JPS61259449A - 二重収束質量分析装置 - Google Patents
二重収束質量分析装置Info
- Publication number
- JPS61259449A JPS61259449A JP10085185A JP10085185A JPS61259449A JP S61259449 A JPS61259449 A JP S61259449A JP 10085185 A JP10085185 A JP 10085185A JP 10085185 A JP10085185 A JP 10085185A JP S61259449 A JPS61259449 A JP S61259449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- magnetic field
- electrostatic lens
- quadrupole electrostatic
- value
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/26—Mass spectrometers or separator tubes
- H01J49/28—Static spectrometers
- H01J49/32—Static spectrometers using double focusing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り産業上の利用分野コ
本発明は特公昭５７−３１２６１号に記載された二重収
束質量分析装置の改良に関し、特に測定質量範囲が広く
、感度及び分解能の面で優れた質量分析装置に関する。
束質量分析装置の改良に関し、特に測定質量範囲が広く
、感度及び分解能の面で優れた質量分析装置に関する。
［従来技術］
最近生化学等の応用分野から高質量分子を分析したいと
いう要望が強くなって来ている。これは−次イオン衝撃
あるいは高速原子衝撃等のイオン化法の進歩によりｍ／
ｚ ＝１０，０００を超える高質量分子のイオンでも比
較的容易に作成できるようになったからである。このよ
うな高質量分子イオンを分析するためには極めて大型の
質量分析装置が必要になるが、大型の質量分析装置は極
めて高価で、だれでも容易に使用できる状況にはない。
いう要望が強くなって来ている。これは−次イオン衝撃
あるいは高速原子衝撃等のイオン化法の進歩によりｍ／
ｚ ＝１０，０００を超える高質量分子のイオンでも比
較的容易に作成できるようになったからである。このよ
うな高質量分子イオンを分析するためには極めて大型の
質量分析装置が必要になるが、大型の質量分析装置は極
めて高価で、だれでも容易に使用できる状況にはない。
そこで、比較的小型で高質足載まで分析できる質量分析
装置が要望されており、例えば以下のような工夫がされ
ている。
装置が要望されており、例えば以下のような工夫がされ
ている。
即ち、従来市販されている第７図Ｃａ）に示すような質
量分析装置の電場Ｅと一様扇形磁場をそのまま使い、第
７図（ｂ）に示すように磁場におけるイオンビームの回
転半径ｒｍを２倍程度に大きくすると共に回転角φｍを
１７２程度に小さくし、測定質量範囲を４倍程度拡大す
る方法である。第７図においてＳはイオン源、Ｄはイオ
ン検出器でおる。
量分析装置の電場Ｅと一様扇形磁場をそのまま使い、第
７図（ｂ）に示すように磁場におけるイオンビームの回
転半径ｒｍを２倍程度に大きくすると共に回転角φｍを
１７２程度に小さくし、測定質量範囲を４倍程度拡大す
る方法である。第７図においてＳはイオン源、Ｄはイオ
ン検出器でおる。
［発明が解決しようとする問題点コ
この方法によれば測定質量範囲は確かに拡大するものの
、φｍが小さくなるためイオン軌道が長くなり、イオン
ビームの縦方向の広がりによって高次収差が大きくなり
分解能も低下してしまう傾向がおり、この傾向は避けら
れないものと思われて来た。
、φｍが小さくなるためイオン軌道が長くなり、イオン
ビームの縦方向の広がりによって高次収差が大きくなり
