JPH01103802A - 抵抗器 - Google Patents
抵抗器Info
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- JPH01103802A JPH01103802A JP62262071A JP26207187A JPH01103802A JP H01103802 A JPH01103802 A JP H01103802A JP 62262071 A JP62262071 A JP 62262071A JP 26207187 A JP26207187 A JP 26207187A JP H01103802 A JPH01103802 A JP H01103802A
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- silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はグレーズ抵抗体にかかり、中性雰囲気、あるい
は還元雰囲気中の非酸化性雰囲気中で焼成され、卑金属
電極、特に銅厚膜混成集積回路（ＨＩＣ）基板上等で、
銅電極とともに構成される抵抗器に関するものである。
は還元雰囲気中の非酸化性雰囲気中で焼成され、卑金属
電極、特に銅厚膜混成集積回路（ＨＩＣ）基板上等で、
銅電極とともに構成される抵抗器に関するものである。
従来の技術
従来、電極を形成したアルミナ基板上に設ける抵抗材料
として、Ｒｕ０２−ガラスから構成されるＲｕｂ、グレ
ーズ抵抗体がひろく実用に供されている。
として、Ｒｕ０２−ガラスから構成されるＲｕｂ、グレ
ーズ抵抗体がひろく実用に供されている。
このグレーズ抵抗体は、焼結アルミナ基板上の銀あるい
は銀とパラジウムからなる電極を空気中で焼付けたうえ
で、Ｒｕｂ、−ガラスを樹脂バインダと溶剤からなるビ
ヒクル中に分散させたペーストをアルミナ基板上の前記
電極に接続するように印刷し、空気中７００〜９００”
Ｃの温度で焼成して形成される。これら厚膜技術に関し
ては、プラナ−、フィリップス著「シック・フィルム・
サーキ・シト」ロンドン・バターワース社 （Ｐｌａｎｅｒ、 Ｐｈ１ｌｌｉｐｓ ｒＴｈｉｃｋ
Ｆｉｌｍ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ ｊ、ＬＯＮＤＯＮ ＢＵ
ＴＴＥ四０ＲＴＨ５社）に論じられている。
は銀とパラジウムからなる電極を空気中で焼付けたうえ
で、Ｒｕｂ、−ガラスを樹脂バインダと溶剤からなるビ
ヒクル中に分散させたペーストをアルミナ基板上の前記
電極に接続するように印刷し、空気中７００〜９００”
Ｃの温度で焼成して形成される。これら厚膜技術に関し
ては、プラナ−、フィリップス著「シック・フィルム・
サーキ・シト」ロンドン・バターワース社 （Ｐｌａｎｅｒ、 Ｐｈ１ｌｌｉｐｓ ｒＴｈｉｃｋ
Ｆｉｌｍ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ ｊ、ＬＯＮＤＯＮ ＢＵ
ＴＴＥ四０ＲＴＨ５社）に論じられている。
一方、銀−パラジウム電極等の貴金属以外の卑金属電極
上、例えばＷ、Ｍｏ、Ｃｕ上にＲｕｂ２−ガラス系グレ
ーズ抵抗体を空気中で形成することを考えた場合、電極
材料の酸化現象が生じ、電極上へのグレーズ抵抗体の形
成は不可能である。
上、例えばＷ、Ｍｏ、Ｃｕ上にＲｕｂ２−ガラス系グレ
ーズ抵抗体を空気中で形成することを考えた場合、電極
材料の酸化現象が生じ、電極上へのグレーズ抵抗体の形
成は不可能である。
そのため、卑金属電極を用いてグレーズ抵抗体を形成す
るためにはグレーズ抵抗体を還元雰囲気中、または中性
雰囲気中で焼成する必要がある。
るためにはグレーズ抵抗体を還元雰囲気中、または中性
雰囲気中で焼成する必要がある。
しかし、Ｒｕｂ、系グレーズ抵抗材料はその性質上還元
雰囲気中で焼成された場合、 ＲｕＯ□＋Ｈ２→Ｒｕ＋Ｈ２０ の反応が容易に起り、抵抗体としての特性が得られない
