JPS61260220A - 液晶セルの製造方法 - Google Patents
液晶セルの製造方法Info
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- JPS61260220A JPS61260220A JP60102847A JP10284785A JPS61260220A JP S61260220 A JPS61260220 A JP S61260220A JP 60102847 A JP60102847 A JP 60102847A JP 10284785 A JP10284785 A JP 10284785A JP S61260220 A JPS61260220 A JP S61260220A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- SLTSIXOJUUCTFC-UHFFFAOYSA-N [Cr+3].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] Chemical compound [Cr+3].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] SLTSIXOJUUCTFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置に用いる液晶セル、特にいわゆる
アクティブマトリクスタイプといわれる非線型素子を内
厳した液晶セルの製造方法に関する。
アクティブマトリクスタイプといわれる非線型素子を内
厳した液晶セルの製造方法に関する。
本発°明は非線型素子を用いた液晶セルの製造方法にお
いて、外部との接続端子となる信号印加電極をパターン
化する時に互いに導通した状態に形成し、基板表面忙配
向膜を付けた後にセルを組み立てて、更にレーザーを用
いて端子電極を切りはなす事で、コストを上げる事なし
に静電気によって発生する画素の欠陥の発生率を下げよ
うとし九ものである。
いて、外部との接続端子となる信号印加電極をパターン
化する時に互いに導通した状態に形成し、基板表面忙配
向膜を付けた後にセルを組み立てて、更にレーザーを用
いて端子電極を切りはなす事で、コストを上げる事なし
に静電気によって発生する画素の欠陥の発生率を下げよ
うとし九ものである。
従来の液晶セルにおいては信号電極を接続した状態で製
造し、後に切りはなすという事は行なわれなかった。特
に第２項記載の液晶セルのように工程中に信号印加の端
子とカる信号電極にすべて同一電圧を印加しなければな
らない陽極酸化工程がある場合には電極と異種の金属を
端子部分につけたり、導電ゴムではさんだりして端子を
接続した。
造し、後に切りはなすという事は行なわれなかった。特
に第２項記載の液晶セルのように工程中に信号印加の端
子とカる信号電極にすべて同一電圧を印加しなければな
らない陽極酸化工程がある場合には電極と異種の金属を
端子部分につけたり、導電ゴムではさんだりして端子を
接続した。
しかし、前述の従来技術の方法では、非線型素子が工程
中の取シ扱いや、液晶を配向するのに一般的なラビング
法と呼ばれる方法（配向膜を付けた基板面を布などでこ
する〕を行う時に発生する静電気で破壊される現象が生
じ、製品歩止まりが大きく落ちるという問題点を有する
。
中の取シ扱いや、液晶を配向するのに一般的なラビング
法と呼ばれる方法（配向膜を付けた基板面を布などでこ
する〕を行う時に発生する静電気で破壊される現象が生
じ、製品歩止まりが大きく落ちるという問題点を有する
。
そこで本発明はこのような問題点を解決するものでその
目的とする所は製品歩止まりを上げる事で安価な液晶セ
ルを提供する所にある。
目的とする所は製品歩止まりを上げる事で安価な液晶セ
ルを提供する所にある。
本発明の液晶セルはその製造方法において１）信号電極
が互いに接続された状態に形成し、ｊ） ｇ晶セルと
して組み立てた後にｋ）レーザー光線で信号電極の接続
を切りはなす。
が互いに接続された状態に形成し、ｊ） ｇ晶セルと
して組み立てた後にｋ）レーザー光線で信号電極の接続
を切りはなす。
という工程をもつ事を％徴とする。
本発明の上記の構成によれば信号電極形成以後は信号電
極がすべて同電位に保たれる為、仮にいずれかｑ信号電
極に静電気が入っても非線型素子に与える影響は非常に
小さく破壊される事はまずない。
極がすべて同電位に保たれる為、仮にいずれかｑ信号電
極に静電気が入っても非線型素子に与える影響は非常に
小さく破壊される事はまずない。
以下本発明を実施例にもとづいて説明する。実施例にお
ける非線型素子としては金属−酸化物−金属という三層
構造からなるＭＩＭ素子（特にタンタル−酸化タンタル
−クロムからなるＭＩＭｌ１ｇ子）をとりあげる。この
