JPS61294801A - グレ−ズ抵抗体ペ−スト - Google Patents
グレ−ズ抵抗体ペ−ストInfo
- Publication number
- JPS61294801A JPS61294801A JP60136411A JP13641185A JPS61294801A JP S61294801 A JPS61294801 A JP S61294801A JP 60136411 A JP60136411 A JP 60136411A JP 13641185 A JP13641185 A JP 13641185A JP S61294801 A JPS61294801 A JP S61294801A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor paste
- glazed
- atmosphere
- glaze
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はグレーズ抵抗材料にかかり、中性雰囲気中、あ
るいは還元雰囲気中の非還元性雰囲気中で焼成可能なグ
レーズ抵抗体ペーストを提供するものである。
るいは還元雰囲気中の非還元性雰囲気中で焼成可能なグ
レーズ抵抗体ペーストを提供するものである。
従来の技術
従来、電極を形成したアルミナ基板上に設ける抵抗材料
として、Ｒｕｂ、−ガラスから構成されるＲｕＯ□グレ
ーズ抵抗体がひろく実用に供されている。
として、Ｒｕｂ、−ガラスから構成されるＲｕＯ□グレ
ーズ抵抗体がひろく実用に供されている。
このグレーズ抵抗体は、焼結アルミナ基板上の銀あるい
は銀とパラジウムからなる電極を空気中で焼付けたうえ
で、Ｒｕｂ２−ガラスを樹脂バインダと溶剤からなるビ
ヒクル中に分散させたペーストをアルミナ基板上の前記
電極に接続するように印刷し、空気中７００〜９００’
Ｃの温度で焼成して形成きれる。これら厚膜技術に関し
ては、デラナニ、フィリップス著、 Ｅ／ ７り フィ
ルムサーキット、ロンドン バターワース社、（Ｐｌａ
ｎｅｒ。
は銀とパラジウムからなる電極を空気中で焼付けたうえ
で、Ｒｕｂ２−ガラスを樹脂バインダと溶剤からなるビ
ヒクル中に分散させたペーストをアルミナ基板上の前記
電極に接続するように印刷し、空気中７００〜９００’
Ｃの温度で焼成して形成きれる。これら厚膜技術に関し
ては、デラナニ、フィリップス著、 Ｅ／ ７り フィ
ルムサーキット、ロンドン バターワース社、（Ｐｌａ
ｎｅｒ。
Ｆｌｈｉｌｌｉｐｓ、 「Ｔｈ１ｃｋ Ｆｉｌｍ Ｃ
’１ｒｃｕｉｔＪＬＯＮＤＯＮ ＢＵＴＴＫＲＷＯＲ
ＴＨ５）Ｋ論じられティる。
’１ｒｃｕｉｔＪＬＯＮＤＯＮ ＢＵＴＴＫＲＷＯＲ
ＴＨ５）Ｋ論じられティる。
一方、銀−パラジウム電極等の貴金属以外の卑金属電極
上、例えばＷ、Ｍｏ、Ｃｕ上にＲｕＯ□−ガラス系グレ
ーズ抵抗体を空気中で形成することを考えた場合、！極
材料の酸化現象が生じ、電臣上へのグレーズ抵抗体の形
成は不可能である。
上、例えばＷ、Ｍｏ、Ｃｕ上にＲｕＯ□−ガラス系グレ
ーズ抵抗体を空気中で形成することを考えた場合、！極
材料の酸化現象が生じ、電臣上へのグレーズ抵抗体の形
成は不可能である。
そのため、卑金属電極を用いてグレーズ抵抗体を形成す
るためにはグレーズ抵抗体を還元雰囲気中、あるいは中
性雰囲気中で焼成する必要がある。
るためにはグレーズ抵抗体を還元雰囲気中、あるいは中
性雰囲気中で焼成する必要がある。
しかし、ＲｕＯｚ系グレーズ抵抗材料はその性質上還元
雰囲気中で処理された場合、 ＲｕＯ＋Ｈ−Ｒｕ＋Ｈ２０ の反応が容易に起り、抵抗体としての特性が得られない
。また、一般にＲｕｂ２系グレーズ抵抗体ペーストは導
体、ガラス成分以外に結合剤としてエチルセルロースな
どの有機ポリマーを含んでいる。
雰囲気中で処理された場合、 ＲｕＯ＋Ｈ−Ｒｕ＋Ｈ２０ の反応が容易に起り、抵抗体としての特性が得られない
。また、一般にＲｕｂ２系グレーズ抵抗体ペーストは導
体、ガラス成分以外に結合剤としてエチルセルロースな
どの有機ポリマーを含んでいる。
そのため、このような印刷膜ｋｍ元雰囲気中あるいは中
性雰囲気中で熱処理した場合、有機ポリマーは完全には
燃焼せずに炭化し、ガラスに吸着されて炭素残渣が生じ
る。
