JPS61267931A - 磁気デイスク基板の表面処理方法 - Google Patents
磁気デイスク基板の表面処理方法Info
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- JPS61267931A JPS61267931A JP10859285A JP10859285A JPS61267931A JP S61267931 A JPS61267931 A JP S61267931A JP 10859285 A JP10859285 A JP 10859285A JP 10859285 A JP10859285 A JP 10859285A JP S61267931 A JPS61267931 A JP S61267931A
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- magnetic
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、高密度記録再生用の磁気ディスクの磁性層の
非磁性支持体として用いられるアルミニウム合金からな
る基板の表面処理方法に関する。
非磁性支持体として用いられるアルミニウム合金からな
る基板の表面処理方法に関する。
近年、磁気ディスク装置においては、高記録密度化、高
信頼性の要求からコンタクト・スタート・ストップ型ヘ
ッド浮揚システムの使用が一般化されている。高記録密
度化にあたっては媒体層の薄膜化、保磁力Ｈｅの増大化
１表面欠陥の大幅な低減などと共にヘッド浮上量の低減
が必要条件になっている。 この中でヘッド浮上量の低減を目的とした場合、ディス
ク基板の鏡面性の追求が課題で°あった。しカーしなが
ら鏡面性が高すぎる基板を用いると磁気ディスクの表面
も平滑になり過ぎ、磁気ヘッドとディスクの隙間に潤滑
剤あるいは結露した大気中の水分が表面張力によって入
り込むことにより、磁気ヘッドがディスクに吸着されて
ディスクの起動時に損傷、即ちヘンドクラッシェを起こ
すことがしばしばあった。又鏡面性が高すぎる為に、液
体潤滑剤の場合はディスクの回転により飛散してしまう
欠点をも有していた。これを防止する為に、Ｃｏ−Ｎｉ
−ＰあるいはＣｏ−Ｐめっき型磁気ディスクにおいては
、ＡＩ−？１ｇ合金基板に無電解ＮＩＬＰ合金めっき後
、表面粗さＲａＯ，００５〜０．０１＃ｌＩ程度にポリ
シェ加工し、ＩＩＡ” ４０００〜１００００かＧＣ＠
４０００〜１００００のテープバニシェ加工により同心
円状に規則的な加工すじを設けてＲａ０．００８〜０．
０１３−程度の粗さを得るいわゆるテクスチャリング処
理するのが−般になっている。又Ｔ−Ｐｅｓｏｓスパフ
タ型媒体用の基板には従来からアルマイト処理されたＡ
Ｉ −Ｍｇ合金基板を精密ポリシェ加工し、粗さＲａ０
．ＯＩＩｒｍ以下を得たのち、磁性層表面に液体潤滑剤
の溜りを得るための中間層をもうけたり、ポリシェ加工
された基板をプラズマエツチング加工して潤滑剤の溜り
を得るような適度の粗さに加工し直していた（特開昭５
９−８２６２５号公報参照）、シかし、潤滑剤の溜りを
得るための中間層をもうけることは、空間損失を増大さ
せ高密度記録上の利害を大きく損なうものであった。 以上、めっき型ディスク基板あるいはｒ −Ｗｅ茸０２
スパッタ型ディスク用アルマイト基板においては特別な
処理を施して潤滑剤の溜りを維持すぺ（工程の挿入を必
要とする欠点があった。
信頼性の要求からコンタクト・スタート・ストップ型ヘ
ッド浮揚システムの使用が一般化されている。高記録密
度化にあたっては媒体層の薄膜化、保磁力Ｈｅの増大化
１表面欠陥の大幅な低減などと共にヘッド浮上量の低減
が必要条件になっている。 この中でヘッド浮上量の低減を目的とした場合、ディス
ク基板の鏡面性の追求が課題で°あった。しカーしなが
ら鏡面性が高すぎる基板を用いると磁気ディスクの表面
も平滑になり過ぎ、磁気ヘッドとディスクの隙間に潤滑
剤あるいは結露した大気中の水分が表面張力によって入
り込むことにより、磁気ヘッドがディスクに吸着されて
ディスクの起動時に損傷、即ちヘンドクラッシェを起こ
すことがしばしばあった。又鏡面性が高すぎる為に、液
体潤滑剤の場合はディスクの回転により飛散してしまう
