JPH04246876A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH04246876A JPH04246876A JP1181091A JP1181091A JPH04246876A JP H04246876 A JPH04246876 A JP H04246876A JP 1181091 A JP1181091 A JP 1181091A JP 1181091 A JP1181091 A JP 1181091A JP H04246876 A JPH04246876 A JP H04246876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- heat sink
- heat
- laser device
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ素子に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ素子は図３に示すよ
うに半導体レーザチップ１をヒートシンク３上にソルダ
ーを用いて融着し、さらにこのヒートシンク３をキャリ
ア４上にソルダーを用いて融着していた。
うに半導体レーザチップ１をヒートシンク３上にソルダ
ーを用いて融着し、さらにこのヒートシンク３をキャリ
ア４上にソルダーを用いて融着していた。
【０００３】この構造では、発光部２において発生した
熱は半導体レーザチップ片電極面とヒートシンク３の接
触面及びキャリア４上面とヒートシンク接触面を伝わり
、逃していた。
熱は半導体レーザチップ片電極面とヒートシンク３の接
触面及びキャリア４上面とヒートシンク接触面を伝わり
、逃していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体レー
ザ素子は半導体レーザチップ片電極部とヒートシンク及
びヒートシンクとキャリア上面の接触面により発光部に
おいて発生した熱を逃していた。
ザ素子は半導体レーザチップ片電極部とヒートシンク及
びヒートシンクとキャリア上面の接触面により発光部に
おいて発生した熱を逃していた。
【０００５】ゆえに、放熱面積が小さく、放熱効果が悪
いため、半導体レーザ素子の温度特性を低下させ、さら
に信頼度の悪影響を及ぼすという欠点があった。
いため、半導体レーザ素子の温度特性を低下させ、さら
に信頼度の悪影響を及ぼすという欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子は、キャリア中央に凹部を設けヒートシンクの上面の
みを出すようにキャリアの凹部にヒートシンクを埋込む
構造とした。この結果、ヒートシンクの放熱面積が増え
、放熱効果が向上し、熱抵抗を低減でき、半導体レーザ
素子の温度特性の向上かつ信頼度の向上になるとい利点
を有する。
子は、キャリア中央に凹部を設けヒートシンクの上面の
みを出すようにキャリアの凹部にヒートシンクを埋込む
構造とした。この結果、ヒートシンクの放熱面積が増え
、放熱効果が向上し、熱抵抗を低減でき、半導体レーザ
素子の温度特性の向上かつ信頼度の向上になるとい利点
を有する。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）は本発明の一実施例の半導体レーザ素子
の斜視図であり、図１（ｂ）は本発明の半導体レーザ素
子の正面図である。
る。図１（ａ）は本発明の一実施例の半導体レーザ素子
の斜視図であり、図１（ｂ）は本発明の半導体レーザ素
子の正面図である。
【０００８】ヒートシンク３上に半導体レーザチップ１
をジャンクションダウンでソルダーを用いて融着し、こ
の半導体レーザチップ１を融着したヒートシンク３をキ
ャリア４の中央の凹部に組込みソルダーを用いて融着し
ている。
をジャンクションダウンでソルダーを用いて融着し、こ
の半導体レーザチップ１を融着したヒートシンク３をキ
ャリア４の中央の凹部に組込みソルダーを用いて融着し
ている。
【０００９】これにより、ヒートシンク３の放熱面積を
拡大できる。ゆえに、放熱効果に優れ、半導体レーザ素
子の熱抵抗が低減でき、半導体レーザ素子の温度特性向
上、かつ信頼度向上ができるとい利点がある。
拡大できる。ゆえに、放熱効果に優れ、半導体レーザ素
子の熱抵抗が低減でき、半導体レーザ素子の温度特性向
上、かつ信頼度向上ができるとい利点がある。
【００１０】例えば図１（ａ）のヒートシンクのように
、一辺がＬｍｍ，厚さがＬ／２ｍｍの場合、本発明と従
来の放熱面積の比は（本発明／従来）＝２．５Ｌ２ ／
Ｌ２ ，すなわち、放熱面積は従来の２．５倍となり、
放熱効果向上となる。
、一辺がＬｍｍ，厚さがＬ／２ｍｍの場合、本発明と従
来の放熱面積の比は（本発明／従来）＝２．５Ｌ２ ／
Ｌ２ ，すなわち、放熱面積は従来の２．５倍となり、
放熱効果向上となる。
【００１１】図２は本発明のもう１つの実施例の半導体
レーザ素子の正面図である。
レーザ素子の正面図である。
【００１２】半導体レーザチップ１をジャンクションア
ップでヒートシンク３にソルダーを用いて融着する場合
、発光部２の位置をヒートシンク３に近づけるため、ヒ
ートシンク３の中央に凹部を設け、この凹部に半導体レ
ーザチップ１を埋込み、この半導体レーザチップ１を融
着したヒートシンクをキャリア４中央の凹部に組込みソ
ルダーを用いて融着している。