性雰囲気中で熱処理した場合、有機ポリマーは完全には
燃焼せずに炭化し、ガラスに吸着されて炭素残渣が生じ
る。
結果として焼成後の抵抗膜中に炭素成分が残り。
抵抗特性に悪影響を与えていた。
一方、珪化物−ガラス系グレーズ抵抗材料は空気中での
焼成が可能であると同時に、珪化物の性質上雰囲気が還
元雰囲気、中性雰囲気を問わず化学変化を受けることが
ない。したがって、珪化物−ガラス系グレーズ抵抗体は
還元雰囲気中や、中性雰囲気中でも焼成が可能なもので
ある。
焼成が可能であると同時に、珪化物の性質上雰囲気が還
元雰囲気、中性雰囲気を問わず化学変化を受けることが
ない。したがって、珪化物−ガラス系グレーズ抵抗体は
還元雰囲気中や、中性雰囲気中でも焼成が可能なもので
ある。
発明が解決しようとする問題点
しかし、前述のようなエチルセルロースなどの燃焼型有
機ポリマーを珪化物−ガラス系グレーズ抵抗体ペースト
のバインダとして用いる限り、卑金属ｗＬ衝上に珪化物
−ガラス系グレーズ抵抗＠を形成するためには、前工程
としてバインダを燃焼飛散させる脱パインダニ程と、後
で還元処理を必ず施さねばならなかった（特告昭５９−
１５４８１号公報）。
機ポリマーを珪化物−ガラス系グレーズ抵抗体ペースト
のバインダとして用いる限り、卑金属ｗＬ衝上に珪化物
−ガラス系グレーズ抵抗＠を形成するためには、前工程
としてバインダを燃焼飛散させる脱パインダニ程と、後
で還元処理を必ず施さねばならなかった（特告昭５９−
１５４８１号公報）。
つまり、脱パインダニ程はバインダを燃焼させるという
意味から酸素を多量に含む雰囲気、即ち空気中で行うの
が最も適当である。しかし、電極材料が卑金属の場合、
たとえ脱パインダニ程の温度が低いとしても空気中では
ｔｉ裏表面酸化されてしまう。その之め後工程で還元処
理を施さねばならないと言う問題点を有していた。
意味から酸素を多量に含む雰囲気、即ち空気中で行うの
が最も適当である。しかし、電極材料が卑金属の場合、
たとえ脱パインダニ程の温度が低いとしても空気中では
ｔｉ裏表面酸化されてしまう。その之め後工程で還元処
理を施さねばならないと言う問題点を有していた。
また、一旦酸化した金属酸化物はその性質上還元処理中
に基板内部へ拡散したり、昇華飛散するなどの問題点も
有していた。
に基板内部へ拡散したり、昇華飛散するなどの問題点も
有していた。
本発明は上記問題点に濫み、中性雰囲気、あるいは還元
雰囲気の非還元性雰囲気中で焼成可能なグレーズ抵抗体
ペーストを提供するものである。
雰囲気の非還元性雰囲気中で焼成可能なグレーズ抵抗体
ペーストを提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明のグレーズ抵抗体ペ
ーストは、珪化物導体材料と非還元性ガラス、およびビ
ヒクルで構成され、前記ビヒクルは低温で解重合をおこ
すポリマーと溶剤より構成されたものである。
ーストは、珪化物導体材料と非還元性ガラス、およびビ
ヒクルで構成され、前記ビヒクルは低温で解重合をおこ
すポリマーと溶剤より構成されたものである。
作用
本発明は上記したように、グレーズ抵抗体ペーストのビ
ヒクルが低温で解重合ｔおこすポリマーと溶剤より構成
されるため、脱パインダニ程も焼成も非還元性雰囲気中
で行うことができ、中性雰囲気中や、還元雰囲気中で焼
成される卑金属電極と同時に用いることができることと
なる。
ヒクルが低温で解重合ｔおこすポリマーと溶剤より構成
されるため、脱パインダニ程も焼成も非還元性雰囲気中
で行うことができ、中性雰囲気中や、還元雰囲気中で焼
成される卑金属電極と同時に用いることができることと
なる。
実施例
以下本発明の一実施例のグレーズ抵抗体ペーストについ
て説明する。
て説明する。
［実施例１コ
ＭｏＳｉ２とＴ２Ｌｘｉ２のモアｔｚ比が３：１の組成
を有する珪化物を真空中において１４００″Ｃの温度で
合成し、メタノール中で平均粒径約２μｍまで粉砕して
導体材料を得た。これに、ＢａＯ１Ｂ２０．、ＭｇＯ，
Ｃ！ＬＯ，５ｉｎ２からなるガラスフリフトを加え、グ
レ−ズ抵抗粉末とした。このときの珪化物／（珪化物＋
ガラス）比は重量比で０．１５〜０．３であった。
を有する珪化物を真空中において１４００″Ｃの温度で
合成し、メタノール中で平均粒径約２μｍまで粉砕して
導体材料を得た。これに、ＢａＯ１Ｂ２０．、ＭｇＯ，