欠点をも有していた。これを防止する為に、Ｃｏ−Ｎｉ
−ＰあるいはＣｏ−Ｐめっき型磁気ディスクにおいては
、ＡＩ−？１ｇ合金基板に無電解ＮＩＬＰ合金めっき後
、表面粗さＲａＯ，００５〜０．０１＃ｌＩ程度にポリ
シェ加工し、ＩＩＡ” ４０００〜１００００かＧＣ＠
４０００〜１００００のテープバニシェ加工により同心
円状に規則的な加工すじを設けてＲａ０．００８〜０．
０１３−程度の粗さを得るいわゆるテクスチャリング処
理するのが−般になっている。又Ｔ−Ｐｅｓｏｓスパフ
タ型媒体用の基板には従来からアルマイト処理されたＡ
Ｉ −Ｍｇ合金基板を精密ポリシェ加工し、粗さＲａ０
．ＯＩＩｒｍ以下を得たのち、磁性層表面に液体潤滑剤
の溜りを得るための中間層をもうけたり、ポリシェ加工
された基板をプラズマエツチング加工して潤滑剤の溜り
を得るような適度の粗さに加工し直していた（特開昭５
９−８２６２５号公報参照）、シかし、潤滑剤の溜りを
得るための中間層をもうけることは、空間損失を増大さ
せ高密度記録上の利害を大きく損なうものであった。 以上、めっき型ディスク基板あるいはｒ −Ｗｅ茸０２
スパッタ型ディスク用アルマイト基板においては特別な
処理を施して潤滑剤の溜りを維持すぺ（工程の挿入を必
要とする欠点があった。
【発明の目的］
本発明は、上述の欠点を除去し、特別な処理を施すこと
なくその上に形成される磁性層の表面に液体潤滑剤の溜
り用の微小くぼみを有し、かつ要求されるＲａ０．００
８〜０．０１３−程度の表面粗さを有する磁気ディスク
基板を得るための表面処理方法を提供することを目的と
する。 【発明の要点】 本発明によれば、アルミニウム合金基板に無電解めっき
法によりＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金をめっきしζ次いでＰＨ８
〜１１あるいはＰｆ１３〜５に調整された研摩剤を用い
てメカノケミカルポリシュするこ□とにより、Ｃｕ含有
部分が浸食されることによって適度の微小くぼみが形成
されて上記の目的が達成される。
なくその上に形成される磁性層の表面に液体潤滑剤の溜
り用の微小くぼみを有し、かつ要求されるＲａ０．００
８〜０．０１３−程度の表面粗さを有する磁気ディスク
基板を得るための表面処理方法を提供することを目的と
する。 【発明の要点】 本発明によれば、アルミニウム合金基板に無電解めっき
法によりＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金をめっきしζ次いでＰＨ８
〜１１あるいはＰｆ１３〜５に調整された研摩剤を用い
てメカノケミカルポリシュするこ□とにより、Ｃｕ含有
部分が浸食されることによって適度の微小くぼみが形成
されて上記の目的が達成される。
以下、図を引用し、本発明の実施例について比較例の参
照のもとに説明する。 実施例１： ＪＩＳ Ａ３０８６のＡｌ−Ｍｇ合金板を加圧焼鈍、内
外径加工後表面ラッピング加工して外径１３０ｆｉ、内
径４０簡、厚さ２．０簡の第１図に符号１で示した５Ａ
Ｖデイスク用基板を得、脱脂、活性化、ジンケート処理
を経て無電解Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ３元合金めっ°きを次の条
件にて行い、２０−の厚さのめっき層２を形成した。 浴組成・・・硫酸ニッケル ０．０８５〜０．０９５
ｔル／Ｉｔ硫ｆｋ［０，００５〜０．０１５ ｉ％／
１次亜りん酸ナトリウム ０．２ モル／１マロン酸
ナトリウム ０．１ ｕ／ １くえん酸ナトリウム
０．２ モル／ｌ非イオン系界面活性Ｍ ３
ｃｃ／ＩＩＰＨ（ＮａＯＨで調整） １０ めっき温度 ８０℃ めっき時間 膜厚に対応 めっき液中の硫酸ニッケルと硫酸銅の比率をかえること
により合金組成は変化するが、Ｎｉ３０〜７５％。 Ｃｕ１５〜７５％、ＰＨ〜１１％の範囲の中に入るよう
に適宜調整する。その後、両面研摩盤により平均粒径１
ｎ、ＰＩＩＩＯのメタライ）−０１（不二見研摩剤工
業商品名）をスラリーとして５〜１０分間のポリシェを
行い表面厚さ５−を除去した。このようにして得られた
表面は、スラリーがアルカリ性であるためＮｉ−Ｃｕ−
Ｐの合金めっき中Ｃｕに富む部分が選択的に化学エツチ
