JPS61265906A - マイクロ波発振回路 - Google Patents
マイクロ波発振回路Info
- Publication number
- JPS61265906A JPS61265906A JP10782585A JP10782585A JPS61265906A JP S61265906 A JPS61265906 A JP S61265906A JP 10782585 A JP10782585 A JP 10782585A JP 10782585 A JP10782585 A JP 10782585A JP S61265906 A JPS61265906 A JP S61265906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- dielectric resonator
- semiconductor
- oscillation circuit
- microstrip line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/148—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a dielectric resonator
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
気密封じ用パッケージ内に、チップ状態の半導体素子と
その入出力線路、および発振周波数安定用誘電体共振器
とをともに封入することによって、マイクロ波発振回路
の動作の安定化を図るとともに、小屋化する。
その入出力線路、および発振周波数安定用誘電体共振器
とをともに封入することによって、マイクロ波発振回路
の動作の安定化を図るとともに、小屋化する。
本発明はマイクロ波用の発振回路の改良に係り、特に高
信頼化と小型化が可能なマイクロ波発振回路に関するも
のである。
信頼化と小型化が可能なマイクロ波発振回路に関するも
のである。
マイクロ波発振回路は、マイクロ波用の半導体素子（シ
リコン（Ｓｉ）バイポーラトランジスタ、ガリウム砒素
電界効果トランジスタ（ＧａＡｓ ＦＥＴ ） 。
リコン（Ｓｉ）バイポーラトランジスタ、ガリウム砒素
電界効果トランジスタ（ＧａＡｓ ＦＥＴ ） 。
ガンダイオード、インバットダイオード等）と、マイク
ロ波用共振器とから構成されるが、各糧通信分野等にお
いて使用されるマイクロ波の周波数は高くなる傾向にあ
シ、このような場合にも安定に動作することができると
ともに、より小型化されたマイクロ波発振回路が要望さ
れている。
ロ波用共振器とから構成されるが、各糧通信分野等にお
いて使用されるマイクロ波の周波数は高くなる傾向にあ
シ、このような場合にも安定に動作することができると
ともに、より小型化されたマイクロ波発振回路が要望さ
れている。
従来、マイクロ波発振回路における共振器としては、９
胴共振器や同軸共振器のように金属製の外囲器を有する
ものが用いられていたが、これらはいずれも形状１重量
ともに大きく、装置の小型化の妨げになっていた。
胴共振器や同軸共振器のように金属製の外囲器を有する
ものが用いられていたが、これらはいずれも形状１重量
ともに大きく、装置の小型化の妨げになっていた。
これに対して誘電体共振器は小型、軽量で構造が簡単で
あシ、かつ材料費や加工費が安価であるという特長を有
するものであるが、最近くおける高周波用誘電体材料の
進歩によって、マイクロ波からミリ波に及ぶ周波数帯に
おいて、低損失でかつ温度特性の良好なものが得られる
ようになシ、マイクロ波発振回路における共振器として
広く用いられるようになってき念。
あシ、かつ材料費や加工費が安価であるという特長を有
するものであるが、最近くおける高周波用誘電体材料の
進歩によって、マイクロ波からミリ波に及ぶ周波数帯に
おいて、低損失でかつ温度特性の良好なものが得られる
ようになシ、マイクロ波発振回路における共振器として
広く用いられるようになってき念。
第３図は三端子半導体発振素子（特にＧａＡｓ ＦＥＴ
）と誘電体共振器とを用いた、従来のマイクロ波発振回
路の一例を示したものである。
）と誘電体共振器とを用いた、従来のマイクロ波発振回
路の一例を示したものである。
第３図において、１はＦＩＴであってドレインＤを接地
され、ゲートＧをオープンスタブ２に、ソースＳを出力
ライン３に接続されているとともに、オープスタプ２に
接続されたチョーク４．抵抗５を介してバイアス端子６
からゲートバイアスを与えられ、出力ツイン３に接続さ
れたチョーク７を介してバイアス端子８からソースバイ
アスを与えられている。バイアス端子６，８はそれぞれ
コンデンサ９，１０によってバイパスされている。
