JPS6127813B2 - - Google Patents
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- JPS6127813B2 JPS6127813B2 JP52101556A JP10155677A JPS6127813B2 JP S6127813 B2 JPS6127813 B2 JP S6127813B2 JP 52101556 A JP52101556 A JP 52101556A JP 10155677 A JP10155677 A JP 10155677A JP S6127813 B2 JPS6127813 B2 JP S6127813B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、情報の記録用部材に関するもので、
所定の基板上に設けられた薄膜にたとえばレーザ
光などのエネルギービームを照射して照射部分に
孔を形成し、情報の記録を行なうに適した部材を
提供するものである。
所定の基板上に設けられた薄膜にたとえばレーザ
光などのエネルギービームを照射して照射部分に
孔を形成し、情報の記録を行なうに適した部材を
提供するものである。
従来、薄膜にたとえばレーザ光（場合によつて
は電子ビーム）などのエネルギービームを照射し
て照射部分に孔を形成し、記録を行なう場合の薄
膜を構成する材料のうち、光ビデオデイスクに使
用可能なものとして、As−Te系非晶質などが知
られている。しかし、これらの材料は、毒性が強
く、電気抵抗が高いので、帯電しやすく、ビデオ
デイスクの使用環境によつては使用不能となる。
は電子ビーム）などのエネルギービームを照射し
て照射部分に孔を形成し、記録を行なう場合の薄
膜を構成する材料のうち、光ビデオデイスクに使
用可能なものとして、As−Te系非晶質などが知
られている。しかし、これらの材料は、毒性が強
く、電気抵抗が高いので、帯電しやすく、ビデオ
デイスクの使用環境によつては使用不能となる。
したがつて本発明の目的は上記した従来技術の
欠点をなくし、極めて微細な孔の形成を行なつて
も孔の形状の乱れがなく、帯電によるゴミの付着
が起こりにくく、また、毒性が低く長期間安定な
情報の記録用部材を提供することにある。
欠点をなくし、極めて微細な孔の形成を行なつて
も孔の形状の乱れがなく、帯電によるゴミの付着
が起こりにくく、また、毒性が低く長期間安定な
情報の記録用部材を提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明において
は、記録用部材は、少なくとも基板側に記録層と
してAu層を、表面側に反射防止層を配置し、か
つ上記記録層と反射防止層との間に１〜5nｍの
厚みのPdからなる金属層を設けたことを特徴と
する。またAu層と基板との間にCrなどの接着性
改良層を設けることもできる。
は、記録用部材は、少なくとも基板側に記録層と
してAu層を、表面側に反射防止層を配置し、か
つ上記記録層と反射防止層との間に１〜5nｍの
厚みのPdからなる金属層を設けたことを特徴と
する。またAu層と基板との間にCrなどの接着性
改良層を設けることもできる。
本発明者の実験によれば、光ビデオデイスクな
どの、極めて高密度の孔によつて記録を行なう方
式の場合には、孔の形状が整つていることが、高
い信号対雑音比を得るために極めて重要である。
同一の記録用部材に記録を行なう場合でも、孔の
大きさが小さい（一般に0.5〜1.2μｍ程度の短径
のものを用いている。）ほど、孔の形状の乱れ
が、信号対雑音比に重大な影響を与えるようにな
る。すなわち、孔の形状の乱れは、集束したエネ
ルギービームによつてエネルギービーム照射部分
の記録用部材に蒸発および周辺への移動を起こさ
せる際、記録用部材の一部が玉状になつて残つた
りすることによつて起こることが多い。これらの
残留物の大きさは、孔の大きさが小さくなつて
も、それほど小さくならないので、孔が小さくな
るほど、孔に対する相対的な大きさが大きくな
り、悪影響を及ぼすようになる。
どの、極めて高密度の孔によつて記録を行なう方
式の場合には、孔の形状が整つていることが、高
い信号対雑音比を得るために極めて重要である。
