JPS6128030B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6128030B2 JPS6128030B2 JP55169057A JP16905780A JPS6128030B2 JP S6128030 B2 JPS6128030 B2 JP S6128030B2 JP 55169057 A JP55169057 A JP 55169057A JP 16905780 A JP16905780 A JP 16905780A JP S6128030 B2 JPS6128030 B2 JP S6128030B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- cassette
- substrates
- processing
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカセツトに収容された被処理基板、例
えばシリコンウエハー等をカセツトより順次取出
してスパツタ処理を行なつた後、再びカセツトに
収容する、いわゆるカセツト・ツウ・カセツト基
板処理装置に関する。
えばシリコンウエハー等をカセツトより順次取出
してスパツタ処理を行なつた後、再びカセツトに
収容する、いわゆるカセツト・ツウ・カセツト基
板処理装置に関する。
この種従来の装置として第１図の側面図に見ら
れるカセツト・ツウ・カセツト スパッタ装置を
例に挙げて説明すると、これは大気より真空雰囲
気へ被処理基板を挿入するための挿入室１、スパ
ツタ等の処理を行なう処理室２および処理後の基
板を大気中へ取出す為の取出室３により構成され
ている。そして、挿入室１、処理室２および取出
室３は、それぞれ図示されていない排気ポンプに
より真空状態にすることができるようになつてい
る。
れるカセツト・ツウ・カセツト スパッタ装置を
例に挙げて説明すると、これは大気より真空雰囲
気へ被処理基板を挿入するための挿入室１、スパ
ツタ等の処理を行なう処理室２および処理後の基
板を大気中へ取出す為の取出室３により構成され
ている。そして、挿入室１、処理室２および取出
室３は、それぞれ図示されていない排気ポンプに
より真空状態にすることができるようになつてい
る。
このカセツト・ツウ・カセツト スパツタ装置
によれば、まず、挿入室１には大気雰囲気時に被
処理基板４を複数枚収容したカセツト５が一式挿
入される。このとき、挿入室１と処理室２の間に
設けられた封止バルブ６は閉じられており、処理
室２は真空に保たれている。次に、挿入室１を排
気した後、封止バルブ６を開き、被処理基板４を
順次一枚づつ、通常はカセツト５の下部の基板よ
り図示されていない搬送機構により処理室２へ送
り込まれる。処理室２には、スパツタ電極７が設
けられており、カセツト５より送り込まれた被処
理基板４へ膜付けを行なうことができるようにな
つている。一方、取出室３の内部にはカセツト８
が収容されており、処理室２で処理の終つた被処
理基板４を順次一枚づつ、通常はカセツトの８の
上部の位置より収容する。挿入室１に当初収容さ
れていた被処理基板４の全数が取出室３内のカセ
ツト８に収容された後、取出室３は大気へ導入さ
れ、カセツト８と共に処理の終つた被処理基板４
を取出して一工程が終了する。
によれば、まず、挿入室１には大気雰囲気時に被
処理基板４を複数枚収容したカセツト５が一式挿
入される。このとき、挿入室１と処理室２の間に
設けられた封止バルブ６は閉じられており、処理
室２は真空に保たれている。次に、挿入室１を排
気した後、封止バルブ６を開き、被処理基板４を
順次一枚づつ、通常はカセツト５の下部の基板よ
り図示されていない搬送機構により処理室２へ送
り込まれる。処理室２には、スパツタ電極７が設
けられており、カセツト５より送り込まれた被処
理基板４へ膜付けを行なうことができるようにな
つている。一方、取出室３の内部にはカセツト８
が収容されており、処理室２で処理の終つた被処
理基板４を順次一枚づつ、通常はカセツトの８の
上部の位置より収容する。挿入室１に当初収容さ
れていた被処理基板４の全数が取出室３内のカセ
ツト８に収容された後、取出室３は大気へ導入さ
れ、カセツト８と共に処理の終つた被処理基板４
を取出して一工程が終了する。
しかしながら、このような従来の方法によるカ
セツト・ツウ・カセツト スパツタ装置において
は、真空室として少なくとも挿入室、処理室およ
び取出室の３室を必要とする。その結果、前記各
室を真空状態とするための排気ポンプも３式必要
となるために装置の価格を高めるばかりでなく、
設置に際してのスペースフアクターも良くなかつ
た。又、カセツトの挿入位置と取出位置が異なる