Ｃ！ＬＯ，５ｉｎ２からなるガラスフリフトを加え、グ
レ−ズ抵抗粉末とした。このときの珪化物／（珪化物＋
ガラス）比は重量比で０．１５〜０．３であった。
このグレーズ抵抗粉末を混練するビヒクルはテルピネオ
ール中にポリメチルメタアクリレートが１０％重念比に
なるよう秤量し、溶解して得之。
ール中にポリメチルメタアクリレートが１０％重念比に
なるよう秤量し、溶解して得之。
このビヒク／にとグレーズ抵抗粉末の比はグレーズ抵抗
粉末１ｇあたり０．７国であった。
粉末１ｇあたり０．７国であった。
このグレーズ抵抗体ペーストを２００メツンユのステン
レススクリーンを用いてＣｕ［ＦＭを持つアルミナ基板
上にスクリーン印刷した。この後１２０″Ｃで１０分間
乾燥してから、雰囲気制御可能な厚膜炉で焼成した。厚
膜炉の条件は釣鐘状の温度プロファイルで８５０’０１
０分間保持のドータ〜焼成時間４６分であった。このと
きの雰囲気は窒素雰囲気でおこなっ、た。
レススクリーンを用いてＣｕ［ＦＭを持つアルミナ基板
上にスクリーン印刷した。この後１２０″Ｃで１０分間
乾燥してから、雰囲気制御可能な厚膜炉で焼成した。厚
膜炉の条件は釣鐘状の温度プロファイルで８５０’０１
０分間保持のドータ〜焼成時間４６分であった。このと
きの雰囲気は窒素雰囲気でおこなっ、た。
このようにして見られたグレーズ抵抗体の抵抗諸特性を
第１表に示す。
第１表に示す。
（以 下 余 白 ）
なお、短時間過負荷テストは１ｏｏｍＷ／−の電力を印
加して、初期値に対する抵抗変化率で評価し九。また、
耐湿テストは温度８０’Ｃ１相対湿度９５％雰囲気中に
１０００時間放置した後の初期値に対する抵抗変化率で
評価した。
加して、初期値に対する抵抗変化率で評価し九。また、
耐湿テストは温度８０’Ｃ１相対湿度９５％雰囲気中に
１０００時間放置した後の初期値に対する抵抗変化率で
評価した。
以上のように本［実施例１］によれば、導体材料とガラ
ス、およびビヒクルで構成されるグレーズ抵抗体ペース
トが、珪化モリブデン、珪化タンタル、珪化マグネシウ
ムのうち２成分以上の導体材料と、還元されにくい組成
を有するガラスと、低温で解重合をおこすポリマーを主
成分とするビヒクルとから構成されることＫより、中性
雰囲気中で容易に焼成でき、卑金属材料と共存可能な高
性能グレーズ抵抗体を形成できる。
ス、およびビヒクルで構成されるグレーズ抵抗体ペース
トが、珪化モリブデン、珪化タンタル、珪化マグネシウ
ムのうち２成分以上の導体材料と、還元されにくい組成
を有するガラスと、低温で解重合をおこすポリマーを主
成分とするビヒクルとから構成されることＫより、中性
雰囲気中で容易に焼成でき、卑金属材料と共存可能な高
性能グレーズ抵抗体を形成できる。
以下本発明の第２の実施例について説明する。
［実施例２°コ
ＭｏＳｉ２、ＴａＳｉ２およびＭｇ２Ｓｉのモル比が３
：１：１の組成を有する珪化物を真空中１２００°Ｃで
合成し、メタノール中で平均粒径約１μｍまで粉砕して
導体材料を得た。以下、［実施例１コと同様の手順でグ
レーズ抵抗体をつくった。その緒特性を第２表に示す。
：１：１の組成を有する珪化物を真空中１２００°Ｃで
合成し、メタノール中で平均粒径約１μｍまで粉砕して
導体材料を得た。以下、［実施例１コと同様の手順でグ
レーズ抵抗体をつくった。その緒特性を第２表に示す。
（以 下 余 白 ）
以上のように１本［実施例２〕においても、［５％！施
例１］と同様に中性雰囲気中で容易に焼成でき、卑金属
材料と共存可能な高性能グレーズ抵抗体を形成可能とな
る。
例１］と同様に中性雰囲気中で容易に焼成でき、卑金属
材料と共存可能な高性能グレーズ抵抗体を形成可能とな
る。
［実施例３コ
ＮｉＳｉ 、、ｃｏｓｉ２のモｚ比が８＝２の組成を有
する珪化物を真空中１２００”Ｃで合成し、メタノール
中で平均粒径約１μ重まで粉砕して導体材料を得た。以
下、［実施例１コと同様の手順でグレーズ抵抗体をつく
った。その緒特性を第３表に示す。
する珪化物を真空中１２００”Ｃで合成し、メタノール
中で平均粒径約１μ重まで粉砕して導体材料を得た。以
下、［実施例１コと同様の手順でグレーズ抵抗体をつく
った。その緒特性を第３表に示す。
（以 下 余 白 ）
以上のように、本［実施例３コにおいても、［実施例１
