JPS61263222A - 走査型描画装置 - Google Patents
走査型描画装置Info
- Publication number
- JPS61263222A JPS61263222A JP60103963A JP10396385A JPS61263222A JP S61263222 A JPS61263222 A JP S61263222A JP 60103963 A JP60103963 A JP 60103963A JP 10396385 A JP10396385 A JP 10396385A JP S61263222 A JPS61263222 A JP S61263222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- key
- exposure
- scanning
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野１
本発明は、大規模集積回路等の微細パターンを半導体基
板等の上にレーザビームを用いて描画露光するための描
画装置に関する。
板等の上にレーザビームを用いて描画露光するための描
画装置に関する。
［従来技術］
半導体素子の集積化と同時に、回路パターンの微細化は
年々進み、これに対応するために、縮小投影露光装置の
投影レンズもどんどん間口数の明るい、従って高解像の
ものが開発されている。さらに最近では、露光波長の短
波長化による高解像化をねらったエキシマレーザによる
露光等も研究されており、これによれば０．３μ−の線
も光で焼付可能とさえ言われている。ところが、このよ
うな微細パターンの光りソグラフイにおける問題は、投
影光学系の解像力だけではない。
年々進み、これに対応するために、縮小投影露光装置の
投影レンズもどんどん間口数の明るい、従って高解像の
ものが開発されている。さらに最近では、露光波長の短
波長化による高解像化をねらったエキシマレーザによる
露光等も研究されており、これによれば０．３μ−の線
も光で焼付可能とさえ言われている。ところが、このよ
うな微細パターンの光りソグラフイにおける問題は、投
影光学系の解像力だけではない。
一般に半導体基板としてのウェハ面上にＬＳＩ等の回路
パターンをリソグラフィにより形成していく場合、ウニ
凸面に各種の回路パターンを何回も繰り返し重ねて露光
し、食刻していく方法が採られる。この際の前工程のパ
ターンとの位置合せ精度は、焼付線幅の１１５程度の精
度が必要と言われ、従ってパターンの微細化が進めば進
むほどそれに比例して位置合せも難しくなる。
パターンをリソグラフィにより形成していく場合、ウニ
凸面に各種の回路パターンを何回も繰り返し重ねて露光
し、食刻していく方法が採られる。この際の前工程のパ
ターンとの位置合せ精度は、焼付線幅の１１５程度の精
度が必要と言われ、従ってパターンの微細化が進めば進
むほどそれに比例して位置合せも難しくなる。
通常の投影露光装置ではこの位置合せｍ度に直接影響す
るのが投影レンズのディストーションであり、例えば０
．３μｍの線幅を焼付けようとする場合の必要位置合せ
精度である０、０６μｍ以下にデストーションをおさえ
ることはなかなか容易なことではない。
るのが投影レンズのディストーションであり、例えば０
．３μｍの線幅を焼付けようとする場合の必要位置合せ
精度である０、０６μｍ以下にデストーションをおさえ
ることはなかなか容易なことではない。
その他にも、ウェハのそり、前工程の段差上に塗付され
たレジストの影響等、位置合せを狂わす要因は多々あり
、前述のような超微細パターンの焼付においては、位置
合せの問題は最も深刻な問題となる。
たレジストの影響等、位置合せを狂わす要因は多々あり
、前述のような超微細パターンの焼付においては、位置
合せの問題は最も深刻な問題となる。
Ｅ本発明の目的］
本発明は、前述のような問題点を除去して、超高精度で
位置合せを行ないながら、超微細パターンを形成する装
置を提供することを目的とする。
位置合せを行ないながら、超微細パターンを形成する装
置を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、前記超微細パターンにさま
ざまな変更を加えて描画することを可能とすることであ
る。