。
雰囲気中で焼成された場合、 ＲｕＯ□＋Ｈ２→Ｒｕ＋Ｈ２０ の反応が容易に起り、抵抗体としての特性が得られない
。
一方、硼化物−ガラス系グレーズ抵抗材料は硼化物の性
質上、雰囲気が還元雰囲気、中性雰囲気を問わず化学変
化を受けることがない。したがって、硼化物−ガラス系
グレーズ抵抗体は還元雰囲気中や、中性雰囲気中でも焼
成が可能なものである。
質上、雰囲気が還元雰囲気、中性雰囲気を問わず化学変
化を受けることがない。したがって、硼化物−ガラス系
グレーズ抵抗体は還元雰囲気中や、中性雰囲気中でも焼
成が可能なものである。
この硼化物を用いて抵抗体を形成する技術としては、ド
ナフラー他著「ナイトロジェン ファイアプル レジス
ター」プロシイ−ディング オブ１９８７ ＥＣＣ（
Ｄｏｎａｈｕｅ ｅｔ ａｌ ｒＮｉｔｒｏｇｅｎ−
Ｆｉｒｅａ−１ｅ Ｒｅ５ｉｓｔｏｒ Ｊ Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇ ｏｆ １９８７ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
Ｃｏｎｐｏｎｅｎｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）に論じ
られている。
ナフラー他著「ナイトロジェン ファイアプル レジス
ター」プロシイ−ディング オブ１９８７ ＥＣＣ（
Ｄｏｎａｈｕｅ ｅｔ ａｌ ｒＮｉｔｒｏｇｅｎ−
Ｆｉｒｅａ−１ｅ Ｒｅ５ｉｓｔｏｒ Ｊ Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇ ｏｆ １９８７ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
Ｃｏｎｐｏｎｅｎｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）に論じ
られている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら硼化物−ガラス系グレーズ抵抗材料におい
てもシート抵抗１０に９７口以上を作ることは、抵抗温
度係数（ＴＣＰ）が負の大きな値（−３００ｐｐｍ ／
’ｃ以下）を示すため非常に困難であり、高抵抗、特
に１００ ｋΩ／口以上を形成する場合、酸化錫などの
導体材料を用いているのが現状である。そのため、１０
にΩ／口の抵抗体ペーストと１００にΩ／口の抵抗体ペ
ーストとのペースト・ブレンドが不可能であり、また、
硼化物−ガラス系の抵抗材料と酸化錫−ガラス系の抵抗
材料との同時焼成が、相互反応のため、困難であった。
てもシート抵抗１０に９７口以上を作ることは、抵抗温
度係数（ＴＣＰ）が負の大きな値（−３００ｐｐｍ ／
’ｃ以下）を示すため非常に困難であり、高抵抗、特
に１００ ｋΩ／口以上を形成する場合、酸化錫などの
導体材料を用いているのが現状である。そのため、１０
にΩ／口の抵抗体ペーストと１００にΩ／口の抵抗体ペ
ーストとのペースト・ブレンドが不可能であり、また、
硼化物−ガラス系の抵抗材料と酸化錫−ガラス系の抵抗
材料との同時焼成が、相互反応のため、困難であった。
また、抵抗体は回路部品であるから、耐サージ特性が良
くなければならないが、硼化物−ガラス系グレーズ抵抗
材料を構成する硼化物粉体が事前に合成し機械的粉砕を
行なって作成しているため、粒径１μｍ以下にすること
が難しく、また、形成したグレーズ抵抗体内部に不均一
な電界分布ができ、サージ電圧による抵抗値変化が著し
い。
くなければならないが、硼化物−ガラス系グレーズ抵抗
材料を構成する硼化物粉体が事前に合成し機械的粉砕を
行なって作成しているため、粒径１μｍ以下にすること
が難しく、また、形成したグレーズ抵抗体内部に不均一
な電界分布ができ、サージ電圧による抵抗値変化が著し
い。
本発明は上記問題点に鑑み、硼化物−ガラス系グレーズ
