JPS6128237A - 光送信回路 - Google Patents
光送信回路Info
- Publication number
- JPS6128237A JPS6128237A JP15094384A JP15094384A JPS6128237A JP S6128237 A JPS6128237 A JP S6128237A JP 15094384 A JP15094384 A JP 15094384A JP 15094384 A JP15094384 A JP 15094384A JP S6128237 A JPS6128237 A JP S6128237A
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- JP
- Japan
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- light emitting
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- led
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
- H04B10/504—Laser transmitters using direct modulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、負性抵抗半導体発光素子を使用した光送信回
路の改良に関するものである。
路の改良に関するものである。
〈従来技術〉
まず、本件に係る従来のパルスＦ Ｍ光アナログ送信回
路から説明する。第４図はパルスＦ Ｍ光アナログ送信
回路の回路図であり、第５図はそれに使用されている負
性抵抗半導体発光素子の特性グラフである。
路から説明する。第４図はパルスＦ Ｍ光アナログ送信
回路の回路図であり、第５図はそれに使用されている負
性抵抗半導体発光素子の特性グラフである。
第４図中の負荷抵抗ＲＬＩ″ｉ、その抵抗値が負性抵抗
半導体発光素子ＬＥＤの負性抵抗値より太き（、且つそ
の負荷線が第５図の様に、負性抵抗半導体発光素子ＬＥ
Ｄの負性抵抗領域Ａ−Ｂと交わるように設定されている
。この条件のもとで、負性抵抗半導体発光素子ＬＥＤに
並列に容量を付けると、この回路は自走発振し光パルス
を放射する。
半導体発光素子ＬＥＤの負性抵抗値より太き（、且つそ
の負荷線が第５図の様に、負性抵抗半導体発光素子ＬＥ
Ｄの負性抵抗領域Ａ−Ｂと交わるように設定されている
。この条件のもとで、負性抵抗半導体発光素子ＬＥＤに
並列に容量を付けると、この回路は自走発振し光パルス
を放射する。
第４図では、容量としてＣ１とＣ２の合成容量を用いて
いる。そして、容量の接続点ＶＩＮ（抵抗Ｒを介する）
に印加する電圧を変え、可変容量素子Ｃ２の容量を変化
させることによって、周波数変調をかけることができる
。第６図は、第４図のＶ。点での電圧波形と、負性抵抗
半導体発光素子ＬＥＤから放射される光の強度の関係を
示したものである。このように、第４図の光送信回路は
”ＩＮに入力されるアナログ量を、光パルス列の間隔に
変調して（すなわちパルスＦＭして）送信することがで
きる。
いる。そして、容量の接続点ＶＩＮ（抵抗Ｒを介する）
に印加する電圧を変え、可変容量素子Ｃ２の容量を変化
させることによって、周波数変調をかけることができる
。第６図は、第４図のＶ。点での電圧波形と、負性抵抗
半導体発光素子ＬＥＤから放射される光の強度の関係を
示したものである。このように、第４図の光送信回路は
”ＩＮに入力されるアナログ量を、光パルス列の間隔に
変調して（すなわちパルスＦＭして）送信することがで
きる。
しかし、第４図の光送信回路で、デイジタルデ−タの送
信を行なう場合、ディジタル量をアナログ量に変換して
（言いかれればＦＳＫ変調して）送信するこ古になり、
変調速度が発振周波数より下がり、伝送速度が落ちる。
信を行なう場合、ディジタル量をアナログ量に変換して
（言いかれればＦＳＫ変調して）送信するこ古になり、
変調速度が発振周波数より下がり、伝送速度が落ちる。
〈発明の目的〉
本発明は、上記問題点を解決する為に考案されたもので
あり、アナログ量はアナログ送信で、ディジタル量はデ
ィジタル送信で、一つの回路で送信しようとするもので
ある０ 〈実施例〉 第１図は本発明の一実施例を示す回路図である０この口
金使用して本発明を説明する。図中の点線で囲んだ部分
は、第４図で示したパルスＦＭ光アナログ送信回路であ
る。
あり、アナログ量はアナログ送信で、ディジタル量はデ
ィジタル送信で、一つの回路で送信しようとするもので
ある０ 〈実施例〉 第１図は本発明の一実施例を示す回路図である０この口
金使用して本発明を説明する。図中の点線で囲んだ部分
は、第４図で示したパルスＦＭ光アナログ送信回路であ
る。
まず、Ｖｌ、Ｖ２が共に“Ｌ”の時、トランジスタＱ１
＋０２＋ＱＢ＋Ｑ４はＯＦＦで、この回路は動作しない
。次に、■１を“Ｈ”（約３〜５Ｖ）にすると、トラン
ジスタＱ１．Ｑ３はＯＮして、■８点はＶＤＤレベル近
（に引き上げられる。負荷抵抗ＲＬは、第５図に示され
る条件に設定しであるので、点線内の回路は自走発振し
、従来通りのパルスＦ Ｍ光アナログ送信ができる。
＋０２＋ＱＢ＋Ｑ４はＯＦＦで、この回路は動作しない
。次に、■１を“Ｈ”（約３〜５Ｖ）にすると、トラン
ジスタＱ１．Ｑ３はＯＮして、■８点はＶＤＤレベル近
（に引き上げられる。負荷抵抗ＲＬは、第５図に示され
る条件に設定しであるので、点線内の回路は自走発振し
、従来通りのパルスＦ Ｍ光アナログ送信ができる。
他方、■、全″Ｉ７”にしてＱ、、Ｑ３をＯＦＦ状態に
してから、■２を“Ｈ″にすると、トランジスタＱ２”
Ｑ４がＯＮして、ｖ４の電位はほぼＶＤＤレベルになる
。負荷抵抗Ｒ′１、の抵抗値は、その負荷線が第２図で
示すように負性抵抗ＬＥＤの発光領域Ｂ−Ｃと交わって
おり、Ｖ４ ”Ｖｎｎであれば負性抵抗半導体発光素子
Ｌ Ｅ Ｄは発振することなく、安定に発光し続ける。
してから、■２を“Ｈ″にすると、トランジスタＱ２”
Ｑ４がＯＮして、ｖ４の電位はほぼＶＤＤレベルになる
。負荷抵抗Ｒ′１、の抵抗値は、その負荷線が第２図で
示すように負性抵抗ＬＥＤの発光領域Ｂ−Ｃと交わって
おり、Ｖ４ ”Ｖｎｎであれば負性抵抗半導体発光素子
Ｌ Ｅ Ｄは発振することなく、安定に発光し続ける。
■１を“Ｉ、”の状態のままにしてＶ２全１”にすれば
、Ｑ２．Ｑ４はＯＦＦして、負性抵抗半導体発光素子Ｌ
ＥＤの発光は止まる。
、Ｑ２．Ｑ４はＯＦＦして、負性抵抗半導体発光素子Ｌ
ＥＤの発光は止まる。
