JPS61264324A - パターンポリイミドフィルムの形成方法 - Google Patents

パターンポリイミドフィルムの形成方法

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JPS61264324A
JPS61264324A JP61103958A JP10395886A JPS61264324A JP S61264324 A JPS61264324 A JP S61264324A JP 61103958 A JP61103958 A JP 61103958A JP 10395886 A JP10395886 A JP 10395886A JP S61264324 A JPS61264324 A JP S61264324A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は基体から離れた上面に導電層を設けるパターン
（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　）ポリイミド　フィルムを上記
基体上に形成する方法に関する。
ドイツ特許第２，９１４，６１９号明細書にはポリイミ
ド　パターンを基体上に形成する方法が記載され、　　
ている。この目的のために、ＵＶ光にパターン様式で（
ｐａｔｔｅｒ’ｎＷｉｓｅ　）露光する感光性ポリアミ
ド酸の層を基体に設け、現像し、最後に層を熱処理して
ポリイミドに転化している。
本発明の目的は基体にポリイミド　パターンを設け、こ
のポリイミドパターンに導電層を基体から離れた上面に
設け、かかる導電層を金属、例えばＣｒ、または酸化イ
ンジウムの如き金ぶ酸化物とするパターン　ポリイミド
　フィルムを基体に形成する方法を提供する。
本発明の方法は、基体に感光性ポリアミド酸誘導体の層
を設け、この層上にポジティブ　フォトレジスト層を被
着し、しかる後、堆積体（ａｓｓｅｍｂ−Ｉｙ）をパタ
ーン様式で露光し、フォトレジスト層を現像し、導電層
をフォトレジスト層に被着し、次いでフォトレジスト層
をリフト−オフ　プロセス（ｌｅｆｔ−ｏｆｆ　　ｐｒ
ｏｃｅｓｓ　）により除去し、ポリアミド酸誘導体層の
非露光部分を除去し、残留する露光部分を熱処理し、イ
ミド化してポリイミドを転化することを特徴とする。
本発明においては得られたポリイミド　パターンが基体
に対して垂直をなす極めてまっすぐな壁部分を有する重
要で、かつ驚くべき利点が得られる。
本発明の方法の有利な例においては、感光性ポリアミド
Ｍ誘導体の吸収波長と異なる吸収波長のポジティブ　フ
ォトレジストを使用し、堆積体をあるパターンにより二
段の順次工程で露光し、この場合第１工程において堆積
体をあるパターンによりフォトレジストの吸収波長に相
当する放射波長を有する光に露光し、および第２工程に
おいて堆積体をあるパターンにより感光性ポリアミド酸
誘導体の吸収波長に相当する放射波長を有する光に露光
する。
この有利な例ではポジティブ　フォトレジストを露光す
る第１露光工程の直接に第２工程を実施できる興味ある
実用的な利点を有している。第２露光工程において、ポ
リアミド酸誘導体をポジティブ　フォトレジストを介し
て露光する。第１露光工程と第２露光工程との間におい
て、フォトレジストの現像は行わない。この事は、例え
ば第１および第２露光工程の間においてパターン露光に
用いるマスクを除去し、および再調整する（　ｒｅｐＯ
３ｉ　ｔ　１ｏｎｅｄ　）必要がないことを意味する。
特に、後者の手段は高価で、かつ時間を要する。
本発明の方法の他の好適な例においては近紫外（ｎｅａ
ｒ　　ＵＶ）スペクトルに吸収波長を有するポジティブ
　フォトレジストを使用し、Ｕｖスペクトルに吸収波長
を有するポリアミド酸誘導体を使用する。
