JPS61270893A - ソルダ−レジスト - Google Patents
ソルダ−レジストInfo
- Publication number
- JPS61270893A JPS61270893A JP11295985A JP11295985A JPS61270893A JP S61270893 A JPS61270893 A JP S61270893A JP 11295985 A JP11295985 A JP 11295985A JP 11295985 A JP11295985 A JP 11295985A JP S61270893 A JPS61270893 A JP S61270893A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder resist
- film
- solder
- resist
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/285—Permanent coating compositions
- H05K3/287—Photosensitive compositions
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はソルダーレジストに関するもので、厚膜硬化性
に対する信頼性を高めるとともに、耐熱性、耐薬品性を
著しく向上させることを目的とするものである。
に対する信頼性を高めるとともに、耐熱性、耐薬品性を
著しく向上させることを目的とするものである。
従来の技術
ソルダーレジストは、印刷配線基板などの回路の半田付
けをする際に、回路の半田要部骨をレジスト皮膜で隠蔽
し、半田必要部分のみに選択的に半田付けを行うために
用いるもので、その目的は回路間のミス半田による短絡
を防止すると同時に、不要な半田付着による重量増加を
防ぎ、またレジスト皮膜をそのまま残し、回路の絶縁保
護膜として役立てるなど多くの目的がある。
けをする際に、回路の半田要部骨をレジスト皮膜で隠蔽
し、半田必要部分のみに選択的に半田付けを行うために
用いるもので、その目的は回路間のミス半田による短絡
を防止すると同時に、不要な半田付着による重量増加を
防ぎ、またレジスト皮膜をそのまま残し、回路の絶縁保
護膜として役立てるなど多くの目的がある。
例えば民生用基板は、第2図のように基板1上に銅から
なる導体層2が配線され、その上にツル −ダーレジス
ト4が被覆されている。また産業用基板は第1図のよう
に基板1上に銅からなる導体層2および銅メッキからな
る導体層3が形成され、その上にソルダーレジスト4が
被覆されている。
なる導体層2が配線され、その上にツル −ダーレジス
ト4が被覆されている。また産業用基板は第1図のよう
に基板1上に銅からなる導体層2および銅メッキからな
る導体層3が形成され、その上にソルダーレジスト4が
被覆されている。
ソルダーレジストは、上述の目的のため、印刷基板上に
所望のパターンとして皮膜を形成させる必要がある。こ
のパターンとしてi般に用いられているのは、スクリー
ン印刷法である。この場合、耐熱性のある強靭な皮膜を
形成させるためには、従来は熱硬化形であるエポキシ樹
脂系ソルダーレジストが用いられていたが、最近では紫
外線硬化形であるアクリル変性樹脂系ソルダーレジスト
へ以降しつつある。紫外線硬化形樹脂は、熱硬化形に比
べ無溶剤であること、そして速硬化であることにより、
作業性、生産性を向上させることができる。
所望のパターンとして皮膜を形成させる必要がある。こ
のパターンとしてi般に用いられているのは、スクリー
ン印刷法である。この場合、耐熱性のある強靭な皮膜を
形成させるためには、従来は熱硬化形であるエポキシ樹
脂系ソルダーレジストが用いられていたが、最近では紫
外線硬化形であるアクリル変性樹脂系ソルダーレジスト
へ以降しつつある。紫外線硬化形樹脂は、熱硬化形に比
べ無溶剤であること、そして速硬化であることにより、
作業性、生産性を向上させることができる。
発明が解決しようとする問題点
しかし、上述のアクリル変性樹脂系ソルダーレジストは
、次のような問題点を有する。
、次のような問題点を有する。
(1)厚膜硬化性に対する信顧性が低い。
第1図にしめすように産業用印刷基板の回路を構成する
導体層の高さhは、第2図に示すような民生用印刷基板
の回路を構成する導体層の高さh′に比ベメフキN3の
厚さだけ高くなり、例えば民生用印刷基板の導体層の高
さh′が35μmに対し、産業用印刷基板では導体層の
高さhは70μm近くになる。したがって回路エツジ部
分のソルダーレジストのインク膜厚は70μmを越えて
しまう。ところが、アクリル変性樹脂系ソルダーレジス
トは紫外線により硬化するため、深部まで硬化に寄与し
得る強度の紫外線が達する必要がある。しかしながら、
紫外線の透過に関しては、顔料を含む系の紫外線透過性
は非常に悪く、現実に従来の民生用基板において、変性
樹脂系ソルダーレジストで1 、260 μmを越える
と硬化不良を生じ易くなり、半田浸漬時の膨れや絶縁抵
抗の低下を生ずることとなる。
導体層の高さhは、第2図に示すような民生用印刷基板
の回路を構成する導体層の高さh′に比ベメフキN3の
厚さだけ高くなり、例えば民生用印刷基板の導体層の高
さh′が35μmに対し、産業用印刷基板では導体層の
高さhは70μm近くになる。したがって回路エツジ部
分のソルダーレジストのインク膜厚は70μmを越えて
しまう。ところが、アクリル変性樹脂系ソルダーレジス
トは紫外線により硬化するため、深部まで硬化に寄与し
得る強度の紫外線が達する必要がある。しかしながら、
紫外線の透過に関しては、顔料を含む系の紫外線透過性
