JPS6127544A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
- Publication number
- JPS6127544A JPS6127544A JP14810784A JP14810784A JPS6127544A JP S6127544 A JPS6127544 A JP S6127544A JP 14810784 A JP14810784 A JP 14810784A JP 14810784 A JP14810784 A JP 14810784A JP S6127544 A JPS6127544 A JP S6127544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- ceiling
- substrate
- lid
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は基板上の感光膜を現像する現像装置にかかり
、とくに現像液をスプレィ又は滴下により供給するいわ
ゆるスプレィ式現像装置の改良に関するものである。
、とくに現像液をスプレィ又は滴下により供給するいわ
ゆるスプレィ式現像装置の改良に関するものである。
この装置は特に半導体装置製造において多く用いられ以
下の説明は半導体基板上の成光膜の現像装置について行
なうが他の分野においても適用できる事はいうまでもな
い。
下の説明は半導体基板上の成光膜の現像装置について行
なうが他の分野においても適用できる事はいうまでもな
い。
従来半導体装置製造において多く用いられているスプレ
ィ式の現像装置は第１図に示すように半導体基板１を治
具上に設置し上方の１つのスプレィノズル２から現像液
を吹きつけ、しかる後に他のノズル２′からリンス液を
吹きつけた後半導体基板を高速回転し乾燥する方式を採
用している。
ィ式の現像装置は第１図に示すように半導体基板１を治
具上に設置し上方の１つのスプレィノズル２から現像液
を吹きつけ、しかる後に他のノズル２′からリンス液を
吹きつけた後半導体基板を高速回転し乾燥する方式を採
用している。
この方式での問題点は連続処理を行なっていくとスプレ
ィノズルを取りつけている上面のフタ３０部分に現像液
とリンス液の混合されたものが水滴状４に付着し、乾燥
の終った半導体基板上に落下するようになり、これを防
ぐため一定量処理ごとに装置を停止し、フタの部分を清
掃する事が不欠であり、装置の稼動率を低下させる要因
となる。
ィノズルを取りつけている上面のフタ３０部分に現像液
とリンス液の混合されたものが水滴状４に付着し、乾燥
の終った半導体基板上に落下するようになり、これを防
ぐため一定量処理ごとに装置を停止し、フタの部分を清
掃する事が不欠であり、装置の稼動率を低下させる要因
となる。
近年感光膜はネガタイプからポジタイプへ移行し、基板
の大きさも５インチから６インチ更に８インチになると
ともに上記問題は一層重大な問題となってきた。
の大きさも５インチから６インチ更に８インチになると
ともに上記問題は一層重大な問題となってきた。
すなわちネガタイプの感光液では現像液とリンス液は溶
剤タイプであったのに対し、ポジタイプの感光液では現
像液は水溶性のものでリンス液は純水であり、水滴の付
着率ははるかに多くなり、フタの内面は容易に乾燥しな
くなった。
剤タイプであったのに対し、ポジタイプの感光液では現
像液は水溶性のものでリンス液は純水であり、水滴の付
着率ははるかに多くなり、フタの内面は容易に乾燥しな
くなった。
また基板の大きさが大きくなるにつれ上面フタの表面積
も大きくなり水滴の付着面積が増大し水滴量が多くなっ
た。上面フタの部分と表面加工して水滴をつきにくくす
る対策も考えられたが水滴を絶無にする事はできず、定
期的な清掃が必要であった。本発明はこれらの欠点を根
本的に取り除くために考えられたものでフタの部分を洗
浄するノズル及びフタの部分の洗浄液を乾燥するヒータ
を設け、基板をリンス時にフタの部分を洗浄し、基板を
乾燥時にフタの部分をヒーターにより乾燥する事により
水滴等が基板へ落下する事を防ぎ装置の稼動率を向上し
あわせて基板の不良を絶無にする事ができるものである
。
も大きくなり水滴の付着面積が増大し水滴量が多くなっ
た。上面フタの部分と表面加工して水滴をつきにくくす
る対策も考えられたが水滴を絶無にする事はできず、定
期的な清掃が必要であった。本発明はこれらの欠点を根
本的に取り除くために考えられたものでフタの部分を洗
浄するノズル及びフタの部分の洗浄液を乾燥するヒータ
を設け、基板をリンス時にフタの部分を洗浄し、基板を
乾燥時にフタの部分をヒーターにより乾燥する事により
水滴等が基板へ落下する事を防ぎ装置の稼動率を向上し
あわせて基板の不良を絶無にする事ができるものである
。
以下、本発明を実施例を基に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す現像装置の図でフタ３
′の上部に取付けられたヒーター５は常時フタ４の内面
を５０℃前後に保ち常時水滴を蒸発させるようになって
いる。さらに、基板の現像後、リンス中にフタの内面、
側面についた現像液のカスは洗浄ノズル６により洗浄さ
れ、基板乾燥時にヒーターの温度を上昇させることによ
りフタの内面の洗浄液を完全に蒸発させる。感光膜とし
てポジレジストを使った場合洗浄液は゛純水が好ましく
乾燥時はフタ内面の温度を８０〜１００℃に上昇させれ
ば極めて短時間で洗浄液は蒸発しもはや基板上に落下す
る事はない。同、第２図において第１図と同じ機能のと
ころは同一の符号で示している。
′の上部に取付けられたヒーター５は常時フタ４の内面
を５０℃前後に保ち常時水滴を蒸発させるようになって
いる。さらに、基板の現像後、リンス中にフタの内面、
側面についた現像液のカスは洗浄ノズル６により洗浄さ
れ、基板乾燥時にヒーターの温度を上昇させることによ
りフタの内面の洗浄液を完全に蒸発させる。感光膜とし
てポジレジストを使った場合洗浄液は゛純水が好ましく
乾燥時はフタ内面の温度を８０〜１００℃に上昇させれ
ば極めて短時間で洗浄液は蒸発しもはや基板上に落下す
る事はない。同、第２図において第１図と同じ機能のと
ころは同一の符号で示している。
以上詳細に説明したように本発明の方法によれば現像時
にフタの内面に付着した現像液を洗昇し乾燥させる事に
よ抄水滴の落下を防ぎかつ装置の清掃頻度を最小にでき
るため極めて有効である。
にフタの内面に付着した現像液を洗昇し乾燥させる事に
よ抄水滴の落下を防ぎかつ装置の清掃頻度を最小にでき
るため極めて有効である。
第１図は従来の現像装置の断面図、第２図は本発明の一
実施例を示す現像装置の断面図であり、図において、１
・・・・−・半導体基板、２．２′・・・・・・スプレ
ィノズル、３，３’・・・・・・上部フタ、４・・・・
・・水滴、５・−・・・ヒーター、６・・・・・・洗浄
ノズルを示す。
実施例を示す現像装置の断面図であり、図において、１
・・・・−・半導体基板、２．２′・・・・・・スプレ
ィノズル、３，３’・・・・・・上部フタ、４・・・・
・・水滴、５・−・・・ヒーター、６・・・・・・洗浄
ノズルを示す。
Claims (1)
- 基板上の感光膜を現像する現像装置において、該基板
の上方に位置するフタの部分を洗浄するノズル及び該フ
タを乾燥するヒーターを具備した事を特徴とする現像装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14810784A JPS6127544A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14810784A JPS6127544A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6127544A true JPS6127544A (ja) | 1986-02-07 |
Family
ID=15445400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14810784A Pending JPS6127544A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127544A (ja) |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14810784A patent/JPS6127544A/ja active Pending
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