第１露光工程において、堆積体をデーブ（ｄｅｅｐ）Ｕ
Ｖ光に露光し、次いで第２露光工程においてＵＶ光に露
光する。第１露光工程後に現像しないポジティブ　フォ
トレジストは、感光性ポリアミド酸誘導体を実際的に露
光するように第２露光工程に用いるＵＶ光を透過する。
ＤＵＶ光の波長範囲は約１８０〜２６０ｎｍであり、Ｕ
Ｖ光の波長範囲は約２６０〜４５０ｎｍである。
適当なポジティブ　フォトレジストはｐ−イソプロペニ
ル　メチルケトンである。ＤｔＪＶスペクトルに位置す
る、すなわちλ＝　２２０ｎｍにおいて吸収波長を有す
るポリメチルメタクリレート層を用いるのが好ましい。
また、吸収波長がＵＶ範囲に位置するポジティブ　フォ
トレジストを用いることができる。この１例としてはシ
イツブレイ　アンド　フント　ウェイコート（３ｈｉｐ
ｌｅｙ　　ａｎｄ　　Ｈｕｎｔ　　Ｗａｙｃｏａｔ）社
より市販されているノボラック−ジアゾキノン（ｄ　ｉ
　ａｚｏｃｈ　ｉ　ｎｏｎｅ　＞フォトレジストを例示
できる。
最良の結果を得るためには、かかるフォトレジストを第
１露光後に現像する必要がある。
本発明の方法においては、ポリアミド酸を次に示す式１
で表わされる１種または２種以上の化合物と反応させて
得られる感光性ポリアミド酸誘導体を用いるのが好まし
い： 式１： （式中、 Ｒ４はＲ２と同一かまたは異にし、これらＲ７およびＲ
２は１〜４個の炭素原子を有する低級アルキル基、また
は水素原子を示し、 Ｒは１〜５個の炭素原子を有するアルキレン基を示し、 Ｘは酸素原子または−Ｎ（Ｒ３）−基（ここにＲ３は水
素原子または１〜４個の炭素原子を有する低級アルキル
基を示す）を示し、およびＩは、少なくとも１種の化合
物においてｍが１である条件で、０または１を示す）。
反応は標準温度または僅かに高い温度で行う。
Ｎ−メチルピロリドンの如き溶剤を使用する。最終生成
物を次の式１０で示す： 上記式１０において、ジグザグ線は種々のカルボキシル
基を含有するポリアミド酸鎖を示している。
これらのカルボキシル基の２個を式１０に示している。
このカルボキシル基は使用するメタクリレート化合物の
アミン基と共に塩ブリッジ（ｓａｌｔｂｒｉｄｏｅ）を
形成し、この塩ブリッジを点で示している。
更に、他の好ましい例においては、ポリアミド酸を次の
式２で表わされる１種または２種以上の化合物と反応さ
せて得られるポリアミド酸誘導体を使用する： 式２ （式中、 Ｒ４は水素原子、メチル基またはエチル基を示し、 Ｙは酸素原子または−Ｎ　（Ｒｓ　）−基を示し、ここ
にＲ５は水素原子またはメチル基を示し、ｐはＯまたは
１を示し、および■は、少なくとも１種の化合物におい
てｌが１である条件で、Ｏまたは１を示す）。
特に、好ましい結果は、ポリアミド酸を、１０〜９０モ
ル％の式１の化合物（ｍが１を示し、およびＲ，、Ｒ２
，ＲおよびＸが上記と同一の意味を有する）および１０
〜９０モル％の式１の化合物（ｍがＯを示し、およびＲ
，、Ｒ２，ＲおよびＸが上記と同一の意味を有する）を
含有する混合物と反応させて得られるポリアミド酸誘導
体を用いる場合に得ることができる。
このいずれの場合において、式１および２の化合物の当
量の数値とポリアミド酸の一〇〇〇Ｈ当量の数値との比
を０，０５以上、好ましくは０．３以上にする。
適当な混合物は１０〜９０モル％の式３の化合物および
１０〜９０モル％の式４の化合物を含有する。これらの
式３および式４を次に示す： 式３ 式４ 上記混合物とポリアミド酸との反応によって式： で表わされる生成物を得、この式５においてジグザグ線
は２個のカルボキシル基のポリアミド酸鎖を示している
。この場合、ジメチルアミノ　プロピルメタクリル酸ア
ミド（式３）のジメチルアミノ基がポリアミド酸のカル
ボキシ基に塩ブリッジにより結合し、およびメタクリル