ングされ微小（ぼみを生じる。 しかし、表面粗さはＲａ０．００９〜０．０１３−の中
に維持される０次いで、Ｎｉ−Ｐ合金めっき層３を０．
３〜０．５ｎの厚さで形成後、無電解めっき法によりＣ
ｏ−Ｐ合金磁性めっき層４を０．０７〜０．０８＃ｌｌ
Ｉの厚さにさらに保護層としてＲＦスパッタリング法に
て５ｌｏｔ膜５を０．０７〜０．０８＃ｌＩの厚さに形
成し、最後は潤滑剤としてタライトックス１４３ＡＤ（
デュポン社商品名）０．０１％フレオン溶液をスピンコ
ード法により塗布して表面潤滑層６とした磁気ディスク
を得た。 実施例２： 実施例１と同様な方法でＡ１合金基板１の上にＮｉ−Ｃ
ｕ−Ｐめっき層２を形成したのち、次の組成の研摩剤を
作成し両面ポリシェを行った。 Ａｌｔｏｓ（０５０の粒径１．０〜１．Ｉ Ｑ） １
２．５重量％非イオン系界面活性剤 ２．５
重量％イオン交換水 残量研摩剤
のＰＨはＮａ０ＩｌおよびｌｌＯＨのいずれかを用いて
９．５〜１０．５に調整した。この研摩で得られた表面
粗さは実施例１と同様であった。 以下、実施例１と同様にＮｉ−Ｐめっき層３．Ｃ。 −Ｐ磁性めっき層４．ＳｉＯ鵞保護膜５．クライトック
スの潤滑膜６を順につけて磁気ディスクを作成した。 実施例３： 実施例１と同様にして、但し両面ポリシュ時の研摩剤と
してポリプラ１０３（不二見研摩剤工業商品名、ＰＩ１
３〜３．５）で研摩してエッチピットにより微小くぼみ
を発生させ、かつ所定の表面粗さを得て磁気ディスクを
作った。 実施例４ 実施例１と同様にし、但し研摩剤としては下記の組成の
ものを作成して使用し、同様なエッチピントによるくぼ
みと適度な表面粗さを得て磁気ディスクを作った。 Ａｌｔｏｓ（０５０の粒径１．０〜１．１ ｎ＞ ８
重量％さく酸セルローズ ０．５重量
％イオン交換水 残量研摩剤のＰＲ
は硫酸で調整して３．０〜３．５とした。 実施例５： 実施例１と同様な方法でＮｉ−Ｃｕ−Ｐめっきとメタラ
イト０１（不二見研摩剤工業商品名）を用いてボリシェ
を行ったのち、第２図に示すように反応スパッタリング
により０．１６〜０．１８−の厚さのＦｅ、Ｏ。 薄膜７を形成する。なおスパッタリング条件は次に示す
とおりである。 使用ターゲット ２．５％Ｃｏ−３％Ｃｕ−Ｆｅ全圧力
２ Ｘｌ０−” Ｔｏｒｒ酸素・アルゴンガ
ス混合比 １：ｌＯ 高周波電力 ｓｏｏｗ 基板回転 ２０ｒｐｍ 次に大気中にて３００℃で３時間の加熱処理を行いｒ
Ｆｅｕｄｓとする０次に潤滑剤としてクライトックス
１４３ＡＤ（デエポン社商品名）０．０１％フレオン溶
液をスピンコードして磁気ディスクを作成した。 実施例６＝ 実施例５と同様にし、但し両面研摩時の研摩剤としてポ
リプラ１０３（不二見研摩剤工業商品名、ＰＨ３６０〜
３．５）で研摩してエッチピットにより微小（ぼみを発
生させ、かつ所定の表面粗さを得て磁気ディスクを作っ
た。 比較例１： 実施例１と同様にＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金めっきを行った後
、両面ポリシェ盤によりＨＡ” ８００Ｇの水系懸濁液
の上澄液（ロート油２％添加）を用いて表面粗さＲａＯ
，００８〜Ｑ、０１ＪｌｌＩの鏡面加工をした。この上
に無電解めらき法により０．０７〜０．０８ｎの厚さの
Ｃｏ −Ｐ合金磁性めっき層を形成、さらに実施例１と
同様に保護層、潤滑層を被覆した。 比較例２： 高純度ＡＩ４％Ｍｇ合金系の５！４Ｐデイスク用基板に
クロム酸アルマイト皮膜を１３ｕの厚さに形成したのち
、両面研摩盤により−Ａ″８０００の水系懸濁液の上澄
液によりボリシェを行い、表面粗さＲａ０．００７〜０
．００９ ａｍの焼面を得た。この表面に直接法により
ｙ−Ｆｅ＊Ｏｓ磁性膜を０．１６〜０．１８−の厚さで
形成した。さらにその上に実施例１あるいは比較例１と
同様に潤滑剤を塗布した試料を作成した。 実施例１〜６および比較例１．２で作成した磁気ディス
ク試料を用いて次の比較試験を行うた。 （１）Ｍｎ−Ｚｎフェライト製磁気ヘッドと磁気ディス
クを常温、常温下で２４時間接触放置させた後、ディス
ク吸着力を測定する。 （２） ２万回のＣ３Ｓ （コンタクト・スタート・ス
トップの略字）試験後のディスク起動トルクの測定と、
