JPS61266548A - 磁気デイスク基板用アルミニウム合金 - Google Patents

磁気デイスク基板用アルミニウム合金

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JPS61266548A
JPS61266548A JP60108800A JP10880085A JPS61266548A JP S61266548 A JPS61266548 A JP S61266548A JP 60108800 A JP60108800 A JP 60108800A JP 10880085 A JP10880085 A JP 10880085A JP S61266548 A JPS61266548 A JP S61266548A
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magnetic
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surface smoothness
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難波江　元広
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気ディスク基板用アルミニウム合金に関し、
特に磁性体被覆の下地処理である無電解メッキの密着性
及び表面平滑性を改善したものである。
従来の技術 電子計算機の記録装置に用いられる磁気ディスクとして
は、一般にアルミニウム合金からなる基板の表面に磁性
体を被覆し念ものが用いられている。このような磁気デ
ィスクは基板を所定の厚さに加工した後、表面を鏡面研
摩（、てがら磁性体粉末と樹脂粉末の混合物を塗布り４
、しかる後加熱処理して磁性体膜を形成することにより
造られている。
近年磁気ディスクは大容量化、高密度化が要請されるよ
うになり、磁気ディスクの１ビット当りの磁化領域は益
々微小化されると共に、磁気ヘッドと磁気ディスクの間
隙も減少させることが必要となり、磁性体膜にも薄膜化
と耐摩耗性の改善が望まれるようになつｆｃｏこのため
基板を所定の厚さに加工した後、表面を鏡面加工し、て
から磁性体被覆のための下地処理として硬質非磁性金属
、例えばＮ１−Ｐ合金を無電解メッキし、しかる後スパ
ッタ１１ング又はメッキにより磁性体、例えばＣｏ−Ｎ
１−Ｐ合金を被覆した磁気ディスクが提案されている。
このような磁気ディスクの基板ＫＵ次のような特性が要
求されている。
（１）非熱理髪で種々の加工及び使用時の高速回転に耐
える十分な強度を有すること。
（２）軽量で研摩により良好な鏡面が得られること。
（３）下地処理である無電解メッキの密着性及び表面平
滑性が優れていること。
このような特性を満たす磁気ディスク用基板として、Ｊ
　Ｉ　ＳＡ５０８６合金（Ｍｇ３．５〜４，５ｗｔ％、
Ｆｅ＜０．５０ｗｔ％、５ｉ（０，４、Ｑｗｔ％、Ｍｎ
０．２０〜０．７ｗｔ％、Ｃｒ　０．０５〜０．２５　
ｗ　ｔ　％、Ｃｕ＜０゜１０ｗｔ％、Ｔｉ＜０．１５ｗ
ｔ％、Ｚｎ≦０．２５ｗｔチ、Ａｌ残部〕又はＪ　Ｉ　
ＳＡ５０８６合金の不純物であるＦｅやＳｉ等を規制し
てマド１１ツクス中に生成する金属間化合物を小さくし
た合金が用いられている。
発明が解決しようとする問題点 し、かじながら上記ＪＩＳＡ５０８６合金からなる基板
は磁性体被覆の下地処理である無電解メッキの密着性が
劣るため、磁性体の被覆工程又は使用中無電解メッキ被
膜が剥離するという問題があった。また無電解メッキの
表面平滑性も充分とはいえなかった。
問題を解決するための手段 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、無電解メッキの密
着性はジンケート皮膜が薄く、均一かつ緻密なほど向上
することを知見し７、ジンケート処理により薄く、均一