は非常に悪く、現実に従来の民生用基板において、変性
樹脂系ソルダーレジストで1 、260 μmを越える
と硬化不良を生じ易くなり、半田浸漬時の膨れや絶縁抵
抗の低下を生ずることとなる。
(2)耐熱性、耐薬品性が劣り、長期間にわたる使用に
は難がある。
は難がある。
問題点を解決するための手段
本発明は上述の問題を解決したもので、紫外線硬化形の
アクリル変性樹脂を主成分とし、これに熱硬化形のエポ
キシ樹脂およびポリブタジェン樹脂を混合したものにア
ルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、
酸化ベリリウムなどの無機フィラーを粉体化して添加し
たことを特徴とするソルダーレジストである。
アクリル変性樹脂を主成分とし、これに熱硬化形のエポ
キシ樹脂およびポリブタジェン樹脂を混合したものにア
ルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、
酸化ベリリウムなどの無機フィラーを粉体化して添加し
たことを特徴とするソルダーレジストである。
作用
アクリル変性樹脂にエポキシ樹脂を混合し、これにポリ
ブタジェン樹脂を添加したものにアルミナ、炭化ケイ素
、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ベリリウムを粉
体化して無機フィラーとして添加することにより、ポリ
ブタジェン樹脂により耐熱性、耐薬品性を改善するとと
もに膜厚の薄いフィルムを成形せしめ、紫外線照射によ
る硬化が均一に行われる。また粉体化した上記の無機フ
ィラーにより、ソルダーレジストの耐熱性を高め、硬度
ならびに機械的強度が向上する。
ブタジェン樹脂を添加したものにアルミナ、炭化ケイ素
、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ベリリウムを粉
体化して無機フィラーとして添加することにより、ポリ
ブタジェン樹脂により耐熱性、耐薬品性を改善するとと
もに膜厚の薄いフィルムを成形せしめ、紫外線照射によ
る硬化が均一に行われる。また粉体化した上記の無機フ
ィラーにより、ソルダーレジストの耐熱性を高め、硬度
ならびに機械的強度が向上する。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
(1)組成
第1表に示す原料を用いて混合し資料を製作した。
第1表
なお、エポキシ樹脂の量が20部未満では熱硬化に寄与
せず、40部を越えると溶剤が必要となる上、硬化時間
が長くなる。
せず、40部を越えると溶剤が必要となる上、硬化時間
が長くなる。
また、ポリブタジェン樹脂の量が10部未満では耐熱性
、耐薬品性の改善となり得ず30部を越えると薄いフィ
ルムの成形が困難である。
、耐薬品性の改善となり得ず30部を越えると薄いフィ
ルムの成形が困難である。
さらに無機フィラーの添加量が1部未満では耐熱性を改
善し、硬度ならびに機械的強度を上げることができず、
20部を越えるとフィルムの強度が低下する。
善し、硬度ならびに機械的強度を上げることができず、
20部を越えるとフィルムの強度が低下する。
(2)性能試験
上記組成のソルダーレジスト材料をフィルム状に成形し
、保護フィルムでサンドインチしたものを使用して試験
した。
、保護フィルムでサンドインチしたものを使用して試験
した。
使用にあたっては保護フィルムをはがし、基板上に熱圧
着した後、紫外線照射、熱硬化して所定のレジストパタ
ーンを形成させた。
着した後、紫外線照射、熱硬化して所定のレジストパタ
ーンを形成させた。
テトピースは下記手++1[に従って製作した。
両面銅張積層板(35μm銅箔)を使用した。
■パターン形式
%式%
■レジスト剥離
■研磨
■ソルダーレジスト印刷
■紫外線硬化
■過熱硬化
印刷されたソルダーレジストの膜厚を第1図に示す寸法
a、bおよびhについて測定し、試料記号Aの従来例と
試料記号B−Fの本発明品の一般的な性能を比較した結
果を第2表に示す。
a、bおよびhについて測定し、試料記号Aの従来例と
試料記号B−Fの本発明品の一般的な性能を比較した結
果を第2表に示す。
第2表中半田耐熱は、溶融半田に浸漬したときのソルダ
ーレジストの膨れ、ひび割れ、はがれなどの状態、また
トリクレン蒸気は、トリクレン蒸気中に放置したときの
ソルダーレジストのひび割れ、はがれなどの状態を調べ
たもので分数の分子は良品数、分母は試験数である。
ーレジストの膨れ、ひび割れ、はがれなどの状態、また
トリクレン蒸気は、トリクレン蒸気中に放置したときの
ソルダーレジストのひび割れ、はがれなどの状態を調べ
たもので分数の分子は良品数、分母は試験数である。
発明の効果
上述の実施例からも明らかなように、アクリル変性樹脂
にエポキシ樹脂を混合し、これにポリブタジェン樹脂を
添加したものに、アルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、
酸化ジルコニウム、酸化ベリリウムを粉体化して、無機
フィラーとして添加した本発明品ソルダーレジストを用
いたものは、従来品より膜厚の薄いフィルムの成形が可
能となり、従来品より硬度ならびに機械的強度が高く、
耐熱性、耐薬品性の優れたものが得られ、工業的ならび
に実用的価値の大なるものである。
にエポキシ樹脂を混合し、これにポリブタジェン樹脂を
添加したものに、アルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、
酸化ジルコニウム、酸化ベリリウムを粉体化して、無機
フィラーとして添加した本発明品ソルダーレジストを用
