JPS61287203A - ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ - Google Patents
ＳｉＣ薄膜サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS61287203A JPS61287203A JP60130114A JP13011485A JPS61287203A JP S61287203 A JPS61287203 A JP S61287203A JP 60130114 A JP60130114 A JP 60130114A JP 13011485 A JP13011485 A JP 13011485A JP S61287203 A JPS61287203 A JP S61287203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- metal paste
- film thermistor
- sic thin
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高応答性および高耐熱性を要求される。
温度センサに利用されるＳｉＣ薄膜サーミスタに関する
ものである。
ものである。
従来の技術
以下、図面を参照しながら、上述したような従来のＳｉ
Ｃ薄膜サーミスタについて説明を行う。
Ｃ薄膜サーミスタについて説明を行う。
従来のＳｉＣ薄膜サーミスタは第２図に示すように、ア
ルミナ基板１上に金属ペーストにて一対の対向電極２ａ
、２ｂを形成した後、リード線取り付は部分３ａ、３
ｂを除く前記対向電極２ａ。
ルミナ基板１上に金属ペーストにて一対の対向電極２ａ
、２ｂを形成した後、リード線取り付は部分３ａ、３
ｂを除く前記対向電極２ａ。
２ｂが形成されている前記アルミナ基板１上にＳｉＣの
薄膜４をスパッタリングにより形成し、前記対向電極２
ａ、２ｂ上の前記ＳｉＣ薄膜４が形成されていない部分
にリード線５ａ、５ｂを接着した構造であった。
薄膜４をスパッタリングにより形成し、前記対向電極２
ａ、２ｂ上の前記ＳｉＣ薄膜４が形成されていない部分
にリード線５ａ、５ｂを接着した構造であった。
発明が解決しようとする問題点
ところが、このような従来の構成では、高耐熱性を得る
ため、対向電極２ａ、２ｂに熱安定性にすぐれた金属ペ
ーストを用いると、対向電極２ａ。
ため、対向電極２ａ、２ｂに熱安定性にすぐれた金属ペ
ーストを用いると、対向電極２ａ。
２ｂと、アルミナ基板１との接着が十分でなく、リード
線５ａ、５ｂの接着強度が十分得られず、機械的強度を
必要とする製品には使用できなかった。逆に、機械的強
度を得るために、対向電極２ａ、２ｂにアルミナ基板１
との接着力の強い金属ペーストを用いると、対向電極２
ａ、２ｂの熱安定性が十分でなく、高耐熱性を必要とす
る製品には使用できなかった。
線５ａ、５ｂの接着強度が十分得られず、機械的強度を
必要とする製品には使用できなかった。逆に、機械的強
度を得るために、対向電極２ａ、２ｂにアルミナ基板１
との接着力の強い金属ペーストを用いると、対向電極２
ａ、２ｂの熱安定性が十分でなく、高耐熱性を必要とす
る製品には使用できなかった。
本発明はこのような従来の問題点を解消するもので、３
ｏ○゛Ｃの耐熱性および十分な機械的強度を有するＳｉ
Ｃ薄膜サーミスタを提供するものである。
ｏ○゛Ｃの耐熱性および十分な機械的強度を有するＳｉ
Ｃ薄膜サーミスタを提供するものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために、本発明のＳｉＣ薄膜サー
ミスタは、熱安定性にすぐれた金属ペーストにて電極を
形成し、さらに前記電極それぞれの一部に、セラミック
絶縁基板および、前記電極との接着力の強い金属ペース
トを重ね、２層電極を形成し、リード線取り出し部とす
る構成としたものである。
ミスタは、熱安定性にすぐれた金属ペーストにて電極を
形成し、さらに前記電極それぞれの一部に、セラミック
絶縁基板および、前記電極との接着力の強い金属ペース
トを重ね、２層電極を形成し、リード線取り出し部とす
る構成としたものである。
作 用
以上のように本発明の薄膜サーミスタは、感温抵抗体と
なるＳｉＣ薄膜形成部分には、熱安定性にすぐれたペー
ストを用いて電極を形成し、さらに機械的強度を決定す
るリード線取出部には、熱安定性にすぐれたペーストを
用いて形成した電極の上に、セラミック絶縁基板、およ
び前記電極との接着力の強い金属ペーストを重ね、２層
電極を形成することにより前記、接着力の強いペースト
に分かれているガラスフリットが、前記熱安定性にすぐ
れた金属ペーストによって形成された電極を通して、セ
ラミック絶縁基板に融着されることにより３００°Ｃの
耐熱性および十分な機械的強度を持つＳｉＣ薄膜サーミ
スタを提供することができる。
なるＳｉＣ薄膜形成部分には、熱安定性にすぐれたペー
ストを用いて電極を形成し、さらに機械的強度を決定す
るリード線取出部には、熱安定性にすぐれたペーストを
