JPS61262609A - 寸法測定装置 - Google Patents
寸法測定装置Info
- Publication number
- JPS61262609A JPS61262609A JP10373385A JP10373385A JPS61262609A JP S61262609 A JPS61262609 A JP S61262609A JP 10373385 A JP10373385 A JP 10373385A JP 10373385 A JP10373385 A JP 10373385A JP S61262609 A JPS61262609 A JP S61262609A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air micrometer
- pattern
- origin
- optical system
- meter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measuring Arrangements Characterized By The Use Of Fluids (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は寸法測定技術、特に、半導体集積回路の微細回
路パターンの寸法測定に適用して効果のある技術に関す
る。
路パターンの寸法測定に適用して効果のある技術に関す
る。
半導体集積回路の形成工程において基板上にホトリソグ
ラフィ技術等で形成された回路パターンは高集積化に伴
って極めて微細なものとなって来ている。
ラフィ技術等で形成された回路パターンは高集積化に伴
って極めて微細なものとなって来ている。
そのため、このような微細回路パターンの形成後にその
検査を行う場合にも、極めて高精度の寸法測定技術が要
求されて来ている。
検査を行う場合にも、極めて高精度の寸法測定技術が要
求されて来ている。
そこで、寸法測定装置の光学系にエアマイクロメータを
使用し、そのエアマイクロメータの自動焦点において原
点の設定を変化させながら焼き付けてベストフォーカス
を求めることによりキャリブレーションを行うことが考
えられる。
使用し、そのエアマイクロメータの自動焦点において原
点の設定を変化させながら焼き付けてベストフォーカス
を求めることによりキャリブレーションを行うことが考
えられる。
ところが、この場合には、キャリブレーション作業に非
常に手間がかかる上に、低ドリフト化が困難であるとい
う問題があることを本発明者は見い出した。
常に手間がかかる上に、低ドリフト化が困難であるとい
う問題があることを本発明者は見い出した。
なお、半導体集積回路のパターン寸法測定については、
株式会社工業調査会、昭和５７年１１月１５日発行、「
電子材料Ｊ １９８２年１１月号別冊、Ｐ２４３〜Ｐ２
４８に記載されている。
株式会社工業調査会、昭和５７年１１月１５日発行、「
電子材料Ｊ １９８２年１１月号別冊、Ｐ２４３〜Ｐ２
４８に記載されている。
本発明の目的は、高速でエアマイクロメータのオートフ
ォーカシングを行うことのできる技術を提供することに
ある。
ォーカシングを行うことのできる技術を提供することに
ある。
本発明の他の目的は、高精度でエアマイクロメータのオ
ートフォーカシングを行うことのできる技術を提供する
ことにある。
ートフォーカシングを行うことのできる技術を提供する
ことにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、本発明は、パターンのエツジの最もシャープ
となる時のエアマイクロメータの出力を求めて該エアマ
イクロメータの原点を設定するよう構成したことにより
、エアマイクロメータを光学的に補正することができ、
高速で、また高精度のオートフォーカシングが可能とな
るものである。
となる時のエアマイクロメータの出力を求めて該エアマ
イクロメータの原点を設定するよう構成したことにより
、エアマイクロメータを光学的に補正することができ、
高速で、また高精度のオートフォーカシングが可能とな
るものである。
第１図は本発明による一実施例である寸法測定装置の要
部を示す概略説明図である。
部を示す概略説明図である。
本実施例において、微細回路パターン１ａを形成したウ
ェハｌはＸＹテーブル２上に試料台部（図示せず）を介
して載置されている。
ェハｌはＸＹテーブル２上に試料台部（図示せず）を介
して載置されている。
ウェハｌの上方には、該ウェハｌ上の微細回路パターン
１ａを検出、測定するための光学系３が設けられ、この
光学系３の下部にはエアマイクロメータ４が設けられて
いる一方、上部にはパターン検知用の電荷結合素子（Ｃ
ＣＤ）５が配置されている。
１ａを検出、測定するための光学系３が設けられ、この
光学系３の下部にはエアマイクロメータ４が設けられて
いる一方、上部にはパターン検知用の電荷結合素子（Ｃ
ＣＤ）５が配置されている。
エアマイクロメータ４は微細回路パターンｌａの測定の
ためにａ徽鏡のオートフォーカスとして使用されるもの
であり、差圧センサ６を介してエアマイクロメータ自動
制御回路７に接続されている。このエアマイクロメータ
自動制御回路７はリニアライザ８と、加算器９と、増巾
器１０とよりなる。増巾器１０は２輪駆動モータ１１に
接続されている。２輪駆動モータ１１は光学系３を２軸
方向に駆動するものである。
ためにａ徽鏡のオートフォーカスとして使用されるもの
であり、差圧センサ６を介してエアマイクロメータ自動
制御回路７に接続されている。このエアマイクロメータ
自動制御回路７はリニアライザ８と、加算器９と、増巾