ざまな変更を加えて描画することを可能とすることであ
る。
［実施例］
第１図は、本発明の一実施例に係るレーザ走査型描画装
置の構成を示す。同図において、１は４４１．６ｍ＋の
波長の連続光を出すＨｅ−Ｃｄレーザ発振器、２はシャ
ッタ、３はビームエクスパンダ、４と６はそれぞれＸ、
Ｙ方向のスキャニングミラーで、図中の矢印のついた軸
を中心に回転する。
置の構成を示す。同図において、１は４４１．６ｍ＋の
波長の連続光を出すＨｅ−Ｃｄレーザ発振器、２はシャ
ッタ、３はビームエクスパンダ、４と６はそれぞれＸ、
Ｙ方向のスキャニングミラーで、図中の矢印のついた軸
を中心に回転する。
また５は凸レンズで、スキャニングミラー４と６とを光
学的に共役関係としている。７は高解像力を得るための
高ＮＡ（開口数）のｆ−θレンズで、その前側焦点位置
はスキャニングミラー６に一致している。８はレーザビ
ームの径を変化させるための可変アパーチャ、９は偏光
ビームスプリッタである。１０は中央部は遮光し、周辺
部は透過性のストッパ、１１は集光レンズ、１２は光デ
ィテクタ、１３は描画露光しようとする半導体のウェハ
、１４はそれをのせているステージである。１５は装置
全体の動作を制御するためのコンピュータで、シャッタ
２ないしステージ１４等の各部はインターフェイスを介
してこのコンピュータに接続されている。
学的に共役関係としている。７は高解像力を得るための
高ＮＡ（開口数）のｆ−θレンズで、その前側焦点位置
はスキャニングミラー６に一致している。８はレーザビ
ームの径を変化させるための可変アパーチャ、９は偏光
ビームスプリッタである。１０は中央部は遮光し、周辺
部は透過性のストッパ、１１は集光レンズ、１２は光デ
ィテクタ、１３は描画露光しようとする半導体のウェハ
、１４はそれをのせているステージである。１５は装置
全体の動作を制御するためのコンピュータで、シャッタ
２ないしステージ１４等の各部はインターフェイスを介
してこのコンピュータに接続されている。
また、１６は低反射率のハーフミラ−１１７はレーザ発
生器１から出射されるレーザ光量を検出するための光デ
ィテクタである。
生器１から出射されるレーザ光量を検出するための光デ
ィテクタである。
第２図はウェハ１３上に設ける複数のキーパターンに１
〜に９の位置の例で、第３図は第２図の各キーパターン
における段差構造の端部散乱光検出の説明図である。
〜に９の位置の例で、第３図は第２図の各キーパターン
における段差構造の端部散乱光検出の説明図である。
前述のようにウェハ面上にＬＳＩ等の回路を形成してい
く場合、一般に各種のパターンを何回もくり返して露光
し食刻していくので、２回目以降の露光では、前工程の
段差構造の上に感光性樹脂のフォトレジストが塗布され
たものの上に露光することになる。この段差構造のうち
例えば第２図のような位置の９点にキーパ、ターンに１
〜に９を設定する。このキーパターンは実際の素子パタ
ーンの中から適当に選んでも良いし、あるいは予めキー
パターン専用の段差構造を作っておいても良い。模者の
場合、所望位置に所望形状のキーパターンを形成するこ
とができるため、キーパターンに使われた基板上の領域
は無駄になるが、段差構造の形状を最適化でき、また後
述のように各工程において位置を一定化できるので、補
正計算ソフトの負荷を軽減できるという利点がある。ま
た、第２図における外枠は１回のビーム走査範囲の単位
であり、ｆ−θレンズ７の性能とウェハサイズとの兼ね
合いで、ウェハ全面をカバーすることもあれば、ウェハ
を何分割かした１部分だけになることもある。
く場合、一般に各種のパターンを何回もくり返して露光
し食刻していくので、２回目以降の露光では、前工程の
段差構造の上に感光性樹脂のフォトレジストが塗布され
たものの上に露光することになる。この段差構造のうち
例えば第２図のような位置の９点にキーパ、ターンに１
〜に９を設定する。このキーパターンは実際の素子パタ
ーンの中から適当に選んでも良いし、あるいは予めキー
パターン専用の段差構造を作っておいても良い。模者の
場合、所望位置に所望形状のキーパターンを形成するこ
とができるため、キーパターンに使われた基板上の領域
は無駄になるが、段差構造の形状を最適化でき、また後
述のように各工程において位置を一定化できるので、補
