JPS61267319A - 加熱炉用チユ−ブ - Google Patents
加熱炉用チユ−ブInfo
- Publication number
- JPS61267319A JPS61267319A JP60109630A JP10963085A JPS61267319A JP S61267319 A JPS61267319 A JP S61267319A JP 60109630 A JP60109630 A JP 60109630A JP 10963085 A JP10963085 A JP 10963085A JP S61267319 A JPS61267319 A JP S61267319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- heating furnace
- wall
- main body
- protective cylinder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Furnace Details (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、例えば半導体ウェハへの不純物拡散に用いら
れる拡散用の加熱炉等に用いて好適な加熱炉用チューブ
に関するものである。
れる拡散用の加熱炉等に用いて好適な加熱炉用チューブ
に関するものである。
[従来の技術]
半導体ウェハ、特にシリコンウェハの製造工程における
不純物拡散法の一つとして、B、03、As2O3,5
b203等の固体拡散源を用いた不純物拡散法が知られ
ている。ここで、この不純物拡散法により」−記シリコ
ンウエハに不純物拡散を行う際には、一般に上記シリコ
ンウェハと」−記固体拡散源とを収納するチューブが組
み込まれた拡散用の加熱炉が用いられている。
不純物拡散法の一つとして、B、03、As2O3,5
b203等の固体拡散源を用いた不純物拡散法が知られ
ている。ここで、この不純物拡散法により」−記シリコ
ンウエハに不純物拡散を行う際には、一般に上記シリコ
ンウェハと」−記固体拡散源とを収納するチューブが組
み込まれた拡散用の加熱炉が用いられている。
第2図は、従来のこの種の加熱炉に組み込まれている加
熱炉用チューブを示すもので、図中符号Iが」−記加熱
炉用チューブ(以下チューブと略称する。)のチューブ
本体である。
熱炉用チューブを示すもので、図中符号Iが」−記加熱
炉用チューブ(以下チューブと略称する。)のチューブ
本体である。
このチューブ本体1は、加熱炉のケーシング2の開口部
3から上記加熱炉内に挿入された石英等のセラミックス
からなる円筒状のもので、その外周部には、それぞれ独
立して温度制御される2組のヒータ4.5がこのチュー
ブ本体Iの軸線方向に沿って順次配設されている。そし
て、上記ケーソング2側に位置するヒータ4に囲まれた
このチューブ内部1の内部には、多数のシリコンウェハ
6゜0.を載置した石英ボート7が収納されている。ま
た、このチューブ本体I内部の上記ヒータ5によって囲
まれた位置には、B2O3等の固体拡散源(対象物)8
が載置されたボート9が収納されている。
3から上記加熱炉内に挿入された石英等のセラミックス
からなる円筒状のもので、その外周部には、それぞれ独
立して温度制御される2組のヒータ4.5がこのチュー
ブ本体Iの軸線方向に沿って順次配設されている。そし
て、上記ケーソング2側に位置するヒータ4に囲まれた
このチューブ内部1の内部には、多数のシリコンウェハ
6゜0.を載置した石英ボート7が収納されている。ま
た、このチューブ本体I内部の上記ヒータ5によって囲
まれた位置には、B2O3等の固体拡散源(対象物)8
が載置されたボート9が収納されている。
さらに、このチューブ本体Iの両端部の内壁面は、その
内径が開口部に向けて漸次拡径されたテーパ状に形成さ
れており、これら両端開口部に、これら開口部を開閉す
るための蓋体10,1.1が着脱自在に設けられている
。
内径が開口部に向けて漸次拡径されたテーパ状に形成さ
れており、これら両端開口部に、これら開口部を開閉す
るための蓋体10,1.1が着脱自在に設けられている