分解能も低下してしまう傾向がおり、この傾向は避けら
れないものと思われて来た。
第１表は、第７図（１））に示された従来装置の一般計
例（φｍ＝３５°、φｅ ＝７０’ 、 ｒｅ ／ｒ
ｍ ＝０．６４３）における、−次の収差係数ＡＸ 、
Ａｙ。
例（φｍ＝３５°、φｅ ＝７０’ 、 ｒｅ ／ｒ
ｍ ＝０．６４３）における、−次の収差係数ＡＸ 、
Ａｙ。
Ａβ及び二次の収差係数Ａ（ＸＣＸ＋ Ａ（Ｘ８ｔ Ａ
６６ｔ Ａ”ｌｙ。
６６ｔ Ａ”ｌｙ。
Ａｙｓ、Ａｓβの値を示す。
実用上必要な分解能を５０，０００とし、イオン源での
イオンビームの幅をｒ ｍ／３００前後とした時に、二
次の収差係数は少なくとも０．８〜１．０よりも小さい
ことが望まれるが、この値を考慮に入れて第１表の二次
収差係数を見れば、第１表の装置では満足のゆく分解能
が１９られないことが分る。
イオンビームの幅をｒ ｍ／３００前後とした時に、二
次の収差係数は少なくとも０．８〜１．０よりも小さい
ことが望まれるが、この値を考慮に入れて第１表の二次
収差係数を見れば、第１表の装置では満足のゆく分解能
が１９られないことが分る。
ところで、本発明者は先にイオンビームの横方向に対し
発散性を与え且つ縦方向に対し収束性を与えるようにし
た四極静電レンズＱＬをＮ場Ｅと１ｉ場Ｈの間に配置す
ることを特徴とする二重収束質量分析装置を特公昭５７
−３１２６１号として提案した。
発散性を与え且つ縦方向に対し収束性を与えるようにし
た四極静電レンズＱＬをＮ場Ｅと１ｉ場Ｈの間に配置す
ることを特徴とする二重収束質量分析装置を特公昭５７
−３１２６１号として提案した。
この提案装置は、例えばφｅ＝７０’〜９５°、φｍ
＝６５．８°〜７４．ド、ｒｅ／ｒｍ ＝ １．２７〜
１．３５７に選ばれ、すべての二次収差を小さくするこ
とができ高感度で高分解能が得られている。この提案装
置に先に述べたｒｍ＠２倍程度程度くしφｍを１７２程
度に小ざくして（具体的には３０°≦φｍ≦５０’、０
．４≦ｒ ｅ／ ｒ ｍ≦０．８程度の範囲）測定質量
範囲を拡大する手法を適用すれば、高次収差が大きくな
り分解能が低下してしまうことは十分に予想される。
＝６５．８°〜７４．ド、ｒｅ／ｒｍ ＝ １．２７〜
１．３５７に選ばれ、すべての二次収差を小さくするこ
とができ高感度で高分解能が得られている。この提案装
置に先に述べたｒｍ＠２倍程度程度くしφｍを１７２程
度に小ざくして（具体的には３０°≦φｍ≦５０’、０
．４≦ｒ ｅ／ ｒ ｍ≦０．８程度の範囲）測定質量
範囲を拡大する手法を適用すれば、高次収差が大きくな
り分解能が低下してしまうことは十分に予想される。
本発明は上述した諸点に鑑みてなされたものでおり、上
記提案装置のφｍ及びｒ ｅ／ ｒ ｍを３０°≦φｍ
≦５０°、０．４≦ｒ ｅ／ ｒ ｍ≦０．８の範囲に
設定して測定質量範囲を拡大しても分解能が低下しない
条件を与えることを目的としている。
記提案装置のφｍ及びｒ ｅ／ ｒ ｍを３０°≦φｍ
≦５０°、０．４≦ｒ ｅ／ ｒ ｍ≦０．８の範囲に
設定して測定質量範囲を拡大しても分解能が低下しない
条件を与えることを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
この目的を達成するため、本発明にかかる二重収束質量
分析装置は、電場と磁場の間に配置され、イオンビーム
の横方向に対し発散性を与えると共に該イオンビームの
縦方向に対し収束性を与えるようになした四極静電レン
ズを備えた二重収束質量分析装置において、磁場におけ
るイオンビームの回転角をφｍ、磁場におけるイオンビ
ームの回転半径をｒｍ、電場にあけるイオンビームの回
転半径をｒｅ、四極静電レンズの強度をＱｋ、四極静電
レンズのイオンビーム方向の実効長をＱｊ、磁場の入射
端面に凸につけられた曲率をρ′、出射端面に凸につけ
られた曲率をρ″とした時、３０°≦φｍ≦５０’ ０．４≦ｒ ｅ／ ｒ ｍ≦０．８ ０．３５≦Ｑｋ２Ｑｊｒ６≦１゜Ｏ ｒｍ 、／ｐ’ 十ｒｍ 、／、ｏ” ＜ ０を満足す
るようにしたことを特徴としている。
分析装置は、電場と磁場の間に配置され、イオンビーム