正計算ソフトの負荷を軽減できるという利点がある。ま
た、第２図における外枠は１回のビーム走査範囲の単位
であり、ｆ−θレンズ７の性能とウェハサイズとの兼ね
合いで、ウェハ全面をカバーすることもあれば、ウェハ
を何分割かした１部分だけになることもある。
このようにキーパターンを何か所か設けた後、まず、こ
れらのキーパターン位置の計測を行なう。
れらのキーパターン位置の計測を行なう。
そのためには、可変アパーチャー８を絞ってレーザ１を
発振させると、レーザ１を出射したビームは、ビームス
プリッタ１３を透過し、シャッタ２、ビームエクスパン
ダ３、可変アパーチャ８、偏光ビームスプリッタ９、ス
キャニングミラー４、凸レンズ５、スキャニングミラー
６およびｆ−θレンズ７の光、学系を順次通ってウェハ
１３上を走査される。）−１８−Ｑｄレーザ発振器１か
らの出射光は直線偏光であるが、その偏光方向は偏光ビ
ームスプリッタ９を通るようにしておく。偏光方向が合
わないときは波長板（不図示）を入れてそろえる。
発振させると、レーザ１を出射したビームは、ビームス
プリッタ１３を透過し、シャッタ２、ビームエクスパン
ダ３、可変アパーチャ８、偏光ビームスプリッタ９、ス
キャニングミラー４、凸レンズ５、スキャニングミラー
６およびｆ−θレンズ７の光、学系を順次通ってウェハ
１３上を走査される。）−１８−Ｑｄレーザ発振器１か
らの出射光は直線偏光であるが、その偏光方向は偏光ビ
ームスプリッタ９を通るようにしておく。偏光方向が合
わないときは波長板（不図示）を入れてそろえる。
また、シャッタ２は開放しておく。
ここでは、前述のように凸レンズ５によってスキャニン
グミラー４と６は光学的に共役関係にあるため、ミラー
４によってビームがスキャンされてもミラー６における
ビームの反射位置は変化しない。また、スキャニングミ
ラー４，６としてポリゴンミラーを使用すれば高速度の
走査が可能である。このスキャニングミラーないしボゴ
ンミラーの回転を等速で行なえば、ミラー６は前述のよ
うにｆ−θレンズ７の前側焦点面にあるので、ｆ−θレ
ンズ７の作用によりウェハ面１３上での走査は等速かつ
テレセントリックに行なわれる。
グミラー４と６は光学的に共役関係にあるため、ミラー
４によってビームがスキャンされてもミラー６における
ビームの反射位置は変化しない。また、スキャニングミ
ラー４，６としてポリゴンミラーを使用すれば高速度の
走査が可能である。このスキャニングミラーないしボゴ
ンミラーの回転を等速で行なえば、ミラー６は前述のよ
うにｆ−θレンズ７の前側焦点面にあるので、ｆ−θレ
ンズ７の作用によりウェハ面１３上での走査は等速かつ
テレセントリックに行なわれる。
ウェハ面１３上に照射されたビームは基板ないし段差構
造の上部に当ったときはそのまま反射されるだけである
が（第３図■、■）、段差構造端部に当ったときは散乱
される（第３図■）。散乱される光■とされない光■、
■どの両者は来たときと同じ光路を戻るが、ウェハ１３
で反射することにより位相が９０°ずれているので、偏
光ビームスプリッタ９で反射されて、ストッパ１０、集
光レンズ１１および光ディテクタ１２の検出光学系に入
射する。
造の上部に当ったときはそのまま反射されるだけである
が（第３図■、■）、段差構造端部に当ったときは散乱
される（第３図■）。散乱される光■とされない光■、
■どの両者は来たときと同じ光路を戻るが、ウェハ１３
で反射することにより位相が９０°ずれているので、偏
光ビームスプリッタ９で反射されて、ストッパ１０、集
光レンズ１１および光ディテクタ１２の検出光学系に入
射する。
ここではストッパ１０の作用で散乱光だけがディテクタ
１２に入射するようになっており、散乱光のみを検出す
る。その時の走査ビームのウェハ１３上の位置の計測は
、走査が等速で行なわれていることを利用しＩで時間計
測により行なうか、あるいはスキャンニングミラ−４，
６の回転角を計測することにより行なう。また、キーパ
ターンと通常のパターンの段差構造とはその位Ｍ（第２
図のに１〜に９ ）で区別するか、キーパターンを特徴
的な形状にしておくことで区別するか、あるいはその両
方で区別する。
１２に入射するようになっており、散乱光のみを検出す
る。その時の走査ビームのウェハ１３上の位置の計測は
、走査が等速で行なわれていることを利用しＩで時間計
