JPS6129044B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、記録バイアス調整機能を有するテー
プレコーダに関し、更に詳細には、正確に所望バ
イアス状態を設定することが可能なテープレコー
ダに関する。

最近のテープレデツキでは、普通の磁気テープ
用バイアスとクロム（CrO₂）テープ用バイアスと
の両方又は更に多くの種類のバイアスを設定する
ことが出来るように構成されている。ところが、
一般の使用者はテープの種類とバイアス設定との
関係を理解するのに困難を伴い、誤まつたバイア
スで使用することが時々ある。また同一種類のテ
ープでも最適バイアス値にバラツキがある。

このため、磁気テープに応じたバイアスを設定
することが望ましい。ところでバイアス設定の方
式として次のような方式がある。

(a) 例えば1kHz信号（低周波信号）の再生レベ
ルがピークとなる点又はこのピークから0.5dB
下つた点のバイアス電流を最適とする方式。

(b) 例えば10kHz信号（高周波信号）の再生レベ
ルのピークが得られる点より所定値だけ深くバ
イアス設定する方式。

(c) 列えば1kHz信号の再生レベルと10kHz信号の
再生レベルとが一致する点にバイアスを設定す
る方式。

(d) 例えば333Hz信号と例えば10kHz信号との重
畳信号を記録再生し、10kHz再生信号の最大値
と333Hz再生信号の例えば３％歪みレベルとの
差が所定値になる点を最適バイアスとする方
式。

そして、一般には高周波バイアス電流を変化さ
せつつバイアス調整用周波数信号を記録し、これ
を再生することによつて最適バイアス点を求め、
最適バイアス値と思わる点でバイアス電流の変化
を停止させる。従つて記録ヘツドと再生ヘツドと
の間隔に応じた誤差が生じる。このため、正確に
バイアス調整する場合には、記録ヘツドと再生ヘ
ツドとの間隔に対応した補正を行わなければなら
ない。この補正のために、モータを逆転させて、
バイアス電流の設定値を少し戻す方式が既に知ら
れているが、これとは別に、ヘツド間隔を考慮し
て検出レベルを所定レベルよりも高く、又は所定
レベルよりも低く設定し、この検出レベルに再生
出力レベルが一致した点でバイアス電流の変化を
停止させることが考えられる。ところが、ドルビ
ー方式等の圧縮伸長方式の雑音低減回路が接続さ
れているか否かによつて周波数信号の再生出力レ
ベルが変化し、正確にバイアス設定を行うことが
不可能になる。

そこで、本発明の目的は、比較的容易且つ正確
にバイアス電流の設定を行なうことが可能なテー
プレコーダを提供することにある。

上記目的を達成するための本発明は、磁気テー
プを所定速度で走行させるためのテープ走行装置
と、前記磁気テープに信号を記録するための記録
磁気ヘツドと、前記磁気テープから記録信号を再
生するために前記記録磁気ヘツドと所定間隔を有
して配置された再生磁気ヘツドと、記録信号供給
回路と前記記録磁気ヘツドとの間に設けられた記
録側雑音低減回路と、前記再生磁気ヘツドと再生
出力回路との間に設けられた再生側雑音低減回路
と、前記記録側雑音低減回路の前段に設けられ、
記録バイアス電流の変化によつて再生出力レベル
が変化する周波数成分を含んだバイアス調整用周
波数信号をバイアス調整時に前記記録磁気ヘツド
に供給する周波数信号供給回路と、前記記録磁気
ヘツドに結合され、バイアス調整時にバイアス電
流を時間と共に変化させるように構成された可変
バイアス装置と、前記再生側雑音低減回路の後段
に設けられ、バイアス調整時に前記周波数信号の
再生出力のレベルが所定状態になつたことを検出
するレベル検出回路と、前記レベル検出回路から
得られる、前記再生出力のレベルが前記所定状態
になつたことを示す信号に応答して、前記可変バ
イアス装置によるバイアス電流の変化を停止させ
る停止制御回路と、自動バイアス調整操作スイツ
チを有し、該操作スイツチの操作に応答して前記
記録側雑音低減回路及び前記再生側雑音低減回路
を夫々の信号伝送ラインから実質的に切離すか又
は夫々の信号伝送ラインに接続するか、又は前記
記録側雑音低減回路及び前記再生側雑音低減回路
を切離し又は接続に対応した状態に前記レベル検
出回路の検出レベルを変更するバイアス調整制御
部と、を備えたテープレコーダに係わるものであ
る。