。
これら蓋体10,11は、それぞれ」−記ヂューブ本体
1と同様に石英から形成されたもので、その外周面は」
−記ヂューブ本体Iの両端部内壁面のテーパと摺合わせ
が施されたテーパ状の摺合わぜ部10a、11.aが形
成されている。そして、上記チューブ本体1の固体拡散
源8側の端部に設けられた上記蓋体10の略中央部には
、上記チコーブ本体1内に窒素ガスを送るための供給管
12が連結されている。
1と同様に石英から形成されたもので、その外周面は」
−記ヂューブ本体Iの両端部内壁面のテーパと摺合わせ
が施されたテーパ状の摺合わぜ部10a、11.aが形
成されている。そして、上記チューブ本体1の固体拡散
源8側の端部に設けられた上記蓋体10の略中央部には
、上記チコーブ本体1内に窒素ガスを送るための供給管
12が連結されている。
他方、」−記チューブ本体lのケーシング2の開口部3
から加熱炉外方に延出した端部に設けられた」−記蓋体
11には、上記チューブ本体I内を通過した」−記窒素
カスを排気するための排気管13が連結されている。そ
して、これらチューブ本体Iと蓋体1. O、1,]と
により、この加熱炉のチューブが構成されている。
から加熱炉外方に延出した端部に設けられた」−記蓋体
11には、上記チューブ本体I内を通過した」−記窒素
カスを排気するための排気管13が連結されている。そ
して、これらチューブ本体Iと蓋体1. O、1,]と
により、この加熱炉のチューブが構成されている。
そして、以」二の構成からなる」−記チューブにおいて
は、ヒータ4,5を作動させて、内部に収納したシリコ
ンウェハ611.と固体拡散l1iii8とをそれぞれ
所要の温度までに加熱するとともに、上記蓋体10の供
給管12からチューブ本体lの内部に向けて窒素ガスを
送り込むことにより、上記固体拡散源8の蒸気を上記窒
素ガスで上記シリコンウェハ64.に送り、これらシリ
コンウェハ60.の表面に拡散させてゆく。
は、ヒータ4,5を作動させて、内部に収納したシリコ
ンウェハ611.と固体拡散l1iii8とをそれぞれ
所要の温度までに加熱するとともに、上記蓋体10の供
給管12からチューブ本体lの内部に向けて窒素ガスを
送り込むことにより、上記固体拡散源8の蒸気を上記窒
素ガスで上記シリコンウェハ64.に送り、これらシリ
コンウェハ60.の表面に拡散させてゆく。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、上記従来のデユープにあっては、そのデ
ユープ本体1の、上記固体拡散源8の昇華点より低い温
度になるケーシング2の開口部3付近の内壁面1aに、
上記固体拡散源8が析出し、よってその除去作業に多大
の手間を要するとともに、上記析出物が石英からなる高
価な上記チューブ本体1を劣化させてその寿命を短くさ
せてしまうという問題点があった。
ユープ本体1の、上記固体拡散源8の昇華点より低い温
度になるケーシング2の開口部3付近の内壁面1aに、
上記固体拡散源8が析出し、よってその除去作業に多大
の手間を要するとともに、上記析出物が石英からなる高
価な上記チューブ本体1を劣化させてその寿命を短くさ
せてしまうという問題点があった。
[発明の目的]
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、内部に収納
されて加熱された対象物の析出によるデユープ本体の劣
化を防ぐとともに、さらに上記析出物の除去が容易なデ
ユープを提供することを目的とするものである。
されて加熱された対象物の析出によるデユープ本体の劣
化を防ぐとともに、さらに上記析出物の除去が容易なデ
ユープを提供することを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明のチューブは、加熱炉のケーシング内に挿通され
て内部に対象物を収納する筒状のチューブ本体と、この
デユープ本体の上記ケーシングの壁部から上記加熱炉外
に延出する端部に着脱自在に設(づられてこのチューブ
本体の端部を開閉する蓋体とを有する加熱炉用チューブ
の上記蓋体の上記チューブ本体の内部側に、上記チュー