測により行なうか、あるいはスキャンニングミラ−４，
６の回転角を計測することにより行なう。また、キーパ
ターンと通常のパターンの段差構造とはその位Ｍ（第２
図のに１〜に９ ）で区別するか、キーパターンを特徴
的な形状にしておくことで区別するか、あるいはその両
方で区別する。
このようにしてキーパターンに１〜に９の位置を計測し
た後、これから描画露光しようとするパターンのキーパ
ターンに重なるべき部分くこれを前述のように次工程の
キーパターンにして、キーパターンの位置が一定となる
ようにしておくと、補正計算ソフトの負荷を軽減できる
）と、キーパターンとのずれ量が最小になるよう最小自
乗法等の手法によって前記描画露光しようとするパター
ンのデータをコンピュータ１５により座標変換し、変形
させる。その変形されたデータに基づいてビーム走査さ
せながらシャッタ２を開閉することによってパターンの
描画露光を行なう。これもコンピュータ１５により制御
される。この場合のビーム走査方法は、パターンの形状
にかかわらず露光面全面を平行線状に走査するいわゆる
ラスク走査によっても、あるいはパターンのある部分だ
けにビーム描画を行なういわゆるベクタ走査によっても
よい。
た後、これから描画露光しようとするパターンのキーパ
ターンに重なるべき部分くこれを前述のように次工程の
キーパターンにして、キーパターンの位置が一定となる
ようにしておくと、補正計算ソフトの負荷を軽減できる
）と、キーパターンとのずれ量が最小になるよう最小自
乗法等の手法によって前記描画露光しようとするパター
ンのデータをコンピュータ１５により座標変換し、変形
させる。その変形されたデータに基づいてビーム走査さ
せながらシャッタ２を開閉することによってパターンの
描画露光を行なう。これもコンピュータ１５により制御
される。この場合のビーム走査方法は、パターンの形状
にかかわらず露光面全面を平行線状に走査するいわゆる
ラスク走査によっても、あるいはパターンのある部分だ
けにビーム描画を行なういわゆるベクタ走査によっても
よい。
この描画露光の際、露光ａを制御するためにハーフミラ
−１６でレーザ光束を一部光量ディテクタ１７に取り込
み、レーザ１の出力変化をモニタしている。この情報か
らレーザ１の出力をＮＤフィルタや音響光学素子等を光
路中に配置する等、公知の方法を用いて安定化させるか
、光強一度の変化に応じて（強度に反比例して）ビーム
の走査速度を制御することによって露光量を安定させる
。
−１６でレーザ光束を一部光量ディテクタ１７に取り込
み、レーザ１の出力変化をモニタしている。この情報か
らレーザ１の出力をＮＤフィルタや音響光学素子等を光
路中に配置する等、公知の方法を用いて安定化させるか
、光強一度の変化に応じて（強度に反比例して）ビーム
の走査速度を制御することによって露光量を安定させる
。
また、この装置においては、描画パターンのデータをソ
フト処理しているので、プログラムさえつけ加えれば、
パターンの一部変更、感光性樹脂のネガ・ポジに応じた
パターンのネガ・ポジ反転、および前記キーパターンの
自動作成等様々な変更も容易に行なうことができる。
フト処理しているので、プログラムさえつけ加えれば、
パターンの一部変更、感光性樹脂のネガ・ポジに応じた
パターンのネガ・ポジ反転、および前記キーパターンの
自動作成等様々な変更も容易に行なうことができる。
［実施例の変形］
なお、本発明は上述の実施例に限定されることなく適宜
変形して実施することができる。例えば、前述のキーパ
ターンの位置計測を感光性樹脂の塗布の前に行なえば、
散乱光が非対称になるなどの感光性樹脂によるキーパタ
ーン位置計測誤差を除去することができ、また多層レジ
スト等の露光光吸収性の樹脂も使用することができる。
変形して実施することができる。例えば、前述のキーパ
ターンの位置計測を感光性樹脂の塗布の前に行なえば、
散乱光が非対称になるなどの感光性樹脂によるキーパタ
ーン位置計測誤差を除去することができ、また多層レジ
スト等の露光光吸収性の樹脂も使用することができる。
この場合、多層レジストの導入により、より高度の微細
化が見込まれる。但し、この場合は、ウェハ１３の基準
位置合わせをできるだけ厳密に行なう必要がある。
化が見込まれる。但し、この場合は、ウェハ１３の基準
