JPS6129130A - 基板の酸処理における水洗作業の改良 - Google Patents
基板の酸処理における水洗作業の改良Info
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- JPS6129130A JPS6129130A JP14146085A JP14146085A JPS6129130A JP S6129130 A JPS6129130 A JP S6129130A JP 14146085 A JP14146085 A JP 14146085A JP 14146085 A JP14146085 A JP 14146085A JP S6129130 A JPS6129130 A JP S6129130A
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- chemical
- spray
- water
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0404—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板、たとえば、集積回路チップのような電子
装置の製造におけるシリコン・ウェファ−を処理するた
めの化学薬品処理装置に関する。
装置の製造におけるシリコン・ウェファ−を処理するた
めの化学薬品処理装置に関する。
集積回路チップのような電子装置の製造における基板す
なわちウェファ−の処理では、処理すべき基板に多種類
の化学薬品を順次塗布しなければならない化学薬品処理
装置を用いている。化学薬品の成るものは単独で加えら
れ、他のものは混ぜ合わされる。塩酸、硫酸、硝酸、弗
化水素のような酸が処理段階でウェファ−に塗布され、
成る段階では、過酸化水素のような他の化学薬品と混ぜ
合わすこともある。
なわちウェファ−の処理では、処理すべき基板に多種類
の化学薬品を順次塗布しなければならない化学薬品処理
装置を用いている。化学薬品の成るものは単独で加えら
れ、他のものは混ぜ合わされる。塩酸、硫酸、硝酸、弗
化水素のような酸が処理段階でウェファ−に塗布され、
成る段階では、過酸化水素のような他の化学薬品と混ぜ
合わすこともある。
加圧窒素ガスも液体ノズルのところで加えられて、液体
化学薬品が処理室内に、そして基板に向って流れるとき
にこの液体化学薬品を宵化し、ウェファ−を全体的に浸
し、液体化学薬品によって基板を完全に覆うようにする
。水洗剤として水も使用され、各処理段階の間で基板を
洗浄し、液体化学薬品の管路またはダクトからのパージ
を行なう。
化学薬品が処理室内に、そして基板に向って流れるとき
にこの液体化学薬品を宵化し、ウェファ−を全体的に浸
し、液体化学薬品によって基板を完全に覆うようにする
。水洗剤として水も使用され、各処理段階の間で基板を
洗浄し、液体化学薬品の管路またはダクトからのパージ
を行なう。
このような基板の処理に際しては、基板は固定保持され
るか、あるいは回転させられており、成る場合には、ウ
ェファ−を一時に1つずつ処理するし、また別の場合に
は、1つの処理室内で多数のウェファ−を同時にバッチ
処理することもある。また、化学薬品や水の噴流を処理
室に向けるスプレ一部を処理室の周壁のところに設ける
こともあるが、スプレー・ポストを処理室のほぼ中央に
も設けてほぼ半径方向外向きの噴霧を行ない。
るか、あるいは回転させられており、成る場合には、ウ
ェファ−を一時に1つずつ処理するし、また別の場合に
は、1つの処理室内で多数のウェファ−を同時にバッチ
処理することもある。また、化学薬品や水の噴流を処理
室に向けるスプレ一部を処理室の周壁のところに設ける
こともあるが、スプレー・ポストを処理室のほぼ中央に
も設けてほぼ半径方向外向きの噴霧を行ない。
処理室内のウェファ−に液体や水を噴霧することもある
。
。
ここで、スプレー・ポストに化学薬品を供給す□、
る化゛学薬品給送管路を□引続いた化学処理段階の間に
洗い流し、化学反応を防ぐことは絶対必要である。そう
しないと、沈殿物や他の有害副産物が生じる可能性があ
り、これは引続く段階で使用した化学薬品を混ぜ合わせ
た場合に生じるかも知れない。同じ理由で、また、各段
階で基板に塗布した化学薬品を次の段階で化学薬品を塗
布する前に完全に洗い流しておくことも絶対必要である
。
洗い流し、化学反応を防ぐことは絶対必要である。そう
しないと、沈殿物や他の有害副産物が生じる可能性があ
り、これは引続く段階で使用した化学薬品を混ぜ合わせ
た場合に生じるかも知れない。同じ理由で、また、各段
階で基板に塗布した化学薬品を次の段階で化学薬品を塗
布する前に完全に洗い流しておくことも絶対必要である
。
従来、スプレー・ポストに液体化学薬品と窒素ガスを供
給して処理室内部に向って液体噴霧を行なうと同時に、
温圧窒素でスプレー粒子を分解し、液体噴流を効果的に
霧化し、化学処理段階中に基板を完全に浸すことは普通
であった。
給して処理室内部に向って液体噴霧を行なうと同時に、
温圧窒素でスプレー粒子を分解し、液体噴流を効果的に
霧化し、化学処理段階中に基板を完全に浸すことは普通
であった。
化学処理段階が完了したとき、化学薬品管路への液体化
学薬品の流れを止め、同時に、化学薬品管路に圧力の下
に水を送って供給管路およびノズル・オリフィスから液
体化学薬品を徐々にパージし、このパージが継続してい
る間に処理室内で基板に加えられている液体化学薬品の
濃度を徐々に減するのが普通であった。化学薬品管路に
水洗用水を供給すると同時に、この水洗用水を個別のノ
ズルあるいは一連のノズルからも加え、圧力室内へ水洗
用水の扇形の噴流を発する。この扇形水洗用水の噴流は
霧化されず、ウェファ−を全体的に水洗するには不適で
あるが、ウェファ−の水洗は化学薬品スプレー・ポスト
(霧化された水を放出している)からの霧化噴流に依存
する。従来、化学薬品給送管路の水洗が最初に行なわれ
、次いで化学薬品供給ポストからの霧化水で基板を水洗
する。この2段階の水洗、すなわち、最初に化学薬品給
送管路の水洗、次に基板の水洗という2段階水洗には余
計な時間がかかり、基板の全処理能率を低下させる。ま
た、従来の水洗処理には、化学薬品を基板に与え続け、
最終的にパージ用水で管路内の化学薬品を稀釈して化学
薬品の存在率を低下させるために、基板に与える化学薬
品の停止時期を特定できないという欠点がある。
学薬品の流れを止め、同時に、化学薬品管路に圧力の下
に水を送って供給管路およびノズル・オリフィスから液
体化学薬品を徐々にパージし、このパージが継続してい
る間に処理室内で基板に加えられている液体化学薬品の
