JPS61287203A - Sic thin film thermistor - Google Patents
Sic thin film thermistorInfo
- Publication number
- JPS61287203A JPS61287203A JP60130114A JP13011485A JPS61287203A JP S61287203 A JPS61287203 A JP S61287203A JP 60130114 A JP60130114 A JP 60130114A JP 13011485 A JP13011485 A JP 13011485A JP S61287203 A JPS61287203 A JP S61287203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- metal paste
- film thermistor
- sic thin
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高応答性および高耐熱性を要求される。[Detailed description of the invention] Industrial applications The present invention requires high responsiveness and high heat resistance.
温度センサに利用されるＳｉＣ薄膜サーミスタに関する
ものである。This invention relates to a SiC thin film thermistor used in a temperature sensor.
従来の技術
以下、図面を参照しながら、上述したような従来のＳｉ
Ｃ薄膜サーミスタについて説明を行う。Conventional technology The following describes the conventional Si as described above with reference to the drawings.
C thin film thermistor will be explained.
従来のＳｉＣ薄膜サーミスタは第２図に示すように、ア
ルミナ基板１上に金属ペーストにて一対の対向電極２ａ
、２ｂを形成した後、リード線取り付は部分３ａ、３
ｂを除く前記対向電極２ａ。As shown in FIG. 2, a conventional SiC thin film thermistor has a pair of opposing electrodes 2a on an alumina substrate 1 using metal paste.
, 2b, the lead wires are attached to the parts 3a, 3.
The counter electrode 2a except for b.
２ｂが形成されている前記アルミナ基板１上にＳｉＣの
薄膜４をスパッタリングにより形成し、前記対向電極２
ａ、２ｂ上の前記ＳｉＣ薄膜４が形成されていない部分
にリード線５ａ、５ｂを接着した構造であった。A thin SiC film 4 is formed by sputtering on the alumina substrate 1 on which the counter electrode 2b is formed.
The structure was such that lead wires 5a and 5b were bonded to the portions a and 2b where the SiC thin film 4 was not formed.
発明が解決しようとする問題点
ところが、このような従来の構成では、高耐熱性を得る
ため、対向電極２ａ、２ｂに熱安定性にすぐれた金属ペ
ーストを用いると、対向電極２ａ。Problems to be Solved by the Invention However, in such a conventional configuration, if a metal paste with excellent thermal stability is used for the counter electrodes 2a and 2b in order to obtain high heat resistance, the counter electrodes 2a and 2b.
２ｂと、アルミナ基板１との接着が十分でなく、リード
線５ａ、５ｂの接着強度が十分得られず、機械的強度を
必要とする製品には使用できなかった。逆に、機械的強
度を得るために、対向電極２ａ、２ｂにアルミナ基板１
との接着力の強い金属ペーストを用いると、対向電極２
ａ、２ｂの熱安定性が十分でなく、高耐熱性を必要とす
る製品には使用できなかった。2b and the alumina substrate 1 was insufficient, and the lead wires 5a and 5b could not have sufficient adhesion strength, and could not be used for products requiring mechanical strength. On the other hand, in order to obtain mechanical strength, the alumina substrate 1 is placed on the opposing electrodes 2a and 2b.
If a metal paste with strong adhesive strength is used, the counter electrode 2
The thermal stability of samples a and 2b was insufficient, and they could not be used in products requiring high heat resistance.
本発明はこのような従来の問題点を解消するもので、３
ｏ○゛Ｃの耐熱性および十分な機械的強度を有するＳｉ
Ｃ薄膜サーミスタを提供するものである。The present invention solves these conventional problems, and has three
Si with heat resistance of o○゛C and sufficient mechanical strength
The present invention provides a C thin film thermistor.
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために、本発明のＳｉＣ薄膜サー
ミスタは、熱安定性にすぐれた金属ペーストにて電極を
形成し、さらに前記電極それぞれの一部に、セラミック
絶縁基板および、前記電極との接着力の強い金属ペース
トを重ね、２層電極を形成し、リード線取り出し部とす
る構成としたものである。Means for Solving the Problem In order to solve this problem, the SiC thin film thermistor of the present invention has electrodes formed of a metal paste with excellent thermal stability, and a portion of each of the electrodes is made of ceramic. The structure is such that an insulating substrate and a metal paste having strong adhesion to the electrode are stacked to form a two-layer electrode, and a lead wire extraction portion is formed.