の横方向に対し発散性を与えると共に該イオンビームの
縦方向に対し収束性を与えるようになした四極静電レン
ズを備えた二重収束質量分析装置において、磁場におけ
るイオンビームの回転角をφｍ、磁場におけるイオンビ
ームの回転半径をｒｍ、電場にあけるイオンビームの回
転半径をｒｅ、四極静電レンズの強度をＱｋ、四極静電
レンズのイオンビーム方向の実効長をＱｊ、磁場の入射
端面に凸につけられた曲率をρ′、出射端面に凸につけ
られた曲率をρ″とした時、３０°≦φｍ≦５０’ ０．４≦ｒ ｅ／ ｒ ｍ≦０．８ ０．３５≦Ｑｋ２Ｑｊｒ６≦１゜Ｏ ｒｍ 、／ｐ’ 十ｒｍ 、／、ｏ” ＜ ０を満足す
るようにしたことを特徴としている。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例を示す装置構成図である。イ
オン源ゴはイオン化室２と複数のスリット３Ｓ−有し、
加速されたイオンビームＩＢがスリット４から外部へ取
出される。このＩＢは円筒電場５．四極静電レンズ６を
介して一様扇形磁場７へ入射し、この磁場７により質量
電荷比に応じた分散を受け、特定の質量電荷比を持つも
のがイオン検出器８へ入射して検出される。上記１＠７
は図示しない電源によりその磁場強度を繰返し掃引でき
るように構成されている。そのため、その掃引に伴って
磁場７を通過するイオンの質量電荷比が変化し、検出器
８から質量スペクトル信号が得られる。尚、磁場７の入
出射面にはイオンビームが斜めに入出射するような角度
ε′、ε″がつけられており、且つその入出射端面には
ρ′、ρ″なる曲率半径が与えられている。
オン源ゴはイオン化室２と複数のスリット３Ｓ−有し、
加速されたイオンビームＩＢがスリット４から外部へ取
出される。このＩＢは円筒電場５．四極静電レンズ６を
介して一様扇形磁場７へ入射し、この磁場７により質量
電荷比に応じた分散を受け、特定の質量電荷比を持つも
のがイオン検出器８へ入射して検出される。上記１＠７
は図示しない電源によりその磁場強度を繰返し掃引でき
るように構成されている。そのため、その掃引に伴って
磁場７を通過するイオンの質量電荷比が変化し、検出器
８から質量スペクトル信号が得られる。尚、磁場７の入
出射面にはイオンビームが斜めに入出射するような角度
ε′、ε″がつけられており、且つその入出射端面には
ρ′、ρ″なる曲率半径が与えられている。
第２図は上記四極静電レンズ６のＡ−Ａ断面図及びこれ
に電位を与えるための電源９の構成を示す図で必る。四
極静電レンズ６は４本の円筒状電極から成り、これがイ
オンビーム通路Ｏを中心に９０°間隔で対称配置され、
正イオンを分析する場合には、イオンご一ムの軌道平面
に垂直な方向（ｙ方向）の対向する電極Ｐｙに正電位が
印加され、イオンビームの動径方向（Ｘ方向）の対向す
る電極Ｐｘには負電位が印加される。そのため、正イオ
ンはｙ方向には収束方向の力を受け、Ｘ方向には発散方
向の力を受ける。
に電位を与えるための電源９の構成を示す図で必る。四
極静電レンズ６は４本の円筒状電極から成り、これがイ
オンビーム通路Ｏを中心に９０°間隔で対称配置され、
正イオンを分析する場合には、イオンご一ムの軌道平面
に垂直な方向（ｙ方向）の対向する電極Ｐｙに正電位が
印加され、イオンビームの動径方向（Ｘ方向）の対向す
る電極Ｐｘには負電位が印加される。そのため、正イオ
ンはｙ方向には収束方向の力を受け、Ｘ方向には発散方
向の力を受ける。
第２表は前記提案装置の６２計例（＊）と、本発明によ
る装置について適宜なディメンジョンを与えた５つの設
計例（（１）〜（５））を示す。
る装置について適宜なディメンジョンを与えた５つの設
計例（（１）〜（５））を示す。
（以下余白）
第２表
第２表において使用される記号で未定義のものは以下の
通りである。
通りである。
Ｑｋ：静電四極レンズの強度
Ｑ１２：静電四極レンズの長ざ
ｊｅ’：主スリットと電場との距離
１ＩＩｌ″ニコレクタスリツトと磁場との距離ｄｅｑ：
電場と四極静電レンズとの距離ｄｑｍ：四極静電レンズ
と磁場との距離尚、第２表における長さについては、ず
