JPS61285782A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61285782A JPS61285782A JP60127417A JP12741785A JPS61285782A JP S61285782 A JPS61285782 A JP S61285782A JP 60127417 A JP60127417 A JP 60127417A JP 12741785 A JP12741785 A JP 12741785A JP S61285782 A JPS61285782 A JP S61285782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- stem
- laser chip
- bonded
- submount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光情報処理用光涙等に用いることができる半導
体レーザ装置に関するものである。
体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体レーザ装置は小型でかつ効率が高く、駆動
電流による変調が可能であるなどの多くの優れた特徴を
有しているため、光通信や光情報処理用の光源として利
用されている。
電流による変調が可能であるなどの多くの優れた特徴を
有しているため、光通信や光情報処理用の光源として利
用されている。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来の半導
体レーザ装置について説明する。
体レーザ装置について説明する。
第３図は従来の半導体レーザ装置の構成の正面図を示す
ものである。第３図において、１は実際にレーザ光を発
する半導体レーザチップである。
ものである。第３図において、１は実際にレーザ光を発
する半導体レーザチップである。
２はシリコンサブマウントで、半導体レーザチップ１の
固定と放熱の役割をする。３は半導体レーザ装置の台の
役割をするステムであり、４はモニタ電流を発生するＰ
ＩＮフォトダイオードである。
固定と放熱の役割をする。３は半導体レーザ装置の台の
役割をするステムであり、４はモニタ電流を発生するＰ
ＩＮフォトダイオードである。
６はモニタ電流を外部に導（ＰＩＮフォトダイオード電
極で、６は半導体レーザチップ１に電流を供給する半導
体レーザ電極である。
極で、６は半導体レーザチップ１に電流を供給する半導
体レーザ電極である。
以上のように構成された半導体レーザ装置について、以
下その動作を説明する。
下その動作を説明する。
シリコンサブマウント２はステム３に設けられた平面上
にボンディングされており、半導体レーザチップ１とス
テム３のボンディングの仲介をしている。シリコンサブ
マウント２には、半導体レーザチップ１とステム３の熱
膨張係数の違いを緩和する働きと、組立工程を合理化す
る働きがある。
にボンディングされており、半導体レーザチップ１とス
テム３のボンディングの仲介をしている。シリコンサブ
マウント２には、半導体レーザチップ１とステム３の熱
膨張係数の違いを緩和する働きと、組立工程を合理化す
る働きがある。
シリコンサブマウント２は、ステム３の平面のほぼ中央
にボンディングされており、半導体レーザチップ１はシ
リコンサブマウント２のほぼ中央にボンディングされて
いる。
にボンディングされており、半導体レーザチップ１はシ
リコンサブマウント２のほぼ中央にボンディングされて
いる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では、半導体レーザチ
ップ１をステム３の中央に位置させるための目印が存在
せず、光軸の角度合せも半導体レーザチップ１とシリコ
ンサブマウント２の前面のみを合せる方法でしか行なえ
ない。従って、光軸が不正確になるという問題点を有し
ていた。また、シリコンサブマウント２は、熱伝導度が
あまり大きくなく、熱抵抗が大きくなり、熱抵抗を減ら
すためにシリコンサブマウント２を薄くすると、組立作
業性が低下するという問題点を有していた。
ップ１をステム３の中央に位置させるための目印が存在
せず、光軸の角度合せも半導体レーザチップ１とシリコ
ンサブマウント２の前面のみを合せる方法でしか行なえ
ない。従って、光軸が不正確になるという問題点を有し
ていた。また、シリコンサブマウント２は、熱伝導度が
あまり大きくなく、熱抵抗が大きくなり、熱抵抗を減ら
すためにシリコンサブマウント２を薄くすると、組立作
業性が低下するという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、光軸を正確に合せることが
でき、かつ熱抵抗を減少させることのできる半導体レー
ザ装置を提供するものである。
でき、かつ熱抵抗を減少させることのできる半導体レー
ザ装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ装
置は、シリコンサブマウントの厚みよりも低い段差を有
する銅ステムに、銅ステムの段差側の手前の角の部分に
半導体レーザチップがボンディングされたシリコンサブ
マウントがボンディングされて構成されている。
置は、シリコンサブマウントの厚みよりも低い段差を有
する銅ステムに、銅ステムの段差側の手前の角の部分に
半導体レーザチップがボンディングされたシリコンサブ
マウントがボンディングされて構成されている。
作 用
この構成によって、半導体レーザチップは、銅ステム上
の決った位置に正確に角度ずれも少なくボンディングす
ることができると同時に、半導体レーザチップと銅ステ
ムがシリコンサブマウントの厚みに依存することなく、
至近距離に位置するので、熱抵抗を小さく押えることが
できる。
の決った位置に正確に角度ずれも少なくボンディングす
ることができると同時に、半導体レーザチップと銅ステ
ムがシリコンサブマウントの厚みに依存することなく、
至近距離に位置するので、熱抵抗を小さく押えることが
できる。
実施例
第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例の正面図
、第２図はその斜視図で、共にパッケージを除いである
。これらの図において、３は、用いるシリコンサブマウ
ント２の厚みよりやや低い段差を、そのボンディングス
テージ上に有する銅ステムである。この銅ステム３にシ
リコンサブマウント２上の銅ステムの段差側の手前の角
に半導体レーザチップ１をそれぞれの前面および段差側
の側面を面を合せる様にボンディングしたものを、・ボ
ンディングしである。この銅ステム３は、上記の様にボ
ンディングされた半導体レーザチップ１とシリコンサブ
マウント２を、ボンディングした際、半導体レーザチッ
プ１の発光部が、銅ステム３の中央に自動的に位置する
様にその寸法を設計しである。
