JPS61277226A - スイツチング半導体素子の駆動回路 - Google Patents
スイツチング半導体素子の駆動回路Info
- Publication number
- JPS61277226A JPS61277226A JP60118827A JP11882785A JPS61277226A JP S61277226 A JPS61277226 A JP S61277226A JP 60118827 A JP60118827 A JP 60118827A JP 11882785 A JP11882785 A JP 11882785A JP S61277226 A JPS61277226 A JP S61277226A
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- JP
- Japan
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- voltage
- terminal
- switching semiconductor
- diode bridge
- phase diode
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スイッチング半導体素子の駆動回路に係シ、
特にスイッチ部と信号部の電気的なフローティングに好
適なスイッチング半導体素子の駆動回路に関する。
特にスイッチ部と信号部の電気的なフローティングに好
適なスイッチング半導体素子の駆動回路に関する。
従来のスイッチング半導体素子の駆動回路として、スイ
ッチング半導体素子を信号系電源からフローティングす
るために２個のコンデンサを用い、これらに互いに逆位
相の対称形方形波を印加してこれを整流し、スイッチ半
導体素子の駆動電圧を得る方式があった。
ッチング半導体素子を信号系電源からフローティングす
るために２個のコンデンサを用い、これらに互いに逆位
相の対称形方形波を印加してこれを整流し、スイッチ半
導体素子の駆動電圧を得る方式があった。
しかし、この駆動電圧は、信号系電源電圧以上の値は得
られないという問題があった。尚、コンデンサによるフ
ローティング駆動回路を詳しく述べである特許の例とし
て、米国特許第４１７０７４０号がある。
られないという問題があった。尚、コンデンサによるフ
ローティング駆動回路を詳しく述べである特許の例とし
て、米国特許第４１７０７４０号がある。
本発明の目的は、制御系電源に対してスイッチング半導
体素子をフローティングとし、かつフローティング忙よ
シ得られる駆動電圧を制御系電源電圧値に制限されず、
よシ高い電圧を容易に得ることのできるスイッチング半
導体素子の駆動回路を提供することにある。
体素子をフローティングとし、かつフローティング忙よ
シ得られる駆動電圧を制御系電源電圧値に制限されず、
よシ高い電圧を容易に得ることのできるスイッチング半
導体素子の駆動回路を提供することにある。
本発明者らは、２個のコンデンサを介して、制御系電源
に対しフローティングの直流電圧を得る場合、得られる
直流電圧が、制御系電源電圧以上にできないことを実験
によシ確認した。
に対しフローティングの直流電圧を得る場合、得られる
直流電圧が、制御系電源電圧以上にできないことを実験
によシ確認した。
本発明の特徴とするところは、前述したフローティング
回路部分を多重化することによって、高い直流電圧を得
られるようにしたことにある。
回路部分を多重化することによって、高い直流電圧を得
られるようにしたことにある。
以下、第１図により本発明の一実施例を説明する。
端子ｉｔｔを制御系電源電圧端子としたインバータ回路
１０９の入力側には、コンデンサ１０１の一端とコンデ
ンサ１０３の一端が接続され、インバータ回路１０９の
出が１には、コンデンサ１０２の一端とコンデンサ１０
４の一端が接続されておシ、前記コンデンサ１０１の他
端とコンデンサ１０２の他端が、単相ダイオードブリッ
ジ１０５の交流入力端子に接続され、直流出力端子間に
は抵抗器１０７が並列接続されている。また、前記コン
デンサ１０３の他端とコンデンサ１０４の他端が、単相
ダイオードブリッジＬＯ６の交流入力端子に接続され、
直流出力端子間には抵抗器１０８が並列接続され、前記
単相ダイオードブリッジｌＯ５の負電圧出力端子と前記
単相ダイオードブリッジ１０６の正電圧出力端子が接続
されている。そして、前記単相ダイオードブリッジ１０
５の正電圧出力端子（高電位側端子）とｎチャネル形Ｍ
ＯＳトランジスタ１１９のゲートＧとが接続され、前記
単相ダイオードブリッジ１０６の負電圧出力端子（低電
位側端子）が、前記ｎチャネル形ＭＯ８）ランジスタ１
１９のソースＳとが接続されている。尚、１２０，１２
１はドレイン、ソース端子である。
１０９の入力側には、コンデンサ１０１の一端とコンデ
ンサ１０３の一端が接続され、インバータ回路１０９の
出が１には、コンデンサ１０２の一端とコンデンサ１０
４の一端が接続されておシ、前記コンデンサ１０１の他
端とコンデンサ１０２の他端が、単相ダイオードブリッ
ジ１０５の交流入力端子に接続され、直流出力端子間に
は抵抗器１０７が並列接続されている。また、前記コン
デンサ１０３の他端とコンデンサ１０４の他端が、単相
ダイオードブリッジＬＯ６の交流入力端子に接続され、
直流出力端子間には抵抗器１０８が並列接続され、前記
単相ダイオードブリッジｌＯ５の負電圧出力端子と前記