濃度を徐々に減するのが普通であった。化学薬品管路に
水洗用水を供給すると同時に、この水洗用水を個別のノ
ズルあるいは一連のノズルからも加え、圧力室内へ水洗
用水の扇形の噴流を発する。この扇形水洗用水の噴流は
霧化されず、ウェファ−を全体的に水洗するには不適で
あるが、ウェファ−の水洗は化学薬品スプレー・ポスト
(霧化された水を放出している)からの霧化噴流に依存
する。従来、化学薬品給送管路の水洗が最初に行なわれ
、次いで化学薬品供給ポストからの霧化水で基板を水洗
する。この2段階の水洗、すなわち、最初に化学薬品給
送管路の水洗、次に基板の水洗という2段階水洗には余
計な時間がかかり、基板の全処理能率を低下させる。ま
た、従来の水洗処理には、化学薬品を基板に与え続け、
最終的にパージ用水で管路内の化学薬品を稀釈して化学
薬品の存在率を低下させるために、基板に与える化学薬
品の停止時期を特定できないという欠点がある。
本発明の目的は改良した水洗サイクルおよび装置を有し
、水洗処置時間を短縮し、基端の水洗をほとんど瞬間的
に開始することによって化学薬品処理の終了を一層精密
に制御できる化学処理装置を提供することにある。
、水洗処置時間を短縮し、基端の水洗をほとんど瞬間的
に開始することによって化学薬品処理の終了を一層精密
に制御できる化学処理装置を提供することにある。
本発明の一特徴は、基板の化学処理装置において、化学
処理段階の終了時に基板への液体化学薬品の付与をほと
んど瞬間的に終了させ、水洗用の水を化学薬品供給管路
および化学薬品スプレー・ポストの化学薬品オリフィス
を通して低圧で供給して供給管路からそしてドレンに直
接稀釈用液体化学薬品をパージし、スプレー・ノズルノ
ドころで充分な圧力でパージ用水と稀釈用液体化学薬品
をスプレー処理室内で基板に流すことなくスプレー・オ
リフィスから少しずつ流し、はぼ同時に化学薬品供給管
路への水洗用水の付与によって、水洗用の水に連続的に
作用するスプレー・オリフィスを通して水洗用の水を供
給し、この水洗用の水を霧化して処理室の基板に付与す
るということにある。
処理段階の終了時に基板への液体化学薬品の付与をほと
んど瞬間的に終了させ、水洗用の水を化学薬品供給管路
および化学薬品スプレー・ポストの化学薬品オリフィス
を通して低圧で供給して供給管路からそしてドレンに直
接稀釈用液体化学薬品をパージし、スプレー・ノズルノ
ドころで充分な圧力でパージ用水と稀釈用液体化学薬品
をスプレー処理室内で基板に流すことなくスプレー・オ
リフィスから少しずつ流し、はぼ同時に化学薬品供給管
路への水洗用水の付与によって、水洗用の水に連続的に
作用するスプレー・オリフィスを通して水洗用の水を供
給し、この水洗用の水を霧化して処理室の基板に付与す
るということにある。
本発明の別の特徴は、液体化学薬品や水洗用水のそれぞ
れのための個別のスプレーやポストまたはスプレー・ヘ
ッドを処理室に設け、スプレー・ポストまたはスプレー
・ヘッドの各々がそこから放出する液体化学薬品および
水洗用水の噴流を霧化するガスの窒素ボートを有し、化
学薬品供給管路と接続した水源管路内に圧力調整装置を
設け、また、スフ”L/−・ポスト・マニホルドおよび
供給管路を通して液体がパージされた後に稀釈化学薬品
および水洗用水管路を含む化学薬品供給管路からの液体
のすべてをドレンに送るために化学薬品スプレー・ポス
トに隣接して設けたドレン弁を設けたことにある。
れのための個別のスプレーやポストまたはスプレー・ヘ
ッドを処理室に設け、スプレー・ポストまたはスプレー
・ヘッドの各々がそこから放出する液体化学薬品および
水洗用水の噴流を霧化するガスの窒素ボートを有し、化
学薬品供給管路と接続した水源管路内に圧力調整装置を
設け、また、スフ”L/−・ポスト・マニホルドおよび
供給管路を通して液体がパージされた後に稀釈化学薬品
および水洗用水管路を含む化学薬品供給管路からの液体
のすべてをドレンに送るために化学薬品スプレー・ポス
トに隣接して設けたドレン弁を設けたことにある。
化学処理における改良の理由によって、水洗用水スプレ
m9ボストあるいはヘッドからの、窒素によって霧化さ
れた水洗用水は、液体化学薬品の流れを止めた直後に処
理室内の基板上に送られ、基板の水洗が進行する間、化
学薬品供給管路も同時に水洗されるが、液体化学薬品の
処理室内の基板への給送は中断する(急速な稀釈を行な
うかも知れないが)。
m9ボストあるいはヘッドからの、窒素によって霧化さ
れた水洗用水は、液体化学薬品の流れを止めた直後に処
理室内の基板上に送られ、基板の水洗が進行する間、化
学薬品供給管路も同時に水洗されるが、液体化学薬品の
処理室内の基板への給送は中断する(急速な稀釈を行な
うかも知れないが)。
本発明は2つの主要な利点を与える。まず、基板の水洗
および化学薬品供給管路の水洗が同時に行なわれること
により水洗サイクルがかなり短縮されるということと、
基板に対する化学処理段階 ′を精密に終了させて
全処理制御を改善できるということである。
および化学薬品供給管路の水洗が同時に行なわれること
により水洗サイクルがかなり短縮されるということと、
基板に対する化学処理段階 ′を精密に終了させて
全処理制御を改善できるということである。
以下、本発明の一実施例を雄性図面を参照しながら説明
する。
する。
基板10の化学処理は全体的に符号11で示す密閉容器
内で実施される。この密閉容器は化学薬品の浸食に対し
て非常に強い材料、通常はステンレス鋼で作られている
と好ましいボウルまたはハウジング12を包含する。こ
のボウルはヒンジ止めしたカバー13を有し、基板の処
理を行なう密閉室14を構成している。
内で実施される。この密閉容器は化学薬品の浸食に対し
て非常に強い材料、通常はステンレス鋼で作られている
と好ましいボウルまたはハウジング12を包含する。こ
のボウルはヒンジ止めしたカバー13を有し、基板の処
理を行なう密閉室14を構成している。
基板10は、たいていの場合、シリコン・ウェファ−で
あり、これに電子装置(普通、集積回路チップ)の製造
時に種々のフィルムが貼り付けられる。図示のハウジン
グの形態では、基板10はキャリヤまたはカセット15
内に閉じ込められ、このカセットが互いに隔たって向い
合った状態で密閉室14の中央に複数の基板を保持する
。カセットは矢印aで示すように密閉室14内に回転可
能に装着しである。処理室の他の形態では、密閉室は一
枚の基板すなわちウェファ−に対してかなり小さく、処
理中にこの基板すなわちウェファ−を回転させるか、あ
るいは、静止状態に保持している。
あり、これに電子装置(普通、集積回路チップ)の製造
時に種々のフィルムが貼り付けられる。図示のハウジン
グの形態では、基板10はキャリヤまたはカセット15