酸アミドのアミノ基がポリアミド酸のカルボキシル基に
結合するか、または可能ならばポリアミド酸の主鎖にお
ける酸アミド基にＨブリッジにより結合する場合に好ま
しい結果が得られる。水素ブリッジを式５において３個
の点で示している。
上述する混合物は、関連するポリアミド酸誘導体をイミ
ド化する酸に、収縮が著しく減少する利点を有している
。
また、ポリアミド酸はポリイミド前駆物質と称されてい
る。この前駆物質は周知の物質であり、一般に入手しう
る物質である。これに関しては米国特許第３，９４３，
０６５号明細書および公告オランダ特許第８，２０２，
６８８号明細を引用文献として示すことかできる。
堆積体を２工程で露光した後、フォトレジスト層を現像
する。このプロセスにおいて、露光部分を溶解する。適
当な現像剤としては、例えばメチルイソブチルケトンの
如きケトンである。現像したフォトレジスト層の上面に
導電層を被着する。
この導電層は、クロムの如き金属が好ましい。クロム層
の厚さは、例えば１１００ｎにすることができる。この
層は、例えばスパッターまたは真空蒸着の如き既知の方
法で被着することができる。
フォトレジスト層の残留部分およびこれに結合している
導電層の部分は、例えばクロロベンゼンで処理して除去
する。このプロセスは「リフト−オフ」と称されている
。
次の工程において、ポリアミド酸誘導体の非露光部分を
除去する。１例として、この現像工程をジメチルアセト
アミド−メタノール（５：　１　”）を用いて行う。ポ
リアミド酸誘導体の露光部分は除去しないようにする。
なぜならば、露光のために、ポリアミド酸分子と上記式
１および２で示す化合物の光重合により生ずる重合体分
子との錯化（ｃｏｍｐｌｅｘｉｎｇ）が生ずるためであ
る。生ずる生成物を次の式６で示す： 弐〇 この弐６において、２個のメタクリルアミド基は互いに
結合している。この事は式６に示しているようにメタク
リルアミド基が同じポリアミド酸類に付着するためであ
る。また、互いに結合する基は異なるポリアミド酸類に
属する。
現像工程後、露光ポリアミド酸誘導体を、例えば１５０
℃で１時間および３５０℃で１時間熱処理してイミド化
する。イミド化プロセスはＮ２雰囲気中で行うのが好ま
しい。
また、本発明はポリアミド酸を次の式７で表わされる１
種または２種以上の化合物と反応させて得られる新規な
感光性ポリアミド酸誘導体に関する： 式７ （式中、 Ｒ，はＲ２と同一かまたは異にし、これらのＲ７および
Ｒ２は１〜４個の炭素原子を有する低級アルキル基また
は水素原子を示し、 Ｒは１〜５個の炭素原子を有するアルキレン基を示し、 Ｒ３は１〜４個の炭素原子を有する低級アルキル基また
は水素原子を示し、および ｍは少なくとも１種の化合物においてｍが１である条件
で、０または１を示す。） 上述する新規な感光性ポリアミド酸誘導体を次の式８で
示す： 弐８ 上述するドイツ特許第２，９１４，６１９号明細書と比
較して、本発明の上記新規な感光性ポリアミド酸誘導体
は光の影響下で錯化が速やかに進行する利点を有してい
る。特に、生成反応の速度は１０のファクターで増加す
る。
本発明における感光性ポリアミド酸誘導体はポリイミド
構造を形成する上述する方法に極めて適当に用いること
ができる。また、ポリアミド酸誘導体はポリイミド　パ
ターンを製造する通常の方法に用いることができる。通
常の方法において、ポリアミド酸誘導体の層はあるパタ
ーンにより露光し、現像し、およびポリイミドに転化す
る。
本発明による極めて適当なポリアミド酸誘導体はポリア
ミド酸を次の式９で表わされる１種または２種以上の化
合物を反応させて得ることができる： 式９ （式中、 Ｒ４は水素原子、メチル基またはエチル基を示し、Ｒ５
は水素原子またはメチル基を示し、ｐは０または１を示
し、およびＩは、少なくとも１種の化合物においてｍが