上記本発明によれば、自動バイアス調整操作ス
イツチの操作に応答して雑音低減回路とレベル検
出回路とが特定関係状態になるので、雑音低減回
路を接続するための操作スイツチの接断に無関係
に最適バイアスレベルの設定を行うことが可能に
なる。

以下、図面を参照して本発明の実施例について
述べる。

本発明の１実施例に係わるテープレコーダをブ
ロツク的に示す第１図に於いて、一対のリール
１，２と図示されていないピンチローラ及びキヤ
プスタンから成るテープ走行装置で駆動される磁
気テープ３の走行経路には間隔Ｌを有して記録ヘ
ツド４と再生ヘツド５とが配置されている。従つ
て、記録ヘツド４で記録した信号を、間隔Ｌに対
応した時間後には再生ヘツドで検出することが出
来る。入力端子６に供給される通常の記録信号を
記録ヘツド４に供給するラインには、記録増幅器
７、ドルビー方式の記録側ノイズ低減回路８、及
び記録イコライザ増幅器９が順次に設けられてい
る。また再生ヘツド５の信号を再生出力端子１０
に供給するために、再生イコライザ増幅器１１、
ドルビー方式の再生側ノイズ低減回路１２、出力
増幅器１３が順次に設けられている。更に、記録
バイアス電流を供給するために、記録ヘツド４に
は可変バイアス装置１４が接続されている。

上述の回路が通常の記録再生に必要な回路であ
る。本実施例では自動バイアス調整を行うため
に、更に、バイアス調整用周波数信号供給回路１
５、レベル検出回路１６、自動バイアス調整操作
スイツチ１７、及び停止制御回路１８が設けられ
ている。また自動バイアス調整操作スイツチ１７
の操作に応答して記録及び再生側のノイズ低減回
路８及び１２をラインから切り離すためのスイツ
チ１９，２０が設けられている。

圧縮伸長方式の記録側ノイズ低減回路８の前段
に設けられた周波数信号供給回路１５は、記録バ
イアス電流の変化によつて再生出力が変化する高
周波帯域に属する10kHzの周波数信号を発生する
ものである。この周波数信号供給回路１５は記録
イコライザ増幅器９を介して記録ヘツド４に結合
されるので、バイアス調整時に磁気テープ３に
10kHzの周波数信号が記録される。

可変バイアス装置１４は、100kHzのバイアス
発振器によつて記録ヘツド４にバイアス電流を流
すものであり、自動バイアス調整時には最大バイ
アス電流値から最小バイアス電流値に向つて電流
を直線的に変化させ、略最適バイアス電流値状態
が検出された時点でバイアス電流の変化が停止
し、通常に記録時には停止時点で設定されたバイ
アス電流を供給するものである。

レベル検出回路１６は周波数信号の再生出力レ
ベルがバイアス電流の変化に追従して変化し、所
定レベルになつたことを検出する回路である。即
ちこのレベル検出回路１６は標準バイアス状態で
標準テープに10kHzの周波数信号を記録再生した
時に得られる標準再生出力レベルからヘツド間隔
を考慮したレベルだけ低減したレベルを検出する
ものである。

レベル検出回路１６の出力に結合された停止制
御回路１８は、レベル検出回路１６から得られる
一致出力に応答して可変バイアス装置１４による
バイアス電流の変化を停止させるための回路であ
る。

第１図の装置で自動的にバイアス設定を行う場
合には、記録モードに設定すると共に、自動バイ
アス調整操作スイツチ１７をオン操作し、これに
連動させてスイツチ１９，２０をオフとし、記録
及び再生側のノイズ低減回路８，１２をラインか
ら実質的に切り離す。バイアス調整操作スイツチ
１７をオンにすれば、周波数信号供給回路１５の
ミユテイングが解除され、周波数信号がテープ３
に記録される。またレベル検出回路１６の入力の
ミユテイングが解除され、レベル検出可能状態に
なる。またスイツチ１７に応答して可変バイアス
装置１４が動作を開始し、最大バイアス電流から
最小バイアス電流に向つてバイアス電流が直線的
に減少し始める。また停止制御回路１８も動作可
能状態となる。