内に閉じ込められ、このカセットが互いに隔たって向い
合った状態で密閉室14の中央に複数の基板を保持する
。カセットは矢印aで示すように密閉室14内に回転可
能に装着しである。処理室の他の形態では、密閉室は一
枚の基板すなわちウェファ−に対してかなり小さく、処
理中にこの基板すなわちウェファ−を回転させるか、あ
るいは、静止状態に保持している。
このような基板lOの処理には、成る順序の処理段階に
従って一連の処理用化学薬品を塗布する必要がある。各
処理段階(それぞれ1種類またはそれ以上の種類の液体
化学薬品の使用を伴なう)は、ウェファ−の全体を水洗
するために次の処理段階との間に間隔を置いており、−
これにより、液体化学薬品の痕跡をすべて除去し、また
、化学薬品の混合で生じる可能性のあるいかなる沈殿物
をもウェファ−上に残さない。
従って一連の処理用化学薬品を塗布する必要がある。各
処理段階(それぞれ1種類またはそれ以上の種類の液体
化学薬品の使用を伴なう)は、ウェファ−の全体を水洗
するために次の処理段階との間に間隔を置いており、−
これにより、液体化学薬品の痕跡をすべて除去し、また
、化学薬品の混合で生じる可能性のあるいかなる沈殿物
をもウェファ−上に残さない。
液体化学薬品は一対のスプレm−ボストまたはスプレー
・ヘッド16.17から基板10上に与えられる。これ
らのスプレー−ボストまたはスプレー・ヘッドは同じも
のであるから、いずれか一方を説明し、それを理解すれ
ば、両方を理解したことになろう。
・ヘッド16.17から基板10上に与えられる。これ
らのスプレー−ボストまたはスプレー・ヘッドは同じも
のであるから、いずれか一方を説明し、それを理解すれ
ば、両方を理解したことになろう。
別の水洗用水スプレー処理室内またはスプレー・ヘッド
18も設けてあって、基板10に向って水洗用水のみを
噴霧するようになっている。この水洗用水スプレー・ボ
ス)18は、流れをつなげる配管の点を除いて化学薬品
スプレー・ポストまたはスプレー・ヘッド16.17と
同じもの゛である。したがって、スプレm−ポストまた
はスプレー・ヘッド16.17.18のいずれか1つの
構造を理解したならば、すべてを理解したことになろう
。
18も設けてあって、基板10に向って水洗用水のみを
噴霧するようになっている。この水洗用水スプレー・ボ
ス)18は、流れをつなげる配管の点を除いて化学薬品
スプレー・ポストまたはスプレー・ヘッド16.17と
同じもの゛である。したがって、スプレm−ポストまた
はスプレー・ヘッド16.17.18のいずれか1つの
構造を理解したならば、すべてを理解したことになろう
。
ボウル12は底壁12.1を有し、この上に室14に噴
霧される液体がすべて集められる。底壁12.1はドレ
ン12.2まで傾斜しており、使った処理液体、水洗用
水、種々の沈殿物をすべて直ちに運び去る。
霧される液体がすべて集められる。底壁12.1はドレ
ン12.2まで傾斜しており、使った処理液体、水洗用
水、種々の沈殿物をすべて直ちに運び去る。
スプレー・ポスト16は他のスプレー・ポスト17.1
8の代表であり、これはボウル壁12゜3に設けた細長
いスロット状の開口を観通している細長いポデー19を
有する。スプレー・ポスト・ポデー19は前部フランジ
20を有する。この前部フランジ20は、密封ガスケツ
)21と共に、ボウル側壁の内面を押圧しており、ボウ
ル側壁の外面でブラケット構造22によってそこに留め
られている。
8の代表であり、これはボウル壁12゜3に設けた細長
いスロット状の開口を観通している細長いポデー19を
有する。スプレー・ポスト・ポデー19は前部フランジ
20を有する。この前部フランジ20は、密封ガスケツ
)21と共に、ボウル側壁の内面を押圧しており、ボウ
ル側壁の外面でブラケット構造22によってそこに留め
られている。
スプレー・ポスト・ポデー19およびガスケット21は
共に成るタイプのプラスチックで作っである。このプラ
スチックは活性度の高いすなわち腐食性の化学薬品に対
して不活性でありかつ抵抗が大きく、一般にテトラポリ
エチレンと呼ばれ、プラウエア州つィリミントン市のd
uPontCompanyの登録商標Teflonとし
て知られるプラスチックであると好ましい。
共に成るタイプのプラスチックで作っである。このプラ
スチックは活性度の高いすなわち腐食性の化学薬品に対
して不活性でありかつ抵抗が大きく、一般にテトラポリ
エチレンと呼ばれ、プラウエア州つィリミントン市のd
uPontCompanyの登録商標Teflonとし
て知られるプラスチックであると好ましい。
細長いスプレー・ポスト・ポデー19は一対の液体通路
またはマニホルド23.24を有し、これら液体通路ま
たはマニホルドは第6図でわかるようにポデーのほぼ全
長にわたって長手方向に延びている。液体通路またはマ
ニホルド23.24は多数の液体スプレー・オリフィス
25.26に液体を供給する。これら液体スプレー・オ
リフィスはそれぞれ液体通路23.24と交差し、それ
と連絡しており、また、密閉容器の室14の側に
゛位置したスプレー・ポストの前面27を貫いて開
口している。第5図でわかるように、液体スプレー・オ
リフィス25.26は互いに収束する向きとなっており
、その結果、オリフィス25.26から発した液体の噴
流はこれらオリフィスの出口端から少し離れたところで
互いに交差する。
またはマニホルド23.24を有し、これら液体通路ま
たはマニホルドは第6図でわかるようにポデーのほぼ全
長にわたって長手方向に延びている。液体通路またはマ
ニホルド23.24は多数の液体スプレー・オリフィス
25.26に液体を供給する。これら液体スプレー・オ
リフィスはそれぞれ液体通路23.24と交差し、それ
と連絡しており、また、密閉容器の室14の側に
゛位置したスプレー・ポストの前面27を貫いて開
口している。第5図でわかるように、液体スプレー・オ
リフィス25.26は互いに収束する向きとなっており
、その結果、オリフィス25.26から発した液体の噴
流はこれらオリフィスの出口端から少し離れたところで
互いに交差する。
液体通路またはマニホルード23.24は複数の流れダ
クト28.29と交差しており、これらの流れダクトは
それぞれ液体通路23.24の中間部、端部のところに
位置しており、また、それぞれ入口ポートすなわち供−
給ポート30と排出ポート31と交差している。
クト28.29と交差しており、これらの流れダクトは
それぞれ液体通路23.24の中間部、端部のところに
位置しており、また、それぞれ入口ポートすなわち供−
給ポート30と排出ポート31と交差している。
スプレー・ポストまたはスプレm−ヘッド16.17.