Ｃ８Ｓ試験中のきすの発生状態を調べる。 比較試験の結果を製造原価の比較と含めて第１表に示す
。 第１表 上表かられかるように本発明による基板を用いた磁気デ
ィスクは、潤滑特性に優れ、基板原価が大幅に低減され
ている。
照のもとに説明する。 実施例１： ＪＩＳ Ａ３０８６のＡｌ−Ｍｇ合金板を加圧焼鈍、内
外径加工後表面ラッピング加工して外径１３０ｆｉ、内
径４０簡、厚さ２．０簡の第１図に符号１で示した５Ａ
Ｖデイスク用基板を得、脱脂、活性化、ジンケート処理
を経て無電解Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ３元合金めっ°きを次の条
件にて行い、２０−の厚さのめっき層２を形成した。 浴組成・・・硫酸ニッケル ０．０８５〜０．０９５
ｔル／Ｉｔ硫ｆｋ［０，００５〜０．０１５ ｉ％／
１次亜りん酸ナトリウム ０．２ モル／１マロン酸
ナトリウム ０．１ ｕ／ １くえん酸ナトリウム
０．２ モル／ｌ非イオン系界面活性Ｍ ３
ｃｃ／ＩＩＰＨ（ＮａＯＨで調整） １０ めっき温度 ８０℃ めっき時間 膜厚に対応 めっき液中の硫酸ニッケルと硫酸銅の比率をかえること
により合金組成は変化するが、Ｎｉ３０〜７５％。 Ｃｕ１５〜７５％、ＰＨ〜１１％の範囲の中に入るよう
に適宜調整する。その後、両面研摩盤により平均粒径１
ｎ、ＰＩＩＩＯのメタライ）−０１（不二見研摩剤工
業商品名）をスラリーとして５〜１０分間のポリシェを
行い表面厚さ５−を除去した。このようにして得られた
表面は、スラリーがアルカリ性であるためＮｉ−Ｃｕ−
Ｐの合金めっき中Ｃｕに富む部分が選択的に化学エツチ
ングされ微小（ぼみを生じる。 しかし、表面粗さはＲａ０．００９〜０．０１３−の中
に維持される０次いで、Ｎｉ−Ｐ合金めっき層３を０．
３〜０．５ｎの厚さで形成後、無電解めっき法によりＣ
ｏ−Ｐ合金磁性めっき層４を０．０７〜０．０８＃ｌｌ
Ｉの厚さにさらに保護層としてＲＦスパッタリング法に
て５ｌｏｔ膜５を０．０７〜０．０８＃ｌＩの厚さに形
成し、最後は潤滑剤としてタライトックス１４３ＡＤ（
デュポン社商品名）０．０１％フレオン溶液をスピンコ
ード法により塗布して表面潤滑層６とした磁気ディスク
を得た。 実施例２： 実施例１と同様な方法でＡ１合金基板１の上にＮｉ−Ｃ
ｕ−Ｐめっき層２を形成したのち、次の組成の研摩剤を
作成し両面ポリシェを行った。 Ａｌｔｏｓ（０５０の粒径１．０〜１．Ｉ Ｑ） １
２．５重量％非イオン系界面活性剤 ２．５
重量％イオン交換水 残量研摩剤
のＰＨはＮａ０ＩｌおよびｌｌＯＨのいずれかを用いて
９．５〜１０．５に調整した。この研摩で得られた表面
粗さは実施例１と同様であった。 以下、実施例１と同様にＮｉ−Ｐめっき層３．Ｃ。 −Ｐ磁性めっき層４．ＳｉＯ鵞保護膜５．クライトック
スの潤滑膜６を順につけて磁気ディスクを作成した。 実施例３： 実施例１と同様にして、但し両面ポリシュ時の研摩剤と
してポリプラ１０３（不二見研摩剤工業商品名、ＰＩ１
３〜３．５）で研摩してエッチピットにより微小くぼみ
を発生させ、かつ所定の表面粗さを得て磁気ディスクを
作った。 実施例４ 実施例１と同様にし、但し研摩剤としては下記の組成の
ものを作成して使用し、同様なエッチピントによるくぼ
みと適度な表面粗さを得て磁気ディスクを作った。 Ａｌｔｏｓ（０５０の粒径１．０〜１．１ ｎ＞ ８
重量％さく酸セルローズ ０．５重量
％イオン交換水 残量研摩剤のＰＲ
は硫酸で調整して３．０〜３．５とした。 実施例５： 実施例１と同様な方法でＮｉ−Ｃｕ−Ｐめっきとメタラ
イト０１（不二見研摩剤工業商品名）を用いてボリシェ
を行ったのち、第２図に示すように反応スパッタリング
により０．１６〜０．１８−の厚さのＦｅ、Ｏ。 薄膜７を形成する。なおスパッタリング条件は次に示す
とおりである。 使用ターゲット ２．５％Ｃｏ−３％Ｃｕ−Ｆｅ全圧力
２ Ｘｌ０−” Ｔｏｒｒ酸素・アルゴンガ
ス混合比 １：ｌＯ 高周波電力 ｓｏｏｗ 基板回転 ２０ｒｐｍ 次に大気中にて３００℃で３時間の加熱処理を行いｒ
Ｆｅｕｄｓとする０次に潤滑剤としてクライトックス
１４３ＡＤ（デエポン社商品名）０．０１％フレオン溶
液をスピンコードして磁気ディスクを作成した。 実施例６＝ 実施例５と同様にし、但し両面研摩時の研摩剤としてポ
