JPH01230744A - 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 - Google Patents
磁気ディスク基板用アルミニウム合金Info
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- JPH01230744A JPH01230744A JP5462888A JP5462888A JPH01230744A JP H01230744 A JPH01230744 A JP H01230744A JP 5462888 A JP5462888 A JP 5462888A JP 5462888 A JP5462888 A JP 5462888A JP H01230744 A JPH01230744 A JP H01230744A
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- Japan
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- alloy
- plating
- magnetic disk
- polishing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は磁気ディスク基板用アルミニウム合金に関し、
特に下地処理メツキにおける無電解メツキの密着性を向
上し、メツキ上り表面を平滑化するメツキ性に優れたア
ルミニウム合金に関するものである。
特に下地処理メツキにおける無電解メツキの密着性を向
上し、メツキ上り表面を平滑化するメツキ性に優れたア
ルミニウム合金に関するものである。
〔従来の技術）
電子計算機の記録装置に用いられる磁気ディスクには、
一般にアルミニウム合金からなる基板の表面に磁性体を
被覆したものが用いられている。
一般にアルミニウム合金からなる基板の表面に磁性体を
被覆したものが用いられている。
このような磁気ディスクは基板を所定の厚さに加工した
後、表面を鏡面研磨してから磁性体粉末と樹脂粉末の混
合物を塗布し、しかる後加熱処理して、磁性体膜を形成
することにより作られている。
後、表面を鏡面研磨してから磁性体粉末と樹脂粉末の混
合物を塗布し、しかる後加熱処理して、磁性体膜を形成
することにより作られている。
近年磁気ディスクは大容量化、高密度化が要請されるよ
うになり、磁気ディスクの１ビット当りの磁気領域は益
々微小化されていると共に、磁気ヘッドと磁気ディスク
との間隙も減少させることが必要となり、磁性体膜にも
薄肉化と耐摩耗性の改善が望まれるようになった。この
ため基板を所定の厚さに加工した後、表面を鏡面加工し
てから磁性体被覆のための下地処理として硬質非磁性金
属、例えばＮ１−Ｐを無電解メツキし、しがる後スパッ
タリング又はメツキにより磁性体、例えばＣｏ−Ｎ１−
Ｐ合金を被覆した磁気ディスクが提案されている。
うになり、磁気ディスクの１ビット当りの磁気領域は益
々微小化されていると共に、磁気ヘッドと磁気ディスク
との間隙も減少させることが必要となり、磁性体膜にも
薄肉化と耐摩耗性の改善が望まれるようになった。この
ため基板を所定の厚さに加工した後、表面を鏡面加工し
てから磁性体被覆のための下地処理として硬質非磁性金
属、例えばＮ１−Ｐを無電解メツキし、しがる後スパッ
タリング又はメツキにより磁性体、例えばＣｏ−Ｎ１−
Ｐ合金を被覆した磁気ディスクが提案されている。
このような磁気ディスクの基板には次のような特性が要
求されている。
求されている。
（１）非熱処理型で種々の加工および使用時の高速回転
に耐える十分な強度を有すること。
に耐える十分な強度を有すること。
（２）軽量で研磨により良好な鏡面が得られ、ピント等
