JPS61267319A - 加熱炉用チユ−ブ - Google Patents

加熱炉用チユ−ブ

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Publication number
JPS61267319A
JPS61267319A JP60109630A JP10963085A JPS61267319A JP S61267319 A JPS61267319 A JP S61267319A JP 60109630 A JP60109630 A JP 60109630A JP 10963085 A JP10963085 A JP 10963085A JP S61267319 A JPS61267319 A JP S61267319A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tube
heating furnace
wall
main body
protective cylinder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60109630A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Kabasawa
椛沢 秀雄
Kimio Murata
村田 公夫
Naoki Muraki
村木 尚樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIPPON SILICON KK
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
NIPPON SILICON KK
Mitsubishi Metal Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NIPPON SILICON KK, Mitsubishi Metal Corp filed Critical NIPPON SILICON KK
Priority to JP60109630A priority Critical patent/JPS61267319A/ja
Publication of JPS61267319A publication Critical patent/JPS61267319A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices

Landscapes

  • Furnace Details (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、例えば半導体ウェハへの不純物拡散に用いら
れる拡散用の加熱炉等に用いて好適な加熱炉用チューブ
に関するものである。
[従来の技術] 半導体ウェハ、特にシリコンウェハの製造工程における
不純物拡散法の一つとして、B、03、As2O3,5
b203等の固体拡散源を用いた不純物拡散法が知られ
ている。ここで、この不純物拡散法により」−記シリコ
ンウエハに不純物拡散を行う際には、一般に上記シリコ
ンウェハと」−記固体拡散源とを収納するチューブが組
み込まれた拡散用の加熱炉が用いられている。
第2図は、従来のこの種の加熱炉に組み込まれている加
熱炉用チューブを示すもので、図中符号Iが」−記加熱
炉用チューブ(以下チューブと略称する。)のチューブ
本体である。
このチューブ本体1は、加熱炉のケーシング2の開口部
3から上記加熱炉内に挿入された石英等のセラミックス
からなる円筒状のもので、その外周部には、それぞれ独
立して温度制御される2組のヒータ4.5がこのチュー
ブ本体Iの軸線方向に沿って順次配設されている。そし
て、上記ケーソング2側に位置するヒータ4に囲まれた
このチューブ内部1の内部には、多数のシリコンウェハ
6゜0.を載置した石英ボート7が収納されている。ま
た、このチューブ本体I内部の上記ヒータ5によって囲
まれた位置には、B2O3等の固体拡散源(対象物)8
が載置されたボート9が収納されている。
さらに、このチューブ本体Iの両端部の内壁面は、その
内径が開口部に向けて漸次拡径されたテーパ状に形成さ
れており、これら両端開口部に、これら開口部を開閉す
るための蓋体10,1.1が着脱自在に設けられている
これら蓋体10,11は、それぞれ」−記ヂューブ本体