され、ゲートＧをオープンスタブ２に、ソースＳを出力
ライン３に接続されているとともに、オープスタプ２に
接続されたチョーク４．抵抗５を介してバイアス端子６
からゲートバイアスを与えられ、出力ツイン３に接続さ
れたチョーク７を介してバイアス端子８からソースバイ
アスを与えられている。バイアス端子６，８はそれぞれ
コンデンサ９，１０によってバイパスされている。
オープンスタブ２は発振周波数に対してほぼ共振するよ
りにその長さを定められているとともに、出力ライン３
に近接して発振周波数に対してほぼ共振するよりにその
形状２寸法を調整された誘電体共振器■が設けられてお
シ、ＦＥＴ １はこれによって発振して所望の発振周波
数の出力を発生し、この出力は直流阻止用コンデンサ琢
を経て出力線路ｌに取シ出される。
りにその長さを定められているとともに、出力ライン３
に近接して発振周波数に対してほぼ共振するよりにその
形状２寸法を調整された誘電体共振器■が設けられてお
シ、ＦＥＴ １はこれによって発振して所望の発振周波
数の出力を発生し、この出力は直流阻止用コンデンサ琢
を経て出力線路ｌに取シ出される。
第４図は第３図のマイクロ波発振回路におけるＦＩＴ
／＜ツケージの構成を示したものであって、（ａ）は平
面図を示し、２１はチップ素子、ｎはベース、田はケー
スである。チップ素子２１のゲートはリード線スを経て
ケースｎ内のランド器に接続され、さらにランド器から
オープンスタブを形成するマイクロストリップライン昂
に接続され、ソースはリード１ｓ２７を経てケースｎ内
のランド器に接続され、さらにランド器から出力ライン
を形成するマイクロストリップライン四に接続されてい
る。
／＜ツケージの構成を示したものであって、（ａ）は平
面図を示し、２１はチップ素子、ｎはベース、田はケー
スである。チップ素子２１のゲートはリード線スを経て
ケースｎ内のランド器に接続され、さらにランド器から
オープンスタブを形成するマイクロストリップライン昂
に接続され、ソースはリード１ｓ２７を経てケースｎ内
のランド器に接続され、さらにランド器から出力ライン
を形成するマイクロストリップライン四に接続されてい
る。
ｔ ７’ｅ （ｂ）は側面図を示し、ベースｎは通常金
属製であってチップ素子２１のドレインはベースｎに接
続されている。またケース田は、アルはす等のセラミッ
クで形成されている。箕はカバーであって一般に金属ｔ
＋はセラミックによって形成されている。
属製であってチップ素子２１のドレインはベースｎに接
続されている。またケース田は、アルはす等のセラミッ
クで形成されている。箕はカバーであって一般に金属ｔ
＋はセラミックによって形成されている。
従来のマイクロ波発振回路においては、第３図の例に示
すごとく誘電体共振器は半導体発振素子を含むパッケー
ジの外部に設けられている。その九め、使用周波数が高
くなると、パッケージ内部の寄生容量や寄生りアクタン
スに基づく７リ一ラ／発振等が発生し、誘電体共振器等
に対する外部からの調整が不可能になる場合がある。
すごとく誘電体共振器は半導体発振素子を含むパッケー
ジの外部に設けられている。その九め、使用周波数が高
くなると、パッケージ内部の寄生容量や寄生りアクタン
スに基づく７リ一ラ／発振等が発生し、誘電体共振器等
に対する外部からの調整が不可能になる場合がある。
本発明はこのよりな従来技術の問題点を解決しよりとす
るものであって、その目的はパッケージ内部の寄生容量
等の影響がなく、安定な発振動作を行うことができると
ともに、小型化されたマイクロ波発振回路を提供しよう
とするものである。
るものであって、その目的はパッケージ内部の寄生容量
等の影響がなく、安定な発振動作を行うことができると
ともに、小型化されたマイクロ波発振回路を提供しよう
とするものである。
本発明のマイクロ波発振回路は第１図に実施例を示すよ
うなものである。すなわち ｎはチップ状態の半導体発振素子である。
うなものである。すなわち ｎはチップ状態の半導体発振素子である。
３１は所要の共振周波数に調整された誘電体共振器であ
って、チップ状半導体発振素子２１の入力または出力に
結合されている。
って、チップ状半導体発振素子２１の入力または出力に
結合されている。
諺はパッケージであってその中にチップ状半導体素子２
１と誘電体共振器３１とが収容されており、パッケージ
！を通じて入出力線路が設けられている。
１と誘電体共振器３１とが収容されており、パッケージ
！を通じて入出力線路が設けられている。
本発明のマイクロ波発振回路では、半導体発振素子と誘
電体共振回路が同一パッケージ内に近接して設けられる
ので、その動作が安定化される。
電体共振回路が同一パッケージ内に近接して設けられる
ので、その動作が安定化される。
