JPS6126282A

JPS6126282A - 多層配線基板

Info

Publication number: JPS6126282A
Application number: JP14603584A
Authority: JP
Inventors: 金原　広治
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1984-07-16
Filing date: 1984-07-16
Publication date: 1986-02-05
Also published as: JPH0563955B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は多層配線基板の構造、とくに設計変更電極の構
造に関するものである、〔従来技術〕従来、多層配線基板において設計変更が発生した場合の
接。続変更の方法として、例えば、Ａ、Ｊ。

Ｂｌｏｄｇｅｔｔ、　Ｄ、Ｒ，Ｂａｒｂｏｕｒ＋　Ｔｈ
ｅｒｍａｌ　ＣｏｎｄｕｃｔｉｏｎＭｏｄｕｌｅ　：　
Ａ　Ｈｉｇｈ−Ｐｅｒｆｏｒａ＋ａｎｃｅ　Ｍｕｌｔｉ
ｌａｙｅｒ　ＣｅｒａｍｉｃＰａｃｋａｇｅ、　ＩＢＭ
　Ｊ、ＲＨ３，ＤＨＶＥＬＯＰ、２６．３０〜３６（１
９８２）に示されるように、多層配線基板の最上層に、
設計変更電極として、内層の導電層からチップへつなが
る導体配線と、設計変更時にワイヤーの接続に使用する
接続部分とを形成し、設計変更が必要な時に表面の導体
配線を切断し、内層導電層とチップとを切離し、接続部
分にポンディングでワイヤーを接続するというものがあ
る。しかしこの方法では切断用導体配線とワイヤー接続
部分とが同一工程で形成されるため、切断部分も接続部
分と同じ構造で形成される。上記文献に歓己載された多
層基板における設計変更電極は、第１図に示されるよう
に、２つの接続部分１１と１つの切断部分１２よりなり
、各部分の導体材料も導体厚も同じであり構造上の差異
はない。しかし本来、接続部と切断部はその目的・機能
が異なっている。すなわち、接続部は設計変更用の布線
やＩＣＩＪ−ドが接続される部分であり、はんだ付けや
熱圧着、超音波圧着などに対してすぐれた特性を有する
必要がある。

一方切断部は、通常は高信頼度な導体であるとともに必
要時には容易に切断できるものでなければならない。こ
のように異なる機能を有する接続部と切断部を同一の構
造で形成していては、それぞれの必要とする特性を十分
に得ることができないという問題点があった。

〔発明の概要〕

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、接続性、切断性に対してすぐれ
た特性を持つ設計変更電極を有′ｆる多層配線基板を提
供することにある。

このような目的を達成するために本発明は、設計変更電
極の切断部と接続部とを異なる導体層構成にしたもので
ある。

〔実施例〕

本発明を実施例に基づき詳細に説明する。第２図に本発
明に係わる多層配線基板の一実施例を示す。

第２図において、２１は接続部、２２は切断部である。

以下導体材料の構成について述べる。接続部２１は基板
上（図示されていない）のクロム、パラジウムの薄膜層
の上に銅メッキがされている。クロムの厚さは５００〜
１０００人、パラジウムの厚さは３００〜３０００人の
範囲である。銅メッキの厚みは３〜２０μｍの範囲であ
る。場合によっては銅メツキ上に、１〜５μｍ厚のニッ
ケルメッキと０．５〜２μｍ厚の金メッキとが形成され
、あるいは０．５〜４μｍ厚のパラジウムメッキが形成
される。これらのメタル材料は、ワイヤーを接続する方
法、すなわちはんだ付け、熱圧着、超音波接続などの種
々の方法に応じて選択される。また薄膜層の材料として
上記クロムの代わりにチタン、タングステン、ニクロム
、アルミニウム、タンタル等の金属を用いてもよい。ま
た上記パラジウムの代わりに白金、ニッケル、銅等の金
属を用いてもよい。切断部２２は基板上（図示されてい
ない）のクロム。

パラジウム、銅の薄膜層の上にニッケルメッキと金メッ
キがほどこされている。クロムの厚さは５０θ〜１００
０人、パラジウムの厚さは３００〜３０００人。

銅の厚さは１０００〜５０００人の範囲である。ニッケ
ルメッキと金メッキの両方の厚さの合計が４μｍ以下で
あることが切断のために好ましい。切断はレーザや超音
波カッタ、ダイヤモンドカッタ、超硬ナイフ等で行なわ
れる。