抵抗器において、抵抗体ペースト中に硼化物を含むので
はなく、非酸化性雰囲気中における焼成工程で、ホウケ
イ酸ガラス中に含まれる前記酸化物と酸化ホウ素をシリ
コンや一酸化シリコン、あるいは一酸化シリコンの高次
酸化状態前駆体を用いて還元し、微小な硼化物を得るこ
とにより形成したグレーズ抵抗器である。
抵抗器において、抵抗体ペースト中に硼化物を含むので
はなく、非酸化性雰囲気中における焼成工程で、ホウケ
イ酸ガラス中に含まれる前記酸化物と酸化ホウ素をシリ
コンや一酸化シリコン、あるいは一酸化シリコンの高次
酸化状態前駆体を用いて還元し、微小な硼化物を得るこ
とにより形成したグレーズ抵抗器である。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の抵抗器は、非酸化
性雰囲気中における焼成工程で、ホウケイ酸ガラス中に
含まれる前記酸化物と酸化ホウ素をシリコンや一酸化シ
リコンを用いて還元し、微小な硼化物を得た抵抗器であ
り、シート抵抗１０に９７口以上で低ＴＣＲ，ならびに
、高範囲のシート抵抗体が同時焼成可能となり、また、
ブレンド可能なペーストが作成できる。
性雰囲気中における焼成工程で、ホウケイ酸ガラス中に
含まれる前記酸化物と酸化ホウ素をシリコンや一酸化シ
リコンを用いて還元し、微小な硼化物を得た抵抗器であ
り、シート抵抗１０に９７口以上で低ＴＣＲ，ならびに
、高範囲のシート抵抗体が同時焼成可能となり、また、
ブレンド可能なペーストが作成できる。
さらには微小粒径を有する硼化物が形成されているため
、耐サージ特性の優れたグレーズ抵抗器である。
、耐サージ特性の優れたグレーズ抵抗器である。
作用
本発明は上記したように、硼化物−ガラス系グレーズ抵
抗器において、−船釣に硬質金属に属する硼化物の粉体
を機械的粉砕で得た物ではなく、ホウケイ酸ガラス中に
含まれる前記酸化物と酸化ホウ素をシリコンや一酸化シ
リコン、あるいは一酸化シリコンの高次酸化状態前駆体
を用いて、非酸化性雰囲気中焼成工程中で還元して得た
物であり、前記微小な硼化物とガラスから構成される抵
抗器である。
抗器において、−船釣に硬質金属に属する硼化物の粉体
を機械的粉砕で得た物ではなく、ホウケイ酸ガラス中に
含まれる前記酸化物と酸化ホウ素をシリコンや一酸化シ
リコン、あるいは一酸化シリコンの高次酸化状態前駆体
を用いて、非酸化性雰囲気中焼成工程中で還元して得た
物であり、前記微小な硼化物とガラスから構成される抵
抗器である。
上記の工程で得た前記抵抗器は、シート抵抗１０に０７
口以上で低ＴＣＲ，ならびに、高範囲のシート抵抗器が
同時に形成でき、また、ブレンド可能なペーストが作成
できる。
口以上で低ＴＣＲ，ならびに、高範囲のシート抵抗器が
同時に形成でき、また、ブレンド可能なペーストが作成
できる。
さらには、前記抵抗器は微小粒径を有する硼化物が構成
されているので、耐サージ特性を向上・できる。
されているので、耐サージ特性を向上・できる。
実施例
以下本発明の一実施例の抵抗器について、説明する。
〔実施例１〕
シリコン粉体は高純度シリコン粉体を粗粉砕したあと、
エタノール中でジルコニウムボールを用いて、平均粒径
約０．５μｍになるまでボール・ミル粉砕した。
エタノール中でジルコニウムボールを用いて、平均粒径
約０．５μｍになるまでボール・ミル粉砕した。
ガラスフリットはＢ ａ Ｏ（１０〜２３ｍ ｏ １％
）、Ｃａ０（３〜６）、Ｍｇ０（７〜９）、Ｂ２０３（
４０〜５５） 、Ｓ ｉ Ｏｚ （６〜２５） 、Ａ
Ｉ。０３（７〜９）からなる酸化物、あるいはこれら
の炭酸塩と、硼化物を形成する前記酸化物が１〜１０ｍ
ｏ１％になるように秤量して混合し、この混合粉体を１
４００℃で溶解した後、溶解物を冷水中で急冷してガラ
ス化しで、ボール・ミル粉砕して得た。
）、Ｃａ０（３〜６）、Ｍｇ０（７〜９）、Ｂ２０３（
４０〜５５） 、Ｓ ｉ Ｏｚ （６〜２５） 、Ａ