の表面欠陥が現われないこと。
の表面欠陥が現われないこと。
（３）下地処理である無電解メツキの密着性および表面
平滑性が優れ、メン牛後もピット等の欠陥が現われない
こと。
平滑性が優れ、メン牛後もピット等の欠陥が現われない
こと。
このような特性を溝たす磁気ディスク用基板として、Ｊ
ＩＳＡ５０８６合金（Ｍ ｇ３．５〜４．５ｗｔ％、Ｆ
ｅ５０．５０ｗｔ％、ＳｉＳ２．４０ｗｔ％、Ｍｎ０．
２０〜０．７ｗｔ％、Ｃｒ ０．０５〜０．２５ｗｔ％
、Ｃｕ≦０．１０ｗｔ％、Ｔｉ≦０．１５ｗｔ％、Ｚｎ
≦０．２５ｗｔ％、ＡＮ残部）又はＪＩＳＡ５０８６合
金の不純物であるＦｅやＳｉ等を規制してマトリックス
中に生成する金属間化合物を小さ（した合金が用いられ
ている。
ＩＳＡ５０８６合金（Ｍ ｇ３．５〜４．５ｗｔ％、Ｆ
ｅ５０．５０ｗｔ％、ＳｉＳ２．４０ｗｔ％、Ｍｎ０．
２０〜０．７ｗｔ％、Ｃｒ ０．０５〜０．２５ｗｔ％
、Ｃｕ≦０．１０ｗｔ％、Ｔｉ≦０．１５ｗｔ％、Ｚｎ
≦０．２５ｗｔ％、ＡＮ残部）又はＪＩＳＡ５０８６合
金の不純物であるＦｅやＳｉ等を規制してマトリックス
中に生成する金属間化合物を小さ（した合金が用いられ
ている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら上記ＪＩＳＡ５０８６合金からなる基板は
、磁性体被覆の下地処理である無電解メツキの密着性が
劣るため、磁性体の被覆工程または使用中無電解メツキ
被覆が剥離することが有るという問題があった。また無
電解メツキの表面平滑性も充分とはいえなかった。即ち
金属間化合物はジンケート処理時に脱落してピットを生
成する。
、磁性体被覆の下地処理である無電解メツキの密着性が
劣るため、磁性体の被覆工程または使用中無電解メツキ
被覆が剥離することが有るという問題があった。また無
電解メツキの表面平滑性も充分とはいえなかった。即ち
金属間化合物はジンケート処理時に脱落してピットを生
成する。
このピントは無電解メツキ厚さが２０μｍ程度の膜厚で
あれば、その後ポリシング研磨を施すことにより消える
ことが多いが、昨今メツキ厚さが薄膜化の傾向にあり（
例えば１７μｍ程度）、メツキ後のボリシング研磨後も
ピットが残存する場合が生してきた。またアルミニウム
合金板を所定の寸法に打ち抜き、その後切削もしくは研
削研磨を施すが、その際金属間化合物が脱落し、ピント
欠陥となる場合もある。このように磁気ディスクのメツ
キ性の向上には主としてその基板用アルミニウム合金の
金属間化合物数を減らし、大きさも小さくすることが強
く望まれ、種々の対策が講じられてきたが、必ずしも充
分な成果が得られていなかった。
あれば、その後ポリシング研磨を施すことにより消える
ことが多いが、昨今メツキ厚さが薄膜化の傾向にあり（
例えば１７μｍ程度）、メツキ後のボリシング研磨後も
ピットが残存する場合が生してきた。またアルミニウム
合金板を所定の寸法に打ち抜き、その後切削もしくは研
削研磨を施すが、その際金属間化合物が脱落し、ピント
欠陥となる場合もある。このように磁気ディスクのメツ
キ性の向上には主としてその基板用アルミニウム合金の
金属間化合物数を減らし、大きさも小さくすることが強
く望まれ、種々の対策が講じられてきたが、必ずしも充
分な成果が得られていなかった。
〔課題を解決するための手段］
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、無電解Ｎ１−Ｐ合
金メツキの密着性やメツキ表面の平滑性は前処理のジン
ケート皮膜を薄くかつ均一緻密に付着させることが必要
でありさらに、Ｎ１−Ｐ合金メツキ皮膜の密着性はジン
ケート皮膜の付着状況だけでなく、素材の結晶粒径およ
びマトリックス中の微量添加元素にも影響され、即ち結
晶粒は微細であれば密着性は向上し、また微量添加元素
