JPS612977A - ガス注入制御弁 - Google Patents
ガス注入制御弁Info
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- JPS612977A JPS612977A JP12427584A JP12427584A JPS612977A JP S612977 A JPS612977 A JP S612977A JP 12427584 A JP12427584 A JP 12427584A JP 12427584 A JP12427584 A JP 12427584A JP S612977 A JPS612977 A JP S612977A
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- gas
- gas injection
- valve
- control valve
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/02—Column chromatography
- G01N30/04—Preparation or injection of sample to be analysed
- G01N30/16—Injection
- G01N30/20—Injection using a sampling valve
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/02—Column chromatography
- G01N30/60—Construction of the column
- G01N30/6095—Micromachined or nanomachined, e.g. micro- or nanosize
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明は、ポータプル形ガス・り０マドグラフのサンプ
ル・ガス注入用制御弁に関する。
ル・ガス注入用制御弁に関する。
（従来技術とその問題点）
ガス・クラマドグラフに用いるキャビラリイ・カラムが
毛細管のように微小体積のキャリヤー・ガスにナノ・リ
ットル（１０”’？Ｑ：以下ｒｎｉ＋１と称する。）単
位のサンプル・ガス注入を行うには、混合ガスの一部を
キャビラリイ・カラムに注入する直前に放出する月払が
実用化されている。
毛細管のように微小体積のキャリヤー・ガスにナノ・リ
ットル（１０”’？Ｑ：以下ｒｎｉ＋１と称する。）単
位のサンプル・ガス注入を行うには、混合ガスの一部を
キャビラリイ・カラムに注入する直前に放出する月払が
実用化されている。
しかるに、調整法が複雑で注入量の御出が間接であるた
めガス注入量が推定１１であり、正確性の確認には熟練
を要するという問題があった。
めガス注入量が推定１１であり、正確性の確認には熟練
を要するという問題があった。
（発明の目的）
本発明は、このような問題点を解消するものであって、
キャリヤー・ガスへのサンプル・ガスの微小流量ガス注
入を直接（１つことかできるガス２４人１ｎｌｌＥ弁を
提供することを目的とする。
キャリヤー・ガスへのサンプル・ガスの微小流量ガス注
入を直接（１つことかできるガス２４人１ｎｌｌＥ弁を
提供することを目的とする。
（発明の概要）
本発明は、ポータプル形ガス・クロマトグラフのサンプ
ル・ガス注入量がｎＱψ位を要づることに関するガス注
入υ＋１１１１弁であって、ガス・り０マドグラフに用
いるキャビラリイ・カラムが毛細管のような微小体積の
キャリヤー・ガスにｎＱ甲位の直接ガス注入を行うもの
であって、ｎＱＩｌ（Ｑの直接ガス注入は、既に実績を
有する半導体プロセスの化学的研磨法を用いてシリコン
・ウニハートにμｍ単位の深さのバルブ座を形成し、こ
のバルブ座のバルブに薄膜、例えば耐熱性有機物フィル
ムに高Ｉｆ父は負圧の空圧切換を行うことにより、ガス
注入のバルブの機能を行わしめることを特徴とする。
ル・ガス注入量がｎＱψ位を要づることに関するガス注
入υ＋１１１１弁であって、ガス・り０マドグラフに用
いるキャビラリイ・カラムが毛細管のような微小体積の
キャリヤー・ガスにｎＱ甲位の直接ガス注入を行うもの
であって、ｎＱＩｌ（Ｑの直接ガス注入は、既に実績を
有する半導体プロセスの化学的研磨法を用いてシリコン
・ウニハートにμｍ単位の深さのバルブ座を形成し、こ
のバルブ座のバルブに薄膜、例えば耐熱性有機物フィル
ムに高Ｉｆ父は負圧の空圧切換を行うことにより、ガス
注入のバルブの機能を行わしめることを特徴とする。
（発明の実施例）
本発明の構造及び実施例を図面に軍づいて説明ｌる。
第１図は、本発明に係るガス注入υ１１１＋弁の構造を
示す分解図であり、第２図は、正面断面図である。
示す分解図であり、第２図は、正面断面図である。
第１図に示すように、本発明に係るガス注入制御弁は、
シリコン・ウェハー（１）に形成されたパル７２（１２
１のバルブへ岸さ約１００μｍの１１１（５）例えば耐
熱性有機物フィルム（デュポン社製フロロカーボンフィ
ルム相当品）の加熱接着部分〈６）を介して接着し、そ
の上に板（１０）の接着面を介して接着して形成される
。
シリコン・ウェハー（１）に形成されたパル７２（１２
１のバルブへ岸さ約１００μｍの１１１（５）例えば耐
熱性有機物フィルム（デュポン社製フロロカーボンフィ
ルム相当品）の加熱接着部分〈６）を介して接着し、そ
の上に板（１０）の接着面を介して接着して形成される
。
バルブ座（１２）は、半導体プロセスの化学的研磨法を
用いてμｍ１１１位の深さでシリコン・ウェハーに形成
される。そしてバルブ％ｌ （１２）は、サンプル・ガ
ス通路（２）とキキ・す１アー・ガスへの１ノンプル・
ガス１人孔（３）とパル／・シート面（４）とから成る
。
用いてμｍ１１１位の深さでシリコン・ウェハーに形成
される。そしてバルブ％ｌ （１２）は、サンプル・ガ
ス通路（２）とキキ・す１アー・ガスへの１ノンプル・
ガス１人孔（３）とパル／・シート面（４）とから成る
。
１ｉ１１１１（ｈ）は、シリＩ］ン・つＪバー（１）と
叛（１０）の間に挟まれた状態で加熱接着される。
叛（１０）の間に挟まれた状態で加熱接着される。