Ｉ。０３（７〜９）からなる酸化物、あるいはこれら
の炭酸塩と、硼化物を形成する前記酸化物が１〜１０ｍ
ｏ１％になるように秤量して混合し、この混合粉体を１
４００℃で溶解した後、溶解物を冷水中で急冷してガラ
ス化しで、ボール・ミル粉砕して得た。
これら粉体を混合し、グレーズ抵抗粉末とした。
このときのシリコン／（シリコン＋ガラス）比は重量比
で０．０２〜０．４であった。
で０．０２〜０．４であった。
このグレーズ抵抗粉末を混練するビヒクルはテルピネオ
ール中にイソ−ブチルメタアクリレートが１０％重量比
になるよう秤量し、溶解して得た。
ール中にイソ−ブチルメタアクリレートが１０％重量比
になるよう秤量し、溶解して得た。
このビヒクルとグレーズ抵抗粉末の比はグレーズ抵抗粉
末１ｇあたり０ 、４ ｃｃであった。
末１ｇあたり０ 、４ ｃｃであった。
このグレーズ抵抗体ペーストを３２５メツシユのステン
レススクリーンを用いてＣｕ電極を持つアルミナ基板上
にスクリーン印刷した。この後１２０℃で１０分間乾燥
してから、雰囲気制御可能な厚膜焼成炉で焼成した。焼
成炉の条件は釣鐘状の温度プロファイルで９２０℃１０
分間保持のトータル焼成時間６０分であった。このとき
の雰囲気は窒素雰囲気で行い、酸素濃度は銅電極が酸化
しない範囲の１０ｐｐｍ以下でおこなった。
レススクリーンを用いてＣｕ電極を持つアルミナ基板上
にスクリーン印刷した。この後１２０℃で１０分間乾燥
してから、雰囲気制御可能な厚膜焼成炉で焼成した。焼
成炉の条件は釣鐘状の温度プロファイルで９２０℃１０
分間保持のトータル焼成時間６０分であった。このとき
の雰囲気は窒素雰囲気で行い、酸素濃度は銅電極が酸化
しない範囲の１０ｐｐｍ以下でおこなった。
このようにしてえられたグレーズ抵抗体の抵抗緒特性を
第１表に示す。
第１表に示す。
なお、抵抗温度係数（ＴＣＲ）は常温（２５℃）時の抵
抗値に対する１２５℃における抵抗値の変化量をｐｐｍ
／”Ｃで表す。短時間過負荷テストは１２５ｍＷ／ｗ”
の電力に相当する電圧の２．５倍を印加して、初期値に
対する抵抗変化率で評価し、耐湿テストは、温度６０℃
、相対湿度９５％雰囲気中に１０００時間放置した後の
初期値に対する抵抗変化率で評価した。耐サージテスト
は２０００ｐＦのコンデンサに５００■の電圧を印加充
電した後、これを抵抗体に放電し、抵抗初期値に対する
変化率で表した。
抗値に対する１２５℃における抵抗値の変化量をｐｐｍ
／”Ｃで表す。短時間過負荷テストは１２５ｍＷ／ｗ”
の電力に相当する電圧の２．５倍を印加して、初期値に
対する抵抗変化率で評価し、耐湿テストは、温度６０℃
、相対湿度９５％雰囲気中に１０００時間放置した後の
初期値に対する抵抗変化率で評価した。耐サージテスト
は２０００ｐＦのコンデンサに５００■の電圧を印加充
電した後、これを抵抗体に放電し、抵抗初期値に対する
変化率で表した。
また、この抵抗体の焼成前後における抵抗体の断面模式
図を第１図（ａ） （ｂ）に示す。
図を第１図（ａ） （ｂ）に示す。
以上のように本〔実施例１〕によれば、本発明の硼化物
−ガラス抵抗器の硼化物を、非酸化性雰囲気中における
焼成工程で、ホウケイ酸ガラス中に含まれる前記酸化物
と酸化ホウ素とをシリコンを用い還元して得ているため
、微小な硼化物が得られており、シート抵抗１０に９７
口以上で低ＴＣＲ１耐サージ特性の優れた高性能なグレ
ーズ抵抗体が構成されている。
−ガラス抵抗器の硼化物を、非酸化性雰囲気中における
焼成工程で、ホウケイ酸ガラス中に含まれる前記酸化物
と酸化ホウ素とをシリコンを用い還元して得ているため
、微小な硼化物が得られており、シート抵抗１０に９７
口以上で低ＴＣＲ１耐サージ特性の優れた高性能なグレ
ーズ抵抗体が構成されている。
つぎに、一酸化シリコンを用いた本発明の第２の実施例
を説明する。
を説明する。
〔実施例２〕
一酸化シリコン粉体は一酸化シリコン試薬を粗粉砕した
あと、エタノール中でジルコニウムボールを用いて、平