1と同様に石英から形成されたもので、その外周面は」
−記ヂューブ本体Iの両端部内壁面のテーパと摺合わせ
が施されたテーパ状の摺合わぜ部10a、11.aが形
成されている。そして、上記チューブ本体1の固体拡散
源8側の端部に設けられた上記蓋体10の略中央部には
、上記チコーブ本体1内に窒素ガスを送るための供給管
12が連結されている。
他方、」−記チューブ本体lのケーシング2の開口部3
から加熱炉外方に延出した端部に設けられた」−記蓋体
11には、上記チューブ本体I内を通過した」−記窒素
カスを排気するための排気管13が連結されている。そ
して、これらチューブ本体Iと蓋体1. O、1,]と
により、この加熱炉のチューブが構成されている。
そして、以」二の構成からなる」−記チューブにおいて
は、ヒータ4,5を作動させて、内部に収納したシリコ
ンウェハ611.と固体拡散l1iii8とをそれぞれ
所要の温度までに加熱するとともに、上記蓋体10の供
給管12からチューブ本体lの内部に向けて窒素ガスを
送り込むことにより、上記固体拡散源8の蒸気を上記窒
素ガスで上記シリコンウェハ64.に送り、これらシリ
コンウェハ60.の表面に拡散させてゆく。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、上記従来のデユープにあっては、そのデ
ユープ本体1の、上記固体拡散源8の昇華点より低い温
度になるケーシング2の開口部3付近の内壁面1aに、
上記固体拡散源8が析出し、よってその除去作業に多大
の手間を要するとともに、上記析出物が石英からなる高
価な上記チューブ本体1を劣化させてその寿命を短くさ
せてしまうという問題点があった。
[発明の目的] 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、内部に収納
されて加熱された対象物の析出によるデユープ本体の劣
化を防ぐとともに、さらに上記析出物の除去が容易なデ
ユープを提供することを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段] 本発明のチューブは、加熱炉のケーシング内に挿通され
て内部に対象物を収納する筒状のチューブ本体と、この
デユープ本体の上記ケーシングの壁部から上記加熱炉外
に延出する端部に着脱自在に設(づられてこのチューブ
本体の端部を開閉する蓋体とを有する加熱炉用チューブ
の上記蓋体の上記チューブ本体の内部側に、上記チュー
ブ本体の内周面に沿って少なくとも上記加熱炉のケーシ
ングの壁部まで延びる筒状の保護筒部を設けたちのであ
る。
1作用] 上記構成のチューブにあっては、加熱された」−記対象
物の析出物は上記チューブ本体の内壁に付着せずに、専
ら」−記蓋体からチューブ本体の内壁に沿ってその内部
の温度が低下する箇所まで延びる保護筒部の内壁にイ」
着することになる。加えて、上記保護筒部と」−記ヂコ
ープ本体内壁との間には、チューブ内部の気体の流れが
発生しないため、結局」−記チコープ本体の内壁への上
記対象物の析出物の付着が防止される。
[実施例] 第1図は、本発明の加熱炉用チューブの一例を示すもの
で、第2図に示したものと共通ずる部分には、同一符号
を付してその説明を省略する。
第1図において、この例のチューブにあっては、加熱炉
のケーシング2の開口部3側に位置する蓋体11に代え
て、蓋体20が取り付けられている。
この蓋体20は、」−記蓋体11に加えてさらにその内
部に、保護筒部21が一体に形成されたものである。こ
の保護筒部21は、その外径が」−記ヂコープ本体1の
内径より僅に小さくされた円筒状のもので、この蓋体2
0の摺合わせが施されたテーパ状の摺合わせ部22の先
端から−に記チューブ本体Iの内壁に沿って」−記聞口
部3よりやや内方まで延びるようにして形成されている
しかして、このようなチューブにあっては、蓋体20に
、これからチューブ本体1の内壁に沿ってその温度が低
下する箇所まで延びる保護筒部21を設けているので、
上記固体拡散源8の析出物は上記デユープ本体1の内壁
には付着せずに、専ら上記保護筒部21の内壁に何着す
る。このため、」−紀行出物を除去するには、上記蓋体
20をデユープ本体1から取り外してその洗浄を行えば
よく、極めて簡便である。また、−J1記析出物で」−
記蓋体20が劣化した場合においても、」−記保護筒部
21のみを切断して新たな保護筒部21を溶着ずればよ