18のすべてにおいて、液体は入口ポート30に供給さ
れ、したがって、液体化学薬品スプレm−ボス)16.
17はポート30内に入口管継手30.1を有し、液体
化学薬品供給管路33.34に接続しである。水洗用水
スプレー・ポスト18の入口ポート30は入口ポート3
0内に管継手30.2を有し、水洗用水供給管路34に
接続しである。
18のすべてにおいて、液体は入口ポート30に供給さ
れ、したがって、液体化学薬品スプレm−ボス)16.
17はポート30内に入口管継手30.1を有し、液体
化学薬品供給管路33.34に接続しである。水洗用水
スプレー・ポスト18の入口ポート30は入口ポート3
0内に管継手30.2を有し、水洗用水供給管路34に
接続しである。
水洗用水スプレー・ポストすなわちスプレ一拳ヘッド1
8において、排出ポート31は第4図でわかるようにプ
ラグ35で塞いである。液体化学薬品スプレー・ポスト
すなわちスプレー・ヘッド16.17の排出ポート31
は管継手31.1を有する。管継手31.1は排出パイ
プすなわち分路パイプ36.37に接続してあり、これ
らのパイプはそれぞれスプレー・ボス)16.17の上
下の端をドレン弁38と接続している。このドレン弁の
排出側は開放ドレン39に接続しである。
8において、排出ポート31は第4図でわかるようにプ
ラグ35で塞いである。液体化学薬品スプレー・ポスト
すなわちスプレー・ヘッド16.17の排出ポート31
は管継手31.1を有する。管継手31.1は排出パイ
プすなわち分路パイプ36.37に接続してあり、これ
らのパイプはそれぞれスプレー・ボス)16.17の上
下の端をドレン弁38と接続している。このドレン弁の
排出側は開放ドレン39に接続しである。
弁38およびソレノイド作動弁は通常排出パイプ36を
閉じているが、排出パイプ36.37をドレン39に接
続するように開くこともできる。
閉じているが、排出パイプ36.37をドレン39に接
続するように開くこともできる。
スプレー・ボス□ト・ポデー16は不活性ガス、たとえ
ば窒素を運ぶ細長い通路またはマニホルド40と、この
通路40と連絡し、スプレー−ボスト番ポデーの前面2
7まで延び、そこを貫いて開口している多数のガス噴出
オリフィス41とを有する。通路40は通路またはマニ
ホルド23.24の間をそれに平行に延びており、オリ
フィス41はオリフィス25.26の間を対称配置でス
プレー・ボストの前面まで延びており、オリフィス25
.26の列間の角度を二等分している。オリフィス41
から発したガス噴流はオリフィス25.26からの液体
噴流と交差してそれを霧化し、室14内に基板lOに向
う方向性のある噴霧を生じさせる。
ば窒素を運ぶ細長い通路またはマニホルド40と、この
通路40と連絡し、スプレー−ボスト番ポデーの前面2
7まで延び、そこを貫いて開口している多数のガス噴出
オリフィス41とを有する。通路40は通路またはマニ
ホルド23.24の間をそれに平行に延びており、オリ
フィス41はオリフィス25.26の間を対称配置でス
プレー・ボストの前面まで延びており、オリフィス25
.26の列間の角度を二等分している。オリフィス41
から発したガス噴流はオリフィス25.26からの液体
噴流と交差してそれを霧化し、室14内に基板lOに向
う方向性のある噴霧を生じさせる。
スプレーψポス)−ポデー16のポート内のガス供給管
継手42は通路すなわちマニホルド40をガス供給管路
またはパイプ43.1と接続している。スプレー・ボス
トまたはスプレ一番へラド17.18はガス供給管路4
3.2.43.3に接続したガス通路またはマニホルド
40を有する。
継手42は通路すなわちマニホルド40をガス供給管路
またはパイプ43.1と接続している。スプレー・ボス
トまたはスプレ一番へラド17.18はガス供給管路4
3.2.43.3に接続したガス通路またはマニホルド
40を有する。
第6図でわかるように、ス)−/パまたは閉鎖体44が
2つの液体流れ通路またはマニホルド23.24の上端
に挿入してあり、同様のストッパまたは閉鎖体45がガ
ス通路またはマニホルド40の下端を閉じている。これ
らのストッパまたは閉鎖体44.45は、スプレー・ボ
スト・ポデーに穿孔することによって通路23.24.
40が形成され、先に述べたようにこれらの通路を機能
させるためにはこれらの通路を閉鎖しなければならない
ために必要である。
2つの液体流れ通路またはマニホルド23.24の上端
に挿入してあり、同様のストッパまたは閉鎖体45がガ
ス通路またはマニホルド40の下端を閉じている。これ
らのストッパまたは閉鎖体44.45は、スプレー・ボ
スト・ポデーに穿孔することによって通路23.24.