素子を用いた液晶セルについては、日より’８５１Ｊ工
Ｇ Ｅ Ｓ Ｔ 、 Ｐ、２００（１９８０）にくわし
い。
ける非線型素子としては金属−酸化物−金属という三層
構造からなるＭＩＭ素子（特にタンタル−酸化タンタル
−クロムからなるＭＩＭｌ１ｇ子）をとりあげる。この
素子を用いた液晶セルについては、日より’８５１Ｊ工
Ｇ Ｅ Ｓ Ｔ 、 Ｐ、２００（１９８０）にくわし
い。
第１図は実施例における製造工程を模式的に示したもの
である。第１図−（ａ）はＭＩＭ素子が作製された基板
の状態を示しておシ、１に透明基板、２はタンタルから
なる信号を印加する信号１！極でこれはすべて端子部分
でつながれている。３は表面が酸化タンタルでおおわれ
たタンタルからなる信号電極、４は画素を形成する工Ｔ
ｏ（インジウム・ナイン・オギサイド〕の透明電極、５
はＭＩＭ素子の一部を形成しつつ透明電極４との接続を
はたしているクロムのパターンである。
である。第１図−（ａ）はＭＩＭ素子が作製された基板
の状態を示しておシ、１に透明基板、２はタンタルから
なる信号を印加する信号１！極でこれはすべて端子部分
でつながれている。３は表面が酸化タンタルでおおわれ
たタンタルからなる信号電極、４は画素を形成する工Ｔ
ｏ（インジウム・ナイン・オギサイド〕の透明電極、５
はＭＩＭ素子の一部を形成しつつ透明電極４との接続を
はたしているクロムのパターンである。
この状態から基板上に配向膜を塗布し、布等で一定の方
向にこするラビング法を施した後、シール印刷等で形成
したスペーサーを介して対向基板と組み立てて液晶セル
とし、液晶を封入した状態が第１図−（ｂ）となる。
向にこするラビング法を施した後、シール印刷等で形成
したスペーサーを介して対向基板と組み立てて液晶セル
とし、液晶を封入した状態が第１図−（ｂ）となる。
更に信号電極の端子間の結合をレーザーで焼き切った状
態が第１図−（ｃ）である。
態が第１図−（ｃ）である。
第２図は第１図−鉛に示した基板上の１画素分の拡大斜
視図である。クロムパターン５と酸化タンタルでおおわ
れたタンタル３の突起部分との交差部がＭＩＭ素子を形
成する。このような基板の製造工程としては、 イ）スパッタによるタンタル薄膜の形成口）フォトリソ
グラフィーによるタンタルパターンの形成 ハ）端子部分を除く信号電極の陽極酸化法によるタンタ
ル酸化皮膜の形成 二）スパッタとフォトリソグラフィーによる工ＴＯ透明
電極のパターン形成 ホ〕 スづツタとフォトリソグラフィーによるクロムパ
ターンの形成 等がある。
視図である。クロムパターン５と酸化タンタルでおおわ
れたタンタル３の突起部分との交差部がＭＩＭ素子を形
成する。このような基板の製造工程としては、 イ）スパッタによるタンタル薄膜の形成口）フォトリソ
グラフィーによるタンタルパターンの形成 ハ）端子部分を除く信号電極の陽極酸化法によるタンタ
ル酸化皮膜の形成 二）スパッタとフォトリソグラフィーによる工ＴＯ透明
電極のパターン形成 ホ〕 スづツタとフォトリソグラフィーによるクロムパ
ターンの形成 等がある。
第３図は他の実施例における製造工程模式図でこれは１
枚の基板から複数の表示する場合の例である。第３図−
（＆）は第１図−（ａ）と同じく、ＭＵＭ素子を作製し
た基板の完成状態である。この基板に対し、配向処理を
施し、各々の表示部分に対向基板を付けて液晶を封入し
、信号電極端子接続部をレーザーで焼き切った状態が第
３図−（ｂ）である。
枚の基板から複数の表示する場合の例である。第３図−
（＆）は第１図−（ａ）と同じく、ＭＵＭ素子を作製し
た基板の完成状態である。この基板に対し、配向処理を
施し、各々の表示部分に対向基板を付けて液晶を封入し
、信号電極端子接続部をレーザーで焼き切った状態が第
３図−（ｂ）である。
この後一点鎖線８の所をダイヤモンドカッター等で切断
するダイシング、あるいは透明基板にライン状のギズを
入れて割るスクライブという方法で各表示セルに分割し
て完成セルとする。
するダイシング、あるいは透明基板にライン状のギズを
入れて割るスクライブという方法で各表示セルに分割し
て完成セルとする。
またレーザーで端子を離した後、あるいは各表示セルに
分けた後に液晶封入する方法も考えられる。
分けた後に液晶封入する方法も考えられる。
このように本発明では製造時、ライン電極、信号印加端
子が同電位になっている為、工程途中での取り扱いや、
ラビング時に発生する静電気による非線型素子の破壊に
対して強い耐性を持つ事ができる。しかも端子の切りは
なしにレーザーを使用する為、切りはなす為のコストも
小さく、切断時の衝撃で画素の欠陥が増加する事もない
。他の方法としては、 ア） 異種の金属をつけて端子を接続し、最後にエツチ
ングして切りはなす。
子が同電位になっている為、工程途中での取り扱いや、
ラビング時に発生する静電気による非線型素子の破壊に