べて提案装置の設計例（杓における磁場回転半径ｒｍを
１としてノーマライズされており、Ｑｋはイオンビーム
の加速電圧でノーマライズされている。
電場と四極静電レンズとの距離ｄｑｍ：四極静電レンズ
と磁場との距離尚、第２表における長さについては、ず
べて提案装置の設計例（杓における磁場回転半径ｒｍを
１としてノーマライズされており、Ｑｋはイオンビーム
の加速電圧でノーマライズされている。
上記（１）から（５）の設計例では、二次収差係数はす
べて１よりもはるかに小さい１直になっており、第・１
表の従来装置では実規できなかった高い分解能が得られ
ることが分る。
べて１よりもはるかに小さい１直になっており、第・１
表の従来装置では実規できなかった高い分解能が得られ
ることが分る。
ところで、第２表中にＱｋ ２Ｑｊ ｒｅの数値が示さ
れているが、本願発明者はこの値が二次収差及びイオン
の１〜ランスミツシヨンを表わすＡ−Ｖ 。
れているが、本願発明者はこの値が二次収差及びイオン
の１〜ランスミツシヨンを表わすＡ−Ｖ 。
Ａβ（小さい方がトランスミッションが優れている）と
密接なつながりがおることを見出した。
密接なつながりがおることを見出した。
第３図は、上記設計例（１）についてＱｋｚ（１ｒｅの
値によって二次収差係数の絶対値の和ＩとＡｙ、Ａβ及
びＡ”と△βの絶対値の和がどのように変化するかを調
べた結果を示す。第４図、第５図は上記設計例（４）
、 （５）について夫々同様に調べた結果を示す。
値によって二次収差係数の絶対値の和ＩとＡｙ、Ａβ及
びＡ”と△βの絶対値の和がどのように変化するかを調
べた結果を示す。第４図、第５図は上記設計例（４）
、 （５）について夫々同様に調べた結果を示す。
通常、■の値が４〜５を超えると実用上十分な分解能が
得られないのでそれ以下に抑える必要がある。更にＡｙ
と八βの絶対値の和が１０を超えると感度が十分に）ｑ
られないのでそれ以下に抑える必要がある。この２つの
条件をもとに第３図〜第５図を見ると、■の条件からは
Ｑｋ＋！ＱＪ２ｒｅを０．３５から１．０の範囲に設定
する必要があるし、更に併せて感度の面も考慮すると、
Ｑｋ２Ｑｊｒｅは０．４から０．９の範囲に設定するこ
とが必要である。
得られないのでそれ以下に抑える必要がある。更にＡｙ
と八βの絶対値の和が１０を超えると感度が十分に）ｑ
られないのでそれ以下に抑える必要がある。この２つの
条件をもとに第３図〜第５図を見ると、■の条件からは
Ｑｋ＋！ＱＪ２ｒｅを０．３５から１．０の範囲に設定
する必要があるし、更に併せて感度の面も考慮すると、
Ｑｋ２Ｑｊｒｅは０．４から０．９の範囲に設定するこ
とが必要である。
上記Ｑｋ２Ｑｅｒｅの値と共に二次収差に大きな影響を
与えるのが磁場の人出射面につ（プられる曲率ρ′、ρ
″である。上記設計例（１）〜（５）においては、ｖｉ
ｉ場の出射端面には曲率をつけていないが、本願発明者
が見出した条件から言うと、このような場合には入射端
面に負の（端面が凹む方向の）曲率をつけることが必要
条件で必る。実際には曲率を磁場の入射端面につけても
出射端面につけても略等価であるため、ｒｍ／ρ’＋ｒ
ｍ、／ρ″の値としてとらえる必要がめる。
与えるのが磁場の人出射面につ（プられる曲率ρ′、ρ
″である。上記設計例（１）〜（５）においては、ｖｉ
ｉ場の出射端面には曲率をつけていないが、本願発明者
が見出した条件から言うと、このような場合には入射端
面に負の（端面が凹む方向の）曲率をつけることが必要
条件で必る。実際には曲率を磁場の入射端面につけても
出射端面につけても略等価であるため、ｒｍ／ρ’＋ｒ
ｍ、／ρ″の値としてとらえる必要がめる。
第６図は上記設計例（１）についてｒｍ／ρ′十ｒｍ／
ρ″の値をいくつか与え、その値によって二次収差係数
の絶対値の和■がどのような値をとるかを調べた結果を
示す。この図をもとに、■の値が４〜５を超えると実用
上十分な分解能が得られないことを考慮すると、■の値
をそれ以下に抑えるためには少なくともｒｍ／ρ’＋ｒ
ｍ／ρ〃が負の値をとることが必要であり、更に言えば
