JPH0436598B2 - - Google Patents
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- JPH0436598B2 JPH0436598B2 JP60087906A JP8790685A JPH0436598B2 JP H0436598 B2 JPH0436598 B2 JP H0436598B2 JP 60087906 A JP60087906 A JP 60087906A JP 8790685 A JP8790685 A JP 8790685A JP H0436598 B2 JPH0436598 B2 JP H0436598B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はInGaAsP活性層の周囲をInP層で埋め
込んだ埋め込みヘテロ構造半導体レーザに関す
る。
込んだ埋め込みヘテロ構造半導体レーザに関す
る。
埋め込みヘテロ構造半導体レーザ（BH−LD）
は低い発振しきい値電流、安定化した発振横モー
ド、高温動作可能などの優れた特性を有している
ため、光フアイバ通信用光源として注目を集めて
いる。従来の技術として、例えば特願昭56−
166666に示した構造の半導体レーザがある。この
構造は、２本のほぼ平行な溝にはさまれて形成さ
れた発光再結合する活性層を含むメサストライプ
の周囲で確実に電流ブロツク層が形成でき、した
がつて温度特性に優れ、種々の基板処理過程での
ダメージを受けることが少なく製造歩留まりの向
上したInGaAsP／InP BH−LDが提案されてい
る。
は低い発振しきい値電流、安定化した発振横モー
ド、高温動作可能などの優れた特性を有している
ため、光フアイバ通信用光源として注目を集めて
いる。従来の技術として、例えば特願昭56−
166666に示した構造の半導体レーザがある。この
構造は、２本のほぼ平行な溝にはさまれて形成さ
れた発光再結合する活性層を含むメサストライプ
の周囲で確実に電流ブロツク層が形成でき、した
がつて温度特性に優れ、種々の基板処理過程での
ダメージを受けることが少なく製造歩留まりの向
上したInGaAsP／InP BH−LDが提案されてい
る。
しかしながら、この構造のBH−LDでは発光
再結合する活性層を含むメサストライプをはさん
でいる溝の部分においては電流ブロツク層の成長
速度が速く、Ｐ−InP電流ブロツク層、ｎ−InP
電流ブロツク層の積層に際し、特にｎ−InP電流
ブロツク層がメサストライプ上部で連続して成長
してしまうことがあり、歩留りの低下を招いてい
た。
再結合する活性層を含むメサストライプをはさん
でいる溝の部分においては電流ブロツク層の成長
速度が速く、Ｐ−InP電流ブロツク層、ｎ−InP
電流ブロツク層の積層に際し、特にｎ−InP電流
ブロツク層がメサストライプ上部で連続して成長
してしまうことがあり、歩留りの低下を招いてい
た。
本発明の目的は上記の欠点を除去すべく、メサ
ストライプ上部に形成されたｎ−InP電流ブロツ
ク層を、不純物のアウト、拡散によりＰ型領域に
変換せしめ、製造歩留りの大幅に向上したBH−
LDを提供することにある。
ストライプ上部に形成されたｎ−InP電流ブロツ
ク層を、不純物のアウト、拡散によりＰ型領域に
変換せしめ、製造歩留りの大幅に向上したBH−
LDを提供することにある。
本発明によれば、第１導電型半導体基板上に少
くとも活性層を含む半導体多層膜を成長させた多
層膜構造半導体ウエハアを活性層よりも深い２本
の平行な溝によりメサストライプを形成した後埋
め込み成長してなる埋め込みヘテロ構造半導体レ
ーザにおいて、前記発光再結合する活性層を含む
メサストライプの上面のみ除いて第２導電型半導
体電流ブロツク層、第１導電型半導体ブロツク層
が順次積層され、さらに、前記第１導電型半導体
ブロツク層の一部が不純物の固相拡散により前記
第２導電型領域に変換させるような高濃度の前記
不純物をドープした第２導電型半導体埋め込み層
が積層されてなることを特徴とする埋め込みヘテ
ロ構造半導体レーザが得られる。
くとも活性層を含む半導体多層膜を成長させた多
層膜構造半導体ウエハアを活性層よりも深い２本
の平行な溝によりメサストライプを形成した後埋
め込み成長してなる埋め込みヘテロ構造半導体レ
ーザにおいて、前記発光再結合する活性層を含む
メサストライプの上面のみ除いて第２導電型半導
体電流ブロツク層、第１導電型半導体ブロツク層
が順次積層され、さらに、前記第１導電型半導体
ブロツク層の一部が不純物の固相拡散により前記
第２導電型領域に変換させるような高濃度の前記
