JPS61260593A - Ｅｌ薄膜の製造方法 - Google Patents
Ｅｌ薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS61260593A JPS61260593A JP60102956A JP10295685A JPS61260593A JP S61260593 A JPS61260593 A JP S61260593A JP 60102956 A JP60102956 A JP 60102956A JP 10295685 A JP10295685 A JP 10295685A JP S61260593 A JPS61260593 A JP S61260593A
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- JP
- Japan
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- target
- thin film
- film
- single element
- producing
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
に際し、特に膜の組成、構成を広範囲に制御するととも
に不純物の少ない膜を得ることができる製造方法を提供
するもので、活性ガスを含む雰囲気中で単体元素ターゲ
ットを反応性スパッタリングすることにより目的の達成
を図っている。
に不純物の少ない膜を得ることができる製造方法を提供
するもので、活性ガスを含む雰囲気中で単体元素ターゲ
ットを反応性スパッタリングすることにより目的の達成
を図っている。
本発明はＥＬ薄膜の多元スパッタリング法による製造方
法に係り、特に膜の組成、構成を広範囲に制御できかつ
不純物の少ない膜を得ることのできる製造方法に関する
。
法に係り、特に膜の組成、構成を広範囲に制御できかつ
不純物の少ない膜を得ることのできる製造方法に関する
。
従来の多元スパッタリング法を用いたＥＬ薄膜の製造方
法としては、例えばＺｎＳターゲットとＭｎターゲット
を用いた２元スパッタリングによる方法が知られている
。
法としては、例えばＺｎＳターゲットとＭｎターゲット
を用いた２元スパッタリングによる方法が知られている
。
しかしながら、この方法では、ＺｎとＳの組成比を制御
することが困難であり膜質のコントロールを行いずらい
という問題があった。また、ＺｎＳのような化合物のタ
ーゲットを用いた場合、高純度のターゲットが得にくく
、かつターゲットの変質が起り易い等の問題が生じる。
することが困難であり膜質のコントロールを行いずらい
という問題があった。また、ＺｎＳのような化合物のタ
ーゲットを用いた場合、高純度のターゲットが得にくく
、かつターゲットの変質が起り易い等の問題が生じる。
本発明は上述の問題点を解決するためのもので、図面に
例示したように、活性ガスを含む雰囲気中で単体元素タ
ーゲットを反応性スパッタリングするようになっている
。
例示したように、活性ガスを含む雰囲気中で単体元素タ
ーゲットを反応性スパッタリングするようになっている
。
この場合、膜を構成する各元素単体をターゲットとして
これをスパッタリングしても良いし、活性ガスとしてＨ
工Ｓ、 Ｈ工Ｓｅ、ジメチル硫黄、ジエチル硫黄、ジメ
チルセレン、ジエチルセレン、ジメチル亜鉛、ジエチル
亜鉛のうちの１種類または複数種類を用いても良い。
これをスパッタリングしても良いし、活性ガスとしてＨ
工Ｓ、 Ｈ工Ｓｅ、ジメチル硫黄、ジエチル硫黄、ジメ
チルセレン、ジエチルセレン、ジメチル亜鉛、ジエチル
亜鉛のうちの１種類または複数種類を用いても良い。
単体元素ターゲットとしては、次のものを用いることが
できる。
できる。
（ｌｌＺｎ、 Ｃａ、 Ｓｒのうちから１つまたは複数
を用いる。
を用いる。
（２１Ｍｎ、 Ｃｅ、 Ｅｕ＋ Ｔｂ、 Ｔｍ＋ Ｓｍ
のうちから１つまたは複数個を用いる。
のうちから１つまたは複数個を用いる。
（３１Ｓ、Ｓｅのうちの１つまたは両方を用いる。
本発明の方法によると、従来の化合物ターゲットに比べ
て、単体ターゲットまたはガスの状態で高純度な物質を
得られること、単体ターゲット。
て、単体ターゲットまたはガスの状態で高純度な物質を
得られること、単体ターゲット。
ガスが変質しにくいこと、及び単体ターゲット。
ガスを用いた場合膜の組成が大幅に変えられることから
、純度が高く組成の最適化されたＥＬ薄膜を得ることが
でき、高輝度のＥＬパネルが得られる。
、純度が高く組成の最適化されたＥＬ薄膜を得ることが
でき、高輝度のＥＬパネルが得られる。
以下、図面に関連して本発明の詳細な説明する。
本実施例はＺｎＳ：Ｍｎ薄膜を形成する例で、図面はこ
の薄膜形成に用いるスパッタリング装置の１例である。
の薄膜形成に用いるスパッタリング装置の１例である。
図中、ｌはホルダ、２はＺｎターゲット、３はＳターゲ
ット、４はＭｎターゲットである。ホルダ１は真空容器
５内に設けられて回転可能で、薄膜を形成する基板１０
０はこのホルダ１の下面にセットされる。各ターゲット
２，３．４には、ＲＦ電源６，７．８がマツチングボッ
クス９．１０．１１を介し独立して接続されており、各
ターゲットを同時に独立したパワーでスパッタリングで
きるようになっている。また、ニードルバルブ１２から
は各種の活性ガス１３が真空容器５内に導入される。
ット、４はＭｎターゲットである。ホルダ１は真空容器
５内に設けられて回転可能で、薄膜を形成する基板１０
０はこのホルダ１の下面にセットされる。各ターゲット
２，３．４には、ＲＦ電源６，７．８がマツチングボッ
クス９．１０．１１を介し独立して接続されており、各