ために作業性を損なうとともに、挿入カセツトと
取出カセツトとが区別されているためにカセツト
毎のロツト管理に困難をともなうという欠点があ
つた。
セツト・ツウ・カセツト スパツタ装置において
は、真空室として少なくとも挿入室、処理室およ
び取出室の３室を必要とする。その結果、前記各
室を真空状態とするための排気ポンプも３式必要
となるために装置の価格を高めるばかりでなく、
設置に際してのスペースフアクターも良くなかつ
た。又、カセツトの挿入位置と取出位置が異なる
ために作業性を損なうとともに、挿入カセツトと
取出カセツトとが区別されているためにカセツト
毎のロツト管理に困難をともなうという欠点があ
つた。
本発明の目的は、基板の挿入室と取出室を兼用
させることによつて、排気ポンプを節約し、設備
のスペースフアクターが良く、かつ作業管理面に
おいても効率のよいカセツト・ツウ・カセツト基
板処理装置を提供するにある。
させることによつて、排気ポンプを節約し、設備
のスペースフアクターが良く、かつ作業管理面に
おいても効率のよいカセツト・ツウ・カセツト基
板処理装置を提供するにある。
本発明によれば、被処理基板にスパツタリン
グ、蒸着、ドライエツチング、これらの前処理等
を行なう少なくとも１つの処理室と、これ等処理
室と別個に排気でき、かつこれ等処理室の１つと
結合された基板挿入取出兼用室とを設け、この基
板挿入取出兼用室に、夫々複数枚の基板を収容で
きる２式のカセツトを収納し、この２式のカセツ
トのうちの１方のカセツトから前記基板処理室へ
基板を搬送する機構と、処理済みの基板を前記処
理室から前記２式のカセツトのうちの他方のカセ
ツトに搬送収容する機構と、前記２式のカセツト
間に、前記収容した基板の全数を移し換える機構
とを備えてなるカセツト・ツウ・カセツト基板処
理装置が得られる。
グ、蒸着、ドライエツチング、これらの前処理等
を行なう少なくとも１つの処理室と、これ等処理
室と別個に排気でき、かつこれ等処理室の１つと
結合された基板挿入取出兼用室とを設け、この基
板挿入取出兼用室に、夫々複数枚の基板を収容で
きる２式のカセツトを収納し、この２式のカセツ
トのうちの１方のカセツトから前記基板処理室へ
基板を搬送する機構と、処理済みの基板を前記処
理室から前記２式のカセツトのうちの他方のカセ
ツトに搬送収容する機構と、前記２式のカセツト
間に、前記収容した基板の全数を移し換える機構
とを備えてなるカセツト・ツウ・カセツト基板処
理装置が得られる。
次に、本発明によるカセツト・ツウ・カセツト
スパツタ装置の実施例について第２図の側面図
を参照して説明する。図において、真空容器は挿
入取出兼用室１０と処理室２′の２室とより構成
されており、それぞれ図示されていない排気ポン
プにより真空状態にすることができるようになつ
ている。被処理基板４は当初はカセツト１１に収
容された状態で挿入取出兼用室１０に挿入され
る。次に、挿入取出兼用室１０を真空に排気する
と共に、カセツト１１に収容されている被処理基
板４の複数枚全数は直ちに同一室内にあらかじめ
収容されているもう１つのカセツト１２に移しか
えられる。この基板移しかえの方法は図示されて
いないが、例えば、Ｏリングによるベルトを２つ
のカセツト１１と１２を通じてかけておき、カセ
ツト１１と１２の上下操作により移しかえたい基
板の位置をベルト面に合わせることによつて容易
に行なうことができる。
スパツタ装置の実施例について第２図の側面図
を参照して説明する。図において、真空容器は挿
入取出兼用室１０と処理室２′の２室とより構成
されており、それぞれ図示されていない排気ポン
プにより真空状態にすることができるようになつ
ている。被処理基板４は当初はカセツト１１に収
容された状態で挿入取出兼用室１０に挿入され
る。次に、挿入取出兼用室１０を真空に排気する
と共に、カセツト１１に収容されている被処理基
板４の複数枚全数は直ちに同一室内にあらかじめ
収容されているもう１つのカセツト１２に移しか
えられる。この基板移しかえの方法は図示されて
いないが、例えば、Ｏリングによるベルトを２つ
のカセツト１１と１２を通じてかけておき、カセ
ツト１１と１２の上下操作により移しかえたい基
板の位置をベルト面に合わせることによつて容易
に行なうことができる。
挿入取出兼用室１０の内部が所定の真空度まで
排気されたのち、封止バルブ１３を開いてカセツ
ト１２内に収容されている被処理基板４が処理室
２′に送り込まれる。この処理室２′へ基板を送り
込む機構は、従来技術により知られているよう
に、封止バルブ１３の開閉部に隣接する個所から
挿入取出兼用室１０側においては前述の基板移し
かえ機構の封止バルブ１３側に延びているベルト