対して強い耐性を持つ事ができる。しかも端子の切りは
なしにレーザーを使用する為、切りはなす為のコストも
小さく、切断時の衝撃で画素の欠陥が増加する事もない
。他の方法としては、 ア） 異種の金属をつけて端子を接続し、最後にエツチ
ングして切りはなす。
イ）端子が連結しているパターンの結合部だけを最後に
選択的にエツチングして端子を分ける。
選択的にエツチングして端子を分ける。
つ〕 直接端子の連結部をスクライブやダイシングで基
板ごと切りはなす。
板ごと切りはなす。
等の方法も考えられるが、ア）の方法では一層薄膜作製
、エツチングの工程が増える為、コストアップがはなは
だしい。イ）の方法では組み立て後のパターンニングは
困難で、コストの面でも負担が大きくなる。またつ）の
方法ではダイシング時に１子部分を激しくこすり、振動
も伝わるので素子の破壊が起こり採用できない。スクラ
イブを基板裏面から行う場合も、透明基板素材がスクラ
イブに適さないものであったり、基板を割る時に素子破
壊が起ったりし、しかも端子部が基板端面にむきだしに
なるのでその後の取り扱いに非常な注意が必要で実用的
でない。このような事から本発明の方法がもつとも効果
的でかつコストもかからない。また第５図に示した方法
の変形で対向基板側も１枚で後から各表示セルに分割す
る場合でもレーザーは透明基板を通す為、間ｆｆ１７１
＜使用できる。
、エツチングの工程が増える為、コストアップがはなは
だしい。イ）の方法では組み立て後のパターンニングは
困難で、コストの面でも負担が大きくなる。またつ）の
方法ではダイシング時に１子部分を激しくこすり、振動
も伝わるので素子の破壊が起こり採用できない。スクラ
イブを基板裏面から行う場合も、透明基板素材がスクラ
イブに適さないものであったり、基板を割る時に素子破
壊が起ったりし、しかも端子部が基板端面にむきだしに
なるのでその後の取り扱いに非常な注意が必要で実用的
でない。このような事から本発明の方法がもつとも効果
的でかつコストもかからない。また第５図に示した方法
の変形で対向基板側も１枚で後から各表示セルに分割す
る場合でもレーザーは透明基板を通す為、間ｆｆ１７１
＜使用できる。
更に特許請求の範囲第１項記載の講晶セルのようにＭＩ
Ｍ素子（Ｍｅｔ−ａｌ−工ｎｓｖ１ａｔｏｒ−Ｍｅｔａ
ｇの中間層にあたる絶縁物が陽極酸化で形成される場合
、陽極酸化時に必ず信号電極端子をすべてつなぎ、後に
切りはなす事を必要とする。しかも表示特性の要求から
酸化膜厚を厚くできず通常のＩＯ等に比べ靜を気に対す
る素子の耐圧はかなり弱い。従来導電ゴムで接続したり
、前述したア）の方法等で陽極酸化が行なわれてきたが
、前者は信頼性に欠け、後者は前述したようにコストア
ップがはなはだしい為、本発明を適用した場合の効果は
太きい。
Ｍ素子（Ｍｅｔ−ａｌ−工ｎｓｖ１ａｔｏｒ−Ｍｅｔａ
ｇの中間層にあたる絶縁物が陽極酸化で形成される場合
、陽極酸化時に必ず信号電極端子をすべてつなぎ、後に
切りはなす事を必要とする。しかも表示特性の要求から
酸化膜厚を厚くできず通常のＩＯ等に比べ靜を気に対す
る素子の耐圧はかなり弱い。従来導電ゴムで接続したり
、前述したア）の方法等で陽極酸化が行なわれてきたが
、前者は信頼性に欠け、後者は前述したようにコストア
ップがはなはだしい為、本発明を適用した場合の効果は
太きい。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、信号！極の端子を接
続した状態でパターンニングし、液晶セルの状態にして
からレーザーで切りはなすことにより、製造中の端子！
極がすべて同電位に保たれるので、静電気による非線型
素子の破壊がなくなり、歩止まりが著しく向上し、製造
コストが下がるという効果を有する。
続した状態でパターンニングし、液晶セルの状態にして
からレーザーで切りはなすことにより、製造中の端子！
極がすべて同電位に保たれるので、静電気による非線型
素子の破壊がなくなり、歩止まりが著しく向上し、製造
コストが下がるという効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の液晶セルの製造工程の
１実施例を示す工程模式図。 第２図は第１図液晶セルの基板の１画素分の拡大斜視図
。 第３図ｔａ） ｖ （ｂ）は本発明の他の１実権例を示
す工程模式図。 以 上
１実施例を示す工程模式図。 第２図は第１図液晶セルの基板の１画素分の拡大斜視図
。 第３図ｔａ） ｖ （ｂ）は本発明の他の１実権例を示
す工程模式図。 以 上
Claims (2)
- （１）ａ）二枚の対向する透明基板の間に液晶が封入さ
れており、 ｂ）前記透明基板の少なくとも一方には多数の信号を印
加する信号電極と多数の非線型素子と前記非線型素子と