不純物をドープした第２導電型半導体埋め込み層
が積層されてなることを特徴とする埋め込みヘテ
ロ構造半導体レーザが得られる。
以下図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明の実施例であるInGaAsP BH
−LDの断面図を示す。このようなBH−LDを作
製するには次のようにすればよい。まず（100）
ｎ−InP基板１上にｎ−InPバツフア層２
InGaAsP活性層、3P−InPクラツド層４を順次積
層された多層膜構造半導体ウエハーにＤ１１方向
に平行にInGaAsP活性層３よりも深くメサエツ
チングして幅5μm、深さ2μmの２本の平行な溝３
０，３１を作り、それにより発光再結合する活性
層を含む幅2μmのメサストライプ１０を形成す
る。このようにして得られた半導体基板上にＰ−
InP電流ブロツク層５、ｎ−InP電流ブロツク層、
６をメサ上面のみ除いて、積層させ、さらにZn
を1018／cm3以上ドープしたＰ−InP埋め込み層、
7P−InGaAsP電極層８を全面にわたつて成長さ
せ、目的のBH−LDが得られる。
−LDの断面図を示す。このようなBH−LDを作
製するには次のようにすればよい。まず（100）
ｎ−InP基板１上にｎ−InPバツフア層２
InGaAsP活性層、3P−InPクラツド層４を順次積
層された多層膜構造半導体ウエハーにＤ１１方向
に平行にInGaAsP活性層３よりも深くメサエツ
チングして幅5μm、深さ2μmの２本の平行な溝３
０，３１を作り、それにより発光再結合する活性
層を含む幅2μmのメサストライプ１０を形成す
る。このようにして得られた半導体基板上にＰ−
InP電流ブロツク層５、ｎ−InP電流ブロツク層、
６をメサ上面のみ除いて、積層させ、さらにZn
を1018／cm3以上ドープしたＰ−InP埋め込み層、
7P−InGaAsP電極層８を全面にわたつて成長さ
せ、目的のBH−LDが得られる。
本発明の実施例においてはＰ−InP埋め込み層
にZnのような熱拡散しやすい不純物を高濃度に
ドープすることにより、従来例のようにｎ−InP
電流ブロツク層がメサストライプ上に積層して
も、成長過程で、Ｐ−InP埋め込み層のZn不純物
がｎ−InP電流ブロツク層中に熱拡散して、Ｐ領
域に変換される。したがつて、メサストライプ部
分に電流が流れなくなるという欠点が除去される
ため、製造歩留りが大幅に向上した。このような
BH−LDにおいて、１枚のウエハー内で発振し
きい値電流が10〜20mA、微分量子効率が50〜60
％というレーザが均一に得られ、またウエハー間
のバラツキも小さく、BH−LDの特性上の再現
性、製作歩留りが大幅に向上した。
にZnのような熱拡散しやすい不純物を高濃度に
ドープすることにより、従来例のようにｎ−InP
電流ブロツク層がメサストライプ上に積層して
も、成長過程で、Ｐ−InP埋め込み層のZn不純物
がｎ−InP電流ブロツク層中に熱拡散して、Ｐ領
域に変換される。したがつて、メサストライプ部
分に電流が流れなくなるという欠点が除去される
ため、製造歩留りが大幅に向上した。このような
BH−LDにおいて、１枚のウエハー内で発振し
きい値電流が10〜20mA、微分量子効率が50〜60
％というレーザが均一に得られ、またウエハー間
のバラツキも小さく、BH−LDの特性上の再現
性、製作歩留りが大幅に向上した。
本発明の特徴は、メサストライプ上に積層した
ｎ−InP電流ブロツク層をその上に成長するＰ−
InP埋め込み層中のZn不純物の固相拡散によりＰ
型領域に変換せしめることである。したがつて高
性能なBH−LDの製造歩留りを大幅に改善する
ことができた。
ｎ−InP電流ブロツク層をその上に成長するＰ−
InP埋め込み層中のZn不純物の固相拡散によりＰ
型領域に変換せしめることである。したがつて高
性能なBH−LDの製造歩留りを大幅に改善する
ことができた。
尚、Ｐ−InP埋め込み層中に添加するZn又は
Mg濃度が1018／cm3以上必要な理由は、結晶成長
温度が600〜650℃範囲で不純物の固相拡散を有効
と活用するために必要な濃度であり実験結果では
1018／cm3を境いとして良否がはつきりした。
Mg濃度が1018／cm3以上必要な理由は、結晶成長
温度が600〜650℃範囲で不純物の固相拡散を有効
と活用するために必要な濃度であり実験結果では
1018／cm3を境いとして良否がはつきりした。
第１図は本発明のBH−LDの断面図である。
１……ｎ形InP基板、２……ｎ形InPバツフア
層、３……InGaAsP活性層、４……Ｐ形InPクラ
ツド層、５……Ｐ形InPブロツク層、６……ｎ形