の種類、量をコントロールすることによっても密着性が
改善されることを知見し、更に検討の結果、これらの効
果を必要゛に応じて組み合せることによりその相互作用
が得られ、その結果として下地処理メツキにおける無電
解メツキの密着性が優れ、しかもメツキ上り表面が平滑
でがっ表面欠陥のない磁気ディスク基板用アルミニウム
合金を開発したものである。
金メツキの密着性やメツキ表面の平滑性は前処理のジン
ケート皮膜を薄くかつ均一緻密に付着させることが必要
でありさらに、Ｎ１−Ｐ合金メツキ皮膜の密着性はジン
ケート皮膜の付着状況だけでなく、素材の結晶粒径およ
びマトリックス中の微量添加元素にも影響され、即ち結
晶粒は微細であれば密着性は向上し、また微量添加元素
の種類、量をコントロールすることによっても密着性が
改善されることを知見し、更に検討の結果、これらの効
果を必要゛に応じて組み合せることによりその相互作用
が得られ、その結果として下地処理メツキにおける無電
解メツキの密着性が優れ、しかもメツキ上り表面が平滑
でがっ表面欠陥のない磁気ディスク基板用アルミニウム
合金を開発したものである。
即ち本発明合金ノーッは、Ｃｕ ０．００１〜０．００
９ｗ １％、Ｍ ８２．０〜６．０ｗｔ％、Ｚ ｎ０．
０５〜２．０ｗｔ％を必須元素として含有し、不純物元
素として、Ｓ ｉ ０．１ｗｔ％以下、Ｆ ｅ ０．
１ｗｔ％以下に規制し、残部が不可避的不純物とＡｌか
らなることを特徴とする磁気ディスク基板用アルミニウ
ム合金であり、また本発明合金の他の一つは、Ｃｕ０．
ＯＯ１〜０．００９ｗｔ％、Ｍ ｇ ２．０〜６．０ｗ
ｔ％、Ｚｎ０．０５〜２．０ｗｔ％を必須元素として含
有し、さらに、Ｍｎ０−０１〜１．０ｗｔ％、Ｃｒ ０
．００５〜０．２５ｉｖｔ％、Ｚｒ０．００１〜０．１
ｗｔ％、Ｔ ｉ ０．ＯＯ１〜０．０５ｗｔ％の内１
種以上の元素を選択的に含有し、不純物元素として、Ｓ
ｉ ０．１ｗｔ％以下、Ｆｅ０．１ｗｔ％以下に規制
し、残部が不可避的不純物とＡ２からなることを特徴と
する磁気ディスク基板用アルミニウム合金である。
９ｗ １％、Ｍ ８２．０〜６．０ｗｔ％、Ｚ ｎ０．
０５〜２．０ｗｔ％を必須元素として含有し、不純物元
素として、Ｓ ｉ ０．１ｗｔ％以下、Ｆ ｅ ０．
１ｗｔ％以下に規制し、残部が不可避的不純物とＡｌか
らなることを特徴とする磁気ディスク基板用アルミニウ
ム合金であり、また本発明合金の他の一つは、Ｃｕ０．
ＯＯ１〜０．００９ｗｔ％、Ｍ ｇ ２．０〜６．０ｗ
ｔ％、Ｚｎ０．０５〜２．０ｗｔ％を必須元素として含
有し、さらに、Ｍｎ０−０１〜１．０ｗｔ％、Ｃｒ ０
．００５〜０．２５ｉｖｔ％、Ｚｒ０．００１〜０．１
ｗｔ％、Ｔ ｉ ０．ＯＯ１〜０．０５ｗｔ％の内１
種以上の元素を選択的に含有し、不純物元素として、Ｓ
ｉ ０．１ｗｔ％以下、Ｆｅ０．１ｗｔ％以下に規制
し、残部が不可避的不純物とＡ２からなることを特徴と
する磁気ディスク基板用アルミニウム合金である。
〔作 用］
次に本発明合金の添加元素の意義と合金組成の限定理由
を説明する（以下合金組成の−Ｌ％を単に％と略記する
）。
を説明する（以下合金組成の−Ｌ％を単に％と略記する
）。
Ｍｇは主として強度を得るためのもので、その含を量を
２．０〜６．０％と限定したのは、２．０％未満では十
分な強度が得られず、６．０％を越えるとＡｌ−Ｍｇ金
属間化合物を生成すると共に溶解鋳造時の高温酸化によ
りＭｇＯなどの非金属介在物の生成が著しくピット不良
を発生させる原因となるためである。
２．０〜６．０％と限定したのは、２．０％未満では十
分な強度が得られず、６．０％を越えるとＡｌ−Ｍｇ金
属間化合物を生成すると共に溶解鋳造時の高温酸化によ
りＭｇＯなどの非金属介在物の生成が著しくピット不良
を発生させる原因となるためである。
