JPS62247330A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS62247330A JPS62247330A JP9155586A JP9155586A JPS62247330A JP S62247330 A JPS62247330 A JP S62247330A JP 9155586 A JP9155586 A JP 9155586A JP 9155586 A JP9155586 A JP 9155586A JP S62247330 A JPS62247330 A JP S62247330A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置の特に液晶表示素子に関する。
第４図に示す様に従来の液晶表示素子は、電極２及び配
向膜５を形成した基板１と、２枚の基板１を接着するシ
ール５によって液晶層４を封入していた。電極２は数百
から千数百λ程度の厚さがあシ、又配向膜３は数十から
数百λ程度の厚さであった。２枚の基板間の距離（いわ
ゆるセルギャップ）は５〜１０μｍ程度である丸め、第
４図に示した距離ａと距離すの差（ａ−ｂ）はα１〜Ｑ
、３μｍ程度となり、セルギャップの５％程度の値とな
ってい友。
向膜５を形成した基板１と、２枚の基板１を接着するシ
ール５によって液晶層４を封入していた。電極２は数百
から千数百λ程度の厚さがあシ、又配向膜３は数十から
数百λ程度の厚さであった。２枚の基板間の距離（いわ
ゆるセルギャップ）は５〜１０μｍ程度である丸め、第
４図に示した距離ａと距離すの差（ａ−ｂ）はα１〜Ｑ
、３μｍ程度となり、セルギャップの５％程度の値とな
ってい友。
従来の液晶表示素子では前述した如く第４図において、
電極２のない部分のギャップａと、電極２のある部分の
ギャップｂは、電極２の厚さの２倍だけ差が生じてしま
った。
電極２のない部分のギャップａと、電極２のある部分の
ギャップｂは、電極２の厚さの２倍だけ差が生じてしま
った。
かかる液晶表示素子のセルギャップの差（ａ−ｂ）は、
特に複屈折モードを利用する液晶表示素子ではりタープ
−ジョンの差となって現われ、表示品質を著しく悪化さ
せてしまう０発明者らが実験したところでは、非点灯外
観を満足させるためには前述のセルギャップの差（ａ−
ｂ）は２０００λ以下が好ましく、差（ａ−ｂ）が少な
いほど良質の画面が得られた。したがってこれから電極
２の厚さは、良好な外観を得るためには１０００λ以下
で薄いほど良いということがわかった。ところが周知の
ごとく最近液晶表示素子は大容量、高解像度も求められ
大型化してくるにつれ、配線抵抗を下げなければならず
、電極２は厚くなシ、又電極上に他の良導体（例えば金
属）を配線する必要もでてきた。電極２を厚くする場合
、良好な配線抵抗を得るには最も低抵抗な透明電極のＩ
ＴＯでも１０００〜１５００λ程度が必要であり、又金
属の良導体を配線する場合は、それ自身が不透なため外
観、が悪い。
特に複屈折モードを利用する液晶表示素子ではりタープ
−ジョンの差となって現われ、表示品質を著しく悪化さ
せてしまう０発明者らが実験したところでは、非点灯外
観を満足させるためには前述のセルギャップの差（ａ−
ｂ）は２０００λ以下が好ましく、差（ａ−ｂ）が少な
いほど良質の画面が得られた。したがってこれから電極
２の厚さは、良好な外観を得るためには１０００λ以下
で薄いほど良いということがわかった。ところが周知の
ごとく最近液晶表示素子は大容量、高解像度も求められ
大型化してくるにつれ、配線抵抗を下げなければならず
、電極２は厚くなシ、又電極上に他の良導体（例えば金
属）を配線する必要もでてきた。電極２を厚くする場合
、良好な配線抵抗を得るには最も低抵抗な透明電極のＩ
ＴＯでも１０００〜１５００λ程度が必要であり、又金
属の良導体を配線する場合は、それ自身が不透なため外
観、が悪い。
以上の様に第４図に示す従来の様な液晶表示素子の構造
をとる限り、リターデーションによる外観の悪化はさけ
ることができなかった。
をとる限り、リターデーションによる外観の悪化はさけ
ることができなかった。
以上の様な従来の問題点を解決するため発明者らは、液
晶表示素子に用いる基板の電極面と非電極面が平坦であ
ることを特徴とする液晶表示素子を用いた液晶表示装置
を発明した。
晶表示素子に用いる基板の電極面と非電極面が平坦であ
ることを特徴とする液晶表示素子を用いた液晶表示装置
を発明した。
以下実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
〈実施例１〉
ガラス基板１上にＩＴＯ膜を１ｓｏｏＸ形成し、フォト
リソグラフィーによＪ）ＩＴＯを所定のパターンの電極
２に加工した。その際フォトレジストのパターンはその
まま残しておいて、基板の洗浄の後、スパッタリング法
により１５００λのＳ ｔｏ ｚ膜６を形成した後、前
述の７オトレジストを除去したところ、電極部と非電極
部は平坦になった。
リソグラフィーによＪ）ＩＴＯを所定のパターンの電極
２に加工した。その際フォトレジストのパターンはその
まま残しておいて、基板の洗浄の後、スパッタリング法
により１５００λのＳ ｔｏ ｚ膜６を形成した後、前
述の７オトレジストを除去したところ、電極部と非電極
部は平坦になった。
かかる基材を用いて液晶表示素子を作成した。
本実施例の液晶表示素子の断面図を第１図に示す。
第１図で基板１の液晶側内面には電極２．５ｌｏｚ６及