40が形成され、先に述べたようにこれらの通路を機能
させるためにはこれらの通路を閉鎖しなければならない
ために必要である。
第7図を参照して、ここには、スプレーφボストまたは
スプレー・ヘッド16.17.18への接続が概略的に
示してあり、これでわかるように、中央プロセス制御器
46を用いて室14への基板lOの処理を実施するため
の正しいシーケンスに従って弁38のようないくつかの
弁を開閉する。もちろん、中央プロセス制御器46は効
果的であったかも知れない手動制御器の代りにすべての
弁の信頼性のある操作を行なう0本発明を理解するにあ
たってこのプロセス制御器を詳しく理解する必要はない
。もちろん、ここに述べた弁は。
スプレー・ヘッド16.17.18への接続が概略的に
示してあり、これでわかるように、中央プロセス制御器
46を用いて室14への基板lOの処理を実施するため
の正しいシーケンスに従って弁38のようないくつかの
弁を開閉する。もちろん、中央プロセス制御器46は効
果的であったかも知れない手動制御器の代りにすべての
弁の信頼性のある操作を行なう0本発明を理解するにあ
たってこのプロセス制御器を詳しく理解する必要はない
。もちろん、ここに述べた弁は。
特に断わらない限り、ソレノイド弁であり、電気的に作
動するものである。
動するものである。
水洗用水スプレー・ボスト18には供給管路34から水
洗用水が供給される。この供給管路34は源からの水洗
用水を通じたり、遮断したりするように開閉する弁47
によって制御される。不活性ガスすなわち窒素の、供給
管路43.3を通しての水洗用水スプレー・ボスト18
への流れは弁48によって制御される。この弁はスプレ
ー・ボストへの窒素の流れを開始したり、停止したりす
るように開閉する。
洗用水が供給される。この供給管路34は源からの水洗
用水を通じたり、遮断したりするように開閉する弁47
によって制御される。不活性ガスすなわち窒素の、供給
管路43.3を通しての水洗用水スプレー・ボスト18
への流れは弁48によって制御される。この弁はスプレ
ー・ボストへの窒素の流れを開始したり、停止したりす
るように開閉する。
スプレm−ポスト16.17のための窒素供給管路43
.l、43.2は弁49.50によって制御される。こ
れらの弁は源からスプレー・ボストへの窒素の流れを開
始したり、停止したりするように開閉する61つの付加
的なガス弁51がマニホルド争パイプまたは管路52に
接続してあり、この管路52はそれぞれ逆止弁53.5
4を通して2つの液体化学薬品供給管路33.34に接
続している。ガス弁51はガス源から供給管路までの窒
素または不活性ガスの流れを開始したり、停止したりす
るように開閉する。
.l、43.2は弁49.50によって制御される。こ
れらの弁は源からスプレー・ボストへの窒素の流れを開
始したり、停止したりするように開閉する61つの付加
的なガス弁51がマニホルド争パイプまたは管路52に
接続してあり、この管路52はそれぞれ逆止弁53.5
4を通して2つの液体化学薬品供給管路33.34に接
続している。ガス弁51はガス源から供給管路までの窒
素または不活性ガスの流れを開始したり、停止したりす
るように開閉する。
水洗用水供給管路55は源からの水洗用水を通じたり、
遮断したりする弁56によって制御され、ニードル弁5
7の形をした可変流れ絞りを通してマニホルド争パイプ
52に接続していて所望に応じて化学薬品供給管路33
.34に水洗用の水を供給する。ニードル弁57は手動
で調節して液体化学薬品供給管路33.34を通り、ス
プレー・ボスト16.17の通路23.24を通り、そ
して、スプレー・オリフィス25.26を通る水洗用の
水の流量を増減するようになっている。ニードル弁57
はドレン弁38が開いたときに流れを生じさせるように
調節され、その結果、水洗用の水は液体化学薬品供給管
路33.34を通り、スプレー・ボスト通路またはマニ
ホルド33.34を通り、ドレンまたは排出管路36.
37を通り、そして、ドレン39に通じるドレン弁38
を通って自由に流れることになる。通路23.24内の
流量および圧力はニードル弁57で調節して、ドレン弁
38が開いているときにスプレーOオリフィス25.2
6を通して液体のしたたりのみを生じさせるようになっ
ており、このとき、オリフィス25.26内の液体を基
板10になんら吹付けることはないが、この水洗用水の
したたりをオリフィス25.26を通る流れとしてスプ
レー・ポストの前面27に流下させるか、あるいは、基
板lOに到達させることなくハウジング12の底Jl1
2.1に落下させるようになっている。
遮断したりする弁56によって制御され、ニードル弁5
7の形をした可変流れ絞りを通してマニホルド争パイプ
52に接続していて所望に応じて化学薬品供給管路33
.34に水洗用の水を供給する。ニードル弁57は手動
で調節して液体化学薬品供給管路33.34を通り、ス
プレー・ボスト16.17の通路23.24を通り、そ
して、スプレー・オリフィス25.26を通る水洗用の
水の流量を増減するようになっている。ニードル弁57
はドレン弁38が開いたときに流れを生じさせるように
調節され、その結果、水洗用の水は液体化学薬品供給管
路33.34を通り、スプレー・ボスト通路またはマニ
ホルド33.34を通り、ドレンまたは排出管路36.
37を通り、そして、ドレン39に通じるドレン弁38
を通って自由に流れることになる。通路23.24内の
流量および圧力はニードル弁57で調節して、ドレン弁
38が開いているときにスプレーOオリフィス25.2
6を通して液体のしたたりのみを生じさせるようになっ
ており、このとき、オリフィス25.26内の液体を基
板10になんら吹付けることはないが、この水洗用水の
したたりをオリフィス25.26を通る流れとしてスプ
レー・ポストの前面27に流下させるか、あるいは、基
板lOに到達させることなくハウジング12の底Jl1
2.1に落下させるようになっている。
多数の分岐供給管路58.l、58.2.58.3.5
9.1.59.2.59.3がそれぞれ供給管路33.
34に接続してあって、これらの供給管路を、供給管路
3′3を通る化学薬品を制御するオン・オフ弁60.6
1.62を通して、また、供給管路34への液体化学薬
品の流量を制御するオン・オフ弁63.’64’、65
を通して種々の化学薬品の源に接続している。液体化学
薬品の源は、通常、中味を使いきったときに交換できる
かんである。
9.1.59.2.59.3がそれぞれ供給管路33.