によつて容易に得られ、また処理室２′側におい
ては封止バルブ１３の開閉部に隣接する個所から
室中央部までかけられたベルトによつて得られ
る。処理室２′に送り込まれた基板は、第１図に
おけると同じ方法によつてスパツタ処理による膜
付けを行なう。
排気されたのち、封止バルブ１３を開いてカセツ
ト１２内に収容されている被処理基板４が処理室
２′に送り込まれる。この処理室２′へ基板を送り
込む機構は、従来技術により知られているよう
に、封止バルブ１３の開閉部に隣接する個所から
挿入取出兼用室１０側においては前述の基板移し
かえ機構の封止バルブ１３側に延びているベルト
によつて容易に得られ、また処理室２′側におい
ては封止バルブ１３の開閉部に隣接する個所から
室中央部までかけられたベルトによつて得られ
る。処理室２′に送り込まれた基板は、第１図に
おけると同じ方法によつてスパツタ処理による膜
付けを行なう。
処理済の基板は再度挿入取出兼用室１０に戻さ
れ、すでにカセツト１２に被処理基板４の全数を
移し換えられて空の状態となつているカセツト１
１に収容される。このようにして、カセツト１２
より順次１枚づつ処理室２に送り込まれた被処理
基板４はスパツタ処理による膜付け後、全て処理
された基板として当初収容されていたカセツト１
１に収容される。それから、封止バルブ１３が閉
じられ、挿入取出兼用室１０に大気が導入され
る。かくして、大気中へカセツト１１に取りだ
し、処理された基板の全部を回収することができ
る。
れ、すでにカセツト１２に被処理基板４の全数を
移し換えられて空の状態となつているカセツト１
１に収容される。このようにして、カセツト１２
より順次１枚づつ処理室２に送り込まれた被処理
基板４はスパツタ処理による膜付け後、全て処理
された基板として当初収容されていたカセツト１
１に収容される。それから、封止バルブ１３が閉
じられ、挿入取出兼用室１０に大気が導入され
る。かくして、大気中へカセツト１１に取りだ
し、処理された基板の全部を回収することができ
る。
なお、上記実施例の説明においては、基板の処
理前に２式のカセツト間の移し換えを行なつた
が、処理後に移し換えを行なつても全く同様の効
果が得られることは明らかであろう。
理前に２式のカセツト間の移し換えを行なつた
が、処理後に移し換えを行なつても全く同様の効
果が得られることは明らかであろう。
また、上記実施例においては、基板処理室とし
て１室を設けたが、前処理等を含む複雑な工程に
対応できるよう、複数の処理室を備えることがで
きる。又、例として、スパツタリングによる薄膜
処理の方法を挙げたが、スパツタリング以外の蒸
着とか、ドライエツチングなどにも全く同様に適
用できることは言うまでもない。
て１室を設けたが、前処理等を含む複雑な工程に
対応できるよう、複数の処理室を備えることがで
きる。又、例として、スパツタリングによる薄膜
処理の方法を挙げたが、スパツタリング以外の蒸
着とか、ドライエツチングなどにも全く同様に適
用できることは言うまでもない。
以上の説明により明らかなように、本発明によ
れば、同一真空容器内に２式のカセツトを設け、
相互に基板の移しかえを行なうことによつて容易
に基板の処理ができるばかりでなく、(1) 基板収
容カセツトの挿入、取出しが同一の個所でできる
ために作業性がよく、(2) 処理前の基板と処理後
の基板が同一のカセツトに収容された状態で取り
だされるためにロツト管理が容易となり、(3) カ
セツトの挿入室と取出室を兼用できるために真空
容器および排気ポンプが１式分少なく、経済的で
あり、(4) 装置設置のための床面積が小さく、ス
ペースフアクターが良くなる等の利点が得られ
る。
れば、同一真空容器内に２式のカセツトを設け、
相互に基板の移しかえを行なうことによつて容易
に基板の処理ができるばかりでなく、(1) 基板収
容カセツトの挿入、取出しが同一の個所でできる
ために作業性がよく、(2) 処理前の基板と処理後
の基板が同一のカセツトに収容された状態で取り
だされるためにロツト管理が容易となり、(3) カ
セツトの挿入室と取出室を兼用できるために真空
容器および排気ポンプが１式分少なく、経済的で
あり、(4) 装置設置のための床面積が小さく、ス
ペースフアクターが良くなる等の利点が得られ
る。
第１図は従来の方法によるカセツト・ツウ・カ
セツト スパツタ装置の構成例を示す側面図、第
２図は本発明による実施例の構成を示す側面図で
ある。図において、１は挿入室、２，２′は処理
室、３は取出室、４は被処理基板、５，８，１
１，１２はカセツト、６，９，１３は封止バル
ブ、７はスパツタ電極、１０は挿入取出兼用室で
ある。
セツト スパツタ装置の構成例を示す側面図、第