位置合わせをできるだけ厳密に行なう必要がある。
さらに、この場合、ウェハ１３上方に感光性樹脂塗布装
置を設けてウェハ１３をステージにのせたままで感光性
樹脂を塗布するようにすれば、前述の基準位置合わせの
必要もなくなる。
置を設けてウェハ１３をステージにのせたままで感光性
樹脂を塗布するようにすれば、前述の基準位置合わせの
必要もなくなる。
また、高ＮＡｆ−θレンズの代わりに低ＮＡのｆ−θレ
ンズと両テレセントリックな縮小投影レンズを使用して
もよい。低ＮＡｆ−θレンズは高ＮＡのものに比べて設
計、製作とも容易であり、また、縮小投影レンズは現在
ステッパ用に広く使われているものを使用することがで
きるので、生産技術等も確立しているおり、これも比較
的容易に得られるので都合が良い。
ンズと両テレセントリックな縮小投影レンズを使用して
もよい。低ＮＡｆ−θレンズは高ＮＡのものに比べて設
計、製作とも容易であり、また、縮小投影レンズは現在
ステッパ用に広く使われているものを使用することがで
きるので、生産技術等も確立しているおり、これも比較
的容易に得られるので都合が良い。
また、光路中に描画点との共役点を設け、そこにサイズ
、形状の可変なアパーチャを設ければ描画ビームスポッ
トのサイズ、形状を制御できるので、前述のラスク走査
のときもそうであるが特に前述のベクタ走査描画のとき
に描画時間短縮の効果がある。
、形状の可変なアパーチャを設ければ描画ビームスポッ
トのサイズ、形状を制御できるので、前述のラスク走査
のときもそうであるが特に前述のベクタ走査描画のとき
に描画時間短縮の効果がある。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明に従えば超微細パターンを
超高精度の位置合わせを行ないながら作成することがで
きる。
超高精度の位置合わせを行ないながら作成することがで
きる。
４ｋ、本発明に従えばパターンに様々な変更を加えるこ
とや、位置合わせにおける感光性樹脂の影響を除去する
こと等ができる。
とや、位置合わせにおける感光性樹脂の影響を除去する
こと等ができる。
第１図は、本発明の一実施例に係るレーザ走査型描画装
置の概略の構成図、 第２図は、第１図の装置において用いられるキーパター
ンの配置例を示す図、 第３図は、ウェハ上に形成されたキーパターンの段差構
造の端部散乱光検出の説明図である。 １ ： Ｈｅ −Ｃｄ Ｌ／−サ、２：シャｙ’）、３
：ビームエクスパンダ、 ４ニスキャニングミラーｘ１５：凸レンズ、６：スキャ
ニングミラーＹ、 ７：高ＮＡｆ−θレンズ、８：可変アパーチャ、９：偏
光ビームスプリッタ、１０：ストッパ、１１：集光レン
ズ、１２：光ディテクタ、１３：ウェハ、１４：ステー
ジ、１５：コンピュータ、１６：ハーフミラ−，１７：
光ディテクタ、Ｋ１へに９：キーパターン。 第１図 第２図
置の概略の構成図、 第２図は、第１図の装置において用いられるキーパター
ンの配置例を示す図、 第３図は、ウェハ上に形成されたキーパターンの段差構
造の端部散乱光検出の説明図である。 １ ： Ｈｅ −Ｃｄ Ｌ／−サ、２：シャｙ’）、３
：ビームエクスパンダ、 ４ニスキャニングミラーｘ１５：凸レンズ、６：スキャ
ニングミラーＹ、 ７：高ＮＡｆ−θレンズ、８：可変アパーチャ、９：偏
光ビームスプリッタ、１０：ストッパ、１１：集光レン
ズ、１２：光ディテクタ、１３：ウェハ、１４：ステー
ジ、１５：コンピュータ、１６：ハーフミラ−，１７：
光ディテクタ、Ｋ１へに９：キーパターン。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザビームを、所定の描画パターン情報に基づい
て光学系により走査させ感光性基板上に所定のパターン
を描画露光する装置において、上記描画パターン情報を
座標変換して上記光学系の駆動系に与える手段を設けた
ことを特徴とするレーザ走査型描画装置。 ２、前記基板上に既に形成されているパターンの位置情
報に基づいて前記座標変換を行なうことにより描画位置
の誤差を補正する特許請求の範囲第１項記載の描画装置
。 ３、前記基板上に予め設定された複数のキーパターンの
位置を前記描画露光の前に光学的に計測することにより
前記既成パターンの位置を検出する特許請求の範囲第２