１を有する条件で、０または１を示す。） 好ましい１例において、感光性ポリアミド酸誘導体はポ
リアミド酸と１０〜９０モル％の式ｉ　（ｍが１を示し
、およびＲ，、Ｒ２，ＲおよびＸが上述すると同一の意
味を有する）の化合物および１０〜９０モル％の式１　
（ＩｌｌがＯを示し、およびＲｌ　＋Ｒ２，ＲおよびＸ
が上述すると同一の意味を有する）の化合物の混合物と
の反応により生成できる。
極めて興味あるポリアミド酸誘導体はポリアミド酸と１
０〜９０モル％の式３の化合物および１０〜９０モル％
の式４の化合物の混合物との反応により得ることができ
る。
好ましくは、２５モル％の式３の化合物および７５モル
％の式４の化合物を含む混合物を用いることができる。
上記混合物により得られるポリアミド酸誘導体は、イミ
ド化の際における収縮を、例えばポリアミド酸の一成分
（ｍｏｎｏ　−ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ　）誘導体の場合の
４０〜５０％から３０％に減少できる利点を有している
。
ポリイミド層をあるパターンにより被着する上述する方
法および上述する感光性ポリアミドＭ誘導体は半導体装
置の感光層、絶縁層または保護層の製造に用いることが
でき、あるいは、また例えばイオン注入のための小型回
路またはマスクの製造に用いることができる。
極めて興味深い応用分野は、電気泳動像表示セル（ｅｌ
ｅ　　ｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ　ｉｍａｏｅ　　ｄｉ
ｓｐｌａｇｃｅｌｌ）を製造することである。
また、本発明は２個の平行なセル壁からなる新規な改良
された電気泳動像−表示セルに関し、かかる壁の少なく
とも１個を透明にし、各セルの内面に１または２個以上
の電極を設け、および両セル壁の間に組型電極を配置し
、かかる組型電極をセル壁に平行に延在させ、網状構造
を有する誘電層で支持する。
更に、本発明は誘電層をポリイミドから作ることにより
改良を達成することができる。
電気泳動像・表示セルの好適例において、電極を設ける
ポリイミド誘電層を上述する方法によりあるパターンを
用いて配置することができる。
次に、本発明の実施例１を添付図面を参照して詳述する
。
第１図において、１はガラスから作られた透明基体を示
す。また、基体は透明な合成樹脂から作ることができる
。例えば酸化インジウムまたは酸化錫の導電層２を基体
１上に設ける。この導電層２上に、上述するポリアミド
酸の感光性誘導体の［３を設ける。この感光性ポリアミ
ド酸誘導体層３は、例えば１３μｍの厚さを有する。こ
の層３は、Ｎ−メチルピロリドンの如き適当な溶剤に感
光性ポリアミド酸誘導体を溶解した溶液（１５〜２０％
溶液）により設けることができる。この溶液を層２に被
着し、溶剤を蒸発させる。感光性ポリアミド酸誘導体の
溶液は１．ポリアミド酸と２５モル％のＮ。
Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド（式３）
および１５モル％のメタクリルアミド（式４）の混合物
とをＮ−メチルピロリドンに溶解し、この溶液を常温で
３０分間にわたり攪拌して得ることができる。
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミドの当
量の数はポリアミド酸の一〇〇〇Ｈ当量の数の四分の−
に相当する。また、ミヒラーケトンの如き光開始剤を上
記溶液に添加できる。次に示す物質を上述する混合物の
