JPS6129155B2 - - Google Patents

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JPS6129155B2
JPS6129155B2 JP56124870A JP12487081A JPS6129155B2 JP S6129155 B2 JPS6129155 B2 JP S6129155B2 JP 56124870 A JP56124870 A JP 56124870A JP 12487081 A JP12487081 A JP 12487081A JP S6129155 B2 JPS6129155 B2 JP S6129155B2
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JP
Japan
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metal layer
electrode
common electrode
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output
Prior art date
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JP56124870A
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English (en)
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JPS5756953A (en
Inventor
Shinzo Anazawa
Seiichi Ueno
Isamu Nagameguri
Tadashi Nawa
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6129155B2 publication Critical patent/JPS6129155B2/ja
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、トランジスタに関するもので、特に
超高周波帯において安定に動作する電界効果型ト
ランジスタの構成に適する様にしたものである。
超高周波帯の半導体装置の電気的特性及び信頼性
は半導体素子をマウントする容器の構造及び構成
部材の材質等により大きい影響をうける。特にカ
リウム砒素を基体とした電界効果型トランジスタ
に於いてはゲートとドレイン間の容量、ソースと
アース端子間のインダクタンスが重要な問題であ
るので半導体容器の構造、材質を充分吟味しなけ
ればならない。
従来の超高周波帯の電界効果型トランジスタは
第１図に示す如くセラミツク基板１の表裏にメタ
ライズにより導電体２，２′，２″，２を配し
て、ストリツプラインを構成し、導電体２′上に
半導体素子３をマウントし半導体３の各電極、即
ちゲート、ドレイン、ソース電極と導電体２，
２′，２″，２との間を夫々金属細線４，４′，
４″で電気的に接続し導電体２′よりソース電極
を、導電体２″より例えばゲート電極を、導電体
２より例えばドレイン電極を導出する如き構成
である。しかしこの構成によれば素子３のマウン
ト近辺の寄生リアクタンス成分の影響が大きく又
周波数が高くなるにつれて異常発振を起し易く
又、素子自体の発熱によつて電気的特性が加速的
に悪くなる等、満足すべき電界効果型トランジス
タは得られない。
本発明の目的はこれ等の該欠点を解決したトラ
ンジスタを提供する事にある。
本発明ではトランジスタを誘電体基板上に載置
し、このトランジスタの共通電極は誘電体基板に
設けられたスルーホールを介して、該基板の裏面
導体層と電気的に接続する様にしたものである。
以下本発明の一実施例を図面について詳細に説
明する。
第２図は本発明の基本的実施例を示し、この例
ではストリツプラインを構成するための絶縁基板
１として熱伝導度がよく、且つ低誘電率のベリリ
アセラミツク又はアルミナセラミツクを用い（こ
れの熱伝導度は鋼のそれと略々等しい）。またト
ランジスタとして電界効果トランジスタを用い
る。この絶縁基板１の裏面にはストリツプライン
を構成する共通導体２（この時接地用）を例えば
メタライズにより被着形成し、表面にはドレイン
とゲート電極の導出端子として用いられ、接地導
体２と対向してストリツプラインを構成する出力
用および入力用メタライズ層２″，２を形成す
ると共に共通導体としてソース電極用メタライズ
層２′を形成し、ソース電極用メタライズ層２′と
接地導体２との間をスルーホール５を通じて接続
し、ソース電極用メタライズ層２′をストリツプ
ラインの接地導体と同電位となし、この接地導体
と同電位となされたソース電極用メタライズ層
２′上に電界効果型トランジスタを構成する半導
体素子３をマウントし、半導体素子３のソース電
極を金属細線又は金属テープ４にてメタライズ層
２′に接続し、ゲート電極とドレイン電極も同様
に金属細線又は金属テープ４′及び４″にてメタラ
イズ層２″及び２に夫々接続する様になす。ス
ルーホール５は半導体素子３のソース電極と可及
的に近くなる様な位置に設置する。尚１０は外部
導出リード線である。
この様に構成する事によつて絶縁基板１が低誘
電率であるを以つてゲートソース間；ドレイン−
ソース間及びゲート−ドレイン間の静電容量を小
さくでき、然もソース電極はストリツプラインを
構成する接地導体２よりスルーホール５を通じて
導出する様にしたから接地までの距離を短かくで
きソースと接地間のリアクタンス成分を減少させ
る事ができる。従つて寄生リアクタンス成分の減
少と、熱放散の向上が期待でき超高周波域におけ
る動作を安定化する事ができる。
更に、接地インダクタンスを減少させるための
構造として、スルーホール５による結合を行なつ
ているので、誘電体基板１自体の表面及び裏面の
平担性は何等阻害されることはない。従つて、超
高周波用の微細なトランジスタチツプ２をマウン
トする際に平担な面にマウントでき、かつその後
のボンデイング接続時の圧力は基板表面に凹凸が
ないために均一な圧力となつて基板に伝達され、
局部的な圧力集中も生じない。この結果、耐機械
力についても優れた装置となる。又、その製造に
おいても基板成形時にスルーホールを形成出来、
その内部への金属導入も簡単なため、製造工程を
複雑化させることもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のストリツプライン型半導体容器
を示す斜視図、第２図は本発明の基本的実施例を
示す断面図である。 １：絶縁基板、２，２′，２″，２：ストリツ
プラインを構成するメタリツク層、３：半導体素
子、４：金属細線、６：ストリツプラインの接地
導体を構成する金属スタツド、７：補助スタツ
ド。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 表面に入力用金属層、出力用金属層及び第１
    の共通電極用金属層をそれぞれ分離して有する誘
    電体基板と、前記誘電体基板の裏面の全面に設け
    られた第２の共通電極用金属層と、前記第１と第
    ２の共通電極用金属層間の前記誘電体基板を貫通
    する複数の貫通孔と、該貫通孔に充填されて前記
    第１と第２の共通電極用金属層を電気的に接続す
    るスルーホール金属層と、前記第１の共通電極用
    金属層上に取り付けられた入力電極と出力電極と
    共通電極とを有するトランジスタ素子と、該トラ
    ンジスタ素子の前記入力電極を前記入力用金属層
    に、前記出力電極を前記出力用金属層に、前記共
    通電極を前記第１の共通電極用金属層にそれぞれ
    接続する手段とを有することを特徴とするトラン
    ジスタ。
JP56124870A 1981-08-10 1981-08-10 Transistor Granted JPS5756953A (en)

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JPS5756953A JPS5756953A (en) 1982-04-05
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US4839717A (en) * 1986-12-19 1989-06-13 Fairchild Semiconductor Corporation Ceramic package for high frequency semiconductor devices
FR2629271B1 (fr) * 1988-03-25 1991-03-29 Thomson Hybrides Microondes Dispositif d'interconnexion et de protection d'une pastille nue de composant hyperfrequence
KR100191485B1 (ko) * 1990-11-19 1999-06-15 운테너 데이비드 제이. 마이크로일렉트로닉 패키지

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