同一の記録用部材に記録を行なう場合でも、孔の
大きさが小さい（一般に0.5〜1.2μｍ程度の短径
のものを用いている。）ほど、孔の形状の乱れ
が、信号対雑音比に重大な影響を与えるようにな
る。すなわち、孔の形状の乱れは、集束したエネ
ルギービームによつてエネルギービーム照射部分
の記録用部材に蒸発および周辺への移動を起こさ
せる際、記録用部材の一部が玉状になつて残つた
りすることによつて起こることが多い。これらの
残留物の大きさは、孔の大きさが小さくなつて
も、それほど小さくならないので、孔が小さくな
るほど、孔に対する相対的な大きさが大きくな
り、悪影響を及ぼすようになる。
本発明者は、Auが、整つた形状の孔を形成で
き、安定であり、毒性が低く、実用性のある強度
のレーザ光で記録が行なえるという条件を満たす
唯一の金属であることを見出した。しかし、Au
の融点は1063℃と高いので、本発明者が、先に、
整つた形状の孔を形成できることを見出したAs
−Te系材料、Asを少量含むAs−Se系材料などに
比べて、単層膜では15倍程度の記録レーザパワー
を要する。このレーザパワーを低くするには、
Au膜の上に反射防止膜を設けることが有効であ
るが孔の形状を乱さずに反射防止膜を設けること
は容易ではなく、反射防止膜の組成および膜厚を
適当に選択しなければならない。本発明者が詳細
に検討した結果、反射防止膜の組成として最適な
ものはGeO2であつて、次いでCe、La、Nb、
Mn、Tc、Re、およびNdの酸化物が好ましく、
さらに、Sb、Bi、Teの酸化物も使用可能であ
る。GeO2は非晶質になりやすく、蒸着しやすい
という長所を持つ。さらに、Sbを原子数パーセ
ントで５パーセント以上35パーセント以下、より
好ましくは11パーセント以上29パーセント以下含
むSb−Ｓ系材料も適当であつた。反射防止膜と
して特に効果のある膜厚範囲は20nｍ以上50nｍ
以下の範囲であつたが、Auを膜を用いる場合に
は孔の形状が乱れにくいので、反射防止膜に同時
に孔の形状を整える効果を期待する必要はなく、
膜厚は5nｍ以上20nｍ未満の範囲でも、ある程度
の効果がある。
き、安定であり、毒性が低く、実用性のある強度
のレーザ光で記録が行なえるという条件を満たす
唯一の金属であることを見出した。しかし、Au
の融点は1063℃と高いので、本発明者が、先に、
整つた形状の孔を形成できることを見出したAs
−Te系材料、Asを少量含むAs−Se系材料などに
比べて、単層膜では15倍程度の記録レーザパワー
を要する。このレーザパワーを低くするには、
Au膜の上に反射防止膜を設けることが有効であ
るが孔の形状を乱さずに反射防止膜を設けること
は容易ではなく、反射防止膜の組成および膜厚を
適当に選択しなければならない。本発明者が詳細
に検討した結果、反射防止膜の組成として最適な
ものはGeO2であつて、次いでCe、La、Nb、
Mn、Tc、Re、およびNdの酸化物が好ましく、
さらに、Sb、Bi、Teの酸化物も使用可能であ
る。GeO2は非晶質になりやすく、蒸着しやすい
という長所を持つ。さらに、Sbを原子数パーセ
ントで５パーセント以上35パーセント以下、より
好ましくは11パーセント以上29パーセント以下含
むSb−Ｓ系材料も適当であつた。反射防止膜と
して特に効果のある膜厚範囲は20nｍ以上50nｍ
以下の範囲であつたが、Auを膜を用いる場合に
は孔の形状が乱れにくいので、反射防止膜に同時
に孔の形状を整える効果を期待する必要はなく、
膜厚は5nｍ以上20nｍ未満の範囲でも、ある程度
の効果がある。
反射防止膜は確かにレーザパワーを低くするの
に効果があるが、記録用レーザ光の波長と読出し
用レーザ光の波長とは通常それほど差がないの
で、反射防止膜は読出し光の反射率をも低下させ
る。Auの場合にはもともと反射率が低いので、
この反射率低下は、実用上画質を低下させるなど
の障害となる。
に効果があるが、記録用レーザ光の波長と読出し
用レーザ光の波長とは通常それほど差がないの
で、反射防止膜は読出し光の反射率をも低下させ
る。Auの場合にはもともと反射率が低いので、
この反射率低下は、実用上画質を低下させるなど
の障害となる。
上記の反射率低下を防いで、かつ記録に要する