代りに用いることができる： Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチル　メタクリレート、 Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチル　メック１ル−ト、 Ｎ−メチルアミノエチル　メック１ル−ト、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアミノプロピル　メタクリルアミド、 Ｎ−エチルアミノエチル　メタクリレート、Ｎ−（Ｎ’
　、Ｎ’　　−ジメチルアミンプロピル）−Ｎ−メチル
　メタクリルアミド、 Ｎ−（Ｎ’　、、Ｎ’　　−ジメチルアミノプロピル）
メタクリルアミド、 Ｎ−（Ｎ’　、Ｎ’　−ジメチルアミノエチル）メタク
リルアミド、 Ｎ−（Ｎ’　、Ｎ’　　−ジメチルアミノプロピル）メ
タクリルアミド、 Ｎ−（Ｎ’　　−メチルアミノプロピルｉＮ−メチル　
メタクリルアミド、 Ｎ−（Ｎ’　、Ｎ’−ジメチルアミノエチル）−Ｎ−エ
チル　メタクリルアミド、 メタクリルアミド、 Ｎ−メチルメタクリルアミドおよび Ｎ−エチルメタクリルアミド。
０．１〜０．２μｒａｐさのポリメチルメタクリレート
層４をＭ３に被着する。この目的のために、ＰＭＭＡを
クロロベンゼンに溶解した溶液を使用する。
層３および４を石英マスク５の穴６を通して露光する。
第１露光工程を２２０ｒ＋ｍの波長を有するａＵ、■を
用いて行う。この工程において、層４の部分７を露光す
る。露光直後、３６０ｎｌの波長を有するＵ■光を用い
て層３の部分８を露光する。層４の露光部分７をメチル
イソブチルケトンで処理して除去する（第１ｂ図）。
次いで、ｉｏｏｎｍ厚さのクロム層１０を蒸着する（第
１Ｃ図〉。層４の非露光部分１１および１２並びにこれ
らの部分上に存在するクロム層１０をクロロベンゼン処
理により除去する（リフト−オフ　プロセス）（第１ｄ
図）。層３の非露光部分１４および１５をジメチルアセ
トアミドおよびメタノールの（５：１）混合物を用いて
除去（現像）する（第１０図）。上面にクロム層１３を
設けた層３の残留部分８を１５０℃で１時間および３５
０℃で１時間加熱してイミド化する。
電気泳動像−表示セルの既知の構造を第２図に示す。電
気泳動像−表示セルは、例えばＩ’　ｐ　ｒｏｃｅ−ｅ
ｄｉｎｇｓ　　Ｃｏｎｆ、’　８０．　Ｂｉｅｎｎｉｃ
ａｌ　　　　ＤｉｓｐｌａｙＲｅｓｅａｒｃｈ　　Ｃｏ
ｎｆ、ＪＣｈｅｒｒｙ　　ＨＩＬＬ、ＵＳＡ（１９８０
年１０月２１〜２８日）に報告されている。
第２図において、２０は、例えばガラスまたは透明な合
成樹脂から形成された透明基体を示している。この基体
２０の上に、いわゆる電極２１の列を設け、これらの列
に配置した電極２１　（ｒｏｗ　　ｅｌｅｃ　−ｔｒｏ
ｄｅｓ　）は、例えば透明な酸化インジウムまたは酸化
錫から形成されている。また、これらの電極２１は数ミ
クロンの厚さを有している。各列に配置した電極の幅は
約２２０μｍで、各列の電極間の間隔は３０μｍである
。柱状電極（ｃｏｌｕｍｎｅｌｅｃｔｒｏｄｅ　）　２
２は電極列２１から約１１．ｃｚ　ｍの間隔をおいて設
ける。各柱状電極２２は約２２０μｍの幅を有している
。各柱状電極２２間の間隔は３０μｍである。各柱状電
極は第３図に示すように網状構造２３を有している。柱
状電極２２は、例えばＣｒから形成し、約０．１μｌの
厚さを有している。柱状または網状電極２２はこの電極
２２と同じ網状構造を有する誘電層２４で支持する。こ
の誘Ｎ層２４は列に配置された電極２１で支持する。本
発明においては、網状誘電層２４をポリイミドから形成
する。このポリイミド　パターンお、よびその上の柱状
電極２２を上述する方法により形成できる（第１図）。
本発明の方法を実施することによって、ポリイミド　パ
ターンの極めて垂直な壁部分を得ることができることは
驚くべきことである。これらの垂直な壁部分は、像表示
セルの品位および特に機能を極めて著しく向上すること
ができる。陽極２５を柱状電極２２から５０μｍの間隔