34に接続してあって、これらの供給管路を、供給管路
3′3を通る化学薬品を制御するオン・オフ弁60.6
1.62を通して、また、供給管路34への液体化学薬
品の流量を制御するオン・オフ弁63.’64’、65
を通して種々の化学薬品の源に接続している。液体化学
薬品の源は、通常、中味を使いきったときに交換できる
かんである。
実施している特定のプロセスに応じて異なるが、種々の
源からの個々の化学薬品はスプレー・ポスト16.17
を通して供給される。弁60〜65を通して供給するこ
とのある化学薬品の代表的なものは、硫酸、塩酸、稀薄
弗化水素、硝酸、水酸化アンモニウム、過酸化水素など
の活性度が高く腐食性も高い化学薬品である。
源からの個々の化学薬品はスプレー・ポスト16.17
を通して供給される。弁60〜65を通して供給するこ
とのある化学薬品の代表的なものは、硫酸、塩酸、稀薄
弗化水素、硝酸、水酸化アンモニウム、過酸化水素など
の活性度が高く腐食性も高い化学薬品である。
基板10の処理中の通常の液体化学薬品処理段階では、
水洗用水弁47.56は閉ざしてあり、不活性ガスまた
は窒素の弁48.51も閉ざしてあり、ドレレ弁38も
閉ざしである。
水洗用水弁47.56は閉ざしてあり、不活性ガスまた
は窒素の弁48.51も閉ざしてあり、ドレレ弁38も
閉ざしである。
液体化学薬品源弁60〜65の1つまたはそれ以上を開
いてそれぞれのスプレ一番ポストまたはスプレー・ヘッ
ド16.17を通して液体化学薬品を供給してもよい。
いてそれぞれのスプレ一番ポストまたはスプレー・ヘッ
ド16.17を通して液体化学薬品を供給してもよい。
もし2種類の化学薬品を混ざり合わせているならば、液
体化学薬品源弁60〜62のうちの1つと、液体化学薬
品源弁63.64の1つを開いてスプレー・ポストまた
はスプレー・ヘッド16.17の両方□に液体化学薬品
を供給する。スプレー・ポストへの液体化学薬品の
1供給と同時に、そのスプレー・ポストのための対
応する窒素供給管路の弁49または50を開いてそのス
プレ一拳ポストに圧力の下に不活性ガスすなわち窒素を
供給する。
体化学薬品源弁60〜62のうちの1つと、液体化学薬
品源弁63.64の1つを開いてスプレー・ポストまた
はスプレー・ヘッド16.17の両方□に液体化学薬品
を供給する。スプレー・ポストへの液体化学薬品の
1供給と同時に、そのスプレー・ポストのための対
応する窒素供給管路の弁49または50を開いてそのス
プレ一拳ポストに圧力の下に不活性ガスすなわち窒素を
供給する。
室内の基板lOを適正な時間にわたって液体化学薬品に
さらした後、液体化学薬品の流れを止め、水洗段階を直
ちに開始する。
さらした後、液体化学薬品の流れを止め、水洗段階を直
ちに開始する。
この水洗段階では、成る特徴として、水洗用水スプレー
・ボス)18から噴出した水洗用水をそ ′こかちの不
活性ガスによって霧化すると共に、水洗用の水を流れ絞
り57、化学薬品供給管路33.34、スプレー・ポス
ト16.17両方の液体通路またはマニホルド23.2
4を通し、また、ドレン・ダクトすなわち排出ダクト3
6.37を通し、開放ドレン弁38を通して開放ドレン
39に流し、このときにニードル弁57によって充分な
圧力および流量を与えてスプレー・オリフィス25.2
6を通してゆっくりとしたたらせ、しかも、オリフィス
から基板10にはスプレーを行なわないようにする。こ
こで、化学薬品流れ管路、通路23.24およびオリフ
ィス25.26のこの水洗いの間、スプレー会ボス)1
″6.17のための窒素弁49.50が閉ざしてあここ
に説明した作業では、基板10.化学薬品流れ管路33
.34および化学薬品スプレー拳ポスト16.17の水
洗いを同時に行なう、その結果、水洗段階が時間的にか
なり短縮され、水洗用水スプレー・ポスト18からの霧
化された□水を基板lOに与えるため、実際に基板上に
存在するかも知れないいかなる液体をも急速に稀釈して
しま□い、基板の処理はほとんど瞬間的に終了する。
・ボス)18から噴出した水洗用水をそ ′こかちの不
活性ガスによって霧化すると共に、水洗用の水を流れ絞
り57、化学薬品供給管路33.34、スプレー・ポス
ト16.17両方の液体通路またはマニホルド23.2
4を通し、また、ドレン・ダクトすなわち排出ダクト3
6.37を通し、開放ドレン弁38を通して開放ドレン
39に流し、このときにニードル弁57によって充分な
圧力および流量を与えてスプレー・オリフィス25.2
6を通してゆっくりとしたたらせ、しかも、オリフィス
から基板10にはスプレーを行なわないようにする。こ
こで、化学薬品流れ管路、通路23.24およびオリフ
ィス25.26のこの水洗いの間、スプレー会ボス)1
″6.17のための窒素弁49.50が閉ざしてあここ
に説明した作業では、基板10.化学薬品流れ管路33
.34および化学薬品スプレー拳ポスト16.17の水
洗いを同時に行なう、その結果、水洗段階が時間的にか
なり短縮され、水洗用水スプレー・ポスト18からの霧
化された□水を基板lOに与えるため、実際に基板上に
存在するかも知れないいかなる液体をも急速に稀釈して
しま□い、基板の処理はほとんど瞬間的に終了する。
成る条件では、成る時間の後に水供給弁を閉ざしてスプ
レー・ポスト16.17から開放ドレン弁′38および
開放ドレン39を通して完全に排出を行なうと共に、水
洗用水スプレー・ポスト18から゛基板に霧化した水を
流し続け、その間、水洗用水を先の述べたように化学薬
品供給管路33.34および化学薬品スプレーΦポス)
16.17を通して□再供給して□もよい、水弁56を
何回か開閉して化学薬品供給管路および化学薬品スプ’
L/ −・ポスト16.17の水洗いを繰返してもよい
。
レー・ポスト16.17から開放ドレン弁′38および
開放ドレン39を通して完全に排出を行なうと共に、水
洗用水スプレー・ポスト18から゛基板に霧化した水を
流し続け、その間、水洗用水を先の述べたように化学薬
品供給管路33.34および化学薬品スプレーΦポス)
16.17を通して□再供給して□もよい、水弁56を
何回か開閉して化学薬品供給管路および化学薬品スプ’
L/ −・ポスト16.17の水洗いを繰返してもよい
。
ここに説明した水洗段階は、化学薬品供給管路33.3
4および化学薬品スプレー・ノズル16.17の数秒間
にわたる短時間の水パージによって水洗開始と同時に短
時間に行なわれるが、その場合、供給管路43.l、4
3.2を通してのガスの移送はなく、また、同時に、先
に説明したように水洗用水スプレー・ポスト18から霧
化した水洗用水を与える。化学薬品供給管路33.34
および化学薬品スプレー・ポスト16.17の短時間の
パージの後、水洗用水弁56を再度閉じてもよい。また
