JPS61270761A - パタ−ン形成用マスク - Google Patents
パタ−ン形成用マスクInfo
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- JPS61270761A JPS61270761A JP60113490A JP11349085A JPS61270761A JP S61270761 A JPS61270761 A JP S61270761A JP 60113490 A JP60113490 A JP 60113490A JP 11349085 A JP11349085 A JP 11349085A JP S61270761 A JPS61270761 A JP S61270761A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- carbon film
- mask
- diamond
- protective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、たとえば高純度合成石英などのようＫＳｉＯ
！を主成分とする透明ガラス基゛板７．上などに薄膜パ
ターンを形成するいわゆるフォトマスク等に関するもの
であ、る。
！を主成分とする透明ガラス基゛板７．上などに薄膜パ
ターンを形成するいわゆるフォトマスク等に関するもの
であ、る。
従来この種７オトマスク等としてはやは）同様に透明な
ガラス基する上に、主として純０材を薄膜パターンとし
て使用したフォトマスクが使用されていた。
ガラス基する上に、主として純０材を薄膜パターンとし
て使用したフォトマスクが使用されていた。
ところが、最近の状況にみるとと＜、ＬＳＩの高集積化
に伴い、高解像力をもち、高精度で欠陥の少ないフォト
マスク等がますます要求されるようになって来ているが
、従来タイプのマスクでは技術的に十分対応できていな
いのが実情である〇すなわち、従来フォトマスク用基板
としては５１０ｘ 、 Ａｔ雪Ｑｓを主成分として、Ｒ
ＯおよびＲｈｏで表わされる２価金属鹸化物（ＣａＯ，
ＭｇＯなど）と１価の金属酸化物（Ｎａｇ Ｏ＃ Ｋｓ
Ｏなど）を多量に含む、いわゆる青板、白板あるいは
Ｓｉ Ｏｘ 、ＩｈＯｓおよびＡＬ雪Ｑ＠を主成分とし
、ＲＯを多く含むいわゆる低膨張ガラス、さらに最近の
超ＬＳＩについてみると熱膨張 係数がさらに小さい高
純度の合成石英基板が用いられている。
に伴い、高解像力をもち、高精度で欠陥の少ないフォト
マスク等がますます要求されるようになって来ているが
、従来タイプのマスクでは技術的に十分対応できていな
いのが実情である〇すなわち、従来フォトマスク用基板
としては５１０ｘ 、 Ａｔ雪Ｑｓを主成分として、Ｒ
ＯおよびＲｈｏで表わされる２価金属鹸化物（ＣａＯ，
ＭｇＯなど）と１価の金属酸化物（Ｎａｇ Ｏ＃ Ｋｓ
Ｏなど）を多量に含む、いわゆる青板、白板あるいは
Ｓｉ Ｏｘ 、ＩｈＯｓおよびＡＬ雪Ｑ＠を主成分とし
、ＲＯを多く含むいわゆる低膨張ガラス、さらに最近の
超ＬＳＩについてみると熱膨張 係数がさらに小さい高
純度の合成石英基板が用いられている。
また一方露光装置についてみると、従来は、主として、
加工線巾の広い低集積度のＩＣが主流であったため、１
：１のコンタクト露光や、１：１のプ四シェクション露
光が中心でありたため、マスターレチクルとした成分、
多数のワーキングマスクを複製して、実作業を行なうと
いう方式をとっていた□しかるに、５：１又は１０：１
の値の機影が主流になって、しかも、１枚のマスクの加
工精度も著しく高度のものが要求されるように７Ｔｈり
てからは、レチクルをつくり、場合によっては直に生産
ラインで使用するケースが多くなり、また、複製するＫ
しても歩留りの関係から、との数は従来に比べ、著しく
少ないものとなって来ているＯ したがって、たとえばフォトマスクについてみるならば
、高精度で高価なフォトマスクを傷つけずに長期間使用
することが、重要課題となりて来ている。
加工線巾の広い低集積度のＩＣが主流であったため、１
：１のコンタクト露光や、１：１のプ四シェクション露
光が中心でありたため、マスターレチクルとした成分、
多数のワーキングマスクを複製して、実作業を行なうと
いう方式をとっていた□しかるに、５：１又は１０：１
の値の機影が主流になって、しかも、１枚のマスクの加
工精度も著しく高度のものが要求されるように７Ｔｈり
てからは、レチクルをつくり、場合によっては直に生産
ラインで使用するケースが多くなり、また、複製するＫ
しても歩留りの関係から、との数は従来に比べ、著しく
少ないものとなって来ているＯ したがって、たとえばフォトマスクについてみるならば
、高精度で高価なフォトマスクを傷つけずに長期間使用
することが、重要課題となりて来ている。
しかるに前述のごとく、従来のフォトマスク基板は、白
板、青板、低膨張ガラスあるいは合成石英基板が主流で
あシ、これら基板は、硬さについてみると青板、白板で
約５３０〜５４０ ｋｇ／ｗＪ 、低膨張ガラスで６５
０ ｋＶｉ位２合成石英では６２０〜と必ずしも十分で
なく、かつ、この表面に形成されたＧなどのパターン膜