び配向膜３が形成されており、電極２と非電極部上の５
ｉＯｚ６は平坦となっている。液晶４はシール５と２枚
の基板１により封入されている。
び配向膜３が形成されており、電極２と非電極部上の５
ｉＯｚ６は平坦となっている。液晶４はシール５と２枚
の基板１により封入されている。
この様にして作成した液晶表示素子では、電極部と非電
極部のりタープ−ジョンの差は全くなく、非常に良好な
外観が得られた。
極部のりタープ−ジョンの差は全くなく、非常に良好な
外観が得られた。
〈実施例２〉
ガラス基板７上に電極パターンのネガパターンをフォト
リソグラフィーにより形成し、フッ酸により基板７を１
５００λエツチングした。しかる後にフォトレジストを
除去しＩＴＯＩＩＩ形成した後、今度は電極パターンを
フォトリソグラフィーにより形成し電極２を加工したと
ころ、電極部と非電極部は平坦であった。
リソグラフィーにより形成し、フッ酸により基板７を１
５００λエツチングした。しかる後にフォトレジストを
除去しＩＴＯＩＩＩ形成した後、今度は電極パターンを
フォトリソグラフィーにより形成し電極２を加工したと
ころ、電極部と非電極部は平坦であった。
かかる基材を用いて液晶表示素子を作成した。
本実施例の液晶表示素子の断面図を第２図に示す。
第２図で基板７の溝にはＩＴＯの電極２が形成されてお
シ、その上に配向膜５が設置されている。
シ、その上に配向膜５が設置されている。
液晶４はシール５と基板７により封入されている。
この様にして作成した液晶表示素子では、電極部と非電
極部のりタープ−ジョンの差は全くなく、非常に良好な
外観が得られた。
極部のりタープ−ジョンの差は全くなく、非常に良好な
外観が得られた。
〈実施例３〉
ガラス基板１上にＩＴＯ膜を１５００＾形成し、フォト
リソグラフィーによＩＴＯを所定のパターンの電極２に
加工した。しかる後にポリイミド膜８を１．５μｍ塗布
したところ、ポリイミド膜８０表面は°平坦であった。
リソグラフィーによＩＴＯを所定のパターンの電極２に
加工した。しかる後にポリイミド膜８を１．５μｍ塗布
したところ、ポリイミド膜８０表面は°平坦であった。
かかる基材を用いて液晶表示素子を作成した。
本実施例の液晶表示素子の断面図を第５図に示す。
第３図で基板１上にＩＴＯ電極２が形成され、さらにポ
リイミド膜８が形成されている。液晶４はシール５と２
枚の基板１によシ封入されている。
リイミド膜８が形成されている。液晶４はシール５と２
枚の基板１によシ封入されている。
この様にして作成した液晶表示素子では、電極部と非電
極部のりタープ−ジョンの差は全くなく、非常に良好な
外観が得られた。
極部のりタープ−ジョンの差は全くなく、非常に良好な
外観が得られた。
以上述べた様に本発明による液晶表示素子はすぐれた外
観をもち、本発明による液晶表示素子を組み込んだ液晶
表示装置は非常に良好な表示品質を与えた。
観をもち、本発明による液晶表示素子を組み込んだ液晶
表示装置は非常に良好な表示品質を与えた。
さらに実施例１に示した様にＩＴＯ電極のバターニング
に使用したレジストを利用してリフトオフ法により膜付
けできる等、工程上の負荷はほとんど増加させずに高品
位な液晶表示素子を得ることもでき、又実施３に示した
様に工程を増加させずに高品位な液晶表示素子を得るこ
ともできる。
に使用したレジストを利用してリフトオフ法により膜付
けできる等、工程上の負荷はほとんど増加させずに高品
位な液晶表示素子を得ることもでき、又実施３に示した
様に工程を増加させずに高品位な液晶表示素子を得るこ
ともできる。
第１図は本発明の実施例の断面を示す図。
第２図は本発明の実施例２の断面を示す図。
第３図は本発明の実施例５の断面を示す図。
第４図は従来の液晶表示素子の断面を示す図。
１・・・基板 ２・・・電極 ３・・・配向膜 ４・・
・液晶層５・・・シール ６・・・５ｉＯｚ７・・・基
板 ８・・・ポリイ ミ ド膜 ａ、ｂは第４図中の距離を示す。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第２図
・液晶層５・・・シール ６・・・５ｉＯｚ７・・・基
板 ８・・・ポリイ ミ ド膜 ａ、ｂは第４図中の距離を示す。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第２図
Claims (2)
- （１）液晶層を挾持する２枚の基板の前記液晶層側の面
上において、前記液晶層を駆動する電極部の表面と非電
極部の表面が平坦であることを特徴とする液晶表示装置
。 - （２）液晶層を挾持する２枚の基板の前記液晶層側の面
上において、少なくとも前記液晶層を駆動する電極部以
外の部分に絶縁物質を形成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155586A JPS62247330A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155586A JPS62247330A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247330A true JPS62247330A (ja) | 1987-10-28 |
Family