レーザ光パワーを上昇させないためには、Au層
の上にAuよりも反射率の高い金属を薄く被着す
るのがよいことがわかつた。薄い金属層を被着す
ることによつて反射が増して、かつ吸収が減少し
にくいのは、Au層と基板との界面から反射して
光源側に戻る光を、上記の薄い金属層が反射して
Au層の方に戻してやるためであると考えられ
る。
レーザ光パワーを上昇させないためには、Au層
の上にAuよりも反射率の高い金属を薄く被着す
るのがよいことがわかつた。薄い金属層を被着す
ることによつて反射が増して、かつ吸収が減少し
にくいのは、Au層と基板との界面から反射して
光源側に戻る光を、上記の薄い金属層が反射して
Au層の方に戻してやるためであると考えられ
る。
上記の薄い金属層を構成する金属として特に好
ましいものはPdであつた。Pdは毒性が低く、真
空蒸着によつて容易に膜を形成できる。
ましいものはPdであつた。Pdは毒性が低く、真
空蒸着によつて容易に膜を形成できる。
上記の薄い金属層の好ましい膜厚は、1nｍ以
上13nｍ以下の範囲、より好ましい膜厚は3nｍ以
上9nｍ以下の範囲であつた。
上13nｍ以下の範囲、より好ましい膜厚は3nｍ以
上9nｍ以下の範囲であつた。
Auを含む層の好ましい膜厚は、10nｍ以上30n
ｍ以下の範囲、より好ましくは12nｍ以上18nｍ
以下の範囲であつた。
ｍ以下の範囲、より好ましくは12nｍ以上18nｍ
以下の範囲であつた。
記録用部材の全体の膜厚は、15nｍ以上40nｍ
以下の範囲が好ましい。各部分の膜厚および全体
の膜厚が上記の範囲を外れると、孔の形状が照射
エネルギービームのパターンに忠実でなくなり、
良好な再生信号が得られない。
以下の範囲が好ましい。各部分の膜厚および全体
の膜厚が上記の範囲を外れると、孔の形状が照射
エネルギービームのパターンに忠実でなくなり、
良好な再生信号が得られない。
本発明の情報の記録用部材は、微細なパターン
を形成できるという性質を持つので、上記情報の
記録用部材に書込まれた情報を用いて、直接上記
部材から情報を読出すという用い方の外、上記情
報の記録用部材に凹凸の形で書込まれた情報を、
凹凸のレプリカを形成して複写して用いる用い
方、および、上記の、情報を記録された記録用部
材を、エツチングまたは露光のマスクとして用
い、上記部材に隣接して設けられた、たとえばフ
オトレジスト層に凹部を形成し、大きな凹部の段
差を得て、これからレプリカを形成する用い方が
ある。またその他、ICのフオトレジスト露光用
マスクを形成することもできるし、微細なパター
ンを持つ導電や、エツチングや拡散、またはイオ
ン打込みのマスクとして用いることも可能であ
る。
を形成できるという性質を持つので、上記情報の
記録用部材に書込まれた情報を用いて、直接上記
部材から情報を読出すという用い方の外、上記情
報の記録用部材に凹凸の形で書込まれた情報を、
凹凸のレプリカを形成して複写して用いる用い
方、および、上記の、情報を記録された記録用部
材を、エツチングまたは露光のマスクとして用
い、上記部材に隣接して設けられた、たとえばフ
オトレジスト層に凹部を形成し、大きな凹部の段
差を得て、これからレプリカを形成する用い方が
ある。またその他、ICのフオトレジスト露光用
マスクを形成することもできるし、微細なパター
ンを持つ導電や、エツチングや拡散、またはイオ
ン打込みのマスクとして用いることも可能であ
る。
また、Au層と基板との接着性を改良する層と
しては、Pdが好ましく、次いでFe、Co、Ni、
Ti、およびＶが好ましく、さらにPt、Rh、Ir、
Tc、Re、Ru、Os、Th、Mo、およびTaが使用可
能である。良く知られているCrも、孔の周囲に
CrとAuが反応したらしい、反射で赤く見える領
域が見られること、毒性があること、などの欠点
があるものの、使用可能である。また、実施例に
述べる回転蒸着法で、２つのボートから同時に蒸
着する方法を用い、Auとの同時蒸着領域を設け
れば、Ceなどの金属や半金属や半動体の酸化物
を用いることも好ましい。
しては、Pdが好ましく、次いでFe、Co、Ni、
Ti、およびＶが好ましく、さらにPt、Rh、Ir、
Tc、Re、Ru、Os、Th、Mo、およびTaが使用可