均粒径約０．５μｍになるまでボール・ミル粉砕した。
あと、エタノール中でジルコニウムボールを用いて、平
均粒径約０．５μｍになるまでボール・ミル粉砕した。
ガラスフリットは〔実施例１〕と同様にして得た。
これら粉体を混合し、グレーズ抵抗粉末とし、〔実施例
１〕と同様に混合・混練しグレーズ抵抗ペーストを得た
。
１〕と同様に混合・混練しグレーズ抵抗ペーストを得た
。
こツクレースｔ’ｆｋ、 抗体ペーストを３２５メソシ
ユのステンレススクリーンを用いてＣｕ電極を持つアル
ミナ基板上に〔実施例１〕と同様にスクリーン印刷し、
この後１２０℃で１０分間乾燥してから、〔実施例１〕
と同様に雰囲気制御可能な厚膜焼成炉で焼成した。
ユのステンレススクリーンを用いてＣｕ電極を持つアル
ミナ基板上に〔実施例１〕と同様にスクリーン印刷し、
この後１２０℃で１０分間乾燥してから、〔実施例１〕
と同様に雰囲気制御可能な厚膜焼成炉で焼成した。
このようにしてえられたグレーズ抵抗体の抵抗緒特性を
第２表に示す。
第２表に示す。
以上のように、本〔実施例２〕においても、〔実施例１
〕と同様に、本発明の硼化物−ガラス抵抗器の硼化物を
、非酸化性雰囲気中における焼成工程で、ホウケイ酸ガ
ラス中に含まれる前記酸化物と酸化ホウ素とをシリコン
を用い還元して得ているため、微小な硼化物が得られて
おり、シート抵抗１０に９７口以上で低ＴＣＲ１耐サー
ジ特性の優れた高性能なグレーズ抵抗体が構成されてい
る。
〕と同様に、本発明の硼化物−ガラス抵抗器の硼化物を
、非酸化性雰囲気中における焼成工程で、ホウケイ酸ガ
ラス中に含まれる前記酸化物と酸化ホウ素とをシリコン
を用い還元して得ているため、微小な硼化物が得られて
おり、シート抵抗１０に９７口以上で低ＴＣＲ１耐サー
ジ特性の優れた高性能なグレーズ抵抗体が構成されてい
る。
本発明の効果を明らかにするために、以下に〔比較例〕
を示す。
を示す。
〔実施例１〕、〔実施例２〕で用いた硼化物をアルゴン
ガス中で合成し、この合成粉体をエタノール中でＷＣボ
ールを用いて平均粒径約０．５μｍになるまでボール・
ミル粉砕して硼化物粉体を得た。
ガス中で合成し、この合成粉体をエタノール中でＷＣボ
ールを用いて平均粒径約０．５μｍになるまでボール・
ミル粉砕して硼化物粉体を得た。
ガラスは、公知の非還元性ガラスを〔実施例１〕と同様
に溶解・粉砕して得た。
に溶解・粉砕して得た。
これら硼化物粉体とガラスとを混合したあと、〔実施例
１〕と同様にビヒクルと混練して抵抗体ペーストを得た
。
１〕と同様にビヒクルと混練して抵抗体ペーストを得た
。
この抵抗体ペーストを〔実施例１〕と同様に印刷・乾燥
・焼成を行い、抵抗体を形成し評価した。
・焼成を行い、抵抗体を形成し評価した。
このときの抵抗緒特性を第３表に示す。
以上〔比較例〕に示すように、硼化物粉体を事前に合成
し機械的粉砕を行なって形成した硼化物−ガラス系グレ
ーズ抵抗器では、硼化物粒子が大きいため、形成したグ
レーズ抵抗体内部に不均一な電界分布ができ、サージ電
圧による抵抗値変化が著しい。
し機械的粉砕を行なって形成した硼化物−ガラス系グレ
ーズ抵抗器では、硼化物粒子が大きいため、形成したグ
レーズ抵抗体内部に不均一な電界分布ができ、サージ電
圧による抵抗値変化が著しい。
また、一般に硬質金属に属する硼化物の粉砕は非常に難
しく、〔比較例〕に示すような枝糸１μｍ以下の硼化物
粉体を得たとしても、不純物の混入を防ぐことが困難で
あり、この不純物により不均一な電界分布が生じ、サー
ジ電圧による抵抗値変化を助長することとなる。
しく、〔比較例〕に示すような枝糸１μｍ以下の硼化物
粉体を得たとしても、不純物の混入を防ぐことが困難で
あり、この不純物により不均一な電界分布が生じ、サー
ジ電圧による抵抗値変化を助長することとなる。
なお、実施例では窒素雰囲気中で焼成したが、非酸化性
雰囲気であれば良く、７％未満の水素を含む還元性雰囲
気中でも焼成可能である。