、ｒｍ 、／ｌ：）’ 十ｒｍ 、／ρ”は−０，３か
ら−１，５の範囲に設定することが望ましい。
ρ″の値をいくつか与え、その値によって二次収差係数
の絶対値の和■がどのような値をとるかを調べた結果を
示す。この図をもとに、■の値が４〜５を超えると実用
上十分な分解能が得られないことを考慮すると、■の値
をそれ以下に抑えるためには少なくともｒｍ／ρ’＋ｒ
ｍ／ρ〃が負の値をとることが必要であり、更に言えば
、ｒｍ 、／ｌ：）’ 十ｒｍ 、／ρ”は−０，３か
ら−１，５の範囲に設定することが望ましい。
更に、本発明においては磁場の回転角が小ざくなるため
磁場による収束作用が弱くなることは避けられず、第２
表における提案装置の設計例（＊）のように磁場入射端
面に傾き（ε′ ）を−１５°つけるだけでは磁場とイ
オン検出器との距離が長くなってしまい、実用装置とし
ては問題となる。そのため、磁場出射端面にも傾きくε
′）を−１５゜以上つける必要がある。尚、あまり傾き
を増加さぼると収差が大きくなるため、ε′、ε″とも
実用上は一３０’程度が限度である。
磁場による収束作用が弱くなることは避けられず、第２
表における提案装置の設計例（＊）のように磁場入射端
面に傾き（ε′ ）を−１５°つけるだけでは磁場とイ
オン検出器との距離が長くなってしまい、実用装置とし
ては問題となる。そのため、磁場出射端面にも傾きくε
′）を−１５゜以上つける必要がある。尚、あまり傾き
を増加さぼると収差が大きくなるため、ε′、ε″とも
実用上は一３０’程度が限度である。
［発明の効果］
以上詳述した如く、本発明によれば、電場と磁場の間に
配置され、イオンビームの横方向に対し発散性を与える
と共に該イオンビームの縦方向に対し収束性を与えるよ
うになした四極静電レンズを備えた二重収束質量分析装
置において、φｍを３０°≦φｍ≦５０°、ｒｅ／ｒｍ
を０．４≦ｒ ｅ／ ｒ ｍ≦０．８の範囲に設定して
測定質量範囲の広い質量分析装置を得る場合であっても
分解能の高い装置を得ることができる。
配置され、イオンビームの横方向に対し発散性を与える
と共に該イオンビームの縦方向に対し収束性を与えるよ
うになした四極静電レンズを備えた二重収束質量分析装
置において、φｍを３０°≦φｍ≦５０°、ｒｅ／ｒｍ
を０．４≦ｒ ｅ／ ｒ ｍ≦０．８の範囲に設定して
測定質量範囲の広い質量分析装置を得る場合であっても
分解能の高い装置を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示ず装置描成図、第２図は
四極静電レンズのＡ−Ａ断面図及びこれに電位を与える
ための電源の構成を示す図、第３図乃至第５図は、設計
例（１） 、 （４） 、 （５）についてＱｋ ”
Ｑｊ ｒｅの値によって二次収差係数の絶対値の和Ｉと
Ａｙ、Ａβ及びＡＶと八βの絶対値の和がどのように変
化するかを調べた結果を示す図、第６図は設計例（１）
についてｒｍ／ρ′十ｒｍ／ρ“の値をいくつか与え、
その値によって二次収差係数の絶対値の和Ｉがどのよう
な値をとるかを調べた結果を示す図、第７図は従来装置
を説明するための図である。 １：イオン源 ２：イオン化室 ３．４ニスリツト ５：円筒電場 ６：四極静電レンズ
四極静電レンズのＡ−Ａ断面図及びこれに電位を与える
ための電源の構成を示す図、第３図乃至第５図は、設計
例（１） 、 （４） 、 （５）についてＱｋ ”
Ｑｊ ｒｅの値によって二次収差係数の絶対値の和Ｉと
Ａｙ、Ａβ及びＡＶと八βの絶対値の和がどのように変
化するかを調べた結果を示す図、第６図は設計例（１）
についてｒｍ／ρ′十ｒｍ／ρ“の値をいくつか与え、
その値によって二次収差係数の絶対値の和Ｉがどのよう
な値をとるかを調べた結果を示す図、第７図は従来装置
を説明するための図である。 １：イオン源 ２：イオン化室 ３．４ニスリツト ５：円筒電場 ６：四極静電レンズ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電場と磁場の間に配置され、イオンビームの横方向に対
し発散性を与えると共に該イオンビームの縦方向に対し