能である。良く知られているCrも、孔の周囲に
CrとAuが反応したらしい、反射で赤く見える領
域が見られること、毒性があること、などの欠点
があるものの、使用可能である。また、実施例に
述べる回転蒸着法で、２つのボートから同時に蒸
着する方法を用い、Auとの同時蒸着領域を設け
れば、Ceなどの金属や半金属や半動体の酸化物
を用いることも好ましい。
接着性改良層の膜厚は、0.1nｍ以上10nｍ以下
の範囲が好ましく、1nｍ以上4nｍ以下の範囲が
より好ましい。酸化物を用いる場合の同時蒸着部
分の厚さは、1nｍ以上とするのが好ましい。
の範囲が好ましく、1nｍ以上4nｍ以下の範囲が
より好ましい。酸化物を用いる場合の同時蒸着部
分の厚さは、1nｍ以上とするのが好ましい。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
両面を光学研摩し、洗浄した直径34.5cmのガラ
スデイスク１を、第１図に示したような真空蒸着
装置中に配置した。蒸着装置中には、デイスク回
転の中心軸２を中心として、放射状に４つの長い
蒸着用ボート３，４，５、および６が配置されて
いる。これらのボートは、蒸着材料の液滴または
小塊が飛んで基板に付着するのを防ぐため、蒸着
基板の、蒸着膜が着く場所から、直接蒸着材料が
見えない構造になつている。４つのボートには、
それぞれCr、Au、Pd、およびGeO2を入れた。
それぞれのボートとガラスデイスクとの間には、
ほぼ扇形のスリツトを持つマスク７，８，９、お
よび１０と、シヤツター１１，１２，１３、およ
び１４が配置されていて、シヤツターが動くとス
リツトの任意の割合をふさぐようになつている。
各ボートからの蒸発量は水晶振動子式膜厚モニタ
ー１５，１６，１７、および１８で検出し、蒸発
速度が一定になるようにボートに流す電流を制御
できるようになつている。また、デイスクの上方
には細長い白熱灯を用いた投光器１９があり、デ
イスクの下方で投光器の真下にある複数の光電管
で投光器の光を受けることによつて、デイスクの
各部分光透過率を知り、膜厚をチエツクするよう
になつている。光電管のかわりにフオトダイオー
ド、白熱灯のかわりに発光ダイオードなどを用い
ることもできる。
スデイスク１を、第１図に示したような真空蒸着
装置中に配置した。蒸着装置中には、デイスク回
転の中心軸２を中心として、放射状に４つの長い
蒸着用ボート３，４，５、および６が配置されて
いる。これらのボートは、蒸着材料の液滴または
小塊が飛んで基板に付着するのを防ぐため、蒸着
基板の、蒸着膜が着く場所から、直接蒸着材料が
見えない構造になつている。４つのボートには、
それぞれCr、Au、Pd、およびGeO2を入れた。
それぞれのボートとガラスデイスクとの間には、
ほぼ扇形のスリツトを持つマスク７，８，９、お
よび１０と、シヤツター１１，１２，１３、およ
び１４が配置されていて、シヤツターが動くとス
リツトの任意の割合をふさぐようになつている。
各ボートからの蒸発量は水晶振動子式膜厚モニタ
ー１５，１６，１７、および１８で検出し、蒸発
速度が一定になるようにボートに流す電流を制御
できるようになつている。また、デイスクの上方
には細長い白熱灯を用いた投光器１９があり、デ
イスクの下方で投光器の真下にある複数の光電管
で投光器の光を受けることによつて、デイスクの
各部分光透過率を知り、膜厚をチエツクするよう
になつている。光電管のかわりにフオトダイオー
ド、白熱灯のかわりに発光ダイオードなどを用い
ることもできる。
装置を真空に排気した後、ガラスデイスクを回
転数120min-1で回転させておいて、まずCrを入
れたボートに電流を流し、第２図に示したよう
に、ガラスデイスク１上にCr20を約2nｍの膜厚
に蒸着した。続いてAuを入れたボートに電流を
流し、約15nｍの膜厚に蒸着した。次にPdを入れ
たボートに電流を流し、膜厚約5nｍの蒸着膜２
２を形成し、最後にGeO2を入れたボートに電流
を流し、膜厚約10nｍの蒸着膜２３を形成した。
蒸着基板（デイスク）の意図的加熱は行なつてお
らず、蒸着による基板温度上昇もほとんどなかつ
た。
転数120min-1で回転させておいて、まずCrを入