すなわち、■−゛Ｈ”のとき発光し、Ｖ２−“Ｌ”一
のとき発光を停止する。よって、ｖ２にディジタルデー
タ全入力すれば、それに合った光出力が得られ、光デイ
ジタル送信が行なえる。
タ全入力すれば、それに合った光出力が得られ、光デイ
ジタル送信が行なえる。
尚、第１図の回路には、バイポーラトランジスタを用い
ているが、代りにＭＯＳＦＥＴ ’ｉ使用することもで
きる。その回路図″ｆ：第３図に示す。
ているが、代りにＭＯＳＦＥＴ ’ｉ使用することもで
きる。その回路図″ｆ：第３図に示す。
〈発明の効果〉
以上の様に本発明では、１つの負性抵抗半導体発光素子
に接続される負荷抵抗を切り換えるだけで、アナログ量
はパルスＦＭアナログ送信でき、ディジタル量はディジ
タル送信できる為、アナログ系でディジタル量を伝送す
るときの伝送速度の低下もなく、また、ディジタル系で
アナログ量ヲ伝送するときに不可欠なＡ／Ｄ 変換器が
必要でなくなり、回路が簡素化できる。
に接続される負荷抵抗を切り換えるだけで、アナログ量
はパルスＦＭアナログ送信でき、ディジタル量はディジ
タル送信できる為、アナログ系でディジタル量を伝送す
るときの伝送速度の低下もなく、また、ディジタル系で
アナログ量ヲ伝送するときに不可欠なＡ／Ｄ 変換器が
必要でなくなり、回路が簡素化できる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は特性
グラフ、第３図は他の実施例を示す回路Ｌ Ｅ Ｄ・・
・負性抵抗半導体発光素子、Ｃ，・Ｃ２・・・容量（Ｃ
２は可変容量素子）、ＲＬ−Ｒ′Ｌ・・・負荷抵抗、Ｑ
１〜Ｑ４・・・トランジスタ。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）第１図 第２図 第３ 図 〔Ｉ〕 第 ５ 図 第４図 第６図
グラフ、第３図は他の実施例を示す回路Ｌ Ｅ Ｄ・・
・負性抵抗半導体発光素子、Ｃ，・Ｃ２・・・容量（Ｃ
２は可変容量素子）、ＲＬ−Ｒ′Ｌ・・・負荷抵抗、Ｑ
１〜Ｑ４・・・トランジスタ。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）第１図 第２図 第３ 図 〔Ｉ〕 第 ５ 図 第４図 第６図
Claims (1)
- １、負性抵抗半導体発光素子を使用した自走発振手段と
、該自走発振手段の周波数をアナログ量入力により変調
する手段と、前記自走発振手段の負荷抵抗と切換えて、
ディジタル量入力により前記負性抵抗半導体発光素子の
発光領域と交わる第２の負荷抵抗を断続的接続する手段
とを備てなることを特徴とする光送信回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15094384A JPS6128237A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 光送信回路 |
| US06/751,621 US4686709A (en) | 1984-07-18 | 1985-07-02 | Optical Transmission circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15094384A JPS6128237A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 光送信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6128237A true JPS6128237A (ja) | 1986-02-07 |
Family
ID=15507802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15094384A Pending JPS6128237A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 光送信回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4686709A (ja) |
| JP (1) | JPS6128237A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8946531B2 (en) | 2012-10-10 | 2015-02-03 | Sakae Rhythm Musical Instrument Ltd. | Spring force adjustment structure in high-hat stand and high-hat stand including the spring force adjustment structure |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2723818B2 (ja) * | 1995-03-28 | 1998-03-09 | 静岡日本電気株式会社 | バースト信号受信装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3305033A1 (de) * | 1983-02-14 | 1984-08-16 | Siemens Ag | Ansteuerschaltung fuer eine strahlung emittierende diode |
-
1984
- 1984-07-18 JP JP15094384A patent/JPS6128237A/ja active Pending
-
1985
- 1985-07-02 US US06/751,621 patent/US4686709A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8946531B2 (en) | 2012-10-10 | 2015-02-03 | Sakae Rhythm Musical Instrument Ltd. | Spring force adjustment structure in high-hat stand and high-hat stand including the spring force adjustment structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4686709A (en) | 1987-08-11 |
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