項記載の描画装置。 ４、前記キーパターンが段差構造をしている特許請求の
範囲第３項記載の描画装置。 ５、前記キーパターンの位置を計測する手段が、前記段
差構造の端部からの散乱光を検出するものである特許請
求の範囲第４項記載の描画装置。 ６、前記キーパターンの位置を、前記描画露光のための
光路と同一の光路を介して計測する特許請求の範囲第３
項記載の描画装置。 ７、前記キーパターン位置計測のための光源として前記
描画露光のためのレーザを兼用する特許請求の範囲第３
項記載の描画装置。 ８、前記レーザビームの光路中に、ビームサイズを可変
する可変アパーチャーを設けた特許請求の範囲第１項記
載の描画装置。 ９、前記描画露光を同一基板で何回も繰り返して行なう
場合、前記各描画露光工程における前記キーパターンを
同一位置に設定する特許請求の範囲第３項記載の描画方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60103963A JPS61263222A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 走査型描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60103963A JPS61263222A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 走査型描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263222A true JPS61263222A (ja) | 1986-11-21 |
| JPH0580811B2 JPH0580811B2 (ja) | 1993-11-10 |
Family
ID=14368027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60103963A Granted JPS61263222A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 走査型描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263222A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1048835A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-02-20 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造装置及び製造方法 |
| US11143862B2 (en) | 2016-03-30 | 2021-10-12 | Nikon Corporation | Pattern drawing device, pattern drawing method, and method for manufacturing device |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP60103963A patent/JPS61263222A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1048835A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-02-20 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造装置及び製造方法 |
| US11143862B2 (en) | 2016-03-30 | 2021-10-12 | Nikon Corporation | Pattern drawing device, pattern drawing method, and method for manufacturing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580811B2 (ja) | 1993-11-10 |
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