用いて形成した電極の上に、セラミック絶縁基板、およ
び前記電極との接着力の強い金属ペーストを重ね、２層
電極を形成することにより前記、接着力の強いペースト
に分かれているガラスフリットが、前記熱安定性にすぐ
れた金属ペーストによって形成された電極を通して、セ
ラミック絶縁基板に融着されることにより３００°Ｃの
耐熱性および十分な機械的強度を持つＳｉＣ薄膜サーミ
スタを提供することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例のＳｉＣ薄膜サーミスタを図面
を参照にして説明する。
を参照にして説明する。
第１図に示すように、セラミック絶縁基板であるアルミ
ナ基板６の上に、熱安定性にすぐれたＰｔ−Ａｕペース
トにて一対の対向Ｐｔ−Ａｕ 電極７ａ。
ナ基板６の上に、熱安定性にすぐれたＰｔ−Ａｕペース
トにて一対の対向Ｐｔ−Ａｕ 電極７ａ。
７ｂを形成し、前記各Ｐｔ−Ａｕ電極７ａ、７ｂのそれ
ぞれの一部に重ね合わせてアルミナ基板６および前記Ｐ
ｔ−Ａｕ 電極７ａ 、７ｂとの接着力の強いＡｇ−
ｐａ ペーストにて電極ｓａ、ｓｂを形成しリード線
取り出し部９ａ、９ｂとする。その後、リード線取り出
し部９ａ、９ｂを除（Ｐｔ−Ａｕ電極７ａ。
ぞれの一部に重ね合わせてアルミナ基板６および前記Ｐ
ｔ−Ａｕ 電極７ａ 、７ｂとの接着力の強いＡｇ−
ｐａ ペーストにて電極ｓａ、ｓｂを形成しリード線
取り出し部９ａ、９ｂとする。その後、リード線取り出
し部９ａ、９ｂを除（Ｐｔ−Ａｕ電極７ａ。
７ｂ部分にＳｉＣ薄膜１０をスパッタリングにより形成
し感温抵抗体とし、リード線取り出し部９ａ。
し感温抵抗体とし、リード線取り出し部９ａ。
９ｂにはリード線１１ａ、１１ｂを溶接にて接続した構
成となっている。
成となっている。
発明の効果
以上のように構成された本発明は次のような効果を有す
る。
る。
ＳｉＣ薄膜サーミスタの電極に熱安定性にすぐれた金属
ペースト、および接着力の強い金属ペーストの２種を用
いることにより、３００″Ｃの耐熱性および、十分な機
械的強度を有するＳｉＣ薄膜サーミスタを得ることがで
きる。
ペースト、および接着力の強い金属ペーストの２種を用
いることにより、３００″Ｃの耐熱性および、十分な機
械的強度を有するＳｉＣ薄膜サーミスタを得ることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例におけるＳｉＣ薄膜サーミス
タの斜視図、第２図は従来の薄膜サーミスタの斜視図で
ある。 ６・・・・・・アルミナ基板、７ａ 、７ｂ・・川・Ｐ
ｔ −Ａｕ電極、“８ ａ 、 ８ ｂ−−−−Ａｑ
−Ｐｄ電極、９ａ、９ｂ−・・・リード線取り出し部、
１ｏ・・・・・・ＳｉＣ薄膜、１１ａ、１１ｂ・・・・
・・リード線。
タの斜視図、第２図は従来の薄膜サーミスタの斜視図で
ある。 ６・・・・・・アルミナ基板、７ａ 、７ｂ・・川・Ｐ
ｔ −Ａｕ電極、“８ ａ 、 ８ ｂ−−−−Ａｑ
−Ｐｄ電極、９ａ、９ｂ−・・・リード線取り出し部、
１ｏ・・・・・・ＳｉＣ薄膜、１１ａ、１１ｂ・・・・
・・リード線。
Claims (2)
- （１）セラミック絶縁基板上に、熱安定性にすぐれた金
属ペーストにて、一対の対向電極を形成し、さらに前記
対向電極のそれぞれの一部に金属ペーストを重ね、２層
電極を形成してリード線取り出し部とし、前記リード線
取り出し部を除く前記セラミック絶縁基板上にＳｉＣの
薄膜を形成し、前記リード線取り出し部にはリード線を
接続してなるＳｉＣ薄膜サーミスタ。 - （２）対向電極上に重ねる金属ペーストに、前記セラミ
ック絶縁基板および、前記熱安定性にすぐれた金属ペー
ストとの接着力の強い金属ペーストを用いた特許請求の
範囲第１項記載のＳｉＣ薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130114A JPS61287203A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130114A JPS61287203A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287203A true JPS61287203A (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=15026284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60130114A Pending JPS61287203A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61287203A (ja) |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP60130114A patent/JPS61287203A/ja active Pending
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