、短時間の不活性ガスまたは窒素のパージを行なうべく
窒素供給弁51を開いて化学薬品供給管路33.34、
液体通路23.24および化学薬品スプレー・ポスト1
6.17のオリフィス25.26をパージしてもよい。
4および化学薬品スプレー・ノズル16.17の数秒間
にわたる短時間の水パージによって水洗開始と同時に短
時間に行なわれるが、その場合、供給管路43.l、4
3.2を通してのガスの移送はなく、また、同時に、先
に説明したように水洗用水スプレー・ポスト18から霧
化した水洗用水を与える。化学薬品供給管路33.34
および化学薬品スプレー・ポスト16.17の短時間の
パージの後、水洗用水弁56を再度閉じてもよい。また
、短時間の不活性ガスまたは窒素のパージを行なうべく
窒素供給弁51を開いて化学薬品供給管路33.34、
液体通路23.24および化学薬品スプレー・ポスト1
6.17のオリフィス25.26をパージしてもよい。
予備的な水パージをほんの短時間、たとえば、約10秒
間行なって、その後にドレン弁38を開き、水洗用水を
先に説明したように化学薬品供給管路33.4および化
学薬品スプレー◆ボスト16.17に供給し、不活性ガ
スまたは窒素を噴出させることなくスプレー・オリフィ
ス25.26から水をしたたらせてもよい。
間行なって、その後にドレン弁38を開き、水洗用水を
先に説明したように化学薬品供給管路33.4および化
学薬品スプレー◆ボスト16.17に供給し、不活性ガ
スまたは窒素を噴出させることなくスプレー・オリフィ
ス25.26から水をしたたらせてもよい。
基板、供給管路および化学薬品スプレー・ポストの同時
水洗いを完了したとき、基板に対して付加的な化学薬品
または化学薬品の混合物を供給することによって基板1
0の処理を続けることができる。
水洗いを完了したとき、基板に対して付加的な化学薬品
または化学薬品の混合物を供給することによって基板1
0の処理を続けることができる。
第1図は酸処理装置で使用する処理室をカバーを取除い
た状態で示す詳細頂面図である。 第2図は第1図のほぼ2−2線に沿った詳細断面図であ
る。 第3図は壁装着化学薬品スプレー・ポストの1つとそれ
に通じるダクト接続を示す詳細側面図である。 第4図は水洗スプレm−ボストとそれに通じるダクト接
続を示す詳細側面図である。 第5図は第3図のほぼ5−5線に沿った拡大詳細断面図
である。 第6図は第5図のほぼ6−6t&に沿った詳細断面図で
ある。 第7図は作動システムの関連部分の概略ダイアグラムで
ある・ 図面において、10−−一基板、1l−−、密閉容器、
12・@中ハウジング、13・・・カバー、14・・・
密閉室、15・・・カセット、16.17・・”化学8
品スプレー・ヘッド、18・・・水洗用水スプレーのヘ
ッド、23.24・・・液体化学薬品通路、25.26
・・・液体スプレm−オリフィス、28.29・・11
流れダクト、30ψ・・入口ボート、31・・・排出ポ
ート、35・Φ・プラグ、36.37IIII11排出
パイプ、38争・・ドレン弁、39−−φ開放ドレン、
40−−Φマニホルド、41−・・ガス噴出オリフィス
、44・・・スト・ンパ、45・・・ストッパ、46・
・・中央プロセス制御器、47 ++ * a弁、60
.61.62.63.64.65・・−オン・オフ弁
た状態で示す詳細頂面図である。 第2図は第1図のほぼ2−2線に沿った詳細断面図であ
る。 第3図は壁装着化学薬品スプレー・ポストの1つとそれ
に通じるダクト接続を示す詳細側面図である。 第4図は水洗スプレm−ボストとそれに通じるダクト接
続を示す詳細側面図である。 第5図は第3図のほぼ5−5線に沿った拡大詳細断面図
である。 第6図は第5図のほぼ6−6t&に沿った詳細断面図で
ある。 第7図は作動システムの関連部分の概略ダイアグラムで
ある・ 図面において、10−−一基板、1l−−、密閉容器、
12・@中ハウジング、13・・・カバー、14・・・
密閉室、15・・・カセット、16.17・・”化学8
品スプレー・ヘッド、18・・・水洗用水スプレーのヘ
ッド、23.24・・・液体化学薬品通路、25.26
・・・液体スプレm−オリフィス、28.29・・11
流れダクト、30ψ・・入口ボート、31・・・排出ポ
ート、35・Φ・プラグ、36.37IIII11排出
パイプ、38争・・ドレン弁、39−−φ開放ドレン、
40−−Φマニホルド、41−・・ガス噴出オリフィス
、44・・・スト・ンパ、45・・・ストッパ、46・
・・中央プロセス制御器、47 ++ * a弁、60
.61.62.63.64.65・・−オン・オフ弁
Claims (12)
- (1)、電子装置の製造の際に基板を処理するための化
学処理装置であって、 基板についての複数の処理段階を行なえる密閉室を構成
する閉じ込め手段と、 この密閉室内にあって、密閉室に液体を噴霧して基板に
塗布するスプレー・ヘッド手段であり、液体化学薬品供
給通路と、この供給通路と連絡した液体化学薬品スプレ
ー・オリフィスとを有し、また、水洗用水供給通路と、
前記化学薬品スプレー・オリフィスから隔たっている水
スプレー・オリフィスとを有するスプレー・ヘッド手段
と、 前記化学薬品供給通路と接続した化学薬品供給管路と、 この化学薬品供給管路と弁接続を行なっており、そこに
液体化学薬品を供給する液体化学薬品源手段と、 化学薬品供給管路、水供給通路のそれぞれに弁接続して
いる水洗用水源手段と、 化学薬品供給管路と水洗用水源手段の間に設けた水流制
御絞りと、 スプレー・ヘッド手段の化学薬品供給通路と接続してい
て化学薬品供給通路および化学薬品供給管路から液体を
排出させるドレン弁を包含するドレン手段と を包含することを特徴とする化学処理装置。 - (2)、特許請求の範囲第1項記載の化学処理装置にお
いて、水流制御絞りがニードル弁を包含することを特徴
とする化学処理装置。 - (3)、特許請求の範囲第1項記載の化学処理装置にお
いて、スプレー・ヘッド手段の液体化学薬品供給通路が
細長い直立マニホルドを包含し、このマニホルドが前記
液体化学薬品スプレー・オリフィスのすべてを横切りか
つそれらを連絡しており、また、このマニホルドがドレ
ン弁に接続してあって重力排出を行なう下部を有するこ
とを特徴とするKS。 - (4)、特許請求の範囲第1項記載の化学処理装置にお
いて、スプレー・ヘッド手段が液体化学薬品スプレー・
ヘッドと別体の水洗用水スプレー・ヘッドとを包含し、
液体化学薬品スプレー・ヘッドが液体化学薬品供給通路
と液体化学薬品スプレー・オリフィスとを含み、水洗用
水スプレー・ヘッドが化学薬品スプレー・ヘッドから隔
たっていることを特徴とする化学処理装置。 - (5)、特許請求の範囲第4項記載の化学処理装置にお