ップでヒートシンク３にソルダーを用いて融着する場合
、発光部２の位置をヒートシンク３に近づけるため、ヒ
ートシンク３の中央に凹部を設け、この凹部に半導体レ
ーザチップ１を埋込み、この半導体レーザチップ１を融
着したヒートシンクをキャリア４中央の凹部に組込みソ
ルダーを用いて融着している。
【００１３】これにより、ヒートシンク３の放熱面積が
拡大できる。
拡大できる。
【００１４】ゆえに、放熱効果に優れ、半導体レーザ素
子の温度特性を向上させ、かつ信頼度向上ができるとい
う利点がある。
子の温度特性を向上させ、かつ信頼度向上ができるとい
う利点がある。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ素子はキャリア中央に凹部を設けヒートシンク上面
だけを出すようにヒートシンクを組込むことにより、ヒ
ートシンクの放熱面積を増すことができるので、放熱効
果が向上し熱抵抗が低下でき、半導体レーザ素子の温度
特性向上かつ信頼度向上になるという効果を有する。
ーザ素子はキャリア中央に凹部を設けヒートシンク上面
だけを出すようにヒートシンクを組込むことにより、ヒ
ートシンクの放熱面積を増すことができるので、放熱効
果が向上し熱抵抗が低下でき、半導体レーザ素子の温度
特性向上かつ信頼度向上になるという効果を有する。
【図１】本発明による第１の実施例の半導体レーザ素子
の斜視図及び正面図である。
の斜視図及び正面図である。
【図２】本発明による第２の実施例の半導体レーザ素子
の正面図である。
の正面図である。
【図３】従来の実施例の半導体レーザ素子の正面図であ
る。
る。
１ 半導体レーザチップ
２ 発光部
３ ヒートシンク
４ キャリア（パッケージ）
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザチップの発光部において
発生する熱源をヒートシンク近傍に置くように融着し、
このヒートシンクを、ヒートシンクの固定材であるキャ
リア内に埋込んだことを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181091A JPH04246876A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181091A JPH04246876A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04246876A true JPH04246876A (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=11788177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1181091A Pending JPH04246876A (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04246876A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329918A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | 光学装置 |
| JP2005191373A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| WO2008038574A1 (en) * | 2006-09-26 | 2008-04-03 | Kyocera Corporation | Wiring board for surface mounting type light emitting element and light emitting device |
| JP2008218958A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Everlight Electronics Co Ltd | ソケット型ｌｅｄ装置 |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP1181091A patent/JPH04246876A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329918A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | 光学装置 |
| JP2005191373A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| WO2008038574A1 (en) * | 2006-09-26 | 2008-04-03 | Kyocera Corporation | Wiring board for surface mounting type light emitting element and light emitting device |
| JP2008218958A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Everlight Electronics Co Ltd | ソケット型ｌｅｄ装置 |
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