収束性を与えるようになした四極静電レンズを備えた二
重収束質量分析装置において、磁場におけるイオンビー
ムの回転角をφｍ、磁場におけるイオンビームの回転半
径をｒｍ、電場におけるイオンビームの回転半径をｒｅ
、四極静電レンズの強度をＱｋ、四極静電レンズのイオ
ンビーム方向の実効長をＱｌ、磁場の入射端面に凸につ
けられた曲率をρ′、出射端面に凸につけられた曲率を
ρ″とした時、 ３０°≦φｍ≦５０° ０．４≦ｒｅ／ｒｍ≦０．８ ０．３５≦Ｑｋ＾２Ｑｌｒｅ≦１．０ ｒｍ／ρ′＋ｒｍ／ρ″＜０ を満足するようにしたことを特徴とする二重収束質量分
析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085185A JPS61259449A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 二重収束質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085185A JPS61259449A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 二重収束質量分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61259449A true JPS61259449A (ja) | 1986-11-17 |
| JPH0357574B2 JPH0357574B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=14284819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10085185A Granted JPS61259449A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 二重収束質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61259449A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270256A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Jeol Ltd | 同時検出型質量分析装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS568981A (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-29 | Hitachi Ltd | Selection system for balancing connected network |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP10085185A patent/JPS61259449A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS568981A (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-29 | Hitachi Ltd | Selection system for balancing connected network |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270256A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Jeol Ltd | 同時検出型質量分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0357574B2 (ja) | 1991-09-02 |
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