リプラ１０３（不二見研摩剤工業商品名、ＰＨ３６０〜
３．５）で研摩してエッチピットにより微小（ぼみを発
生させ、かつ所定の表面粗さを得て磁気ディスクを作っ
た。 比較例１： 実施例１と同様にＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金めっきを行った後
、両面ポリシェ盤によりＨＡ” ８００Ｇの水系懸濁液
の上澄液（ロート油２％添加）を用いて表面粗さＲａＯ
，００８〜Ｑ、０１ＪｌｌＩの鏡面加工をした。この上
に無電解めらき法により０．０７〜０．０８ｎの厚さの
Ｃｏ −Ｐ合金磁性めっき層を形成、さらに実施例１と
同様に保護層、潤滑層を被覆した。 比較例２： 高純度ＡＩ４％Ｍｇ合金系の５！４Ｐデイスク用基板に
クロム酸アルマイト皮膜を１３ｕの厚さに形成したのち
、両面研摩盤により−Ａ″８０００の水系懸濁液の上澄
液によりボリシェを行い、表面粗さＲａ０．００７〜０
．００９ ａｍの焼面を得た。この表面に直接法により
ｙ−Ｆｅ＊Ｏｓ磁性膜を０．１６〜０．１８−の厚さで
形成した。さらにその上に実施例１あるいは比較例１と
同様に潤滑剤を塗布した試料を作成した。 実施例１〜６および比較例１．２で作成した磁気ディス
ク試料を用いて次の比較試験を行うた。 （１）Ｍｎ−Ｚｎフェライト製磁気ヘッドと磁気ディス
クを常温、常温下で２４時間接触放置させた後、ディス
ク吸着力を測定する。 （２） ２万回のＣ３Ｓ （コンタクト・スタート・ス
トップの略字）試験後のディスク起動トルクの測定と、
Ｃ８Ｓ試験中のきすの発生状態を調べる。 比較試験の結果を製造原価の比較と含めて第１表に示す
。 第１表 上表かられかるように本発明による基板を用いた磁気デ
ィスクは、潤滑特性に優れ、基板原価が大幅に低減され
ている。
本発明は、でき上がった磁気ディスクと磁気へラドの間
の吸着力低減のために、非磁性基板の下地めっき層面に
所望の表面粗さを形成するための研摩をするときに、ア
ルカリ性または酸性の研摩剤を用いてメカノケミカルポ
リシエを行うことにより、液体潤滑剤保持のための微小
（ぼみを有する磁気ディスク用基板を得るものである。 これによりこの基板を用いて製作される磁気ディスク表
面の潤滑特性が良好に維持され、信鯨性も向上する。 また、本発明により表面処理される基板は次の理由で製
造原価が大幅に低減できる。 ＋１１潤滑剤保持のための粗面化工程を必要とせず、ポ
リシュ時に同時にその効果が得られる。 （２）従来のｒ−Ｆｅｚ０２スパッタ型ディスク用Ａ１
合金のようなアルマイト処理に適した超高純度材料の使
用を必要とせず、めっき法の特徴である一括同時処理の
利点が活かせる。 さらに本発明によれば、ｒ−Ｗｅ＠０２スパッタ型ディ
スクに見られる特別の中間層の挿入も不要になり、ヘッ
ドと磁性層間の距離を縮小できるので結果的に記録密度
が向上する。 なお、本発明により表面処理された基板はＣＯ系スパッ
タ型ディスクに用いても同様の効果が期待できることは
明白である。
の吸着力低減のために、非磁性基板の下地めっき層面に
所望の表面粗さを形成するための研摩をするときに、ア
ルカリ性または酸性の研摩剤を用いてメカノケミカルポ
リシエを行うことにより、液体潤滑剤保持のための微小
（ぼみを有する磁気ディスク用基板を得るものである。 これによりこの基板を用いて製作される磁気ディスク表
面の潤滑特性が良好に維持され、信鯨性も向上する。 また、本発明により表面処理される基板は次の理由で製
造原価が大幅に低減できる。 ＋１１潤滑剤保持のための粗面化工程を必要とせず、ポ
リシュ時に同時にその効果が得られる。 （２）従来のｒ−Ｆｅｚ０２スパッタ型ディスク用Ａ１
合金のようなアルマイト処理に適した超高純度材料の使
用を必要とせず、めっき法の特徴である一括同時処理の
利点が活かせる。 さらに本発明によれば、ｒ−Ｗｅ＠０２スパッタ型ディ
スクに見られる特別の中間層の挿入も不要になり、ヘッ
ドと磁性層間の距離を縮小できるので結果的に記録密度
が向上する。 なお、本発明により表面処理された基板はＣＯ系スパッ
タ型ディスクに用いても同様の効果が期待できることは
明白である。
第１図は本発明による基板を使用した磁気ディスクの一
