JPS6128639B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6128639B2 JPS6128639B2 JP11426878A JP11426878A JPS6128639B2 JP S6128639 B2 JPS6128639 B2 JP S6128639B2 JP 11426878 A JP11426878 A JP 11426878A JP 11426878 A JP11426878 A JP 11426878A JP S6128639 B2 JPS6128639 B2 JP S6128639B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- litao
- inert gas
- lithium tantalate
- cracks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はタンタル酸リチユームLiTaO3単結晶
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
LiTaO3単結晶はその融点が1650℃である為に
従来白金ロジユームの合金坩堝を用いて成長され
ていた。この単結晶の成長は大気中で行なう方
法と、不活性ガス雰囲気中にて行なう方法、の
２種類の方法が現存している。然し、上記・
の方法とも下記のような欠点を有している。
従来白金ロジユームの合金坩堝を用いて成長され
ていた。この単結晶の成長は大気中で行なう方
法と、不活性ガス雰囲気中にて行なう方法、の
２種類の方法が現存している。然し、上記・
の方法とも下記のような欠点を有している。
： 白金ロジユームの合金坩堝からロジユーム
等の不純物の混入が起り単結晶の割れやその他
の特性に劣化を招く。
等の不純物の混入が起り単結晶の割れやその他
の特性に劣化を招く。
： ロジユーム等の不純物の混入は防げるが、
単結晶成長時に酸素O2分圧を下げるので
LiTaO3単結晶中に酸素欠陥が起り、クラツク
が単結晶中に発生する。
単結晶成長時に酸素O2分圧を下げるので
LiTaO3単結晶中に酸素欠陥が起り、クラツク
が単結晶中に発生する。
従つて、この両者の方法に依つて成長される
LiTaO3単結晶の歩留りは向上せずコストアツプ
の原因となつていた。
LiTaO3単結晶の歩留りは向上せずコストアツプ
の原因となつていた。
本発明は斯る点に鑑みて為されたものである。
即ち、LiTaO3単結晶中のクラツク発生を減少せ
しめ高品質の単結晶を提供せしめるものである。
即ち、LiTaO3単結晶中のクラツク発生を減少せ
しめ高品質の単結晶を提供せしめるものである。
本発明者等は白金ロジユーム合金坩堝からの
LiTaO3単結晶への不純物の混入を防ぎ乍ら酸素
欠陥の発生を抑圧する為に窒素N2等の不活性ガ
ス中に少量O2を混入せしめる方法を見い出し
た。図は不活性ガスに対するO2の混入量と10回
のLiTaO3単結晶の成長に対するクラツクの発生
回数との相関関係を示すものである。この図から
も明らかな如くO2の含有量を0.2〜10％とした場
合クラツクの発生を極めて抑える事が出来ると共
に、白金ロジユーム坩堝からの不純物の混入も特
性の劣化を招かない程度にする事が出来る。
LiTaO3単結晶への不純物の混入を防ぎ乍ら酸素
欠陥の発生を抑圧する為に窒素N2等の不活性ガ
ス中に少量O2を混入せしめる方法を見い出し
た。図は不活性ガスに対するO2の混入量と10回
のLiTaO3単結晶の成長に対するクラツクの発生
回数との相関関係を示すものである。この図から
も明らかな如くO2の含有量を0.2〜10％とした場
合クラツクの発生を極めて抑える事が出来ると共
に、白金ロジユーム坩堝からの不純物の混入も特
性の劣化を招かない程度にする事が出来る。
次に具体的実施例を記す。
直径120mmφ高さ120mmの白金ロジユーム合金坩
堝にLiTaO3焼結体を入れ高周波加熱炉で該
LiTaO3を融解し、融解後LiTaO3のチツプ結晶を
回転せしめて直径60mmφ高さ100mmのLiTaO3単結
晶を引き上げた場合、N2雰囲気中では10回の引
き上げに対し平均的に３回のクラツクが発生した
が、N2に２％のO2を混入した混合ガス雰囲気中
に於いてはクラツクの発生を20回に対し１回に抑
える事が出来た。即ち２％のO2を混入せしめる
事に依つてクラツクの発生率を1/6に低下させる
事が出来る。
堝にLiTaO3焼結体を入れ高周波加熱炉で該
LiTaO3を融解し、融解後LiTaO3のチツプ結晶を
回転せしめて直径60mmφ高さ100mmのLiTaO3単結
晶を引き上げた場合、N2雰囲気中では10回の引
き上げに対し平均的に３回のクラツクが発生した
が、N2に２％のO2を混入した混合ガス雰囲気中
に於いてはクラツクの発生を20回に対し１回に抑
える事が出来た。即ち２％のO2を混入せしめる
事に依つてクラツクの発生率を1/6に低下させる
事が出来る。
尚、不活性ガスとしてN2の他にアルゴンAr、
ヘリウムHe、ネオンNe及びクリプトンKr等のガ