この結果、10kHzの周波数信号がバイアス電流
の変化を伴なつて磁気テープ３に記録され、再生
ヘツド５にて検出される。再生ヘツド５、イコラ
イザ増幅器１１を介して得られる再生出力のレベ
ルは、バイアス電流の変化によつて第２図の曲線
ａのように変化する。一方レベル検出回路１６に
おいては第２図で直線で示す検出レベルｂが設定
されている。この検出レベルｂは、標準再生出力
レベルb′よりもヘツド間隔Ｌを考慮した分だけ低
いレベルである。

バイアス電流を最大値Ｉ_Mから時間と共に直線
的に減少させ、記録ヘツド４に供給するバイアス
電流がI₂になると、再生ヘツド５は、I₂が供給さ
ている時点よりも僅か前の時点で供給されたバイ
アス電流I₄に依存する周波数信号を検出する。そ
して、再生ヘツド５でI₄の時点の周波数信号の再
生出力が得られると、これは検出レベルｂに一致
する。従つてレベル検出回路１６から一致出力が
発生し、これに応答する停止制御回路１８の出力
で可変バイアス装置１４によるバイアス電流の変
化が停止される。この場合、再生ヘツド５でバイ
アス電流I₄に対応して検出レベルｂが検出された
ということは、再生ヘツド５によりも間隔Ｌだけ
先行する記録ヘツド４によつては既にバイアス電
流I₂が供給されていることを意味し、最適バイア
ス電流に設定されていることを意味する。即ち標
準テープを使用して10kHzの信号を記録再生した
ときに得られる再生出力レベルと略同一のレベル
b′が検出されたことを意味する。

ところで、記録及び再生側の圧縮伸長方式のノ
イズ低減回路８，１２を接続した状態で記録バイ
アス電流と再生出力との関係を求めると第２図の
曲線ｃとなる。従つて、この場合には、バイアス
電流I₃を供給している時点で検出レベルｂとな
り、その時点において記録ヘツド４に供給してい
るバイアス電流I₁となり、最適バイアス電流I₂よ
り小さくなる。即ち、正確にバイアス設定を行う
ことが不可能になる。しかし、本装置では、バイ
アス調整操作スイツチ１７の操作に応答してノイ
ズ低減回路８，１２がラインから切り離されるの
で、上述の如き問題が発生せず、正確にバイアス
設定を行うことが出来る。

尚この装置のイコライザは、最適バイアス電流
値での標準テープの周波数特性が第３図に実線２
１ａで示すように設定されている。従つて、この
標準テーの再生出力レベルとこれから使用するテ
ープの再生出力レベルとが10kHzで一致するよう
にバイアス電流を設定したということは、これか
ら使用するテープの抗磁力Ｈ_Cが標準テープより
大きい場合には、第３図の点線２０ｂに示す周波
数特性になるようにバイアス設定したことを意味
し、またこれら使用するテープの抗磁力Ｈ_Cが標
準テープより小さい場合には、第３図の鎖線２０
ｃで示す周波数特性にバイアス設定したことを意
味する。

ところで、バイアス電流を変化させても、周波
数特性の低域には変化は生せず、高域のみが変化
する。即ちバイアス電流を大きくすると高域で周
波数特性曲線が下り、バイアス電流を小さくする
と高域で周波数特性曲線が上る。また標準テープ
と高抗磁力テープとの最大感度差（再生出力レベ
ルの差）及び標準テープと抵抗磁力テープとの最
大感度差は約1.5dBであるので、第１図の装置で
調整された高抗磁力テープの周波数特性曲線は、
低域において標準テープに対して1.5dB以下の再
生出力レベル差（感度差）を有して平坦であり、
高域10kHzにおいて標準テープの再生出力レベル
と一致する。また抵抗磁力テープの場合は、高抗
磁力テープと逆になる。このため、高抗磁力テー
プ及び抵抗磁力テープの場合は、高域において周
波数特性が平坦にならないが、1.5dB程度の変化
であるので、実際上問題にならない。