をおいて設ける。この陽極２５は、例えば酸化インジウ
ムまたは酸化錫から形成する。陽極２５は支持プレート
２６で支持し、このプレート２６はガラス、合成樹脂の
ごとき透明または非透明材料から形成することができる
。基体２０および支持プレート２６は図面に示していな
い環状スペーサ−によって外縁の位置で互いに接続する
。
像−表示セルの寸法は明確に規定していない。この結果
、像−表糸セルは種々の寸法を示すことができる。適当
な大きさは、例えば４Ｘ　ｅｃｍ　　または９Ｘ１６Ｃ
Ｉｌである。後者の場合、像−表示セルは３６０列の電
極および６４０個の柱状電極を有する。
それ自体知られている像−表示セルの作動を第４図に基
づいて説明する。
第４図に示す構造の構成部分は第２および３図の構成部
分に相当し、同じ符号で示している。像−表示セルには
帯電粒子２８を分散する誘電液体を含むセル媒体２７を
充電する。かかる粒子２８は、例えば負に帯電したＴｉ
　Ｏｚ粉粒子ある。染料、例えばＴｉ　０２粒子の白色
と対照する赤色染料を誘電液体に溶解する。
最初に、例えば陽極２５は１００■の正電圧を有するす
べてのＴｉ　０２粒子２８を陽極２５に対して配置する
。この結果、基体２０を通して観察される像−表示セル
は媒体に溶解した染料の色（この場合、赤色）を有して
いる。柱状電極２２は、例えばゼロＶ　（ＯＶ）の電圧
を有し、列に配置する電極２１は３０ｖの電圧を有する
。陽極電圧をＯＶに低下することによって、粒子は第４
図に示す状態に移動する。粒子はいわゆる、ボテンシア
ル壁に位置する。
１００Ｖの最初の電圧を再び陽極に加える場合には、粒
子は列に配置する電極２１と柱状電極２２との間の電位
差（３０Ｖ）によりボテンシアル壁に保持される。像を
基体２０を通して観察すると、像表示セルは白色（Ｔｉ
　０２　）を有している。列に配置する電極２１に加え
る電圧を１５■に低下することにより、および柱状電極
に加える電圧を１５■に高めることによって、粒子は陽
極に向って移動する。列に配置する電極２１および柱状
電極２２を互いに交差させて配置する場合には、マトリ
ックス構造は電気的に制御して所望の像を得る各セグメ
ントを達成する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の方法を実施する各工程を示す説明用線
図、 第２図は電気泳動像・表示セルの構造の斜視図、第３図
は第２図に示す像・表示セルに支持した網状電極を詳細
に示す説明用線図、および第４図は第２および３図に示
す像−表示セルの１部断面図である。 １・・・透明基体　　　　　　２・・・酸化錫の導電層
３・・・ポリアミド酸の感光性誘導体層４・・・ポリメ
チルメタクリレート層 ５・・・石英マスク　　　　６・・・穴７・・・ｉｉ４
の露光部分　　８・・・Ｗｊ３の露光部分１０、１３・
・・クロム層 １１、１２・・・層４の非露光部分 １４、１５・・・層３の非露光部分 ２０・・・透明基体　　　　２１・・・列に配置した電
極２２・・・柱状電極　　　　２３・・・網状構造２４
・・・誘電層　　　　　２５・・・陽極２６・・・支持
プレート　　２７・・・セル媒体２８・・・帯電粒子 −Ｎ　　　−ぐ Ｎ 、Ｕコ Ｕつ 手続補正書 昭和６１年５　月２０日 １、事件の表示 昭和６１年特許　願第１０８９５８号 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　　エヌ・ペー・フィリップス・フルーイランペ
ンファブリケン ５゜ Ｇ補正の対象　図面 １、図面１／４および２／４頁を削除する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、基体上に該基体から離れた上面に導電層を設けるパ