Ｚｎはジンケート処理を可能にするもので、その含有量
を０．０５〜２．０％と限定したのは、０．０５％未満
ではジンケート処理による効果が不十分となり、２．０
％を越えると圧延加工性及び耐食性を低下し、特にメツ
キ処理工程においても材料の耐食性が劣るため、ジンケ
ート処理が不均一となり、メツキの密着性や表面の平滑
性を低下するためである。尚Ｚｎ含有量を上記範囲内と
することにより、ジンケート処理時のＡ２溶解量を減少
し、その後の無電解メツキにおける平滑性を高めること
ができる。
を０．０５〜２．０％と限定したのは、０．０５％未満
ではジンケート処理による効果が不十分となり、２．０
％を越えると圧延加工性及び耐食性を低下し、特にメツ
キ処理工程においても材料の耐食性が劣るため、ジンケ
ート処理が不均一となり、メツキの密着性や表面の平滑
性を低下するためである。尚Ｚｎ含有量を上記範囲内と
することにより、ジンケート処理時のＡ２溶解量を減少
し、その後の無電解メツキにおける平滑性を高めること
ができる。
Ｃｕの添加はジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少し、
さらにジンケート皮膜を薄く、均−且つｍ密に付着させ
その後の無電解メツキの表面平滑性を高めるためで、Ｃ
ｕ含有量を０．００１〜０．００９％と限定したのは、
０．００１％未満ではジンケート処理における上記効果
が得られないためであり、０．００９％を越えると耐食
性を低下し、特にメ・ンキ処理工程において材料の耐食
性が劣るため、ジンケート処理が不均一となり、メツキ
の密着性や表面の平滑性が劣るようになるためである。
さらにジンケート皮膜を薄く、均−且つｍ密に付着させ
その後の無電解メツキの表面平滑性を高めるためで、Ｃ
ｕ含有量を０．００１〜０．００９％と限定したのは、
０．００１％未満ではジンケート処理における上記効果
が得られないためであり、０．００９％を越えると耐食
性を低下し、特にメ・ンキ処理工程において材料の耐食
性が劣るため、ジンケート処理が不均一となり、メツキ
の密着性や表面の平滑性が劣るようになるためである。
Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｔはいずれも均質化処理時および
／または熱間圧延、焼鈍時に微細な化合物として析出し
、再結晶粒を微細化すると共に、その一部はマトリック
ス中に固溶しその強度を向上させると同時に無電解メツ
キの密着性を更に向上させる作用があり、それらの相互
作用により基板の切削・研磨性の向上およびＮ１−Ｐメ
ツキ皮膜の研磨性の向上にも寄与するものである。それ
ぞれ前記下限未満ではこの効果が不十分であり、又前記
上限を越えると鋳造時のフィルターによる溶湯処理にお
いて過剰の元素が除去されて無駄となるばかりか粗大な
金属間化合物が生成し、アルカリエツチングおよびジン
ケート処理だけでなく、切削、研磨加工を施す際にも脱
落してピット欠陥となる。
／または熱間圧延、焼鈍時に微細な化合物として析出し
、再結晶粒を微細化すると共に、その一部はマトリック
ス中に固溶しその強度を向上させると同時に無電解メツ
キの密着性を更に向上させる作用があり、それらの相互
作用により基板の切削・研磨性の向上およびＮ１−Ｐメ
ツキ皮膜の研磨性の向上にも寄与するものである。それ
ぞれ前記下限未満ではこの効果が不十分であり、又前記
上限を越えると鋳造時のフィルターによる溶湯処理にお
いて過剰の元素が除去されて無駄となるばかりか粗大な
金属間化合物が生成し、アルカリエツチングおよびジン
ケート処理だけでなく、切削、研磨加工を施す際にも脱
落してピット欠陥となる。
これらのＭｎ、Ｃｒ５ＺｒＳＴｉは単独で添加してもよ
いが、複合して添加する方が効果的であり、必要に応じ