次に第１図の装置を更に具体的に示す第４図に
ついて述べる。但し、第１図と実質的に共通する
部分には同一の符号を付してその説明を省略す
る。この実施例では記録側のノイズ低減回路８
は、利得制御増幅器２２と、高域通過フイルタ２
３と、検波器３１とを有し、更に利得制御増幅器
２２とフイルタ２３との間にドルビー接断操作ス
イツチ２４と自動バイアス応答スイツチ１９とが
接続されている。ドルビー接断操作スイツチ２４
はテープレコーダの操作パネルに設けられた操作
部の操作でオン・オフするものである。自動バイ
アス応答スイツチ１９は、バイアス調整操作スイ
ツチ１７に連動してオフになるものである。従つ
て、ドルビー接断スイツチ２４のオン又はオフの
無関係に、自動バイアス調整時にはスイツチ１９
のオフによつてドルビー方式による利得制御増幅
器２２の制御は遮断される。

再生側のノイズ低減回路８も、記録側と同様
に、利得制御増幅器２２′、高域通過フイルタ２
３′、検波器３４′、ドルビー接断操作スイツチ２
４′とから成り、記録側の回路と同様にバイアス
調整時にはスイツチ２０によつて実質的にライン
から切り離される。即ち利得制御増幅器２２の制
御回路が遮断される。

記録側において、増幅器７は半固定抵抗器VR₁
を介してノイズ低減回路８の入力に結合され、周
波数信号供給回路１５は半固定抵抗器VR₂を介し
てノイズ低減回路８の入力に結合されている。利
得制御増幅器２２の出力は記録イコライザ増幅器
９に接続されているので、利得制御増幅器２２は
ドルビーの接断に無関係に信号伝送ラインに挿入
されている。再生側において、ノイズ低減回路１
２の利得制御回路２２′の出力は、半固定抵抗器
VR₃を介して増幅器１３及びレベル検出回路１６
に接続されている。

レベル検出回路１６において可変抵抗器VR₄の
摺動端子は結合コンデンサC₁を介して交流増幅
用トランジスタQ₁のベースに接続され、トラン
ジスQ₁のベースにはバイアス抵抗R₁及びR₂が接
続され、コレクタは抵抗R₃を介して電源端子＋
Ｂに接続され、エミツタは抵抗R₄で接地されて
いるので、再生ヘツド５の出力レベルはトランジ
スタQ₁で増幅される。トランジスタQ₁のコレク
タは結合コンデンサC₂を介して整流用ダイオー
ドD₁に接続され、このダイオードD₁の出力と接
地との間に平滑用コンデンサC₃が接続されてい
るので、平滑用コンデンサC₃の両端に再生出力
に応じた直流レベルが得られる。ダイオードD₁
の出力は抵抗R₅を介してトランジスタQ₂のベー
スに接続され、トランジスタQ₂のベースと接地
との間に抵抗R₆が接続され、トランジスタQ₂の
コレクタと電源端子＋Ｂとの間に抵抗R₇が接続
され、このトランジスタQ₂のエミツタと接地と
の間に抵抗R₈が接続されているので、コンデン
サC₃の電圧が所定レベル（第２図のｂレベル）
以上になるとトランジスタQ₂がオンになる。ト
ランジスタQ₂のエミツタは次段のトランジスタ
Q₃のベースに接続され、トランジスタQ₃のエミ
ツタは接地されているので、前段のトランジスタ
Q₂がオンになると、次段のトランジスタQ₃もオ
ンになる。

このレベル検出回路１６は標準テープを使用し
て基準信号を記録再生したときに得られる再生出
力レベルb′よりも僅かに低いレベルｂでトランジ
スタQ₂，Q₃がオンになるように設定されてい
る。

トランジスタQ₃のコレクタは停止制御回路１
８の第１のフリツプフロツプFF₁のセツト端子Ｓ
に接続され、セツト端子Ｓは抵抗を介してバイア
ス端子＋Ｂに接続されているので、レベル検出回
路１６のトランジスタQ₃がオンになつたときの
み低レベルのセツト信号が入力し、このＱ出力が
高レベルとなる。