は硬さ、および基板との密着性に問題があシ、外的な要
因および電気的要因により著しくキズつきやすいという
大きな欠点をもっている。
板、青板、低膨張ガラスあるいは合成石英基板が主流で
あシ、これら基板は、硬さについてみると青板、白板で
約５３０〜５４０ ｋｇ／ｗＪ 、低膨張ガラスで６５
０ ｋＶｉ位２合成石英では６２０〜と必ずしも十分で
なく、かつ、この表面に形成されたＧなどのパターン膜
は硬さ、および基板との密着性に問題があシ、外的な要
因および電気的要因により著しくキズつきやすいという
大きな欠点をもっている。
したがって、それを保護する極薄の膜体が形成できれば
、そのフォトマスクの寿命は大巾に伸ばすことが出来る
。しかし、よく知られているように、フォトマスク基板
は、ＩＣの集積度を上げていく上で、より波長の短い光
、すなわち、紫外光などを効率よく透過させる必要もあ
り、これに適した保護膜は従来うまく形成できていない
のが実情であった。
、そのフォトマスクの寿命は大巾に伸ばすことが出来る
。しかし、よく知られているように、フォトマスク基板
は、ＩＣの集積度を上げていく上で、より波長の短い光
、すなわち、紫外光などを効率よく透過させる必要もあ
り、これに適した保護膜は従来うまく形成できていない
のが実情であった。
またフォトマスクとは別に更に著しく波長の短い電磁波
であるＸ線を使用する露光方式の検討が現在進められて
いるが、これに用いるマスクは、基板が薄い膜体であり
、これに形成されるパターンも通常はＡｕ ＊ Ｔｕな
どの重金属であって、外的要因あるいは電気的要因によ
シバターンが傷つくケースは非常に大きい０なおかつ、
Ｘ線マスクの場合、一般的には１：１プロキルミテイ露
光を用いておシ、マスク自体のパターン精度も著しく高
度１・゛″′′傷９率も大巾に高くな°′Ｃ″″ １
て、問題は深刻である。
であるＸ線を使用する露光方式の検討が現在進められて
いるが、これに用いるマスクは、基板が薄い膜体であり
、これに形成されるパターンも通常はＡｕ ＊ Ｔｕな
どの重金属であって、外的要因あるいは電気的要因によ
シバターンが傷つくケースは非常に大きい０なおかつ、
Ｘ線マスクの場合、一般的には１：１プロキルミテイ露
光を用いておシ、マスク自体のパターン精度も著しく高
度１・゛″′′傷９率も大巾に高くな°′Ｃ″″ １
て、問題は深刻である。
本発明は従来技術のこのような欠点を解決するために新
しい方法を提供するものである。
しい方法を提供するものである。
すなわち、本発明は、露光光あるいは露光用Ｘ線の透過
率が高く、かつ、硬度等の保護機能にすぐれたダイヤモ
ンド様カーボン膜をその表面等に形成し、保護膜゛とし
九ことを特長とするパターン形成用マスクを提供する。
率が高く、かつ、硬度等の保護機能にすぐれたダイヤモ
ンド様カーボン膜をその表面等に形成し、保護膜゛とし
九ことを特長とするパターン形成用マスクを提供する。
ダイヤモンド様カーボン膜は硬度が高く、通常１００１
０００１ｑ以上あり、最大では１０ 、０００ ｋｅｙ
−をこえるようにすることも出来、機械的強度的には保
護膜として最適である。また化学的にもその安定性は著
しくすぐれており、熱伝導特性および電気的特性も良好
である０また密度は比較的低く、Ｘ線に対す吸収も問題
なく、かつ、通常の光はもちろん、紫外光に対する透光
性もすぐれており、フォトマスクおよびＸ線用マスクの
保護膜としては最適である。
０００１ｑ以上あり、最大では１０ 、０００ ｋｅｙ
−をこえるようにすることも出来、機械的強度的には保
護膜として最適である。また化学的にもその安定性は著
しくすぐれており、熱伝導特性および電気的特性も良好
である０また密度は比較的低く、Ｘ線に対す吸収も問題
なく、かつ、通常の光はもちろん、紫外光に対する透光
性もすぐれており、フォトマスクおよびＸ線用マスクの
保護膜としては最適である。
本発明の実施に当っては従来通シの方法で、フォトマス
クあるいはＸ線マスクを作成したのち、その表面にいわ
ゆるプラズマ法、プラズマインシェフシラン法などを含
むｃ？、Ｄ方式によって作成するか、あるいはイオン化
蒸着法、又は反応性スパッタリング等のスパッタ一方式
でつけるなど、それぞれ基板材質と、パタニング材質に
合りた方式を採用することが出来、保護膜としての厚さ
は、基板によって異るが、たとえば石英基板などの場合
には、μにオーダーまで比較的厚くすることも可能であ
るが、通常はこれよシ薄いもので十分である。
クあるいはＸ線マスクを作成したのち、その表面にいわ
ゆるプラズマ法、プラズマインシェフシラン法などを含
むｃ？、Ｄ方式によって作成するか、あるいはイオン化
蒸着法、又は反応性スパッタリング等のスパッタ一方式
でつけるなど、それぞれ基板材質と、パタニング材質に
合りた方式を採用することが出来、保護膜としての厚さ
は、基板によって異るが、たとえば石英基板などの場合
には、μにオーダーまで比較的厚くすることも可能であ
るが、通常はこれよシ薄いもので十分である。
また場合によってはいく分導電性を附与して、保護層と
してもいい。この場合には機械的な損傷に対するほど機
能の他に、静電気的損傷に対しても著しく有効となる。
してもいい。この場合には機械的な損傷に対するほど機