て１種以上を選択して添加する。
いが、複合して添加する方が効果的であり、必要に応じ
て１種以上を選択して添加する。
又不純物元素であるＦｅ、Ｓｉをそれぞれ０．１％以下
に限定したはＦｅやＳｉはアルミニウム中にほとんど固
溶せず金属間化合物として析出するが、その量が多い場
合には、Ａ／！−Ｆｅ系、ＡＰ−Ｆｅ−３ｉ系等の粗大
な金属間化合物が多数存在し、基板の切削・研磨および
ジンケート処理時に脱落してピット欠陥となり易いため
である。
に限定したはＦｅやＳｉはアルミニウム中にほとんど固
溶せず金属間化合物として析出するが、その量が多い場
合には、Ａ／！−Ｆｅ系、ＡＰ−Ｆｅ−３ｉ系等の粗大
な金属間化合物が多数存在し、基板の切削・研磨および
ジンケート処理時に脱落してピット欠陥となり易いため
である。
また他の不可避的不純物元素（例えばＢ、Ｎｉ、■等）
はそれぞれ０．１％以下であれば本発明合金の特性に影
響しない。
はそれぞれ０．１％以下であれば本発明合金の特性に影
響しない。
尚本発明合金はその組織中に含まれる金属間化合物につ
いては、その最大径を１５μｍ以下とすることが望まし
い。金属間化合物はアルカリエツチング及びジンケート
処理時だけでなく切削研磨加工時にも脱落してピット欠
陥となるが、その後の無電解Ｎｉメツキにてかなりカバ
ーされ、さらに研磨加工後では実際の金属間化合物の大
きさよりもピット欠陥はかなり小さくなる。現在、高密
度・大容量化の動きの中でディスク基板に対する要求特
性も上っており例えば３．５″デイスク基板においては
、メツキ→研摩上がりにて面内に５μｍ径をこえるピッ
トは許されない状況である。本発明者らは種々検討の結
果、メツキ→研暦上りにて、面内のピット最大径をＥＨ
ｔｍ以下にするにはアルミニウム合金中の金属間化合物
の最大径を１５μｍ以下にしなければならないことを知
見した。また、メツキ→研摩上りのＷＡＷ−によっても
ピット径は異なるが、少なくともメツキ→研磨上りでメ
ツキ膜厚が１０μｍ以上の場合、合金中の金属間化合物
の最大径が１５μｍ以下であるならば、メツキ→研磨上
りのピット最大径は５μ以下とすることができる。
いては、その最大径を１５μｍ以下とすることが望まし
い。金属間化合物はアルカリエツチング及びジンケート
処理時だけでなく切削研磨加工時にも脱落してピット欠
陥となるが、その後の無電解Ｎｉメツキにてかなりカバ
ーされ、さらに研磨加工後では実際の金属間化合物の大
きさよりもピット欠陥はかなり小さくなる。現在、高密
度・大容量化の動きの中でディスク基板に対する要求特
性も上っており例えば３．５″デイスク基板においては
、メツキ→研摩上がりにて面内に５μｍ径をこえるピッ
トは許されない状況である。本発明者らは種々検討の結
果、メツキ→研暦上りにて、面内のピット最大径をＥＨ
ｔｍ以下にするにはアルミニウム合金中の金属間化合物
の最大径を１５μｍ以下にしなければならないことを知
見した。また、メツキ→研摩上りのＷＡＷ−によっても
ピット径は異なるが、少なくともメツキ→研磨上りでメ
ツキ膜厚が１０μｍ以上の場合、合金中の金属間化合物
の最大径が１５μｍ以下であるならば、メツキ→研磨上
りのピット最大径は５μ以下とすることができる。
市販の純度９９．５％以上のＡＰ地金を溶解し、これに
合金元素を添加して第１表に示す成分組成の合金溶湯に
調製し、脱ガス、沈静処理した後、フィルターで濾過し
てから水冷鋳造し、厚さ３５０ｍ１巾１０００ｍｍ、長
さ２０００ａｍの鋳塊を得た。
合金元素を添加して第１表に示す成分組成の合金溶湯に
調製し、脱ガス、沈静処理した後、フィルターで濾過し
てから水冷鋳造し、厚さ３５０ｍ１巾１０００ｍｍ、長
さ２０００ａｍの鋳塊を得た。
この鋳塊の両面を１０ｗずつ面前してから４８０±３０
°Ｃの温度で約６時間均熱処理した後、常法に従って熱