器１０とよりなる。増巾器１０は２輪駆動モータ１１に
接続されている。２輪駆動モータ１１は光学系３を２軸
方向に駆動するものである。
一方、ＣＣＤ５は該ＣＣＤ５による光学像から求めたエ
アマイクロメータ４の原点のずれ量を計算する中央処理
ユニット（ＣＰＵ）１２に接続されている。ＣＰＵ１２
はオフセットレジスタ１３を介して加算器９に接続され
ている。
アマイクロメータ４の原点のずれ量を計算する中央処理
ユニット（ＣＰＵ）１２に接続されている。ＣＰＵ１２
はオフセットレジスタ１３を介して加算器９に接続され
ている。
次に、本実施例の作用について説明する。
ＸＹテーブル２上のウェハ１の微細回路パターンｌａを
検出する場合、光学系３で結像させたパターン像をＣＣ
Ｄ５で検出する。そして、ＣＣＤ５によるパターン検出
信号のうち、パターンエツジが最もシャープとなる時の
エアマイクロメータ４の出力を求めろ、すなわち、ＣＣ
Ｄ５のパターン検出信号はＣＰＵ１２により、光学像か
ら求めたエアマイクロメータ４の原点のずれ量を計算さ
れ、その結果はオフセットレジスタ１３を介して加算器
９に印加される。一方、エアマイクロメータ４による差
圧は差圧センサ６で検知され、その信号はりニアライザ
８に印加される。
検出する場合、光学系３で結像させたパターン像をＣＣ
Ｄ５で検出する。そして、ＣＣＤ５によるパターン検出
信号のうち、パターンエツジが最もシャープとなる時の
エアマイクロメータ４の出力を求めろ、すなわち、ＣＣ
Ｄ５のパターン検出信号はＣＰＵ１２により、光学像か
ら求めたエアマイクロメータ４の原点のずれ量を計算さ
れ、その結果はオフセットレジスタ１３を介して加算器
９に印加される。一方、エアマイクロメータ４による差
圧は差圧センサ６で検知され、その信号はりニアライザ
８に印加される。
それにより、エアマイクロメータ自動制御回路７はＺ軸
駆動モータ１１を作動させ、光学系３ｊ９よびエアマイ
クロメータ４を２軸方向に駆動し、エアマイクロメータ
４のオートフォーカシング位置を光学的にキャリブレー
ションして補正し、自動的に原点を設定する。
駆動モータ１１を作動させ、光学系３ｊ９よびエアマイ
クロメータ４を２軸方向に駆動し、エアマイクロメータ
４のオートフォーカシング位置を光学的にキャリブレー
ションして補正し、自動的に原点を設定する。
その結果、エアマイクロメータ４の使用によって、高速
かつ高精度のオートフォーカシングが可能である。
かつ高精度のオートフォーカシングが可能である。
（１）、パターンのエツジの最もシャープとなる時のエ
アマイクロメータの出力を求めて該エアマイクロメータ
の原点を設定するよう構成したことにより、エアマイク
ロメータを光学的に補正することができるので、高速で
オートフォーカシングを行うことができる。
アマイクロメータの出力を求めて該エアマイクロメータ
の原点を設定するよう構成したことにより、エアマイク
ロメータを光学的に補正することができるので、高速で
オートフォーカシングを行うことができる。
（２）、前記＋１）により、高精度でオートフォーカシ
ングを行うことができる。
ングを行うことができる。
（駅前記＋１）により、キャリブレーションを自動的に
行うことができる。
行うことができる。
（４）、前記（１）により、ドリフトを補正し、低ドリ
フト化を図ることができる。
フト化を図ることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、ＣＯＤの代わりに他の検出素子を用いてもよ
い、また、エアマイクロメータ自動焦点制御回路として
他の構成のものを用いることもできる。
い、また、エアマイクロメータ自動焦点制御回路として
他の構成のものを用いることもできる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体集積回路のパ
ターン寸法測定に適用した場合について説明したが、そ
れに限定さ斡るものではなく、たとえば、アライナのア
ライメント機構における寸法測定等にも広（適用するこ
とができる。
をその背景となった利用分野である半導体集積回路のパ
ターン寸法測定に適用した場合について説明したが、そ
れに限定さ斡るものではなく、たとえば、アライナのア
ライメント機構における寸法測定等にも広（適用するこ
とができる。
第１図は本発明による一実施例である寸法測定装置の要
部を示す概略説明図である。 ｌ・・・ウェハ、ｌａ・・・微細回路パターン、２・・
・ＸＹテーブル、３・・・光学系、４・・・エアマイク
ロメータ、５・・・電荷結合素子（ＣＣＤ） 、６・・
・差圧センサ、７・・・エアマイクロメータ自動焦点制
御回路、８・・・リニアライザ、９・・・加算器、１０
・・・増巾器、１１・・・Ｚ軸駆動モータ、１２・・・
中央処理ユニット（ＣＰＵ） 、１３・・・オフセット
レジスタ。
部を示す概略説明図である。 ｌ・・・ウェハ、ｌａ・・・微細回路パターン、２・・
・ＸＹテーブル、３・・・光学系、４・・・エアマイク
ロメータ、５・・・電荷結合素子（ＣＣＤ） 、６・・
・差圧センサ、７・・・エアマイクロメータ自動焦点制
御回路、８・・・リニアライザ、９・・・加算器、１０
・・・増巾器、１１・・・Ｚ軸駆動モータ、１２・・・
中央処理ユニット（ＣＰＵ） 、１３・・・オフセット
レジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光学系にエアマイクロメータを設けてなる半導体集
積回路装置のパターン寸法を測定する装置であって、パ
ターンのエッジの最もシャープとなる時のエアマイクロ
メータの出力を求めて該エアマイクロメータの原点を設