いたものは、従来品より膜厚の薄いフィルムの成形が可
能となり、従来品より硬度ならびに機械的強度が高く、
耐熱性、耐薬品性の優れたものが得られ、工業的ならび
に実用的価値の大なるものである。
第1図は産業用印刷基板の要部断面図、第2図は民生用
印刷基板の要部断面図である。 1:基板 2.3:導体層 4:ソルダーレジスト
印刷基板の要部断面図である。 1:基板 2.3:導体層 4:ソルダーレジスト
Claims (1)
- アクリル変性樹脂を主成分とし、これにエポキシ樹脂
およびポリブタジエン樹脂を混合したものに、アルミナ
、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ベ
リリウムなどの無機フィラーを粉体化して添加したこと
を特徴とするソルダーレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11295985A JPS61270893A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | ソルダ−レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11295985A JPS61270893A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | ソルダ−レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270893A true JPS61270893A (ja) | 1986-12-01 |
Family
ID=14599815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11295985A Pending JPS61270893A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | ソルダ−レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270893A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007115789A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型半導体装置および積層型半導体装置の製造方法 |
| WO2017122306A1 (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 三菱電機株式会社 | 放熱板構造体、半導体装置および放熱板構造体の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49107048A (ja) * | 1973-02-12 | 1974-10-11 | ||
| JPS54162734A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-24 | Hitachi Ltd | Photopolymerizable resin composition for coating hybrid integrated circuit |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP11295985A patent/JPS61270893A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49107048A (ja) * | 1973-02-12 | 1974-10-11 | ||
| JPS54162734A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-24 | Hitachi Ltd | Photopolymerizable resin composition for coating hybrid integrated circuit |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007115789A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型半導体装置および積層型半導体装置の製造方法 |
| WO2017122306A1 (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 三菱電機株式会社 | 放熱板構造体、半導体装置および放熱板構造体の製造方法 |
| JPWO2017122306A1 (ja) * | 2016-01-14 | 2018-04-12 | 三菱電機株式会社 | 放熱板構造体、半導体装置および放熱板構造体の製造方法 |
| CN108463879A (zh) * | 2016-01-14 | 2018-08-28 | 三菱电机株式会社 | 散热板构造体、半导体装置以及散热板构造体的制造方法 |
| US10692794B2 (en) | 2016-01-14 | 2020-06-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Radiation plate structure, semiconductor device, and method for manufacturing radiation plate structure |
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