コと同様に中性雰囲気中で容易に焼成でき、卑金属材料
と共存可能な高性能グレーズ抵抗体を形成可能となる。
コと同様に中性雰囲気中で容易に焼成でき、卑金属材料
と共存可能な高性能グレーズ抵抗体を形成可能となる。
［比較例コ
本発明の効果を明らかにするために［５！施例１コ、［
実施例２１％［！流側３コのグレーズ抵抗粉末をエチル
セルロース系ビヒク〜に分散させてグレーズ抵抗体ペー
ストを作成した。このときの溶媒は実施例と同じくテル
ピネオー／Ｖを用い、エチルセルロースの重量比はビヒ
クル全重量に対し、１０％であった。また、焼成雰囲気
は窒素雰囲気とした。
実施例２１％［！流側３コのグレーズ抵抗粉末をエチル
セルロース系ビヒク〜に分散させてグレーズ抵抗体ペー
ストを作成した。このときの溶媒は実施例と同じくテル
ピネオー／Ｖを用い、エチルセルロースの重量比はビヒ
クル全重量に対し、１０％であった。また、焼成雰囲気
は窒素雰囲気とした。
このときの抵抗緒特性を第４表に示す。
（以 下 余 白 ）
以上［比較例］に示すように、一般の厚膜素子で用いら
れているエチルセルロースなどのビヒク〜と本実施例の
グレーズ抵抗粉末とを使用したグレーズ抵抗体ペースト
では、中性雰囲気中や還元雰囲気中で焼成した場合、炭
素残渣のため抵抗体としての緒特性を満足しない。
れているエチルセルロースなどのビヒク〜と本実施例の
グレーズ抵抗粉末とを使用したグレーズ抵抗体ペースト
では、中性雰囲気中や還元雰囲気中で焼成した場合、炭
素残渣のため抵抗体としての緒特性を満足しない。
この炭素残漬量と、過負荷テストにおける抵抗変化率と
の関係を実施例、比較例に関して図に示す。
の関係を実施例、比較例に関して図に示す。
１は［実施例１コにおける炭素残渣量と抵抗変化率（過
負荷テスト時）、２は［比較例コにおける炭素残渣量と
抵抗変化率を示す。
負荷テスト時）、２は［比較例コにおける炭素残渣量と
抵抗変化率を示す。
なお、実施例において、有機ポリマーとしてポリメチル
メタアクリートを用いたが、低温で解重合をおこし昇蕊
飛散するものであれば何でもよく例エバ、ポリテトラフ
ルオロエチレンやポリ−α−メチルスチレンを単体、あ
るいは混合して用いてもよい。
メタアクリートを用いたが、低温で解重合をおこし昇蕊
飛散するものであれば何でもよく例エバ、ポリテトラフ
ルオロエチレンやポリ−α−メチルスチレンを単体、あ
るいは混合して用いてもよい。
また、実施例では窒素雰囲気中で焼成したが、非酸化性
雰囲気であれば良く、７％未満の水素を含む還元性雰囲
気中でも焼成可能である。
雰囲気であれば良く、７％未満の水素を含む還元性雰囲
気中でも焼成可能である。
また、実施例では硼珪酸ガラスをもちいたが、ガラスの
性質としては非還元性であればよい。
性質としては非還元性であればよい。
発明の効果
以上のように本発明のグレーズ抵抗体ペーストは、珪化
物導体粉末と、非還元性ガラス粉末と、および低温で解
重合ｔおこす有機バインダを含むビヒクμから構成され
ることにより、非還元性雰囲気中で高性能グレーズ抵抗
体を容易に形成でき、また、卑金属材料との共存による
コストの低減や、単一雰囲気中での焼成による工程管理
工数の低減等、多くの波及効果が得られる。
物導体粉末と、非還元性ガラス粉末と、および低温で解
重合ｔおこす有機バインダを含むビヒクμから構成され
ることにより、非還元性雰囲気中で高性能グレーズ抵抗
体を容易に形成でき、また、卑金属材料との共存による
コストの低減や、単一雰囲気中での焼成による工程管理
工数の低減等、多くの波及効果が得られる。
図は、本発明のグレーズ抵抗体ペーストを窒素゛雰囲気
中で形成した場合における、グレーズ抵抗−７体中の炭
素残渣量と過負荷テストによる抵抗変化率との関係の一
例を示すグラフである。 １・・・・・・本発明の実施例を示す曲線、２・・・・
・・比較例を示す曲線。
中で形成した場合における、グレーズ抵抗−７体中の炭
素残渣量と過負荷テストによる抵抗変化率との関係の一
例を示すグラフである。 １・・・・・・本発明の実施例を示す曲線、２・・・・
・・比較例を示す曲線。
Claims (4)
- （１）珪化物導体粉末と、非還元性ガラス粉末と、およ
び低温で解重合をおこす有機バインダを含むビヒクルか
ら構成されるグレーズ抵抗体ペースト。 - （２）有機バインダは非還元性ガラス粉末の軟化点より