ターゲットを同時に独立したパワーでスパッタリングで
きるようになっている。また、ニードルバルブ１２から
は各種の活性ガス１３が真空容器５内に導入される。
薄膜形成時には、上述のように別々に装着された各ター
ゲラ）２，３．４を同時に放電させ、約３００℃に加熱
された基板１００（この加熱はホルダ１に設けられた図
示しないヒータにより行われる）を保持するホルダ１を
回転させる。この場合、ニードルバルブ１２から真空容
器５内へＡｒガス（例えば約８×１０″″３ｔｏｒｒの
ガス圧のもの）を導入する。
ゲラ）２，３．４を同時に放電させ、約３００℃に加熱
された基板１００（この加熱はホルダ１に設けられた図
示しないヒータにより行われる）を保持するホルダ１を
回転させる。この場合、ニードルバルブ１２から真空容
器５内へＡｒガス（例えば約８×１０″″３ｔｏｒｒの
ガス圧のもの）を導入する。
これにより、Ｚｎ、 Ｓ、 Ｍｎが基板１００に飛
来してＺｎＳ：Ｍｎ薄膜が形成されるが、Ｍｎの添加量
は約０．５ｗｔ％なので、Ｍｎターゲット４上には約１
ｍｍ幅のスリット（図示省略）をおいてレート制御を行
う。また、Ｓは非常にスパッタされ易いので低パワーで
放電させる。なお、Ｍｎターゲットの代りにＭｎＳター
ゲットを用いると、膜のＳが補われ、ストイキオメトリ
−に近い膜が得られる。
来してＺｎＳ：Ｍｎ薄膜が形成されるが、Ｍｎの添加量
は約０．５ｗｔ％なので、Ｍｎターゲット４上には約１
ｍｍ幅のスリット（図示省略）をおいてレート制御を行
う。また、Ｓは非常にスパッタされ易いので低パワーで
放電させる。なお、Ｍｎターゲットの代りにＭｎＳター
ゲットを用いると、膜のＳが補われ、ストイキオメトリ
−に近い膜が得られる。
他の例として、図示を省略するが、Ｚｎターゲット、Ｍ
ｎターゲットを装着し、これをｌＩ２３を含むＡｒ雰囲
気中でスパッタリングする方法がある。この場合、Ｓタ
ーゲットは必ずしも必要ではなく、Ｓの供給を安定して
行うことができる。
ｎターゲットを装着し、これをｌＩ２３を含むＡｒ雰囲
気中でスパッタリングする方法がある。この場合、Ｓタ
ーゲットは必ずしも必要ではなく、Ｓの供給を安定して
行うことができる。
さらに他の例として、Ｚｎ、 Ｓの両方をガスで供給す
る方法がある。この場合、例えばジメチル亜鉛の間ガス
、Ｈ２Ｓガスを混合したＡｒガスをスパッタ雰囲気とし
て用い、Ｍｎターゲットをスパッタリングして成膜する
。
る方法がある。この場合、例えばジメチル亜鉛の間ガス
、Ｈ２Ｓガスを混合したＡｒガスをスパッタ雰囲気とし
て用い、Ｍｎターゲットをスパッタリングして成膜する
。
以上のような方法を用いると、ＺｎＳターゲットを用い
る従来の場合に比べて、膜の組成制御がしやすく、また
ＺｎＳ化合物よりＺｎ、Ｓ単独物質の方が材料を高純度
化できるため良質の膜が得られる。
る従来の場合に比べて、膜の組成制御がしやすく、また
ＺｎＳ化合物よりＺｎ、Ｓ単独物質の方が材料を高純度
化できるため良質の膜が得られる。
さらに、ＺｎＳという化合物の状態に比べＺｎ、Ｓとい
う単体状態の方がスパッタリング中あるいはターゲット
保存中における水分吸着等によるターゲット変質が起り
にくいため、成膜が再現性良く行え、かつ水分、酸素等
の不純物混入を抑制できる。
う単体状態の方がスパッタリング中あるいはターゲット
保存中における水分吸着等によるターゲット変質が起り
にくいため、成膜が再現性良く行え、かつ水分、酸素等
の不純物混入を抑制できる。
上述の説明ではＺｎＳ：Ｍｎ薄膜形成例について述べた
が、本発明には、活性ガスを含む雰囲気中で次の単体元
素ターゲットを反応性スパッタリングする場合も含まれ
、同様の効果を奏することが可能である。
が、本発明には、活性ガスを含む雰囲気中で次の単体元
素ターゲットを反応性スパッタリングする場合も含まれ
、同様の効果を奏することが可能である。
（１１単体元素ターゲットとして、Ｚｎ＋Ｃａ＋Ｓｒの
うちから１つまたは複数を用い、る。
うちから１つまたは複数を用い、る。
（２）単体元素ターゲットとして、Ｍｎ＋Ｃｅ＋Ｂｕｌ
Ｔｂ４ｍ＋Ｓｍのうちから１つまたは複数用いる。
Ｔｂ４ｍ＋Ｓｍのうちから１つまたは複数用いる。
（３）単体元素ターゲットとして、Ｓ、Ｓｅのうちの１
つまたは両方を用いる。
つまたは両方を用いる。
また、活性ガスとして、Ｈ２Ｓ、ＩｆよＳｅ、ジメチル
硫黄、ジエチル硫黄、ジメチルセレン、ジエチルセレン
、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛のうちの１種類または複
数種類を用いて単体元素ターゲットを反応性スパッタリ
ングしても同様の効果を奏することが可能である。
硫黄、ジエチル硫黄、ジメチルセレン、ジエチルセレン
、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛のうちの１種類または複
数種類を用いて単体元素ターゲットを反応性スパッタリ
ングしても同様の効果を奏することが可能である。
以上述べたように、本発明によれば、膜の構成元素の全
部または一部を単体元素ターゲットあるいはガスの状態
で供給することにより、膜組成の制御を広範囲で行い、
かつ純度の高い膜を得ることが可能となり、高輝度のＥ
Ｌ膜を提供することができる。
部または一部を単体元素ターゲットあるいはガスの状態
で供給することにより、膜組成の制御を広範囲で行い、
かつ純度の高い膜を得ることが可能となり、高輝度のＥ
Ｌ膜を提供することができる。
図面は本発明の実施例を示すスパッタリング装置の概略
図で、 図中、 ２はＺｎターゲット、 ３はＳターゲット、 ４はＭｎターゲット、 ５は真空容器、 １３は活性ガス、 １００はＥＬ薄膜を形成する基板である。