能の他に、静電気的損傷に対しても著しく有効となる。
なお保護層は必ずしも、最表面に存在する必要はなく、
場合によっては基板の上に形成し、その上にパターン層
を形成しても、大きな効果が得られる。
場合によっては基板の上に形成し、その上にパターン層
を形成しても、大きな効果が得られる。
以下本発明と実施例について説明する。
青板、白板、低膨張ガラスおよび合成石英ガラスについ
て通常の方法でフォトマスクを作成したのち、ＣｖＯ方
弐によりダイヤモンド様カーボンを書面ＩＣ０，２μの
厚さで形成し保護膜として、マスクの寿命を比較した。
て通常の方法でフォトマスクを作成したのち、ＣｖＯ方
弐によりダイヤモンド様カーボンを書面ＩＣ０，２μの
厚さで形成し保護膜として、マスクの寿命を比較した。
すなわち、１：１のコンタクト露光として、その寿命を
比較した。保護層なしの白板を１としたときの相対寿命
でみると、青板、白板、低膨張ガラスおよび合成石英ガ
ラスともに現在５以上の寿命となりているが、全く問題
なく使用されている。
比較した。保護層なしの白板を１としたときの相対寿命
でみると、青板、白板、低膨張ガラスおよび合成石英ガ
ラスともに現在５以上の寿命となりているが、全く問題
なく使用されている。
以上述べたごとく、本発明はその工業上の効果手続祁１
正書（＠ｔ） 昭和 ６噂 ８月 １４ＥＩ
正書（＠ｔ） 昭和 ６噂 ８月 １４ＥＩ
Claims (1)
- 表面保護層としてダイヤモンド様カーボン膜を形成した
ことを特徴とするパターン形成用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113490A JPS61270761A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | パタ−ン形成用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113490A JPS61270761A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | パタ−ン形成用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270761A true JPS61270761A (ja) | 1986-12-01 |
Family
ID=14613619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60113490A Pending JPS61270761A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | パタ−ン形成用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270761A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62194282U (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-10 | ||
| WO2005067010A3 (en) * | 2003-12-31 | 2005-11-17 | Intel Corp | Extreme ultraviolet mask with molybdenum phase shifter |
| JP2015025894A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP60113490A patent/JPS61270761A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62194282U (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-10 | ||
| WO2005067010A3 (en) * | 2003-12-31 | 2005-11-17 | Intel Corp | Extreme ultraviolet mask with molybdenum phase shifter |
| US7169514B2 (en) | 2003-12-31 | 2007-01-30 | Intel Corporation | Extreme ultraviolet mask with molybdenum phase shifter |
| US7384715B2 (en) | 2003-12-31 | 2008-06-10 | Intel Corporation | Forming an EUV mask with a phase-shifter layer and an intensity balancer layer |
| JP2015025894A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
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