雰囲気であれば良く、７％未満の水素を含む還元性雰囲
気中でも焼成可能である。
また、実施例では０．５μｍのシリコン粉体、一酸化シ
リコン粉体を用いたが、粒径としては平均粒径１μｍ以
下であれば、抵抗体の緒特性に影響をあたえず微小な硼
化物が得られ、良好な結果が得られる。
リコン粉体を用いたが、粒径としては平均粒径１μｍ以
下であれば、抵抗体の緒特性に影響をあたえず微小な硼
化物が得られ、良好な結果が得られる。
実施例ではシリコン粉体、一酸化シリコン粉体を用いた
が、これらは還元剤として機能すればよく、一酸化シリ
コンの高次酸化状態前駆体、例えば５ｔ２０．．５ｉ３
０５でも同様の効果かえられる。また、これらシリコン
粉体、一酸化シリコン粉体、一酸化シリコンの高次酸化
状態前駆体を混合して用いることも可能である。
が、これらは還元剤として機能すればよく、一酸化シリ
コンの高次酸化状態前駆体、例えば５ｔ２０．．５ｉ３
０５でも同様の効果かえられる。また、これらシリコン
粉体、一酸化シリコン粉体、一酸化シリコンの高次酸化
状態前駆体を混合して用いることも可能である。
さらには、これらシリコン粉体、一酸化シリコン粉体、
一酸化シリコンの高次酸化状態前駆体は結晶化している
必要はなく、アモルファス状態であっても同様の効果が
得られる。
一酸化シリコンの高次酸化状態前駆体は結晶化している
必要はなく、アモルファス状態であっても同様の効果が
得られる。
なお、実施例において、有機ポリマーとしてポリブチル
メタアクリートを用いたが、低温で解重合をおこし昇華
飛散するものであれば何でもよく例えば、ポリテトラフ
ルオロエチレンや、ポリ−α−メチルスチレン、ポリ−
メチルメタアクリレートを単体、混合、あるいは共重合
して用いてもよい。
メタアクリートを用いたが、低温で解重合をおこし昇華
飛散するものであれば何でもよく例えば、ポリテトラフ
ルオロエチレンや、ポリ−α−メチルスチレン、ポリ−
メチルメタアクリレートを単体、混合、あるいは共重合
して用いてもよい。
発明の効果
以上のように本発明は硼化物−ガラス系グレーズ抵抗器
において、抵抗体ペーストに硼化物を含むのではなく、
非酸化性雰囲気中における焼成工程で、ホウケイ酸ガラ
ス中に含まれる前記酸化物と酸化ホウ素とをシリコンや
一酸化シリコンを用いて還元し、微小な硼化物を得るこ
とにより形成したグレーズ抵抗器である。
において、抵抗体ペーストに硼化物を含むのではなく、
非酸化性雰囲気中における焼成工程で、ホウケイ酸ガラ
ス中に含まれる前記酸化物と酸化ホウ素とをシリコンや
一酸化シリコンを用いて還元し、微小な硼化物を得るこ
とにより形成したグレーズ抵抗器である。
このため、このグレーズ抵抗器は、シート抵抗１０に０
７口以上で低ＴＣＲ，ならびに、高範囲のシート抵抗体
が同時焼成可能であり、また、ブレンド可能なペースト
が作成できる。
７口以上で低ＴＣＲ，ならびに、高範囲のシート抵抗体
が同時焼成可能であり、また、ブレンド可能なペースト
が作成できる。
さらには微小粒径を有する硼化物が形成できるので耐サ
ージ特性を向上できる効果が得られる。
ージ特性を向上できる効果が得られる。
さらには粉砕工程を必要な粉体がシリコン、一酸化シリ
コン等の脆性材料であるため、粉砕工程における不純物
の混入を最小限に抑えることができるという効果が生じ
る。
コン等の脆性材料であるため、粉砕工程における不純物
の混入を最小限に抑えることができるという効果が生じ
る。
第１図は本発明の一実施例における抵抗体の（ａ）焼成
前、（ｂ）焼成後の断面模式図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ガラス粒子、３・
・・・・・シリコン粒子、４・・・・・・硼化物粒子。
前、（ｂ）焼成後の断面模式図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ガラス粒子、３・
・・・・・シリコン粒子、４・・・・・・硼化物粒子。