〔実施例〕
第１図は本発明の一実施例の半導体パッケージを示した
平面図であって、第４図におけると同じ部分を同じ番号
で示しておシ、３１は誘電体共振器、支は半導体パッケ
ージである。
平面図であって、第４図におけると同じ部分を同じ番号
で示しておシ、３１は誘電体共振器、支は半導体パッケ
ージである。
本発明の場合、ベースｎ、ケース器は第２図に示された
従来の構成と異なシ、や−大型に作られ、その内部にチ
ップ素子２１を封入されていて、ゲートをリード線スを
介してオープンスタブを構成するマイクロストリップラ
イン託に直接接続され、ソースをリード線がを介して出
力ラインを構成するマイクロストリップライン器に直接
接続されている。さらに本発明の場合パッケージβ内に
、出力側マイクロストリップライン器に近接して、誘電
体共振器３１を有している。なお、誘電体共振器はチッ
プ素子の出力側でなく、入力側に結合するようにしても
よい。この場合はソース側のマイクロストリップライン
によってオープンスタブを形成するようにする。
従来の構成と異なシ、や−大型に作られ、その内部にチ
ップ素子２１を封入されていて、ゲートをリード線スを
介してオープンスタブを構成するマイクロストリップラ
イン託に直接接続され、ソースをリード線がを介して出
力ラインを構成するマイクロストリップライン器に直接
接続されている。さらに本発明の場合パッケージβ内に
、出力側マイクロストリップライン器に近接して、誘電
体共振器３１を有している。なお、誘電体共振器はチッ
プ素子の出力側でなく、入力側に結合するようにしても
よい。この場合はソース側のマイクロストリップライン
によってオープンスタブを形成するようにする。
このように本発明の場合、チップ状素子と誘電体共振器
とは同一パッケージ内におって、最短距離で結合されて
いる。従ってパッケージ内部の寄生容量や寄生リアクタ
ンスが減少し、これらに基づくフリーラン発振等を生じ
ることが少くなシ、発振動作が安定化される。さらに誘
電体共振器をパッケージ内に収容したので、全体として
小型化される。
とは同一パッケージ内におって、最短距離で結合されて
いる。従ってパッケージ内部の寄生容量や寄生リアクタ
ンスが減少し、これらに基づくフリーラン発振等を生じ
ることが少くなシ、発振動作が安定化される。さらに誘
電体共振器をパッケージ内に収容したので、全体として
小型化される。
また第２図は第１図に示された半導体パッケージを含む
マイクロ波発振回路の一構成例を示したものであって、
第１図におけると同じ部分を同じ番号で示し、あはマウ
ント、詞は同軸コネクタ、あは調整ネジ、あは基板であ
る。
マイクロ波発振回路の一構成例を示したものであって、
第１図におけると同じ部分を同じ番号で示し、あはマウ
ント、詞は同軸コネクタ、あは調整ネジ、あは基板であ
る。
第２図において、半導体発振素子を含むペースｎ、ケー
ス田、カバー（資）からなる半導体パッケージ翌はマウ
ント（内に取り付けられてお夛、発振出力は出力ライン
構成する基板Ｉ上のマイクロストリップライン器に接続
された同軸コネクタあを経て取り出される。一方、マウ
ン）３３には金属製の調整ネジにが設けられていて、マ
ウン）３３の上部を貫通して螺合しておシ、これを回転
させることによってその先端をパッケージ冨に任意に接
近させることができるようになっている。この場合、カ
バー（資）はアルミナ等の電磁波を透過させるセラミッ
クからなってお９、従って調整ネジあを調整してカバー
園に対して接近させることによって、パッケージ！内の
誘電体共振器から漏れる磁界を調整することができ、こ
れによって誘電体共振器の共振周波数が変化し、従って
マイクロ波発振回路における発振周波数を調整すること
ができる。
ス田、カバー（資）からなる半導体パッケージ翌はマウ
ント（内に取り付けられてお夛、発振出力は出力ライン
構成する基板Ｉ上のマイクロストリップライン器に接続
された同軸コネクタあを経て取り出される。一方、マウ
ン）３３には金属製の調整ネジにが設けられていて、マ
ウン）３３の上部を貫通して螺合しておシ、これを回転
させることによってその先端をパッケージ冨に任意に接
近させることができるようになっている。この場合、カ
バー（資）はアルミナ等の電磁波を透過させるセラミッ
クからなってお９、従って調整ネジあを調整してカバー
園に対して接近させることによって、パッケージ！内の
誘電体共振器から漏れる磁界を調整することができ、こ
れによって誘電体共振器の共振周波数が変化し、従って
マイクロ波発振回路における発振周波数を調整すること
ができる。
な訃調整ネジによる磁界の調整はカバーの部分に限るも
のでなく、例えばケースｎの部分等地のセラミックで構
成された部分に対して行ってもよいことは言りまでもな