いて、前記液体化学薬品供給通路が細長くて直立してお
り、上下の端を有し、ダクト手段がこの化学薬品供給通
路の上下端をドレン弁に接続していて化学薬品供給通路
の上下端からドレンへ液体を移送するようになっている
ことを特徴とする化学処理装置。 - (6)、特許請求の範囲第1項記載の化学処理装置にお
いて、スプレー・ヘッド手段が基板に吹付けるべき液体
化学薬品を噴出がすで霧化させるように化学薬品スプレ
ー・オリフィスに隣接して設けた第1のガス噴出オリフ
ィスと、この第1ガス噴出オリフィスに弁接続したガス
供給手段とを有することを特徴とする化学処理装置。 - (7)、特許請求の範囲第1項記載の化学処理装置にお
いて、スプレー・ヘッド手段が基板に噴射すべき水洗用
の水を噴出ガスで霧化させるように水スプレー・オリフ
ィスに隣接して設けた第2のガス噴出オリフィスと、こ
の第2ガス噴出オリフィスに弁接続したガス供給手段と
を有することを特徴とする化学処理装置。 - (8)、電子装置の製造の際に吹付けによって基板を処
理するための酸処理装置であって、液体化学薬品供給通
路とこの供給通路と連絡している液体化学薬品スプレー
・オリフィスとを有し、また、液体化学薬品スプレー・
オリフィスから放出された液体化学薬品を噴出ガスで霧
化させるように化学薬品供給オリフィスに隣接して設け
たガス噴出オリフィスも有し、さらに、スプレー・ヘッ
ドが液体化学薬品供給通路と接続していて供給通路、オ
リフィス、ドレン弁に液体化学薬品と水洗用の水を交互
に送る液体入口を有し、さらに、液体化学薬品供給通路
と接続したドレン、ダクトと、このドレン・ダクトと接
続していてそれを開閉するドレン弁と、このドレン弁か
ら液体を受けるドレンと を包含することを特徴とする酸処理装置。 - (9)、電子装置の製造中に密閉室内で基板を液体化学
薬品処理するときの水洗方法であつて、 密閉室内に水洗用液体を噴霧し、基板をこの水洗用液体
に浸し、これら基板上に存在する可能性のある粒子や前
記処理用化学薬品を洗い流すことによって化学処理を終
了し、 前記の噴霧と同時に水洗用の液体を化学薬品供給管路、
スプレー・ヘッド化学薬品通路および化学薬品オリフィ
スに供給し、これらの通路から液体を開放ドレンに送る
と同時に水洗用液体にのみ充分な圧力を加え、管路、通
路およびドレンを通して水洗用液体を移動させかつ基板
に噴霧することなくオリフィスを通して水洗用液体を少
しずつ流す ことを特徴とする水洗方法。 - (10)、特許請求の範囲第9項記載の水洗方法におい
て、管路、通路およびオリフィスへの水洗用液体の供給
と停止すると共に開放ドレンへのこの水洗用液体の流れ
をほぼ完了させ、水洗用液体の管路、通路およびオリフ
ィスへの供給を繰返して液体を開放ドレンに送ることを
特徴とする水洗方法。 - (11)、特許請求の範囲第9項記載の水洗方法におい
て、開放ドレンに液体を供給する前に、水洗用液体を前
記管路、通路およびオリフィスに与え、この液体を開放
ドレンに送ることなく前記管路、通路およびオリフィス
をパージすることを特徴とする水洗方法。 - (12)、特許請求の範囲第11項記載の水洗方法にお
いて、前記液体を供給してパージを行なった後に、水洗
用液体の管路、通路およびオリフィスへの流れを止め、
その後に再び、ドレンに液体を送ることなく管路、通路
およびオリフィスをパージすることを特徴とする水洗方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/626,702 US4682615A (en) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | Rinsing in acid processing of substrates |
| US626702 | 1984-07-02 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63259303A Division JPH067546B2 (ja) | 1984-07-02 | 1988-10-14 | 基板の酸処理における水洗作業の改良 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129130A true JPS6129130A (ja) | 1986-02-10 |
| JPH0234167B2 JPH0234167B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=24511468
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14146085A Granted JPS6129130A (ja) | 1984-07-02 | 1985-06-27 | 基板の酸処理における水洗作業の改良 |
| JP63259303A Expired - Lifetime JPH067546B2 (ja) | 1984-07-02 | 1988-10-14 | 基板の酸処理における水洗作業の改良 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63259303A Expired - Lifetime JPH067546B2 (ja) | 1984-07-02 | 1988-10-14 | 基板の酸処理における水洗作業の改良 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4682615A (ja) |
| JP (2) | JPS6129130A (ja) |
| DE (1) | DE3523532A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02201916A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板のレジスト除去洗浄方法及びその装置 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2198810A (en) * | 1986-12-19 | 1988-06-22 | Philips Electronic Associated | Apparatus suitable for processing semiconductor slices |
| JPS63271931A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
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