れたボートに電流を流し、第２図に示したよう
に、ガラスデイスク１上にCr20を約2nｍの膜厚
に蒸着した。続いてAuを入れたボートに電流を
流し、約15nｍの膜厚に蒸着した。次にPdを入れ
たボートに電流を流し、膜厚約5nｍの蒸着膜２
２を形成し、最後にGeO2を入れたボートに電流
を流し、膜厚約10nｍの蒸着膜２３を形成した。
蒸着基板（デイスク）の意図的加熱は行なつてお
らず、蒸着による基板温度上昇もほとんどなかつ
た。
上記のようにして形成した膜に記録を行なうに
は、第３図に示したように、上記ガラスデイスク
１を回転数1800min-1で回転させながら記録用ヘ
ツド２４をデイスクに一定距離を保つて接近さ
せ、パルス状で、パルスの巾と間隔が記録すべき
ビデオ信号に応じて変調された、波長4880Åのア
ルゴンイオンレーザ光２５を、記録用ヘツド中の
レンズで集光して照射した。レーザ光の出力は約
400ｍＶとした。レーザ光を照射された部分で
は、第４図に示したような断面形状の、楕円形の
孔があいた。楕円形の短径は約0.7μｍであつ
た。
は、第３図に示したように、上記ガラスデイスク
１を回転数1800min-1で回転させながら記録用ヘ
ツド２４をデイスクに一定距離を保つて接近さ
せ、パルス状で、パルスの巾と間隔が記録すべき
ビデオ信号に応じて変調された、波長4880Åのア
ルゴンイオンレーザ光２５を、記録用ヘツド中の
レンズで集光して照射した。レーザ光の出力は約
400ｍＶとした。レーザ光を照射された部分で
は、第４図に示したような断面形状の、楕円形の
孔があいた。楕円形の短径は約0.7μｍであつ
た。
記録の読出しは次のようにして行なつた。すな
わちデイスクを回転数1800min-1で回転させ、出
力約１ｍＷのHe−Neレーザ光を読出しヘツド中
のレンズで集光して照射し、反射光の強度変化を
デイテクターで検出した。
わちデイスクを回転数1800min-1で回転させ、出
力約１ｍＷのHe−Neレーザ光を読出しヘツド中
のレンズで集光して照射し、反射光の強度変化を
デイテクターで検出した。
信号対雑音比の測定を行なうには、6MHzでパ
ルス巾約65nsの標準信号をアルゴンイオンレー
ザ光で記録し、He−Neレーザ光で読出しを行な
つた。測定結果は、カラービデオ信号の場合の相
当値に換算した。
ルス巾約65nsの標準信号をアルゴンイオンレー
ザ光で記録し、He−Neレーザ光で読出しを行な
つた。測定結果は、カラービデオ信号の場合の相
当値に換算した。
本実施例においては約40dbの信号対雑音比が
得られた。Pd層を省いた場合には約32dbであつ
た。
得られた。Pd層を省いた場合には約32dbであつ
た。
GeO2層およびPd層がない場合には記録用レー
ザパワーは約600ｍＷであつた。
ザパワーは約600ｍＷであつた。
比較のため薄い金属層としてPd以外の元素を
用いた場合には、次のような信号対雑音比となつ
た。
用いた場合には、次のような信号対雑音比となつ
た。
Ag：〜39db、
Al、Ni、Co、Fe、Ge、Si、Sc、Ｙ、および
Mn：〜37db Sn、In、Tl、Pd、Sb、Bi、Te、Cr：おおよそ
35db Pt、Mo、Nd：おおよそ33db 接着性改良層の膜厚を変えた場合、次のような
信号対雑音比となつた。
Mn：〜37db Sn、In、Tl、Pd、Sb、Bi、Te、Cr：おおよそ
35db Pt、Mo、Nd：おおよそ33db 接着性改良層の膜厚を変えた場合、次のような
信号対雑音比となつた。
0nｍ：33de 0.1nｍ：〜35db
1nｍ：〜38db 4nｍ：〜38db
10nｍ：〜35db 15nｍ：〜33db
Au層の膜厚を変えた場合、次のような信号対
雑音比となつた。
雑音比となつた。
8nｍ：〜30db 10nｍ：〜35db
12nｍ：〜38db 18nｍ：〜38db
30nｍ：〜35db 40nｍ：〜30db
薄い金属層の膜厚を変えた場合、次のような信
号対雑音比となつた。
号対雑音比となつた。
0.3nｍ：〜33db 1nｍ：〜35db
3nｍ：〜38db 9nｍ：〜38db
15nｍ：〜35db 20nｍ：〜33db
反射防止層の組成を変えた場合、次のような信
号対雑音比となつた。
号対雑音比となつた。