    ターンポリイミドフィルムの形 成方法において、基体に感光性ポリアミド酸誘導体層を
    設け、この感光性ポリアミド酸誘導体層にポジティブフ
    ォトレジストを被着 し、しかる後堆積体をパターン様式で露光し、フォトレ
    ジスト層を現像し、導電層をフォトレジスト層に被着し
    、次いでこのフォトレジスト層をリフト−オフプロセス
    により除去 し、ポリアミド酸誘導体層の非露光部分を除去し、およ
    び残留する露光部分を熱処理し、イミド化してポリイミ
    ドを形成することを特徴とするパターンポリイミドフィ
    ルムの 形成方法。 ２、前記ポジティブフォトレジストとして感光性ポリア
    ミド酸誘導体の吸収波長と異なる吸収波長を有するフォ
    トレジストを用い、あるパターンによる堆積体の露光を
    二段の順次工程で行い、第１工程において堆積体をある
    パターンによりフォトレジストの吸収波長に相当する放
    射波長を有する光に露光し、および第２工程において堆
    積体をあるパターンにより感光性ポリアミド酸誘導体の
    吸収波長に相当する放射波長を有する光に露光する特許
    請求の範囲第１項記載の方法。 ３、ポジティブフォトレジストとして近紫外スペクトル
    に位置する吸収波長を有するポジティブフォトレジスト
    を用い、およびポリ アミド酸誘導体としてＵＶスペクトルに位置する吸収波
    長を有するポリアミド酸誘導体を用いる特許請求の範囲
    第２項記載の方法。 ４、ポジティブフォトレジストとしてポリメチルメタク
    リレート層を用いる特許請求の範囲第３項記載の方法。 ５、感光性ポリアミド酸誘導体として、ポリアミド酸を
    式１： ▲数式、化学式、表等があります▼１ （式中Ｒ＿１はＲ＿２と同一かまたは異にし、これらＲ
    ＿１およびＲ＿２は１〜４個の炭素原子を有する低級ア
    ルキル基または水素原子を示し、Ｒは１〜５個の炭素原
    子を有するアルキレン基を示し、Ｘは酸素原子または−
    Ｎ（Ｒ＿３）−基（ここにＲ＿３は水素原子または１〜
    ４個の炭素原子を有する低級アルキル基を示す）を示し
    、およびｍは、この条件で少なくとも１種の化合物にお
    いてｍが１である条件で、０または１を示す）で表わさ
    れる１種または２種以上の化合物と反応させて得られる
    感光性ポリアミド酸誘導体を用いる特許請求の範囲第３
    または４項記載の方法。 ６、ポリアミド酸誘導体として、ポリアミド酸を式２： ▲数式、化学式、表等があります▼２ （式中、Ｒ＿４は水素原子、メチル基またはエチル基を
    示し、Ｙは酸素原子または−Ｎ （Ｒ＿５）−基（ここにＲ＿５は水素原子またはメチル
    基を示す）を示し、ｐは０または１を示し、およびｍは
    、少なくとも１種の化合物においてｍが１である条件で
    、０または１を示す）で表わされる１種または２種以上
    の化合物と反応させて得られるポリアミド酸誘導体を用
    いる特許請求の範囲第５項記載の方法。 ７、ポリアミド酸誘導体として、ポリアミド酸を１０〜
    ９０モル％の前記式１の化合物（ｍが１を示し、および
    Ｒ＿１、Ｒ＿２、ＲおよびＸが上記と同様の意味を有す
    る）および１０〜９０モル％の前記式１の化合物（ｍが
    ０を示し、およびＲ＿１、Ｒ＿２、ＲおよびＸが上記と
    同様の意味を有する）を含有する混合物と反応させて得
    られるポリアミド酸誘導体を用いる特許請求の範囲第５
    項記載の方法。 ８、ポリアミド酸誘導体として、ポリアミド酸を１０〜
    ９０モル％の式３： ▲数式、化学式、表等があります▼３ で示される化合物および１０〜９０モル％の式４：▲数