い。またこのような部分の材質もセラミックに限らず、
他の電磁波を透過させる気密性の材質であってもよい。
のでなく、例えばケースｎの部分等地のセラミックで構
成された部分に対して行ってもよいことは言りまでもな
い。またこのような部分の材質もセラミックに限らず、
他の電磁波を透過させる気密性の材質であってもよい。
〔発明の効果〕
以上説明し九ように本発明のマイクロ波発振回路によれ
ば、誘電体共振器を半導体発振素子と同一パッケージ内
に収容したので両者が最短距離で結合され、従ってパッ
ケージ内の寄生容量等に基づく発根動作不安定を防止し
て信頼性を向上させることができるとともに、小型化さ
れる。
ば、誘電体共振器を半導体発振素子と同一パッケージ内
に収容したので両者が最短距離で結合され、従ってパッ
ケージ内の寄生容量等に基づく発根動作不安定を防止し
て信頼性を向上させることができるとともに、小型化さ
れる。
さらにパッケージのカバーをアルミナ等の電磁波を透過
させるセラミックとすることによって、パッケージ外部
から誘電体共振器の共振周波数を変化させ、従って発振
周波数を調整することが可能になる。
させるセラミックとすることによって、パッケージ外部
から誘電体共振器の共振周波数を変化させ、従って発振
周波数を調整することが可能になる。
第１図は本発明の一実施例の半導体パッケージを示す図
、 第２図は本発明のマイクロ波発振回路の一構成例を示す
図、 第３図は従来のマイクロ波発振回路の一例を示す図、 第４図は従来のＦ’ＥＴパッケージの構成を示す図であ
る。 ２１・・・チップ素子、 ｎ・・・ベース、 ｎ・・・ケース、 あ、γ・・・リード線、 ２６ 、２９・・・マイクロストリップライン、蜀・・
・カバー、 ３１・・・誘電体共振器、 諺・・・半導体パッケージ、 お・・・マウント、 詞・・・同軸コネクタ、 あ・・・調整ネジ、 あ・・・基板
、 第２図は本発明のマイクロ波発振回路の一構成例を示す
図、 第３図は従来のマイクロ波発振回路の一例を示す図、 第４図は従来のＦ’ＥＴパッケージの構成を示す図であ
る。 ２１・・・チップ素子、 ｎ・・・ベース、 ｎ・・・ケース、 あ、γ・・・リード線、 ２６ 、２９・・・マイクロストリップライン、蜀・・
・カバー、 ３１・・・誘電体共振器、 諺・・・半導体パッケージ、 お・・・マウント、 詞・・・同軸コネクタ、 あ・・・調整ネジ、 あ・・・基板
Claims (2)
- （１）チップ状半導体発振素子２１と、 該チップ状半導体発振素子２１の入力または出力と結合
するように配置された誘電体共振器３１と、を同一パッ
ケージ３２内に収容し、該パッケージを通じて入出力線
路を設けたことを特徴とするマイクロ波発振回路。 - （２）前記パッケージ３２の外囲器の一部が電磁波を透
過させる材質からなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のマイクロ波発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10782585A JPS61265906A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | マイクロ波発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10782585A JPS61265906A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | マイクロ波発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265906A true JPS61265906A (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=14468990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10782585A Pending JPS61265906A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | マイクロ波発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61265906A (ja) |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10782585A patent/JPS61265906A/ja active Pending
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