ブ本体の内周面に沿って少なくとも上記加熱炉のケーシ
ングの壁部まで延びる筒状の保護筒部を設けたちのであ
る。
て内部に対象物を収納する筒状のチューブ本体と、この
デユープ本体の上記ケーシングの壁部から上記加熱炉外
に延出する端部に着脱自在に設(づられてこのチューブ
本体の端部を開閉する蓋体とを有する加熱炉用チューブ
の上記蓋体の上記チューブ本体の内部側に、上記チュー
ブ本体の内周面に沿って少なくとも上記加熱炉のケーシ
ングの壁部まで延びる筒状の保護筒部を設けたちのであ
る。
1作用]
上記構成のチューブにあっては、加熱された」−記対象
物の析出物は上記チューブ本体の内壁に付着せずに、専
ら」−記蓋体からチューブ本体の内壁に沿ってその内部
の温度が低下する箇所まで延びる保護筒部の内壁にイ」
着することになる。加えて、上記保護筒部と」−記ヂコ
ープ本体内壁との間には、チューブ内部の気体の流れが
発生しないため、結局」−記チコープ本体の内壁への上
記対象物の析出物の付着が防止される。
物の析出物は上記チューブ本体の内壁に付着せずに、専
ら」−記蓋体からチューブ本体の内壁に沿ってその内部
の温度が低下する箇所まで延びる保護筒部の内壁にイ」
着することになる。加えて、上記保護筒部と」−記ヂコ
ープ本体内壁との間には、チューブ内部の気体の流れが
発生しないため、結局」−記チコープ本体の内壁への上
記対象物の析出物の付着が防止される。
[実施例]
第1図は、本発明の加熱炉用チューブの一例を示すもの
で、第2図に示したものと共通ずる部分には、同一符号
を付してその説明を省略する。
で、第2図に示したものと共通ずる部分には、同一符号
を付してその説明を省略する。
第1図において、この例のチューブにあっては、加熱炉
のケーシング2の開口部3側に位置する蓋体11に代え
て、蓋体20が取り付けられている。
のケーシング2の開口部3側に位置する蓋体11に代え
て、蓋体20が取り付けられている。
この蓋体20は、」−記蓋体11に加えてさらにその内
部に、保護筒部21が一体に形成されたものである。こ
の保護筒部21は、その外径が」−記ヂコープ本体1の
内径より僅に小さくされた円筒状のもので、この蓋体2
0の摺合わせが施されたテーパ状の摺合わせ部22の先
端から−に記チューブ本体Iの内壁に沿って」−記聞口
部3よりやや内方まで延びるようにして形成されている
。
部に、保護筒部21が一体に形成されたものである。こ
の保護筒部21は、その外径が」−記ヂコープ本体1の
内径より僅に小さくされた円筒状のもので、この蓋体2
0の摺合わせが施されたテーパ状の摺合わせ部22の先
端から−に記チューブ本体Iの内壁に沿って」−記聞口
部3よりやや内方まで延びるようにして形成されている
。
しかして、このようなチューブにあっては、蓋体20に
、これからチューブ本体1の内壁に沿ってその温度が低
下する箇所まで延びる保護筒部21を設けているので、
上記固体拡散源8の析出物は上記デユープ本体1の内壁
には付着せずに、専ら上記保護筒部21の内壁に何着す
る。このため、」−紀行出物を除去するには、上記蓋体
20をデユープ本体1から取り外してその洗浄を行えば
よく、極めて簡便である。また、−J1記析出物で」−
記蓋体20が劣化した場合においても、」−記保護筒部
21のみを切断して新たな保護筒部21を溶着ずればよ
く、経済的でもある。しかも、使用に際しては、上記保
護筒部21と上記デユープ本体1の内壁との間には、上
記固体拡散源8の蒸気を含んだ窒素ガスの流れが発生し
ないため、その析出物が」−記チューブ本体1の内壁に
何着することはない。このため、上記チューブ本体Iの
上記析出物による劣化を防ぐことができ、よってこのチ
ューブ本体Iの寿命を大+11に延ばすことができる。
、これからチューブ本体1の内壁に沿ってその温度が低
下する箇所まで延びる保護筒部21を設けているので、
上記固体拡散源8の析出物は上記デユープ本体1の内壁
には付着せずに、専ら上記保護筒部21の内壁に何着す
る。このため、」−紀行出物を除去するには、上記蓋体
20をデユープ本体1から取り外してその洗浄を行えば
よく、極めて簡便である。また、−J1記析出物で」−