    式、化学式、表等があります▼４ で示される化合物を含有する混合物と反応させて得られ
    るポリアミド酸誘導体を用いる特許請求の範囲第７項記
    載の方法。 ９、ポリアミド酸を式７： ▲数式、化学式、表等があります▼７ （式中、 Ｒ＿１はＲ＿２と同一かまたは異にし、これらＲ＿１お
    よびＲ＿２は１〜４個の炭素原子を有する低級アルキル
    基または１個の水素原子を示し、 Ｒは１〜５個の炭素原子を有するアルキレ ン基を示し、 Ｒ＿３は１〜４個の炭素原子を有する低級アルキル基ま
    たは水素原子を示し、およびｍは、少なくとも１種の化
    合物においてｍが１である条件で、０または１を示す）
    で表わされる１種または２種以上の化合物と反応させて
    得た感光性ポリアミド酸誘導体。 １０、前記感光性ポリアミド酸誘導体を、ポリアミド酸
    を式９： ▲数式、化学式、表等があります▼９ （式中、Ｒ＿４は水素原子、メチル基またはエチル基を
    示し、Ｒ＿５は水素原子またはメチル基を示し、ｐは０
    または１を示し、およびｍは、少なくとも１種の化合物
    においてｍが１である条件で０または１を示す）で表わ
    され１種または２種以上の化合物と反応させて得た特許
    請求の範囲第９項記載の感光性ポリアミド酸誘導体。 １１、前記感光性ポリアミド酸誘導体を、ポリアミド酸
    を１０〜９０モル％の式１： ▲数式、化学式、表等があります▼１ （式中、Ｒ＿１はＲ＿２と同一かまたは異にし、これら
    Ｒ＿１およびＲ＿２は１〜４個の炭素原子を有する低級
    アルキル基または水素原子を示し、Ｒは１〜５個の炭素
    原子を有するアルキレン基を示し、Ｘは酸素原子または
    −Ｎ （Ｒ＿３）−基（ここにＲ＿３は水素原子または１〜４
    個の炭素原子を有する低級アルキル基を示す）を示し、
    およびｍは１を示す）で表わされる化合物および１０〜
    ９０モル％の式１の化合物（ｍが０を示し、およびＲ＿
    １、Ｒ＿２、ＲおよびＸが上記と同様の意味を有する）
    を含有する混合物と反応させて得た特許請求の範囲第９
    項記載の感光性ポリアミド酸誘導体。 １２、前記感光性ポリアミド酸誘導体を、ポリアミド酸
    を１０〜９０モル％の式３： ▲数式、化学式、表等があります▼３ で示される化合物および１０〜９０モル％の式４：▲数
    式、化学式、表等があります▼４ で示される化合物を含有する混合物と反応させて得た特
    許請求の範囲第１１項記載の感光性ポリアミド酸誘導体
    。 １３、少なくとも一方が透明である２個の平行なセル壁
    、各セル壁の内面に設けた１または２個以上の電極、お
    よび両セル壁間に配置した網状電極から構成し、かかる
    網状電極を前記セル壁に平行に延在させ、かつ網状構造
    を有する誘電層で支持した電気泳動像−表示セルにおい
    て、前記誘電層をポリイミドから形成したことを特徴と
    する電気泳動像−表示セル。 １４、電極を設ける前記ポリイミド層を、基体に感光性
    ポリアミド酸誘導体層を設け、この感光性ポリアミド酸
    誘導体層にポジティブフ ォトレジストを被着し、しかる後かように形成した堆積
    物をパターン様式で露光し、フォトレジスト層を現像し
    、導電層をフォトレジスト層に被着し、次いでこのレジ
    スト層をリフト−オフプロセスにより除去し、ポリア ミド酸誘導体層の非露光部分を除去し、および残留する
    露光部分を熱処理し、イミド化してポリイミドを形成す
    るようにして被着した特許請求の範囲第１３項記載の電
    気泳動像−表示セル。
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