定するよう構成したことを特徴とする寸法測定装置。 ２、光学像から求めたエアマイクロメータの原点のずれ
量をエアマイクロメータ自動焦点制御回路で制御するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の寸法測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10373385A JPS61262609A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 寸法測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10373385A JPS61262609A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 寸法測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61262609A true JPS61262609A (ja) | 1986-11-20 |
Family
ID=14361836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10373385A Pending JPS61262609A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 寸法測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61262609A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015005561A1 (ko) * | 2013-07-11 | 2015-01-15 | 주식회사 엘지화학 | 에어 마이크로미터 |
| US9482523B2 (en) | 2013-07-11 | 2016-11-01 | Lg Chem, Ltd. | Air micrometer |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP10373385A patent/JPS61262609A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015005561A1 (ko) * | 2013-07-11 | 2015-01-15 | 주식회사 엘지화학 | 에어 마이크로미터 |
| US9482523B2 (en) | 2013-07-11 | 2016-11-01 | Lg Chem, Ltd. | Air micrometer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2020026031A (ja) | 補足計測位置座標決定システムを用いたロボットシステム | |
| EP0457843A4 (en) | Method and apparatus for measuring registration between layers of a semiconductor wafer | |
| JP2000121324A (ja) | 厚さ測定装置 | |
| JPS61262609A (ja) | 寸法測定装置 | |
| US3916528A (en) | Apparatus for compensation of dimensional position changes | |
| EP0019941B1 (en) | Reduction projection aligner system | |
| JPS6148249B2 (ja) | ||
| JPH0350752A (ja) | ウェハアライメント方法、及びその装置 | |
| JP3050498B2 (ja) | 位置ずれ量測定光学系の調整方法および位置ずれ量測定装置 | |
| JPS62272107A (ja) | 実装部品検査方法 | |
| EP0094041A1 (en) | Reduction projection aligner system | |
| JPS60249323A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPH04159745A (ja) | ウェーハの微小寸法測定装置 | |
| JPS59117118A (ja) | ステ−ジ | |
| JP2977307B2 (ja) | 試料面高さ測定方法 | |
| JPH10132529A (ja) | 三次元形状の測定装置および測定方法 | |
| CN117190870A (zh) | 一种结合单色光和白光的干涉测量装置及方法 | |
| JPS60167341A (ja) | 微細パタ−ン検出方法 | |
| JPS61118606A (ja) | 光学式寸法測定機 | |
| JPH09304020A (ja) | 位置計測装置及び位置調整装置 | |
| JPH01292206A (ja) | 物体の表面状態測定装置及び表面の高さ測定装置 | |
| CN120935457A (zh) | 实现多工位高精度及快速自动对焦的方法、装置、处理器及其计算机可读存储介质 | |
| JPS63150916A (ja) | アライメント方法及びアライメント装置の校正用基板 | |
| KR100380133B1 (ko) | 광센서에서 피측정물의 반사광 강도에 따른 오차 보상방법 | |
| JPS61165607A (ja) | 測定装置 |