く、経済的でもある。しかも、使用に際しては、上記保
護筒部21と上記デユープ本体1の内壁との間には、上
記固体拡散源8の蒸気を含んだ窒素ガスの流れが発生し
ないため、その析出物が」−記チューブ本体1の内壁に
何着することはない。このため、上記チューブ本体Iの
上記析出物による劣化を防ぐことができ、よってこのチ
ューブ本体Iの寿命を大+11に延ばすことができる。
[実験例] 内径1.35mmで長さが2mの石英チューブからなる
デユープ本体と、長さ1.20mmの保護筒部を有する
蓋体とを備えた本発明のチューブを用意した。そして、
上記チ、−ブ本体の内部に固体拡散源(対象物)として
の亜砒素酸と、シリコンウェハとをそれぞれ収納した後
、上記蓋体を、その先端がケーシングの位置よりさらに
60mmデユープ本体の内部に入り込むようにして取り
付けた。次いで、上記亜砒素酸の周囲温度を470℃に
、また上記シリコンウェハの周囲温度を1200℃にそ
れぞれ保持して、80分間に亙り拡散を行った。その結
果、上記保護筒部の内壁の、先端から内方へ30mm離
れた位置からさらにこの蓋体の内方へ向けた範囲に、砒
素酸化物の析出が見られたが、チューブ本体の内壁には
、全<上記析出物の付着が認められなかった。次いで、
さらに上記拡散と同様の拡散を50回繰り返した後、上
記チューブ本体の内壁を目視したが、僅かな着色が認め
られたのみで、明らかに上記析出物のイ」着と判別し得
るものは認められなかった。
かった。
他方、上記の本発明に係るデユープとの比較のために、
従来の保護筒部を有しない蓋体を備えたデユープを用意
し、」−述した方法と同様の方法による拡散を行った。
その結果、1回の拡散で、前記の実験において」−記保
護筒部に析出物の付着が見られた位置と同一位置のチュ
ーブ本体の内壁に、除去を必要とする程の砒素酸化物が
析出し、付着した。そしてさらに、上記拡散と同様の拡
散を50回繰り返した後、上記チューブ本体の内壁を目
視したところ、上記デユープ本体の内壁の上記析出物の
付着部分に表面剥離が生じ、チューブ本体を構成する石
英デユープが相当の程度まで劣化していることが認めら
れた。
[発明の効果] 以上説明したように本発明の加熱炉用チューブは、加熱
炉のケーシング内に挿通されて内部に対象物を収納する
筒状のデユープ本体の、上記ケーシンクの壁部から上記
加熱炉外に延出する端部に着脱自在に設けられた蓋体の
上記デユープ本体の内部側に、上記チューブ本体の内周
面に沿って少なくとも上記加熱炉のケーシングの壁部ま
で延びる筒状の保護筒部を設けたものである。よって、
この加熱炉用デユープによれば、加熱された上記対象物
の析出物は上記デユープ本体の内壁に付着せずに1、専
ら上記保護筒部の内壁に付着するため、上記チューブ本
体の内部に収納した対象物の析出物による劣化を防ぐこ
とができるとともに、さらに上記析出物の除去作業の簡
便化をも達成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の加熱炉用デユープを示す概略側断面図、
第2図は本発明の加熱炉用チューブの一実施例を示す要
部の側断面図である。 l・・・・・・チューブ本体、2・・・・・・ケーシン
グ、3・・・・・開口1.4 、5−・・・−ヒータ、
6・  シリコンウェハ、8・・・・・固体拡散源(対
象物)、10,11.20・・・・・・蓋体、21・・
・・・・保護筒部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  加熱炉のケーシング内に挿通されて周囲に加熱手段が
    配設されるとともに内部に対象物を収納する筒状のチュ
    ーブ本体と、このチューブ本体の上記ケーシングの壁部
    から上記加熱炉外に延出する端部に着脱自在に設けられ
    てこのチューブ本体の端部を開閉する蓋体とを有してな
    る加熱炉用チューブにおいて、上記蓋体の上記チューブ
    本体の内部側に上記チューブ本体の内周面に沿って少な
    くとも上記加熱炉のケーシングの壁部まで延びる筒状の
    保護筒部を設けたことを特徴とする加熱炉用チューブ。
JP60109630A 1985-05-22 1985-05-22 加熱炉用チユ−ブ Pending JPS61267319A (ja)

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