例の断面図、第２図は別の例の断面図である。 ｌニアルミニウム合金基板、２：Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐめっき
層、３：ＮＩ−Ｐめっき層、４：磁性めっき層、５：保
護層、６：潤滑層、７：磁性スパッタ層。
例の断面図、第２図は別の例の断面図である。 ｌニアルミニウム合金基板、２：Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐめっき
層、３：ＮＩ−Ｐめっき層、４：磁性めっき層、５：保
護層、６：潤滑層、７：磁性スパッタ層。
Claims (1)
- １）アルミニウム合金基板に無電解めっき法によりＮｉ
−Ｃｕ−Ｐ合金をめっきしたのち、ＰＨ８〜１１あるい
はＰＨ３〜５に調整した研摩剤を用いてメカノケミカル
ポリシュすることを特徴とする磁気ディスク基板の表面
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10859285A JPS61267931A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気デイスク基板の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10859285A JPS61267931A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気デイスク基板の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267931A true JPS61267931A (ja) | 1986-11-27 |
| JPH0451885B2 JPH0451885B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=14488714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10859285A Granted JPS61267931A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気デイスク基板の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267931A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63313322A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2003027249A (ja) * | 2001-05-10 | 2003-01-29 | Ebara Corp | 無電解めっき方法及び装置、並びに基板処理方法及び装置 |
| JP2015195072A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-05 | 株式会社神戸製鋼所 | Ｎｉメッキ処理に用いられる下地層被覆基板、Ｎｉメッキ層含有積層体および磁気記録媒体 |
| RU2592601C1 (ru) * | 2015-07-16 | 2016-07-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) | Способ химического нанесения покрытий из сплава никель-медь-фосфор |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP10859285A patent/JPS61267931A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63313322A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0451885B2 (ja) | 1992-08-20 |
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