のもの1こも適用することかできる。
第1図は本発明に係るマイクロ波フィルタの内部構造を
示す断面図、第2図は第1図のマイクロ=7− 波フィルタのシールド板の取付状態を示す斜視図、第3
図は従来のマイクロ波フィルタの内部構造を示す断面図
、第4図は第3図のマイクロ波フィルタの等価回路図、
第5図は第3図のマイクロ波フィルタを構成する誘電体
同軸共振器の浮遊容量による結合を示す説明図である。 11・・・マイクロ波フィルタ、 15・・・誘電体
ブロック、 21−1〜21−4・・・同軸共振器、2
2・・・開放端、 23−1〜23−3・・・シール
ド板取付用電極、 24−1〜24−3・・・シール
ド板。 特許出願人 株式会社村田製作所 代 理 人 弁理士 青 山 葆はが2名−8=
示す断面図、第2図は第1図のマイクロ=7− 波フィルタのシールド板の取付状態を示す斜視図、第3
図は従来のマイクロ波フィルタの内部構造を示す断面図
、第4図は第3図のマイクロ波フィルタの等価回路図、
第5図は第3図のマイクロ波フィルタを構成する誘電体
同軸共振器の浮遊容量による結合を示す説明図である。 11・・・マイクロ波フィルタ、 15・・・誘電体
ブロック、 21−1〜21−4・・・同軸共振器、2
2・・・開放端、 23−1〜23−3・・・シール
ド板取付用電極、 24−1〜24−3・・・シール
ド板。 特許出願人 株式会社村田製作所 代 理 人 弁理士 青 山 葆はが2名−8=
Claims (1)
- (1)一つの誘電体ブロックに少なくとも2段以上の同
軸共振器が一体に形成されてなるマイクロ波フィルタに
おいて、 同軸共振器の開放端を構成している誘電体ブロックの面
には誘電体ブロックの外側面に形成された導電膜に導通
するシールド板取付用電極が隣接する同軸共振器の間に
形成されており、上記シールド板取付用電極にはシール
ド板が取着されていることを特徴とするマイクロ波フィ
ルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10029085A JPS61258502A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | マイクロ波フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10029085A JPS61258502A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | マイクロ波フイルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258502A true JPS61258502A (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=14270050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10029085A Pending JPS61258502A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | マイクロ波フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258502A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266003U (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-18 | ||
| EP0731522A1 (en) * | 1995-03-08 | 1996-09-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter |
| US5712604A (en) * | 1994-09-27 | 1998-01-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter including at least one band elimination filter |
| WO2010080929A1 (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-15 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
| US9030272B2 (en) | 2010-01-07 | 2015-05-12 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
| US9030276B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with a dielectric core and with a second filter disposed in a side surface of the dielectric core |
| US9030275B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with recessed top pattern and cavity providing improved attenuation |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP10029085A patent/JPS61258502A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266003U (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-18 | ||
| US5712604A (en) * | 1994-09-27 | 1998-01-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter including at least one band elimination filter |
| EP0731522A1 (en) * | 1995-03-08 | 1996-09-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter |
| US5742214A (en) * | 1995-03-08 | 1998-04-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter having obliquely oriented stepped resonators |
| US8294532B2 (en) | 2008-12-09 | 2012-10-23 | Cts Corporation | Duplex filter comprised of dielectric cores having at least one wall extending above a top surface thereof for isolating through hole resonators |
| US9030276B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with a dielectric core and with a second filter disposed in a side surface of the dielectric core |
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| WO2010080929A1 (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-15 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
| GB2479108A (en) * | 2009-01-08 | 2011-09-28 | Cts Corp | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
| US9030272B2 (en) | 2010-01-07 | 2015-05-12 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
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