ID=14029750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9155586A Pending JPS62247330A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62247330A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682770A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-25 | Rohm Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH07333591A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-22 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 液晶表示素子およびその製造方法 |
| US5493429A (en) * | 1990-10-26 | 1996-02-20 | Ricoh Company, Ltd. | Color liquid crystal device having thickness controlling layers disposed at non-pixel portions and between adjacent color filters |
| US7420628B1 (en) | 1991-02-16 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making an active-type LCD with digitally graded display |
| JP2012118425A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Toray Ind Inc | 液晶表示用基板および製造方法 |
| WO2013042674A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | 日本写真印刷株式会社 | 静電容量式タッチセンサ及びこれを備えた表示装置 |
-
1986
- 1986-04-21 JP JP9155586A patent/JPS62247330A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5493429A (en) * | 1990-10-26 | 1996-02-20 | Ricoh Company, Ltd. | Color liquid crystal device having thickness controlling layers disposed at non-pixel portions and between adjacent color filters |
| US5623353A (en) * | 1990-10-26 | 1997-04-22 | Ricoh Company, Ltd. | Color liquid crystal device having thickness controlling layers disposed at pixel portions |
| US7420628B1 (en) | 1991-02-16 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making an active-type LCD with digitally graded display |
| US7479939B1 (en) | 1991-02-16 | 2009-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| JPH0682770A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-25 | Rohm Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH07333591A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-22 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 液晶表示素子およびその製造方法 |
| JP2012118425A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Toray Ind Inc | 液晶表示用基板および製造方法 |
| WO2013042674A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | 日本写真印刷株式会社 | 静電容量式タッチセンサ及びこれを備えた表示装置 |
| KR101450512B1 (ko) * | 2011-09-21 | 2014-10-13 | 니폰샤신인사츠가부시키가이샤 | 정전 용량식 터치 센서 및 이것을 구비한 표시 장치 |
| US9063628B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-06-23 | Nissha Printing Co., Ltd. | Capacitance-type touch sensor and display device equipped therewith |
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