図で、 図中、 ２はＺｎターゲット、 ３はＳターゲット、 ４はＭｎターゲット、 ５は真空容器、 １３は活性ガス、 １００はＥＬ薄膜を形成する基板である。
Claims (6)
- １．多元スパッタリング法によるＥＬ薄膜の製造方法
において、 活性ガスを含む雰囲気中で単体元素ターゲットを反応
性スパッタリングすることを特徴とするＥＬ薄膜の製造
方法。 - ２．膜を構成する各元素単体をターゲットとしこれを
スパッタリングする特許請求の範囲第１項記載のＥＬ薄
膜の製造方法。 - ３．単体元素ターゲットとして、Ｚｎ，Ｃａ，Ｓｒの
うちから１つまたは複数を用いた特許請求の範囲第１、
第２項記載のＥＬ薄膜の製造方法。 - ４．単体元素ターゲットとして、Ｍｎ，Ｃｅ，Ｅｕ，
Ｔｂ，Ｔｍ，Ｓｍのうちから１つまたは複数を用いた特
許請求の範囲、第１、第２項記載のＥＬ薄膜の製造方法
。 - ５．単体元素ターゲットとして、Ｓ，Ｓｅ，Ｏのうち
の１つまたは両方を用いた特許請求の範囲第１、第２項
記載のＥＬ薄膜の製造方法。 - ６．活性ガスとしてＨ＿２Ｓ，Ｈ＿２Ｓｅ，ジメチル
硫黄，ジエチル硫黄，ジメチルセレン，ジエチルセレン
，ジメチル亜鉛，ジエチル亜鉛のうちの１種類または複
数種類を用いた特許請求の範囲第１項記載のＥＬ薄膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60102956A JPS61260593A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | Ｅｌ薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60102956A JPS61260593A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | Ｅｌ薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61260593A true JPS61260593A (ja) | 1986-11-18 |
Family
ID=14341250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60102956A Pending JPS61260593A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | Ｅｌ薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61260593A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62211897A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | 株式会社日立製作所 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH01102897A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-20 | Res Dev Corp Of Japan | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
| WO1991003141A1 (fr) * | 1988-02-25 | 1991-03-07 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Element electroluminescent a couche mince |
| US5482603A (en) * | 1992-05-07 | 1996-01-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of producing electroluminescence emitting film |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP60102956A patent/JPS61260593A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62211897A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | 株式会社日立製作所 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH01102897A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-20 | Res Dev Corp Of Japan | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
| WO1991003141A1 (fr) * | 1988-02-25 | 1991-03-07 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Element electroluminescent a couche mince |
| US5482603A (en) * | 1992-05-07 | 1996-01-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of producing electroluminescence emitting film |
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