単相ダイオードブリッジ１０６の正電圧出力端子が接続
されている。そして、前記単相ダイオードブリッジ１０
５の正電圧出力端子（高電位側端子）とｎチャネル形Ｍ
ＯＳトランジスタ１１９のゲートＧとが接続され、前記
単相ダイオードブリッジ１０６の負電圧出力端子（低電
位側端子）が、前記ｎチャネル形ＭＯ８）ランジスタ１
１９のソースＳとが接続されている。尚、１２０，１２
１はドレイン、ソース端子である。
インバータ回路１０９０入力端子１１０に高周波の対称
方形波電圧であるクロック信号が入力されると、インバ
ータ回路１０９の出力電圧は、入力信号と１８０°位相
の異なる方形波電圧が現われる。これらの入力側電圧と
出力側電圧が、各々コンデンサ１０１とコンデンサ１０
２に印加され。
方形波電圧であるクロック信号が入力されると、インバ
ータ回路１０９の出力電圧は、入力信号と１８０°位相
の異なる方形波電圧が現われる。これらの入力側電圧と
出力側電圧が、各々コンデンサ１０１とコンデンサ１０
２に印加され。
これらコンデンサ１０１とコンデンサ１０２には単相ダ
イオードブリッジｌＯ５と抵抗器１０７を介して充放電
電流が流れる。この時、抵抗器１０７０両端には、端子
１１３を正とした直流電圧が得られる。同様に抵抗器１
０８の両端にも、コンデンサ１０３とコンデンサ１０４
に充放電電流が流れるために、この充放電電流が、単相
ダイオードブリッジ１０６によシ整流されて、端子１１
４を正とした直流電圧が発生する。
イオードブリッジｌＯ５と抵抗器１０７を介して充放電
電流が流れる。この時、抵抗器１０７０両端には、端子
１１３を正とした直流電圧が得られる。同様に抵抗器１
０８の両端にも、コンデンサ１０３とコンデンサ１０４
に充放電電流が流れるために、この充放電電流が、単相
ダイオードブリッジ１０６によシ整流されて、端子１１
４を正とした直流電圧が発生する。
以上の動作によシ、ｎチャネル形Ｍｏｓト；＞ンジスタ
１１９のゲートＧとソースＳ１閾には、抵抗器１０７と
抵抗器ｌＯ８の各々の両端電圧の和の直流電圧が現われ
％ｎチャネル形ＭＯ８）ランジスタ１１９をオンさせる
。
１１９のゲートＧとソースＳ１閾には、抵抗器１０７と
抵抗器ｌＯ８の各々の両端電圧の和の直流電圧が現われ
％ｎチャネル形ＭＯ８）ランジスタ１１９をオンさせる
。
今、クロック信号の周波数をｆ、コンデンサ１０１．１
０２，１０３，１０４のキャパシタンス容量を各々Ｃ１
抵抗器１０７，１０８の抵抗値を各々几、インバータ回
路１０９の電源電圧をＶ ｃ ｃ ｓ抵抗器１０７，１
０８の両端電圧を各々ＶｏとすればｓＶｏは次式で与え
られる。
０２，１０３，１０４のキャパシタンス容量を各々Ｃ１
抵抗器１０７，１０８の抵抗値を各々几、インバータ回
路１０９の電源電圧をＶ ｃ ｃ ｓ抵抗器１０７，１
０８の両端電圧を各々ＶｏとすればｓＶｏは次式で与え
られる。
ここで、キャパシタンス容量Ｃを
と選べば、（１）式よシ
Ｖ ｏ ”＝ Ｖｃ ｃ ＝（３
）とな＃、（３）式で与えられる電圧が、２個のコンデ
ンサによって得ることのできる最大値である。
）とな＃、（３）式で与えられる電圧が、２個のコンデ
ンサによって得ることのできる最大値である。
また、ｎチャネル形ＭＯ８）ランジスタ１１９のゲート
ＧとソースＳ間には、（１）式で与えられる電圧の２倍
の直流電圧が印加される。
ＧとソースＳ間には、（１）式で与えられる電圧の２倍
の直流電圧が印加される。
本実施例によれば、フローティングで高い直流電圧を得
ることができるので、ＭＯＳトランジスタ１１９０オン
抵抗を下げるという効果があり０また１本実施例の考え
方によシ、コンデンサフローティング回路をｎ個の多重
に直列接続とすれば、次式の直流電圧Ｖｏｏ が得ら
れることは言うまでもない。
ることができるので、ＭＯＳトランジスタ１１９０オン
抵抗を下げるという効果があり０また１本実施例の考え
方によシ、コンデンサフローティング回路をｎ個の多重
に直列接続とすれば、次式の直流電圧Ｖｏｏ が得ら
れることは言うまでもない。
第２図は、本発明の他の実施例を示したもので。
第１図と異なるのは、単相ダイオードブリッジ１０５の
正電圧出力端子（高電位側端子ンとＰチャネル形ＭＯ８
）ランラスタ１２３０ソース８とが接続され、単相ダイ
オードブリッジ１０６の負電圧出力端子（低電位側端子
ンが、前記Ｐチャネル形ＭＯ８）ランジスタ１２３のゲ
ートＧとが接続されている点である。
正電圧出力端子（高電位側端子ンとＰチャネル形ＭＯ８
）ランラスタ１２３０ソース８とが接続され、単相ダイ
オードブリッジ１０６の負電圧出力端子（低電位側端子
ンが、前記Ｐチャネル形ＭＯ８）ランジスタ１２３のゲ
ートＧとが接続されている点である。
本実施例によれば、Ｐチャネル形ＭＯＳトランジスタに
も７０−ティング駆動の適用が可能であり、高圧回路等
での正電圧側に接続されるＰチャネル形ＭＯＳトランジ
スタの駆動が、負電圧側で容易に駆動できる。
も７０−ティング駆動の適用が可能であり、高圧回路等
での正電圧側に接続されるＰチャネル形ＭＯＳトランジ
スタの駆動が、負電圧側で容易に駆動できる。
また、スイッチング半導体素子としてＭＯＳトランジス
タに限らず、バイポーラトランジスタ及びサイリスタを
用いた本発明の実施によっても、バイポーラトランジス
タ及びサイリスタのフローティング駆動が可能であろう 〔発明の効果〕 本発明によれば、制御系電源電圧に制限されることなく
、フローティングの高いスイッチング半導体素子の駆動
電圧を得ることができるので、効率の良いスイッチング