も低い温度で解重合をおこし、ポリメチルメタアクリー
ト、ポリテトラフルオロエチレン、又はポリ−α−メチ
ルスチレンのうち１種以上から構成されることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載のグレーズ抵抗体ペ
ースト。 - （３）珪化物導体粉末は、 ＭｏＳｉ＿２−ＴａＳｉ＿２、 ＭｏＳｉ＿２−ＴａＳｉ＿２−Ｍｇ＿２Ｓｉ、又は、 ＣｏＳｉ＿２−ＮｉＳｉ＿２ から構成されることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載のグレーズ抵抗体ペースト。 - （４）非還元性ガラス粉末は、硼珪酸ガラスから構成さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
グレーズ抵抗体ペースト。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136411A JPS61294801A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | グレ−ズ抵抗体ペ−スト |
| US06/875,872 US4695504A (en) | 1985-06-21 | 1986-06-18 | Thick film resistor composition |
| KR1019860004955A KR900008866B1 (ko) | 1985-06-21 | 1986-06-20 | 후막저항조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136411A JPS61294801A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | グレ−ズ抵抗体ペ−スト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61294801A true JPS61294801A (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=15174531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60136411A Pending JPS61294801A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | グレ−ズ抵抗体ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61294801A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4861981A (ja) * | 1971-11-08 | 1973-08-30 | ||
| JPS5441493A (en) * | 1977-09-07 | 1979-04-02 | Hitachi Ltd | Paste for thick film resistance body |
| JPS56153702A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Glazed resistor |
-
1985
- 1985-06-21 JP JP60136411A patent/JPS61294801A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4861981A (ja) * | 1971-11-08 | 1973-08-30 | ||
| JPS5441493A (en) * | 1977-09-07 | 1979-04-02 | Hitachi Ltd | Paste for thick film resistance body |
| JPS56153702A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Glazed resistor |
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