板〈１０）は、ガスン１人用空隙四部（８）と浦ＩＩ
（５１のたわみ部分（７）を制御する制御ガス注入口（
９）から成る。
（５１のたわみ部分（７）を制御する制御ガス注入口（
９）から成る。
このような構造をｉするガス？１人Ｎ１１ｌｌ弁は、制
御ガスの高圧によって薄膜（５）のたわみ部分（７）が
バルブｍ（１２）のバルブ・シート面（４）に押し付け
られてガス流入をＮ＋ ＋）−Ｕる。例えば、サンプル
・ガスのキＶすＮ７−・ガスへの流入の阻止は、高圧に
よって１Ｈｌ（５＞のたわみ部分（７）がパルプ座（１
２）のバルブ・シート面（４）に押し付けられることに
より行われる。
御ガスの高圧によって薄膜（５）のたわみ部分（７）が
バルブｍ（１２）のバルブ・シート面（４）に押し付け
られてガス流入をＮ＋ ＋）−Ｕる。例えば、サンプル
・ガスのキＶすＮ７−・ガスへの流入の阻止は、高圧に
よって１Ｈｌ（５＞のたわみ部分（７）がパルプ座（１
２）のバルブ・シート面（４）に押し付けられることに
より行われる。
他方、１ｉ１１１（５）のたわみ部分（７）にｔｉｌｌ
ｌｌａガス注入口（９）を介して負圧を与えると、たわ
み部分（７）は逆に上りに吸引されるため、たわみ部分
〈７）とバルブ・シート面（４）との間に空隙が生じ、
サンプル・ガスがキャリヤー・ガスに流入することがで
きる。
ｌｌａガス注入口（９）を介して負圧を与えると、たわ
み部分（７）は逆に上りに吸引されるため、たわみ部分
〈７）とバルブ・シート面（４）との間に空隙が生じ、
サンプル・ガスがキャリヤー・ガスに流入することがで
きる。
本発明は、厚さ約１００μｍの耐熱性のｉ［〈５）によ
ってダイヤフラムと接着剤の両機能を具備ぜしめて、ｎ
９１１１位のガス注入を直接できるガスｔｔ入ｔ＋１ｌ
ｌｌｌ弁であり、制御ガスの高圧及び負圧の都の部間を
ｌｉｌＩｌｗＡすることによって、サンプル・ガス流入
量を任意に変化できることとなった。
ってダイヤフラムと接着剤の両機能を具備ぜしめて、ｎ
９１１１位のガス注入を直接できるガスｔｔ入ｔ＋１ｌ
ｌｌｌ弁であり、制御ガスの高圧及び負圧の都の部間を
ｌｉｌＩｌｗＡすることによって、サンプル・ガス流入
量を任意に変化できることとなった。
（発明の効梁）
本発明は、以トの構成であるから、キャリヤー・ガスへ
のサンプル・ガスの微小流量ガス注入をｉｌｌにｔｌう
ことがτきるポータプル形ガス・りＤマドグラフのガス
制御弁である。
のサンプル・ガスの微小流量ガス注入をｉｌｌにｔｌう
ことがτきるポータプル形ガス・りＤマドグラフのガス
制御弁である。
第１図は、本発明の構造を示す分解図であり、第２図は
正面断面図である。 １・・・シリコン・ウェハー ２・・・１Ｊンブル・ガス通路 ３・・・サンプル・ガス注入孔
正面断面図である。 １・・・シリコン・ウェハー ２・・・１Ｊンブル・ガス通路 ３・・・サンプル・ガス注入孔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコン・ウエハー上に形成したバルブ座を高圧又は負
圧の圧力により上下にたわみを生ずる薄膜で覆い、かつ
、該薄膜に注入口と空隙を備えた板を覆うとともに、 前記薄膜の周辺と板の周辺とを前記バルブ座に順次密着
したことを特徴とするガス注入制御弁。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12427584A JPS612977A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | ガス注入制御弁 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12427584A JPS612977A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | ガス注入制御弁 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612977A true JPS612977A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14881305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12427584A Pending JPS612977A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | ガス注入制御弁 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612977A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0632850U (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-28 | 横河電機株式会社 | シリコンマイクロバルブ |
| JPH06185650A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-07-08 | Protein Technologies Inc | Ｄｎａシーケンス又はペプチド配列を同時合成する弁マトリックス |
-
1984
- 1984-06-16 JP JP12427584A patent/JPS612977A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06185650A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-07-08 | Protein Technologies Inc | Ｄｎａシーケンス又はペプチド配列を同時合成する弁マトリックス |
| JPH0632850U (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-28 | 横河電機株式会社 | シリコンマイクロバルブ |
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