この設計変更電極の製造方法の一例は次の通りである。

絶縁層の上にクロム、パラジウム、銅の多層薄膜導体層
を、例えば、スパツタリングや蒸着などで形成する。こ
の層構成は、絶縁層と後の工程で形成される配線層との
密着性等を考慮して適宜法められる。次にフォトレジス
トをこの薄膜導体層上に塗布し、露光、現像の工程を経
て切断部を含むパターンを形成する。次にニッケルおよ
び金の多層メッキ工程により切断部を含む配線層を形成
する。ここでニッケルおよび金の層構成としたのは、金
が赤外線レーザ光で容易に切断できるからであり、また
下層のニッケルは、下地の薄膜層と金との密着を得るた
め、およびハンダ付は部分から金錫ハンダが切断部のパ
ターンにまで流れこんできた場合に配線層の金が金錫ハ
ンダなどに食われて断線してしまわないため必要である
。

この層の構成は、切断に用いる高エネルギー放射線等の
性質や切断方法を考慮して適宜法められる。

次にフォトレジストを剥離し、再度フォトレジストを塗
布し、露光、現像の工程を経て接続部を有するパターン
を形成し、メッキ工程により接続部を有する配線層を形
成する。この配線層に用いる金属は接続方法によって決
められ、たとえば、金錫ハンダによって接続を行なう場
合は銅、パラジウムなどを用いる。次にフォトレジスト
を剥離し、エソチング工程により配線層以外の薄膜導体
層を取り除く。これで、切断部を接続部と異なる導体層
構成にして切断しやすくした配線基板が形成される。

本発明の第２の実施例として、切断部をニッケル、金の
メッキで、接続部を銅のメッキで形成した基板の例を第
３図に示す。第３図において、３゜は内層および表面層
に導体回路が形成されたセラミック多層基板、３１は接
続部、３２は切断部、３３はチタン薄膜層、３４はパラ
ジウム薄膜層、３５は銅薄膜層、３６は銅メッキ、３７
はニッケルメッキ、３８は金メッキ、３９は設計変更電
極と内層信号配線部もしくはＩＣチップリード端子接続
部とをつなぐピアホールおよび配線である。チタン薄膜
層３３、パラジウム薄膜層３４、銅薄膜層３５のそれぞ
れの厚さは５００人〜３０００人の範囲にある。接続部
３１は主に厚さ１０μｍ程度の銅メッキ３６で形成され
ている。

切断部３２はニッケルメッキ３７と金メッキ３８の２層
メッキで形成されていて、厚さは、それぞれ１μｍと２
μｍである。

第４図に本発明の第３の実施例を示す。４１は接続部、
４２は切断部である。接続部４１．切断部４２ともに基
板上（図示されていない）のニクロム薄膜層の上にニッ
ケル薄膜層が形成され、その上に金メッキがほどこされ
ている。ニクロム薄膜層の厚さは５００〜２０００人、
ニッケル薄膜層の厚さは１０００〜３０００人である。

金メッキの厚さは、接続部４１で５〜１０μｍ、切断部
４２で１．５〜３μｍとなっており、両者の厚さは異な
る。これは、接続部４１は信親性の高い接続を得るため
に５μｍ以上の厚さが望ましいのに対し、切断部４２は
切断のしやすさから３μｍ以下が好ましいためである。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明は、設計変更電極の切断部と接
続部とを異なる導体材料あるいは導体厚の導体層構成と
したので、接続性、切断性に対してすぐれた特性を持つ
設計変更電極を形成できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の多層配線基板を示す斜視図、第２図は本
発明に係わる多層配線基板の一実施例を示す斜視図、第
３図はその第２の実施例を示す縦断面図、第４図はその
第３の実施例を示す斜視図である。２１、３１．４１・・・・接続部、２２．３２．４２・
・・・切断部、３３・・・・チタン薄膜層、３４・・・
・パラジウム薄膜層、３５・・・・銅薄膜層、３６・・
・・銅メブキ、３７・・・・ニッケルメッキ、３８・・
・・金メッキ、３９・・・・ピアホールおよび配線。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）接続部と切断部とから構成された設計変更電極を
有する多層配線基板において、前記接続部と切断部とは
異なる導体層構成であることを特徴とする多層配線基板
。
（２）切断部は、接続部と異なる導体材料であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層配線基板。
（３）切断部は、接続部と異なる導体厚であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の多層配
線基板。