InPブロツク層、７……Ｐ形InP埋め込み層、８
……Ｐ形InGaAsPキヤツプ層、１０……メサス
トライプ、３０および３１……互いに平行な溝、
３ｍ……メサストライプ１０中の活性層光導波
路、４ｍ……Ｐ形InPクラツド層メサ部、２０…
…Ｐ側電極、２１……ｎ型電極である。
層、３……InGaAsP活性層、４……Ｐ形InPクラ
ツド層、５……Ｐ形InPブロツク層、６……ｎ形
InPブロツク層、７……Ｐ形InP埋め込み層、８
……Ｐ形InGaAsPキヤツプ層、１０……メサス
トライプ、３０および３１……互いに平行な溝、
３ｍ……メサストライプ１０中の活性層光導波
路、４ｍ……Ｐ形InPクラツド層メサ部、２０…
…Ｐ側電極、２１……ｎ型電極である。
１ 銅、アルミニウム、鉄、ニツケル、クロムも
しくは亜鉛の単体金属またはこれらの合金からな
る導電性金属箔帯で構成された導電回路パターン
を水溶性接着剤を塗布した転写用台紙上に、少な
くとも熱酸化で消失機能を有する合成樹脂からな
るオーバーコート層を介して一体化した回路パタ
ーン転写紙を用いてその転写紙からホーロ基板に
前記回路パターンを転写、ホーロ基板を構成する
ガラス層が軟化流動する温度以上で、加熱するこ
とにより、前記オーバーコート層が熱消失すると
ともに、前記基板上に導電回路を形成することを
特徴とする導電回路の形成法。
しくは亜鉛の単体金属またはこれらの合金からな
る導電性金属箔帯で構成された導電回路パターン
を水溶性接着剤を塗布した転写用台紙上に、少な
くとも熱酸化で消失機能を有する合成樹脂からな
るオーバーコート層を介して一体化した回路パタ
ーン転写紙を用いてその転写紙からホーロ基板に
前記回路パターンを転写、ホーロ基板を構成する
ガラス層が軟化流動する温度以上で、加熱するこ
とにより、前記オーバーコート層が熱消失すると
ともに、前記基板上に導電回路を形成することを
特徴とする導電回路の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8790685A JPS61247084A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8790685A JPS61247084A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247084A JPS61247084A (ja) | 1986-11-04 |
| JPH0436598B2 true JPH0436598B2 (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=13927951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8790685A Granted JPS61247084A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61247084A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0690063A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-03-29 | Toyota Motor Corp | 半導体レーザー |
| JP2973794B2 (ja) * | 1993-09-24 | 1999-11-08 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体レーザー |
| EP1051783B1 (de) | 1998-01-30 | 2002-01-09 | Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG | Halbleiterlaser-chip |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200484A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-13 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP8790685A patent/JPS61247084A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61247084A (ja) | 1986-11-04 |
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