第１のフリツプフロツプFF₁のＱ出力はトラン
ジスタQ₄のベース及びトランジスタQ₅のベース
に接続されているので、一致出力に応答してＱ出
力が高レベルになると、トランジスタQ₄がオン
になり、このコレクタと電源との間に接続された
発光ダイオード３２が点灯する。またトランジス
タQ₅もオンになり、最終的にはモータ２５が停
止する。即ちトランジスタQ₅は安定化電源用ト
ランジスタQ₆のベースと接地との間に接続され
ているので、トランジスタQ₅がオンになると、
抵抗R₉を介してトランジスタQ₆のベース電流が
流れがなくなり、トランジスタQ₆はオフにな
る。従つてプランジヤソレノイド２６及びモータ
２５への電力供給が遮断され、可変コンデンサ２
７によるバイアス調整も停止する。尚トランジス
タQ₆を定電圧制御するために、制御用トランジ
スタQ₇、ツエナーダイオードZD等が接続されて
いる。

この実施例では、100kHzのバイアス発振器２
８とヘツド４の間に回転型可変コンデンサ２７が
接続され、可変コンデンサ２７の回転軸にギヤク
ラツチ２９を介してモータ２５が結合されている
ので、モータ２５の回転に応じて可変コンデンサ
２７のインビーダンス値が変化し、バイアス電流
も最大値から最小値に向つて変化する。プランジ
ヤソレノイド２６はクラツチ３９を制御するため
に設けられている。

停止制御回路１８の第１のフリツプフロツプ
FF₁を調整スタート時に確実にリセツトするため
に、リセツト端子Ｒと接地との間にダイオード
D₄を介してトランジスタQ₈が接続され、このト
ランジスタQ₈のベースは抵抗R₁₀とR₁₁とを介し
て電源端子＋Ｂに接続されている。従つて電源を
投入すれば、トランジスタQ₈がオンになり、第
１のフリツプフロツプFF₁の低レベルのリセツト
信号が付与され、確実にリセツト状態となる。し
かる後、自動バイアス調整操作スイツチ１７がオ
ンされると、このスイツチ１７はトランジスタ
Q₈のベースと接地との間に抵抗R₁₀とダイオード
D₂とを介して接続されているので、トランジス
タQ₈のベースが実質的に接地され、トランジス
タQ₈はオフ転換し、第１のフリツプフロツプFF₁
のリセツト信号は消減し、セツト可能状態とな
る。

またダイオードD₂のアノードとトランジスタ
Q₅のベースとの間に抵抗R₁₂とダイオードD₃が接
続されているので、自動バイアス調整操作スイツ
チ１７をオンにすると、トランジスタQ₅のベー
スが低レベルとなり、このトランジスタQ₅がオ
フに転換し、モータ２５の回転が開始する。スイ
ツチ１７をオンにする前は、抵抗R₁₁，R₁₂を介し
てトランジスタQ₅にベース電流が流れるため
に、トランジスタQ₆はオフに保たれ、モータ２
５は回転しない。

ミユテイング制御回路３０には、可変コンデン
サ２７の回転軸が最大バイアス電流供給点になる
毎（一回転毎）に閉成される調整開始スイツチ
SWが設けられている。そしてこの接点ａは接地
され、開始スイツチSWはコンデンサC₄を介して
第２のフリツプフロツプFF₂の反転セツト端子Ｓ
に接続されているので、最大バイアス電流点に応
答してスイツチSWの接点ａが瞬間的に閉成され
ると、セツト端子Ｓが正のバイアス電源＋Ｂに接
続されているにも拘らずコンデンサC₄と接点ａ
を介してセツト端子Ｓが短時間接地され、低レベ
ルのセツトパルスがセツト端子Ｓに付与され、フ
リツプフロツプFF₂はセツト状態となる。従つて
出力端子は低レベル出力状態となり、ダイオー
ドD₇と抵抗R₁₃とを介して接続されたミユテイン
グトランジスタQ₉のベースも低レベルとなり、
トランジスタQ₉はオフ状態になる。このため、
スイツチSWの接点ａの閉成に同期してトランジ
スタQ₉がオフになり、周波数信号供給回路１５
から周波数信号の供給が開始される。尚スイツチ
SWの接点ａは瞬間的に閉成し、その後は接点ｂ
が閉成するので、、コンデンサC₄に充電された電
荷は接点ｂを介して放電され、次のスタートの準
備状態となる。