作 用
以上のように本発明の薄膜サーミスタは、感温抵抗体と
なるＳｉＣ薄膜形成部分には、熱安定性にすぐれたペー
ストを用いて電極を形成し、さらに機械的強度を決定す
るリード線取出部には、熱安定性にすぐれたペーストを
用いて形成した電極の上に、セラミック絶縁基板、およ
び前記電極との接着力の強い金属ペーストを重ね、２層
電極を形成することにより前記、接着力の強いペースト
に分かれているガラスフリットが、前記熱安定性にすぐ
れた金属ペーストによって形成された電極を通して、セ
ラミック絶縁基板に融着されることにより３００°Ｃの
耐熱性および十分な機械的強度を持つＳｉＣ薄膜サーミ
スタを提供することができる。Function As described above, in the thin film thermistor of the present invention, electrodes are formed using a paste with excellent thermal stability in the SiC thin film forming part that becomes the temperature sensitive resistor, and lead wires that determine the mechanical strength are formed. In the extraction part, a ceramic insulating substrate and a metal paste with strong adhesion to the electrode are layered on top of an electrode formed using a paste with excellent thermal stability, thereby forming a two-layer electrode. The glass frit, which is divided into pastes with strong adhesive strength, is fused to the ceramic insulating substrate through the electrodes formed from the metal paste with excellent thermal stability, resulting in heat resistance of 300°C and sufficient mechanical strength. A strong SiC thin film thermistor can be provided.
実施例
以下、本発明の一実施例のＳｉＣ薄膜サーミスタを図面
を参照にして説明する。EXAMPLE Hereinafter, a SiC thin film thermistor according to an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図に示すように、セラミック絶縁基板であるアルミ
ナ基板６の上に、熱安定性にすぐれたＰｔ−Ａｕペース
トにて一対の対向Ｐｔ−Ａｕ 電極７ａ。As shown in FIG. 1, a pair of opposing Pt-Au electrodes 7a are formed on an alumina substrate 6, which is a ceramic insulating substrate, using a Pt-Au paste with excellent thermal stability.
７ｂを形成し、前記各Ｐｔ−Ａｕ電極７ａ、７ｂのそれ
ぞれの一部に重ね合わせてアルミナ基板６および前記Ｐ
ｔ−Ａｕ 電極７ａ 、７ｂとの接着力の強いＡｇ−
ｐａ ペーストにて電極ｓａ、ｓｂを形成しリード線
取り出し部９ａ、９ｂとする。その後、リード線取り出
し部９ａ、９ｂを除（Ｐｔ−Ａｕ電極７ａ。7b is formed and superimposed on a portion of each of the Pt-Au electrodes 7a, 7b to form the alumina substrate 6 and the Pt-Au electrodes 7a, 7b.
t-Au Ag- with strong adhesive strength with the electrodes 7a and 7b
Electrodes sa and sb are formed using pa paste to form lead wire extraction portions 9a and 9b. After that, the lead wire extraction parts 9a and 9b are removed (Pt-Au electrode 7a).
７ｂ部分にＳｉＣ薄膜１０をスパッタリングにより形成
し感温抵抗体とし、リード線取り出し部９ａ。A SiC thin film 10 is formed on the portion 7b by sputtering to form a temperature-sensitive resistor, and a lead wire extraction portion 9a.
９ｂにはリード線１１ａ、１１ｂを溶接にて接続した構
成となっている。Lead wires 11a and 11b are connected to 9b by welding.
発明の効果
以上のように構成された本発明は次のような効果を有す
る。Effects of the Invention The present invention configured as described above has the following effects.
ＳｉＣ薄膜サーミスタの電極に熱安定性にすぐれた金属
ペースト、および接着力の強い金属ペーストの２種を用
いることにより、３００″Ｃの耐熱性および、十分な機
械的強度を有するＳｉＣ薄膜サーミスタを得ることがで
きる。By using two types of metal paste with excellent thermal stability and metal paste with strong adhesive strength for the electrodes of the SiC thin film thermistor, a SiC thin film thermistor with heat resistance of 300"C and sufficient mechanical strength is obtained. be able to.