で緻密な皮膜を形成するアルミニウム合金について検討
の結果、無電解メッキの密着性及び表面平滑性の優れた
磁気ディスク基板用アルミニウム合金を開発したもので
、Ｍｇ２〜６ｗｔ％（以下ｗｔチをチと略記）を含み、
更にＣｕ　０．１２〜２．０％、Ｚｎ０．２８〜７．０
％の範囲内で何れか１種又は２種を含み、残部Ａｌと不
可避的不純物からなることを特徴とするものである。
作用 本発明においてＭｇの添加は基板としての強度を高める
ためで、その含有量を２〜６％と限定したのは、２％未
満では十分な強度が得られず、６チを越えるとＡｌ−Ｍ
ｇ金属間化合物を生成すると共に、溶解鋳造の高温酸化
によりＭＫＯなどの非金属介在物の生成が著しくなるた
めである。
またＣｕ又は／及びＺｎはジンケート処理における皮膜
を薄くし、かつ均一緻密にするために添加するもので、
その含有量ｆＣｕ２．０％以下、Ｚｎ７．０％以下と限
定り九のは、伺れかが上限を越えると圧延加工性及び耐
食性を低下し７、特にメッキ処理工程においても、材料
の耐食性が劣るためジンケート処理が均一にいかなく、
メッキの密着性、表面の平滑性も劣るようになる。また
Ｃｕを０．１２％以上又はＺｎｅｏ、２８％以上含有せ
しめるのは、何れかをこれ以上含有させないとジンケー
ト処理における十分な効果が得られないためである。
尚Ｃｕ又は／及びＺｎ含有量を上記範囲内とすれば、ジ
ンケート処理時のＡｌ溶解＋Ｒ，ｋ減少３ν し、その後の無電解メッキ後の光輝性榊ち表面の平滑性
を高めることができる。また上記組成の合金は通常の製
造工程により結晶粒径が８０μｍ以下と微細になり、磁
性体被覆の下地処理である無電解メッキの表面平滑性の
向上に一層有利である。
なお材料の製造条件（例えば、材料の焼鈍温度が高く長
時間の場合〕によ・つては、結晶粒が８０μ以上と犬き
くなる場合があるが、大きくなるとメッキ後の表面平滑
性が劣るようになるため、結晶粒は小さくすることが望
ましい。
実施例 市販の純度９９．７％以上のＡｌ地金を溶解し、これに
合金元素を添加して第１表に示す成分組成の合金溶湯に
調整し、脱ガス、沈静処理したを両面１０ｍ＊ずつ面側
してから４８０±３０℃の温度で約６時間均熱処理した
後、常法に従って熱間圧延と冷間圧延により厚さ２ｆｌ
の板とした。
この厚さ２鵡の冷延板から直径２００ｍの円板を打抜き
、これを３５０℃で２時間焼鈍した後、荒研摩と仕上げ
研摩を施して鏡面に仕上げた。
これ等について顕微鏡検査により最大結晶粒の粒径を調
べたところいずれも２５〜７２μｍであった。又これ等
の鏡面板について市販の溶剤により脱脂し１．６０℃の
５％ＮａＯＨ水溶液で３０秒間エツチングしてから室温
の３０％ＨＮＯ。
水溶液で３０秒間スマット除去し、しかる後ジンケート
処理してから無電解Ｎ１−Ｐ合金メッキを行なって無電
解メッキの密着性と表面の平滑性を調べた。これ等の結
果を第１表に併記し友。
理し、無電解Ｎ１−Ｐ合金メッキにはナイフラッド７１
９（商品名、実計製薬）音用いて行なった。また密着性
については無電解メッキ後、５０簡平方のサンプルを切
出して３００℃の温度に３０分間加熱し、直ちに水冷し
てＡｌ合金とずかに生じたものをΔ印、多数発生のもの
をＸ印で表わした。またメッキ後の表面の平滑性につい
ては無電解メッキ後反射率を測定し、た。
第１表（１） 本発明　１　２．６　１．２　　−　　残　　０　　８
８合金 〃２４．５１．０−ＩＩ　　○　９６ ／／　　３４．２０．１５　−　　ｔｔ　　○　９６／
Ｉ　　４５．６０．１３−ＩＩ　　Ｑ　　９Ｑｔｔ　　
５２．５　−　６．１　　ｔｔ　　○　９１１Ｆ　　６
４．１　−　０．３０　ｔｌ　　○　８９ｔｔ７４．Ｏ
Ｏ−÷３５．□　　ｔｔ　　○　９６／／　　８２．５
１．８０．０２　／／　　○　９５〃９４．０１．９０
．０１／／（１）８８／ｌ　　１０５．５１．１０．０
３　ＩＩ　　○　９０／／　　１１５．６０．５００．
０１１／　　０８７／／　　１２２．５０．０１　３．