、第２図はその斜視図で、共にパッケージを除いである
。これらの図において、３は、用いるシリコンサブマウ
ント２の厚みよりやや低い段差を、そのボンディングス
テージ上に有する銅ステムである。この銅ステム３にシ
リコンサブマウント２上の銅ステムの段差側の手前の角
に半導体レーザチップ１をそれぞれの前面および段差側
の側面を面を合せる様にボンディングしたものを、・ボ
ンディングしである。この銅ステム３は、上記の様にボ
ンディングされた半導体レーザチップ１とシリコンサブ
マウント２を、ボンディングした際、半導体レーザチッ
プ１の発光部が、銅ステム３の中央に自動的に位置する
様にその寸法を設計しである。
なお、上述の実施例では、段差として、正面から見た場
合、左側を低くしであるが、工程の都合で右側を低くし
ても何らの不都合も生じない。
合、左側を低くしであるが、工程の都合で右側を低くし
ても何らの不都合も生じない。
発明の効果
以上の様に本発明は、シリコンサブマウントの角の部分
に半導体レーザテップをボンディングすることによって
２面を合せてボンディングすることが可能となり、シリ
コンサブマウントと半導体レーザチップが正確に同一方
向を向くため光軸のずれが生じにくく、位置決めも容易
で正確である。
に半導体レーザテップをボンディングすることによって
２面を合せてボンディングすることが可能となり、シリ
コンサブマウントと半導体レーザチップが正確に同一方
向を向くため光軸のずれが生じにくく、位置決めも容易
で正確である。
さらにこのサブマウントを、段差を有する銅ステムにボ
ンディングすることにより、サブマウントの厚みが大き
い場合でも、半導体レーザチップと銅ステムが接近する
ため、熱抵抗を下げることが可能となる。さらに製造上
、この本発明を採用するだめの変更点は、は゛とんど銅
ステムの形状を変更することのみであるため、大なる工
業的効果が得られるものである。
ンディングすることにより、サブマウントの厚みが大き
い場合でも、半導体レーザチップと銅ステムが接近する
ため、熱抵抗を下げることが可能となる。さらに製造上
、この本発明を採用するだめの変更点は、は゛とんど銅
ステムの形状を変更することのみであるため、大なる工
業的効果が得られるものである。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例の正面図
、第２図はその斜視図、第３図は従来の半導体レーザ装
置の正面図である。 １・・・・・・半導体レーザテップ、２・・・・・・シ
リコンサブマウント、３・・・・・・銅ステム、４・・
・・・・ＰＩＮフォトダイオード、６・・・・・・ＰＩ
Ｎフォトダイオード電極、６・・・・・・半導体レーザ
電極、７・・川・金ワイヤ−。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名！・
・・ 半尊イ本し一す゛チッフ。 ｌ・・・ 半埠イ本し−プ゛チ、ンフ−Ｉ・・−半堺祷
しずチ、ソア ２・・・ シリコンナ７゛°マウ〉ト ３・・・４肩ズ１ム
、第２図はその斜視図、第３図は従来の半導体レーザ装
置の正面図である。 １・・・・・・半導体レーザテップ、２・・・・・・シ
リコンサブマウント、３・・・・・・銅ステム、４・・
・・・・ＰＩＮフォトダイオード、６・・・・・・ＰＩ
Ｎフォトダイオード電極、６・・・・・・半導体レーザ
電極、７・・川・金ワイヤ−。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名！・
・・ 半尊イ本し一す゛チッフ。 ｌ・・・ 半埠イ本し−プ゛チ、ンフ−Ｉ・・−半堺祷
しずチ、ソア ２・・・ シリコンナ７゛°マウ〉ト ３・・・４肩ズ１ム
Claims (3)
- （１）半導体レーザチップがシリコンサブマウント上に
、前記半導体レーザチップの出射面および一側面がそれ
ぞれ前記シリコンサブマウントの隣接した二側面と同一
面となるようにボンディングされていることを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - （２）シリコンサブマウントがシリコンサブマウントの
厚みと同じか、あるいは低い段差を有するステムの低い
方の面上にボンディングされていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 - （３）半導体レーザチップがステムの段差側面に接して
ボンディングされていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12741785A JPH067631B2 (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12741785A JPH067631B2 (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61285782A true JPS61285782A (ja) | 1986-12-16 |
| JPH067631B2 JPH067631B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=14959446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12741785A Expired - Lifetime JPH067631B2 (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067631B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424870U (ja) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | ||
| CN116746010A (zh) * | 2021-02-25 | 2023-09-12 | 新唐科技日本株式会社 | 半导体激光发光装置 |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP12741785A patent/JPH067631B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424870U (ja) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | ||
| CN116746010A (zh) * | 2021-02-25 | 2023-09-12 | 新唐科技日本株式会社 | 半导体激光发光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH067631B2 (ja) | 1994-01-26 |
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