２図は本発明による実施例の構成を示す側面図で
ある。図において、１は挿入室、２，２′は処理
室、３は取出室、４は被処理基板、５，８，１
１，１２はカセツト、６，９，１３は封止バル
ブ、７はスパツタ電極、１０は挿入取出兼用室で
ある。
Claims (1)
- １ 被処理基板にスパツタリング、蒸着、ドライ
エツチング、これらの前処理等を行なう少なくと
も１つの処理室と、これ等処理室と別個に排気で
き、かつこれ等処理室の１つと結合された基板挿
入取出兼用室とを設け、この基板挿入取出兼用室
に、夫々複数枚の基板を収容できる２式のカセツ
トを収納し、この２式のカセツトのうちの１方の
カセツトから前記基板処理室へ基板を搬送する機
構と、処理済みの基板を前記処理室から前記２式
のカセツトのうちの他方のカセツトに搬送収容す
る機構と、前記２式のカセツト間に、前記収容し
た基板の全数を移し換える機構とを備えてなるカ
セツト・ツウ・カセツト基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55169057A JPS5792838A (en) | 1980-12-02 | 1980-12-02 | Cassette to cassette substrate process device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55169057A JPS5792838A (en) | 1980-12-02 | 1980-12-02 | Cassette to cassette substrate process device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5792838A JPS5792838A (en) | 1982-06-09 |
| JPS6128030B2 true JPS6128030B2 (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=15879535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55169057A Granted JPS5792838A (en) | 1980-12-02 | 1980-12-02 | Cassette to cassette substrate process device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5792838A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6015917A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Ltd | 分子線エピタキシ装置 |
| JPS60117615A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Hitachi Ltd | 分子線エピタキシ装置 |
| DE3427057A1 (de) * | 1984-07-23 | 1986-01-23 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Anlage zum herstellen von halbleiter-schichtstrukturen durch epitaktisches wachstum |
| JPH0612605Y2 (ja) * | 1985-01-17 | 1994-03-30 | 日新電機株式会社 | イオン注入装置用エンドステ−シヨン |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53104580A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-11 | Ulvac Corp | Vacuum continuous treatment apparatus |
| JPS58696Y2 (ja) * | 1978-08-07 | 1983-01-07 | 株式会社徳田製作所 | 試料処理装置 |
-
1980
- 1980-12-02 JP JP55169057A patent/JPS5792838A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5792838A (en) | 1982-06-09 |
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