が可能となる。
タに限らず、バイポーラトランジスタ及びサイリスタを
用いた本発明の実施によっても、バイポーラトランジス
タ及びサイリスタのフローティング駆動が可能であろう 〔発明の効果〕 本発明によれば、制御系電源電圧に制限されることなく
、フローティングの高いスイッチング半導体素子の駆動
電圧を得ることができるので、効率の良いスイッチング
が可能となる。
第１図は本発明の一実施例を説明する回路図。
第２図は１本発明の他の実施例を説明する回路図である
。 １０１．１０２，１０３，１０４・・・コンデンサ、１
０５．１０６・・・単相ダイオードブリッジ。 １０７．１０８・・・抵抗器、１０９・・・インバータ
回路、１１９・・・ｎチャネル形ＭＯＳトランジスタ。 １２３・・・Ｐチャネル形ＭＯ８）ツンジスタ。
。 １０１．１０２，１０３，１０４・・・コンデンサ、１
０５．１０６・・・単相ダイオードブリッジ。 １０７．１０８・・・抵抗器、１０９・・・インバータ
回路、１１９・・・ｎチャネル形ＭＯＳトランジスタ。 １２３・・・Ｐチャネル形ＭＯ８）ツンジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、インバータの入力、出力端子がコンデンサを介して
複数の単相ダイオードブリッジの入力端子と接続され、
各単相ダイオードブリッジの出力端子間に抵抗が接続さ
れるとともに、各単相ダイオードブリッジの出力端子は
直列接続され、直列接続された単相ダイオードブリッジ
の高電位側端子、低電位側端子が、スイッチング半導体
素子の制御端子、一方の主端子に接続されていることを
特徴とするスイッチング半導体素子の駆動回路。 ２、特許請求の範囲第１項において、スイッチング半導
体素子はｎチャネル形ＭＯＳトランジスタであり、その
ゲート、ソースが直列接続された単相ダイオードブリッ
ジの高電位側端子、低電位側端子とそれぞれ接続されて
いることを特徴とするスイッチング半導体素子の駆動回
路。 ３、特許請求の範囲第１項において、スイッチング半導
体素子はＰチャネル形ＭＯＳトランジスタであり、その
ゲート、ソースが、直列接続された単相ダイオードブリ
ッジの低電位側端子、高電位側端子とそれぞれ接続され
ていることを特徴とするスイッチング半導体素子の駆動
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118827A JPH07107974B2 (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | スイツチング半導体素子の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118827A JPH07107974B2 (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | スイツチング半導体素子の駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61277226A true JPS61277226A (ja) | 1986-12-08 |
| JPH07107974B2 JPH07107974B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=14746131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118827A Expired - Lifetime JPH07107974B2 (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | スイツチング半導体素子の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107974B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55136720A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-24 | Nec Corp | Solidstate alternating current switch |
| JPS5846724A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体スイツチング素子のドライブ回路 |
-
1985
- 1985-06-03 JP JP60118827A patent/JPH07107974B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55136720A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-24 | Nec Corp | Solidstate alternating current switch |
| JPS5846724A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体スイツチング素子のドライブ回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07107974B2 (ja) | 1995-11-15 |
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