スを用いても上記したと同様の結果が得られた。
更に、上記実施例のLiTaO3単結晶としてはLi／
Taの比の変つたタンタル酸リチユームであつて
もよい。又、ニオブNbを添加したLiTaO3やそれ
等の混晶体であるLiTaxNbi−xO3及び不純物添加
LiTaO3単結晶であつても同様の効果が得られ
る。
ヘリウムHe、ネオンNe及びクリプトンKr等のガ
スを用いても上記したと同様の結果が得られた。
更に、上記実施例のLiTaO3単結晶としてはLi／
Taの比の変つたタンタル酸リチユームであつて
もよい。又、ニオブNbを添加したLiTaO3やそれ
等の混晶体であるLiTaxNbi−xO3及び不純物添加
LiTaO3単結晶であつても同様の効果が得られ
る。
本発明は以上の説明から明らかな如く、少量の
酸素を不活性ガスに混入せしめた混合ガス雰囲気
中でタンタル酸リチユームを成長せしめたので、
不活性ガス雰囲気中にて成長せしめた場合に比べ
特性を害なう事なくクラツクの発生率を低下させ
る事が出来る。従つて、歩留りが向上するので製
造コストの低減化が図れる。
酸素を不活性ガスに混入せしめた混合ガス雰囲気
中でタンタル酸リチユームを成長せしめたので、
不活性ガス雰囲気中にて成長せしめた場合に比べ
特性を害なう事なくクラツクの発生率を低下させ
る事が出来る。従つて、歩留りが向上するので製
造コストの低減化が図れる。
図は不活性ガス中の酸素の含有量とクラツクの
発生回数との関係を示す曲線図である。
発生回数との関係を示す曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 白金ロジユームを含む合金坩堝を用いてタン
タル酸リチユーム単結晶を成長せしめるに際し、
不活性ガスに0.2〜10％の酸素を含ませた混合ガ
ス雰囲気中にて成長せしめる事を特徴としたタン
タル酸リチユーム単結晶の製造方法。 ２ 上記不活性ガスに対する酸素の含有量を0.2
〜10％とした事を特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のタンタル酸リチユーム単結晶の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11426878A JPS5542238A (en) | 1978-09-14 | 1978-09-14 | Production of lithium tantalate single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11426878A JPS5542238A (en) | 1978-09-14 | 1978-09-14 | Production of lithium tantalate single crystal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5542238A JPS5542238A (en) | 1980-03-25 |
| JPS6128639B2 true JPS6128639B2 (ja) | 1986-07-01 |
Family
ID=14633545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11426878A Granted JPS5542238A (en) | 1978-09-14 | 1978-09-14 | Production of lithium tantalate single crystal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5542238A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4439265A (en) * | 1981-07-17 | 1984-03-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication method for LiNbO3 and LiTaO3 integrated optics devices |
| JPS5969490A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
| US4724038A (en) * | 1986-06-02 | 1988-02-09 | Hughes Aircraft Company | Process for preparing single crystal binary metal oxides of improved purity |
-
1978
- 1978-09-14 JP JP11426878A patent/JPS5542238A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5542238A (en) | 1980-03-25 |
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