間圧延と冷間圧延により厚さ１．５鵬の）反相とした。
°Ｃの温度で約６時間均熱処理した後、常法に従って熱
間圧延と冷間圧延により厚さ１．５鵬の）反相とした。
この板材から直径９５ｍ＋ａの円板を打抜き、３５０°
Ｃで２時間焼鈍した後、荒研磨と仕上げ研磨を施して鏡
面に仕上げた。これ等について市販の溶剤により脱脂し
、４０゛Ｃの５％ＮａＯＨ水溶液で３０秒間エツチング
してから室温の３０％ＨＮ ０３水溶液で３０秒間スマ
ット除去し、しかる後金属間化合物の最大径を測定し、
続いてジンケート処理してから無電解Ｎ１−Ｐ合金メン
キを行い、更に仕上げ研磨を行なってからメツキ皮膜の
密着性、表面の平滑性およびピント欠陥を調べ、これ等
の結果を従来のＪＩＳＡ５０８６合金（Ｍｇ４．０％、
Ｍｎ０．５％、Ｃｒ０．２％、Ｆｅ０．３％、Ｓｉ０．
０５％、Ｔｉ０．０５％、Ｚｎ０．０１％、残Ａｆｆｉ
）と比較して第１表に併記した。
Ｃで２時間焼鈍した後、荒研磨と仕上げ研磨を施して鏡
面に仕上げた。これ等について市販の溶剤により脱脂し
、４０゛Ｃの５％ＮａＯＨ水溶液で３０秒間エツチング
してから室温の３０％ＨＮ ０３水溶液で３０秒間スマ
ット除去し、しかる後金属間化合物の最大径を測定し、
続いてジンケート処理してから無電解Ｎ１−Ｐ合金メン
キを行い、更に仕上げ研磨を行なってからメツキ皮膜の
密着性、表面の平滑性およびピント欠陥を調べ、これ等
の結果を従来のＪＩＳＡ５０８６合金（Ｍｇ４．０％、
Ｍｎ０．５％、Ｃｒ０．２％、Ｆｅ０．３％、Ｓｉ０．
０５％、Ｔｉ０．０５％、Ｚｎ０．０１％、残Ａｆｆｉ
）と比較して第１表に併記した。
尚ジンケート処理にはアープ３０２ＺＮ（商品名奥野製
薬）を用いてダブルジンケート処理し、無電解Ｎ１−Ｐ
合金メツキにはナイフランド７１９（商品名奥野製薬）
を用いて行なった。無電解Ｎ１−Ｐメツキは厚さ１７μ
ｍ、その後の仕上げ研磨（羽布研磨）にて４μｍの研摩
代をとり厚さ１３μｍに仕上げた。
薬）を用いてダブルジンケート処理し、無電解Ｎ１−Ｐ
合金メツキにはナイフランド７１９（商品名奥野製薬）
を用いて行なった。無電解Ｎ１−Ｐメツキは厚さ１７μ
ｍ、その後の仕上げ研磨（羽布研磨）にて４μｍの研摩
代をとり厚さ１３μｍに仕上げた。
密着性についてはメツキ研磨後、５０１１１１１＋平方
のサンプルを切出して４００°Ｃの温度に３０分間加熱
し、直ちに常温水で、水冷して、１１合金とＮ１−Ｐ合
金の熱膨張差によるメツキの剥離および膨れを調べ、剥
離や膨れのないものを◎印、わずかに生じたものをΔ印
、多数発生したものをＸ印で表わした（◎印が合格、△
、×は不合格である）。
のサンプルを切出して４００°Ｃの温度に３０分間加熱
し、直ちに常温水で、水冷して、１１合金とＮ１−Ｐ合
金の熱膨張差によるメツキの剥離および膨れを調べ、剥
離や膨れのないものを◎印、わずかに生じたものをΔ印
、多数発生したものをＸ印で表わした（◎印が合格、△
、×は不合格である）。
また平滑性についてはメンキ研磨後表面粗度を万能表面
粗さ計５Ｅ−３Ｈ（小板研究所製）により測定し、ＪＩ
ＳＢＯ６０１に規定されている中心線平均粗さＲａ（μ
ｍ）を４点の平均値で示した。
粗さ計５Ｅ−３Ｈ（小板研究所製）により測定し、ＪＩ
ＳＢＯ６０１に規定されている中心線平均粗さＲａ（μ
ｍ）を４点の平均値で示した。
表面欠陥の程度についてはメツキ研磨後、光学顕微鏡に
て基板表面を観察しビットの最大径で５μｍを越えるも
のが存在した場合をＸ印、ピントが存在しても５μｍ以
下であった場合を○印で表示した。
て基板表面を観察しビットの最大径で５μｍを越えるも
のが存在した場合をＸ印、ピントが存在しても５μｍ以
下であった場合を○印で表示した。
第１表から明らかなように本発明合金Ｎα１〜１２は何
れも従来合金阻２４よりはるかに優れた密着性と表面平