第２のフリツプフロツプFF₂の出力端子はダ
イオードD₈と抵抗R₁₄とを介してトランジスタ
Q₁₀のベースにも接続されるので、第２のフリツ
プフロツプFF₂がセツトされている期間は、レベ
ル検出回路１６の入力ラインと接地との間のトラ
ンジスタQ₁₀はオフに保たれ、レベル検出回路１
６の動作は可能である。

記録側のミユテイングトランジスタQ₁₁は、記
録増幅器７の出力ラインと接地との間に接続さ
れ、このベースがトランジスタQ₁₂を介して電源
端子＋Ｂに接続され、トランジスタQ₁₂のベース
がバイアス調整操作スイツチ１７を介して接地さ
れるので、スイツチSWをオンにするのと、トラ
ンジスタQ₁₂がオンになり、更にトランジスタ
Q₁₁もオンになり、ミユテイング状態になる。

次にこのテープレコーダの取扱い方法及び動作
を説明する。このテープレコーダを完成させる前
の工場において行う標準レベル調整について述べ
ると、標準信号を標準条件に記録した標準テープ
を再生することによつて再生出力増幅器１３の後
段又は前段において所定のレベルが得られるよう
に抵抗器VR₃を調整し、半固定にする。次に、記
録系を調整するために、入力端子６に標準記録信
号を入力させ、標準テープに最適バイアス電流状
態にて標準記録信号を記録し、再生出力が前述の
再生系調整時と同一の所定レベルとなるように、
抵抗器VR₁を調整し、半固定とする。尚この調整
の際のバイアス電流値は、所定の周波数（例えば
1kHz）信号を記録再生して再生出力が最大とな
る値である。またイコライザは周波数特性が平坦
になるように調整される。

以上は、テープレコーダの標準レベル調整であ
る。第４図の実施例では上記の標準レベル調整の
他に、第２図に標準基準レベルb′を設定するため
に、10kHzの周波数信号供給回路１５から得られ
る周波数信号を記録ヘツド４に供給し、これを標
準テープに記録し、再生ヘツド５で再生し、この
再生出力レベルが前述の再生系の調整時と同一の
所定レベルとなるように抵抗器VR₂を調整し、半
固定とする。この時のバイアス電流値は勿論、前
述の記録系の調整時に設定した値である。またレ
ベル検出回路１６が第２図の検出レベルｂで一致
出力を発生するように可変低抗器VR₄を調整す
る。

以上で、工場での調整は終了する。使用者が、
これら使用する磁気テープに適したバイアス電流
を設定する場合には、まず上述の如き標準レベル
調整済テープレコーダにこれから使用する磁気テ
ープを装着し、電源スイツチを投入し、記録ヘツ
ド４及び再生ヘツド５を磁気テープ３に当接させ
且つテープ走行させて記録状態とする。しかる
後、自動バイアス調整操作スイツチ１７をオンに
する。これにより、バイアス調整が自動的に開始
し、自動的に停止する。

以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明は上述の実施例に限定されるものではなく、更
に変形可能なものである。例えば、可変コンデン
サ２７はバイアス電流を調整せずに、電子回路に
よつてバイアス電流が時間と共に直線的に変化す
るようにしてもよい。またノイズ低減回路８，１
２をドルビー方式以外の圧縮伸長方式の回路とし
てもよい。また実施例ではスイツチ１７のオンに
応答させてノイズ低減回路８，１２を切り離す回
路構成としたが、ドルビー接断操作スイツチ２
４，２４′に並列にバイアス調整応答スイツチを
接続し、バイアス調整時にノイズ低減回路８，１
２が必ず接続されるようにしてもよい。またドル
ビー接断操作スイツチ２４，２４′の接断に応答
してレベル検出回路１６の検出レベルを切換えて
ドルビー回路の接断に無関係に最適バイアス値を
設定するようにしてもよい。尚この場合には、例
えば、第４図の抵抗R₃に並列にドルビー接断に
応答して抵抗を接続してレベルを切り換える。