記蓋体20が劣化した場合においても、」−記保護筒部
21のみを切断して新たな保護筒部21を溶着ずればよ
く、経済的でもある。しかも、使用に際しては、上記保
護筒部21と上記デユープ本体1の内壁との間には、上
記固体拡散源8の蒸気を含んだ窒素ガスの流れが発生し
ないため、その析出物が」−記チューブ本体1の内壁に
何着することはない。このため、上記チューブ本体Iの
上記析出物による劣化を防ぐことができ、よってこのチ
ューブ本体Iの寿命を大+11に延ばすことができる。
[実験例]
内径1.35mmで長さが2mの石英チューブからなる
デユープ本体と、長さ1.20mmの保護筒部を有する
蓋体とを備えた本発明のチューブを用意した。そして、
上記チ、−ブ本体の内部に固体拡散源(対象物)として
の亜砒素酸と、シリコンウェハとをそれぞれ収納した後
、上記蓋体を、その先端がケーシングの位置よりさらに
60mmデユープ本体の内部に入り込むようにして取り
付けた。次いで、上記亜砒素酸の周囲温度を470℃に
、また上記シリコンウェハの周囲温度を1200℃にそ
れぞれ保持して、80分間に亙り拡散を行った。その結
果、上記保護筒部の内壁の、先端から内方へ30mm離
れた位置からさらにこの蓋体の内方へ向けた範囲に、砒
素酸化物の析出が見られたが、チューブ本体の内壁には
、全<上記析出物の付着が認められなかった。次いで、
さらに上記拡散と同様の拡散を50回繰り返した後、上
記チューブ本体の内壁を目視したが、僅かな着色が認め
られたのみで、明らかに上記析出物のイ」着と判別し得
るものは認められなかった。
デユープ本体と、長さ1.20mmの保護筒部を有する
蓋体とを備えた本発明のチューブを用意した。そして、
上記チ、−ブ本体の内部に固体拡散源(対象物)として
の亜砒素酸と、シリコンウェハとをそれぞれ収納した後
、上記蓋体を、その先端がケーシングの位置よりさらに
60mmデユープ本体の内部に入り込むようにして取り
付けた。次いで、上記亜砒素酸の周囲温度を470℃に
、また上記シリコンウェハの周囲温度を1200℃にそ
れぞれ保持して、80分間に亙り拡散を行った。その結
果、上記保護筒部の内壁の、先端から内方へ30mm離
れた位置からさらにこの蓋体の内方へ向けた範囲に、砒
素酸化物の析出が見られたが、チューブ本体の内壁には
、全<上記析出物の付着が認められなかった。次いで、
さらに上記拡散と同様の拡散を50回繰り返した後、上
記チューブ本体の内壁を目視したが、僅かな着色が認め
られたのみで、明らかに上記析出物のイ」着と判別し得
るものは認められなかった。
かった。
他方、上記の本発明に係るデユープとの比較のために、
従来の保護筒部を有しない蓋体を備えたデユープを用意
し、」−述した方法と同様の方法による拡散を行った。
従来の保護筒部を有しない蓋体を備えたデユープを用意
し、」−述した方法と同様の方法による拡散を行った。
その結果、1回の拡散で、前記の実験において」−記保
護筒部に析出物の付着が見られた位置と同一位置のチュ
ーブ本体の内壁に、除去を必要とする程の砒素酸化物が
析出し、付着した。そしてさらに、上記拡散と同様の拡
散を50回繰り返した後、上記チューブ本体の内壁を目
視したところ、上記デユープ本体の内壁の上記析出物の
付着部分に表面剥離が生じ、チューブ本体を構成する石
英デユープが相当の程度まで劣化していることが認めら
れた。
護筒部に析出物の付着が見られた位置と同一位置のチュ
ーブ本体の内壁に、除去を必要とする程の砒素酸化物が
析出し、付着した。そしてさらに、上記拡散と同様の拡
散を50回繰り返した後、上記チューブ本体の内壁を目
視したところ、上記デユープ本体の内壁の上記析出物の
付着部分に表面剥離が生じ、チューブ本体を構成する石
英デユープが相当の程度まで劣化していることが認めら
れた。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の加熱炉用チューブは、加熱
炉のケーシング内に挿通されて内部に対象物を収納する
筒状のデユープ本体の、上記ケーシンクの壁部から上記
加熱炉外に延出する端部に着脱自在に設けられた蓋体の
上記デユープ本体の内部側に、上記チューブ本体の内周