接続された多数の透明電極が配置され、 ｃ）対向する透明基板の内側に形成された透明電極間で
マトリクス状に画素を形成している液晶セルにおいて、
その製造工程が ｄ）非線型素子の配置された透明基板の信号電極が互い
に接続された状態に形成し、 ｅ）スペーサーを介して対向基板と接続し、液晶セルの
状態となつた後に ｆ）レーザー光線を用いて信号電極の接続を切りはなす
工程を含む事を特徴とする液晶セルの製造方法。 - （２）非線型素子が金属−絶縁物−金属のいわゆるＭＩ
Ｍ構造をもち絶縁物が陽極酸化された酸化物からなる事
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶セルの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60102847A JPS61260220A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 液晶セルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60102847A JPS61260220A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 液晶セルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61260220A true JPS61260220A (ja) | 1986-11-18 |
Family
ID=14338339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60102847A Pending JPS61260220A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 液晶セルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61260220A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63180935A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置 |
| JPH02137366A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nec Corp | ダイオード型アクティブマトリクス基板 |
| WO1996014599A1 (en) * | 1994-11-08 | 1996-05-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP60102847A patent/JPS61260220A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63180935A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置 |
| JPH02137366A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nec Corp | ダイオード型アクティブマトリクス基板 |
| WO1996014599A1 (en) * | 1994-11-08 | 1996-05-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| US6128050A (en) * | 1994-11-08 | 2000-10-03 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display device with separated anode oxide electrode |
| US6327443B1 (en) | 1994-11-08 | 2001-12-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US6388720B1 (en) | 1994-11-08 | 2002-05-14 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display including signal electrodes connected to each other by first anode oxide electrode and auxiliary electrode connected to second anode oxide electrode |
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