第１図は本発明の一実施例におけるＳｉＣ薄膜サーミス
タの斜視図、第２図は従来の薄膜サーミスタの斜視図で
ある。
６・・・・・・アルミナ基板、７ａ 、７ｂ・・川・Ｐ
ｔ −Ａｕ電極、“８ ａ 、 ８ ｂ−−−−Ａｑ
−Ｐｄ電極、９ａ、９ｂ−・・・リード線取り出し部、
１ｏ・・・・・・ＳｉＣ薄膜、１１ａ、１１ｂ・・・・
・・リード線。FIG. 1 is a perspective view of a SiC thin film thermistor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of a conventional thin film thermistor. 6...Alumina substrate, 7a, 7b...Kawa/P
t-Au electrode, “8 a, 8 b---Aq
-Pd electrode, 9a, 9b-... lead wire extraction part,
1o...SiC thin film, 11a, 11b...
··Lead.
Claims (2)
属ペーストにて、一対の対向電極を形成し、さらに前記
対向電極のそれぞれの一部に金属ペーストを重ね、２層
電極を形成してリード線取り出し部とし、前記リード線
取り出し部を除く前記セラミック絶縁基板上にＳｉＣの
薄膜を形成し、前記リード線取り出し部にはリード線を
接続してなるＳｉＣ薄膜サーミスタ。(1) A pair of opposing electrodes are formed using a metal paste with excellent thermal stability on a ceramic insulating substrate, and a portion of each of the opposing electrodes is further overlaid with metal paste to form a two-layer electrode. An SiC thin film thermistor, wherein a thin film of SiC is formed on the ceramic insulating substrate except for the lead wire extraction portion, and a lead wire is connected to the lead wire extraction portion.
ック絶縁基板および、前記熱安定性にすぐれた金属ペー
ストとの接着力の強い金属ペーストを用いた特許請求の
範囲第１項記載のＳｉＣ薄膜サーミスタ。(2) The SiC thin film thermistor according to claim 1, wherein a metal paste having strong adhesive strength with the ceramic insulating substrate and the metal paste with excellent thermal stability is used as the metal paste overlaid on the counter electrode. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130114A JPS61287203A (en) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | Sic thin film thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130114A JPS61287203A (en) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | Sic thin film thermistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287203A true JPS61287203A (en) | 1986-12-17 |
Family
ID=15026284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60130114A Pending JPS61287203A (en) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | Sic thin film thermistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61287203A (en) |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP60130114A patent/JPS61287203A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61287203A (en) | Sic thin film thermistor | |
| JPS622726Y2 (en) | ||
| JPH06337229A (en) | Temperature detection element and applied element thereof | |
| JPS60124802A (en) | Glass sealed thermistor | |
| JPS61287202A (en) | Sic thin film thermistor | |
| JPS62274601A (en) | Sic thin film thermistor | |
| JPH10172806A (en) | Temperature sensor and its manufacture | |
| JPS6145464Y2 (en) | ||
| JPS63104302A (en) | SiC thin film thermistor | |
| JPH01270302A (en) | Thin film thermistor | |
| JPS6236603B2 (en) | ||
| JPS622683B2 (en) | ||
| JPS6155055B2 (en) | ||
| JPS6147532A (en) | strain sensor | |
| JPS61161701A (en) | Thermistor | |
| JPS6348082Y2 (en) | ||
| JPS63299101A (en) | Lead terminal for high-temperature sensor | |
| JPH04293201A (en) | thin film thermistor | |
| JPH0228525A (en) | Thin film thermocouple | |
| JPH08283075A (en) | Temperature sensor heat receiving body and method of manufacturing the same | |
| JPS5951502A (en) | Thermistor | |
| JPS61211981A (en) | Ptc heater | |
| JPH0749271A (en) | Contact temperature sensor and manufacturing method thereof | |
| JPH05234714A (en) | Contact type thin film thermistor and manufacture thereof | |
| JPH05135909A (en) | Contact type thin film thermistor |