滑性等の特性を有することが判る。
れも従来合金阻２４よりはるかに優れた密着性と表面平
滑性等の特性を有することが判る。
これに対し本発明合金の組成範囲より外れる比較合金Ｎ
α１３〜２３では密着性、表面平滑性又は表面欠陥の特
性の何れかが悪化することが判る。
α１３〜２３では密着性、表面平滑性又は表面欠陥の特
性の何れかが悪化することが判る。
（発明の効果〕
このように本発明合金は磁気ディスク基板として、下地
処理である無電解メツキの密着性が優れ、しかもメツキ
上り表面が平滑で欠陥がなく、磁気ディスクの大容量化
、高密度化を可能にする等、工業上顕著な効果を奏する
ものである。
処理である無電解メツキの密着性が優れ、しかもメツキ
上り表面が平滑で欠陥がなく、磁気ディスクの大容量化
、高密度化を可能にする等、工業上顕著な効果を奏する
ものである。
Claims (2)
- （１）Ｃｕ０．００１〜０．００９ｗｔ％、Ｍｇ２．０
〜６．０ｗｔ％、Ｚｎ０．０５〜２．０ｗｔ％を必須元
素として含有し、不純物元素として、Ｓｉ０．１ｗｔ％
以下、Ｆｅ０．１ｗｔ％以下に規制し、残部が不可避的
不純物とＡｌからなることを特徴とする磁気ディスク基
板用アルミニウム合金。 - （２）Ｃｕ０．００１〜０．００９ｗｔ％、Ｍｇ２．０
〜６．０ｗｔ％、Ｚｎ０．０５〜２．０ｗｔ％を必須元
素として含有し、さらにＭｎ０．０１〜１．０ｗｔ％、
Ｃｒ０．００５〜０．２５ｗｔ％、Ｚｒ０．００１〜０
．１ｗｔ％、Ｔｉ０．００１〜０．０５ｗｔ％の内１種
以上の元素を選択的に含有し、不純物元素として、Ｓｉ
０．１ｗｔ％以下、Ｆｅ０．１ｗｔ％以下に規制し、残
部が不可避的不純物とＡｌからなることを特徴とする磁
気ディスク基板用アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5462888A JPH01230744A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5462888A JPH01230744A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230744A true JPH01230744A (ja) | 1989-09-14 |
Family
ID=12976021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5462888A Pending JPH01230744A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01230744A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017186597A (ja) * | 2016-04-04 | 2017-10-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクおよび磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP5462888A patent/JPH01230744A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017186597A (ja) * | 2016-04-04 | 2017-10-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクおよび磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート |
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