Claims (5)
- （１）シリコン、一酸化シリコン、一酸化シリコンの高
次酸化状態前駆体の内少なくとも一種と、硼化物と、ガ
ラスとを備えたことを特徴とする抵抗器。 - （２）硼化物が、硼化チタン、硼化ジルコン、硼化バナ
ジウム、硼化ニオブ、硼化タンタル、硼化クロム、硼化
モリブデン、硼化タングステン、硼化マンガン、硼化ラ
ンタンからなることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の抵抗器。 - （３）硼化物が、ＺｒＢ＿２、ＴａＢ＿２、ＮｂＢ＿２
、ＴｉＢ＿２の内少なくとも一種からなることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の抵抗器。 - （４）硼化物の平均粒径が１μｍ以下であることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載の抵抗器。 - （５）シリコン、一酸化シリコン、一酸化シリコンの高
次酸化状態前駆体の平均粒径が１μｍ以下であることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262071A JPH0738323B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262071A JPH0738323B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103802A true JPH01103802A (ja) | 1989-04-20 |
| JPH0738323B2 JPH0738323B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=17370625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62262071A Expired - Fee Related JPH0738323B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738323B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4910915A (ja) * | 1972-05-16 | 1974-01-30 | ||
| JPS5527700A (en) * | 1978-08-16 | 1980-02-27 | Du Pont | Thick film composition |
| JPS62232901A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | 旭硝子株式会社 | 抵抗体組成物 |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62262071A patent/JPH0738323B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4910915A (ja) * | 1972-05-16 | 1974-01-30 | ||
| JPS5527700A (en) * | 1978-08-16 | 1980-02-27 | Du Pont | Thick film composition |
| JPS62232901A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | 旭硝子株式会社 | 抵抗体組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0738323B2 (ja) | 1995-04-26 |
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