Ｏｔｔ　　○　９２ｔｔ　　１３４．３０．０２２５　
　ｔｌ　　Ｑ　　８８／７　１４５，５０．０１３．８
　　ｓ　　○　８９ａ　　１５２．８１．８０．２２　
ｔｔ　　Ｑ９３／ｌ　　１６２．３１．５　１．５　　
ｎ　　○　９７／Ｉ　　１７２．２０．９　０．２　　
ＩＩ　　○　８９〃１８２．５１．０　３．８　　ｔｔ
　　○　９２〃１９２．１１．１　６．６　　＃　　０
９０ｐ　　２０２．２０．０３０．３０　ｕ　　○　８
１／／　　２１２．４０．０５３．Ｏｔｔ　　Ｌ、）　
　８ｇ第１表（２） 黍８零　２２　２．２　０．０５　６．５　　　残　　
、０　　９０／／　　　　　２３　　４．０　　０．０
５　　０．３０　　　１／　　　　　　Ｃつ　　　　　
９３／Ｉ　　　２４　４．０　０．０３　２．８　　　
／／　　　　０　　９２／／　　　２５　４．１　０．
０３　６．８　　　　／／　　　　０　　９３１／　　
　２６　４．０　０．１３　０．２０　　／／　　　　
０　　８９ｔｔ　　　２７　４．３　０．１２　３．２
　　　／／　　　　０　　８８／／　　　２８　４．２
　０．Ｌ２　６．５　　　ｔｔ　　　　○　　　８７１
／　　　２９　４．０　１．８　　０．１７　　ＩＩ　
　　　○　　　９０／／　　　３０　４．３　１．６　
　：；、３．３　　　　ｔｔ　　　　○　　　９３ｐ　
　　３１　４．０　１．８　　６．８　　　　ｐ　　　
　Ｑ　　　　８９ｔｔ　　　３２　５．７　０．１８　
０．２２　　　ＩＩ　　　　○　　　８８ｔｔ　　　３
３　５．５　０．０４　３．３　　　　ｔｔ　　　　○
　　　９２ｔｔ　　　３４　５．９　０．０８　６．２
　　　ｓ　　　　Ｑ　　　８７ｔｔ　　　３５　５．６
　１．０　　０．２５　　ｔｔ　　　　Ｑ　　　　８５
／／　　　３６　５．７　１．０　　３，２　　　ｔｔ
　　　　○　　９５／Ｆ　　　３７　５．７　１．２　
　５．８　　　／／　　　　０　　８８／／　　　３８
　５．６　１．６　　０．３０　　ＩＩ　　　　○　　
９２ｔｔ　　　３９　５．７　１．８　　３．２　　　
／／　　　　０　　８７ｕ　　　４０　５．７　１．８
　　５．０　　　〃　　　　０　９１比・・較４１．　
３．５　０．１０　０．１２　　／／　　　Ｘ　　　６
２合金 ＩＩ　　４２５．６０．０２０．０５　／／　　Ｘ　　
５５第１表（３） 比較 合金４３４．３０．１０　−　残　　Δ　５８１／　　
４４４．０　−０．０．２３　１／　　　Δ　６５／Ｉ
　　４５４．１０．１００゜２０〃　　　△　６０〃４
６４．０２．５　−　　ｔｔ　　　△　６４／／　　４
７４．２２．５　３．０　　／／　　　Ｘ　　６１／／
　　４８４．０　−　７．５　　ｕ　　　Ｘ　　５８第
１表から明らかなように本発明合金Ｎａｌ〜４０に、従
来合金（ＪＩＳＡ５０Ｂ６合金）Ｎ（Ｌ５０〜５１左比
較し、無電解メッキの密着性がはるかに優れ、反射率即
ち表面の平滑性も良いことが判る。Ｃｕ又はＺｎ含有量
が少ないＮα４１〜４５は、ジンケー！・処理性が低下
［，１、そのためメッキの密着性、表面の平滑性が劣る
。
ま之Ｃｕ又はＺｎ含有量の多い比較合金Ｎα４６〜４９
はメッキ処理工程において材料の劃食性が劣る↓うにな
るため、ジンケート処理が均一にいかなくメッキの密着
性、表面の平滑性も劣る。
発明の効果 このように本発明によれば磁性体被覆の下地処理である
無電解ニッケルメッキの密着性及び表面の平滑性が向上
し、磁気ディスクのｉｕｔ化において、その品質向上に
顕著な効果を奏するものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Ｍｇ２〜６ｗｔ％を含み更にＣｕ０．１２〜２．０ｗｔ
    ％、Ｚｎ０．２８〜７．０ｗｔ％の範囲内で何れか１種
    又は２種を含み、残部Ａｌと不可避的不純物からなる磁
    気ディスク基板用アルミニウム合金。
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