JPS61276328A - 常圧式気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハー上へケイ酸ガラス又はリンケイ
酸ガラス等の膜形成を行う、常圧式気相成長装置に関す
るものである。

〔従来の技術〕

この種の常圧式気相成長装置は第２図に示すようにディ
スツヤ−ジョンへ、ド４から反応ガスを供給しつつウェ
ハーをトレー５にて支えて連続的に通過させることによ
り、トレー上のウェハーに膜形成をしている。膜形成の
際には成長温度を監視する必要がある。ところで、膜形
成温度はヒーター６による直接の影響を受けるので、従
来、温度の監視はヒーターの温度の表示、或いは、トレ
一温度の実測による程度である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、実際の成長温度は当然ながら、ディス・
ぐ−ジョンヘッドの温度にも依存しておシ、ディスフ４
−シロンヘッドの温度の上、下によシディスノや一ジョ
ン□へ、ド内を流れるガスの温度が上、下し、それに従
い実際の成長温度も上下する。

実際の成長温度が上下した場合、リンケイ酸ガラスの成
長管例にとると、成長膜中のリン濃度応力及び膜厚が変
化し、これによシ製造した半導体装置の品質及び特性に
影響を及ぼす。

従来の連続式常圧気相成長装置においては、上。

記ディスバージ目ンへ、ドの温度を直接測定する機構が
なく、製造した半導体装置の品質及び特性が変動する可
能性があった。

本発明は前記問題点を解消するもので、ディスパージ璽
ンヘッドの温度監視を可能にした装置を提供するもので
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明はディスノクージ璽ンヘッドから反応ガスを供給
しつつその下部に９エバーをトレーにて支えて通過させ
ることにより、ウェハーに膜形成を行う常圧式気相成長
装置において、前記ディスパージョンヘッドに温度セン
サを設置したことを特徴とする常圧式気相成長装置であ
る。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図によって説明する。

本発明に２おいても第２図のようにディスフ４−ジ璽ン
ヘッド４から反応ガスを供給しつつその下部にクエハー
をトレー５にて支えて通過させるとと忙よシ、ウェハー
上に膜形成を行う構成は従来と同じである。

第１因において、本発明はディスパージョンヘッド４に
温度測定用熱電対１．・−−−−−１−埋め込み、該熱
電対１にてディスノ！−ジ薗ンヘッド４の温度監視を行
うものである。２はガス導入・母イブ、３は冷却水出入
パイプである。

実施例において、ディスパージョンへ、ド４に埋め込ま
れた熱電対１によシ、ディスＩＪ？−ジ菅ンヘッド４の
温度を表示させることが可能であシ、ヘッド４の温度の
上限、下限を設定し、その温度を熱電対１にて監視し、
その出力にて警報を出すことも可能となる。

本実施例ではトレー下部のヒーター６の温度監視及びト
レ一温度の実測に加えて、へ、ド４の温度監視を行うこ
とが可能になシ、成長温度の監視を有効に行うことがで
きる。

〔発明の効果〕

本発明の常圧気相成長装置によると、ディスパージョン
ヘッドの温度監視を行うことができ、トレー下部のヒー
タ一温度の監視及びトレ一温度の実測とあわせて、成長
温度の監視を行うことによシひいては、製造した半導体
装置の品質及び特性を向上できる効果を有するものであ
る。。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すディスパージ璽ンヘッ
ドの概略図、・第２図は従来の連続式常圧気相成長装置
の概略図である。 ｌ・・・熱電対（温度センサ）、２・・・ガス導入バイ
ア”、３−・・冷却水出入パイプ、４・・・ディスパー
ジョンへ、ド、５・・・トレー、６・・・ヒーター。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ディスパージョンヘッドから反応ガスを供給しつ
   つその下部にウェハーをトレーにて支えて通過させるこ
   とにより、ウェハーに膜形成を行う常圧式気相成長装置
   において、前記ディスパージョンヘッドに温度センサを
   設置したことを特徴とする常圧式気相成長装置。