またレベル検出回路１６は第４図の回路に限定
されるものでなく、例えば、基準電圧源と再生出
力レベルとを比較器で比較する構成としてもよ
い。また周波数信号供給回路１５から供給する周
波数信号を例えば1kHzと10kHzとの２つの周波数
信号の混合周波数信号とし、レベル検出回路にお
いて1kHz信号と10kHz信号とを分離し、両者の一
致を検出することよつて最適バイアス調整を行う
場合にも適用可能である。また歪みを考慮したバ
イアス調整方式等にも適用可能である。またテー
プ種類によつて自動的にイコライザ回路の切換を
行う場合に、これに応答してスイツチ１９，２０
をオフにするようにしてもよい。また自動的に記
録レベルを調整する場合にも、これに応答してス
イツチ１９，２０をオフするようにしてもよい。
又は、これ等に応答してノイズ低減回路８，１２
を強制的にラインに接続してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係わるテープレコー
ダを示すブロツク図、第２図は第１図の装置によ
るバイアス調整を説明するためのバイアス電流一
再生出力特性曲線図、第３図は第１図の装置によ
るバイアス調整で得られる周波数特性図、第４図
は第１図のテープレコーダを更に詳しく示す回路
図である。 尚図面に用いられている符号において、３は磁
気テープ、４は記録ヘツド、５は再生ヘツド、８
は記録側ノイズ低減回路、１２は再生側ノイズ低
減回路、１４は可変バイアス装置、１５は周波数
信号供給回路、１６はレベル検出回路、１７は自
動バイアス調整操作スイツチ、１８は停止制御回
路である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁気テープを所定速度で走行させるためのテ
   ープ走行装置と、 前記磁気テープに信号を記録するための記録磁
   気ヘツドと、 前記磁気テープから録画信号を再生するために
   前記記録磁気ヘツドと所定間隔を有して配置され
   た再生磁気ヘツドと、 記録信号供給回路と前記記録磁気ヘツドとの間
   に設けられた記録側雑音低減回路と、 前記再生磁気ヘツドと再生出力回路との間に設
   けられた再生側雑音低減回路と、 前記記録側雑音低減回路の前段に設けられ、記
   録バイアス電流の変化によつて再生出力レベルが
   変化する周波数成分を含んだバイアス調整用周波
   数信号をバイアス調整時に前記記録磁気ヘツドに
   供給する周波数信号供給回路と、 前記記録磁気ヘツドに結合されて、バイアス調
   整時にバイアス電流を時間と共に変化させるよう
   に構成された可変バイアス装置と、 前記再生側雑音低減回路の後段に設けられ、バ
   イアス調整時に前記周波数信号の再生出力のレベ
   ルが所定状態になつたことを検出するレベル検出
   回路と、 前記レベル検出回路から得られる、前記再生出
   力のレベルが前記所定状態になつたことを示す信
   号に応答して、前記可変バイアス装置によるバイ
   アス電流の変化を停止させる停止制御回路と、 自動バイアス調整操作スイツチを有し、該操作
   スイツチの操作に応答して前記記録側雑音低減回
   路及び前記再生側雑音低減回路を夫々の信号伝送
   ラインから実質的に切離すか又は夫々の信号伝送
   ラインに接続するか、又は前記記録側雑音低減回
   路及び前記再生側雑音低減回路の切離し又は接続
   に対応した状態に前記レベル検出回路の検出レベ
   ルを変更するバイアス調整制御部と、 を備えたテープレコーダ。 ２ 前記記録側雑音低減回路は、利得制御回路
   と、該利得制御回路の出力に結合されたドルビー
   切換操作スイツチと、該ドルビー切換操作スイツ
   チに実質的に直列に接続されたバイアス調整応答
   スイツチと、該バイアス調整応答スイツチの出力
   に接続された高域通過フイルタと、該高域通過フ
   イルタの出力を検波し、該検波出力で前記利得制
   御回路を制御する検波回路とから成るドルビー型
   雑音低減回路であり、 前記再生側雑音低減回路は、利得制御回路と、
   該利得制御回路の出力に結合されたドルビー切換
   操作スイツチと、該ドルビー切換操作スイツチに
   実質的に直列に接続されたバイアス調整応答スイ
   ツチと、該バイアス調整応答スイツチの出力に接
   続された高域通過フイルタと、該高域通過フイル
   タの出力と検波し、該検波出力で前記利得制御回
   路を制御する検波回路とから成るドルビー型雑音
   低減回路である特許請求の範囲第１項記載のテー
   プレコーダ。