Nd2O3、Nb2O5、GeO2、La2O3、ReO3、MnO：
〜38db Sb2O3、Bi2O3、TeO2：おおよそ35db Sb25S75：〜35db PbO、MoO3、WO3などの酸化物では特性の経
時劣化が激しかつた。
〜38db Sb2O3、Bi2O3、TeO2：おおよそ35db Sb25S75：〜35db PbO、MoO3、WO3などの酸化物では特性の経
時劣化が激しかつた。
接着性改良層として酸化物、たとえばSiOを用
いた場合には、SiOを入れたボートとAuを入れた
ボートに同時に電流を流し、まずSiOを入れたボ
ートのシヤツターのみを開けて1nｍの厚みに蒸
着した後、SiOのシヤツターを徐々に閉じ、Auの
シヤツターを徐々に開いて行つて、閉じ始めてか
ら2nｍの厚みに達した時SiOのシヤツターが完全
に閉じ、Auのみが蒸着されるようにした。信号
対雑音比は約38dbであつた。
いた場合には、SiOを入れたボートとAuを入れた
ボートに同時に電流を流し、まずSiOを入れたボ
ートのシヤツターのみを開けて1nｍの厚みに蒸
着した後、SiOのシヤツターを徐々に閉じ、Auの
シヤツターを徐々に開いて行つて、閉じ始めてか
ら2nｍの厚みに達した時SiOのシヤツターが完全
に閉じ、Auのみが蒸着されるようにした。信号
対雑音比は約38dbであつた。
第１図は本発明の１実施例における真空蒸着装
置の構造を示す図、第２図は本発明の１実施例に
おける記録用部材の構造を示す断面図、第３図は
本発明の１実施例における情報の記録方法を示す
図、第４図は本発明の１実施例において記録用部
材に形成された孔の形状を示す断面図である。
置の構造を示す図、第２図は本発明の１実施例に
おける記録用部材の構造を示す断面図、第３図は
本発明の１実施例における情報の記録方法を示す
図、第４図は本発明の１実施例において記録用部
材に形成された孔の形状を示す断面図である。
Claims (1)
- １ 所定の基板上に薄膜を形成し、この薄膜上に
加工用ビームを照射し、上記薄膜に孔を形成する
ことによつて情報を記録する用途に用いる記録用
部材において、少なくとも基板側に記録層として
Au層を、表面側に反射防止層を配置し、かつ上
記記録層と反射防止層との間に１〜15nｍの厚み
のPdからなる金属層を設けたことを特徴とする
情報の記録用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155677A JPS5436702A (en) | 1977-08-26 | 1977-08-26 | Information recording member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155677A JPS5436702A (en) | 1977-08-26 | 1977-08-26 | Information recording member |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5436702A JPS5436702A (en) | 1979-03-17 |
| JPS6127813B2 true JPS6127813B2 (ja) | 1986-06-27 |
Family
ID=14303685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10155677A Granted JPS5436702A (en) | 1977-08-26 | 1977-08-26 | Information recording member |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5436702A (ja) |
-
1977
- 1977-08-26 JP JP10155677A patent/JPS5436702A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5436702A (en) | 1979-03-17 |
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