面に沿って少なくとも上記加熱炉のケーシングの壁部ま
で延びる筒状の保護筒部を設けたものである。よって、
この加熱炉用デユープによれば、加熱された上記対象物
の析出物は上記デユープ本体の内壁に付着せずに1、専
ら上記保護筒部の内壁に付着するため、上記チューブ本
体の内部に収納した対象物の析出物による劣化を防ぐこ
とができるとともに、さらに上記析出物の除去作業の簡
便化をも達成することができる。
炉のケーシング内に挿通されて内部に対象物を収納する
筒状のデユープ本体の、上記ケーシンクの壁部から上記
加熱炉外に延出する端部に着脱自在に設けられた蓋体の
上記デユープ本体の内部側に、上記チューブ本体の内周
面に沿って少なくとも上記加熱炉のケーシングの壁部ま
で延びる筒状の保護筒部を設けたものである。よって、
この加熱炉用デユープによれば、加熱された上記対象物
の析出物は上記デユープ本体の内壁に付着せずに1、専
ら上記保護筒部の内壁に付着するため、上記チューブ本
体の内部に収納した対象物の析出物による劣化を防ぐこ
とができるとともに、さらに上記析出物の除去作業の簡
便化をも達成することができる。
第1図は従来の加熱炉用デユープを示す概略側断面図、
第2図は本発明の加熱炉用チューブの一実施例を示す要
部の側断面図である。 l・・・・・・チューブ本体、2・・・・・・ケーシン
グ、3・・・・・開口1.4 、5−・・・−ヒータ、
6・ シリコンウェハ、8・・・・・固体拡散源(対
象物)、10,11.20・・・・・・蓋体、21・・
・・・・保護筒部。
第2図は本発明の加熱炉用チューブの一実施例を示す要
部の側断面図である。 l・・・・・・チューブ本体、2・・・・・・ケーシン
グ、3・・・・・開口1.4 、5−・・・−ヒータ、
6・ シリコンウェハ、8・・・・・固体拡散源(対
象物)、10,11.20・・・・・・蓋体、21・・
・・・・保護筒部。
Claims (1)
- 加熱炉のケーシング内に挿通されて周囲に加熱手段が
配設されるとともに内部に対象物を収納する筒状のチュ
ーブ本体と、このチューブ本体の上記ケーシングの壁部
から上記加熱炉外に延出する端部に着脱自在に設けられ
てこのチューブ本体の端部を開閉する蓋体とを有してな
る加熱炉用チューブにおいて、上記蓋体の上記チューブ
本体の内部側に上記チューブ本体の内周面に沿って少な
くとも上記加熱炉のケーシングの壁部まで延びる筒状の
保護筒部を設けたことを特徴とする加熱炉用チューブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60109630A JPS61267319A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 加熱炉用チユ−ブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60109630A JPS61267319A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 加熱炉用チユ−ブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267319A true JPS61267319A (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=14515147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60109630A Pending JPS61267319A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 加熱炉用チユ−ブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267319A (ja) |
-
1985
- 1985-05-22 JP JP60109630A patent/JPS61267319A/ja active Pending
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