JPS6129902B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6129902B2 JPS6129902B2 JP56048102A JP4810281A JPS6129902B2 JP S6129902 B2 JPS6129902 B2 JP S6129902B2 JP 56048102 A JP56048102 A JP 56048102A JP 4810281 A JP4810281 A JP 4810281A JP S6129902 B2 JPS6129902 B2 JP S6129902B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tio
- capacitance
- semiconductor
- semiconductor ceramic
- crystal grain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 37
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 9
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001089 mineralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
この発明は粒界絶縁形半導体磁器コンデンサ用
の組成物に関するものである。 従来、小型で大容量のコンデンサとしては、堰
層容量形半導体磁器コンデンサ、表面絶縁層形半
導体磁器コンデンサ、あるいは粒界絶縁形半導体
磁器コンデンサがある。 このうち、堰層容量形半導体磁器コンデンサは
400〜500nF／cm2の静電容量値を示すが、tanδは
４〜５％と大きく、絶縁抵抗（IR）も1MΩの値
しか得られていない。また表面絶縁層形半導体磁
器コンデンサは、tanδ、静電容量温度特性、静
電容量変化率、歪率などの特性に良好なものが得
られない。さらに粒界絶縁形半導体磁器コンデン
サは表面絶縁層形半導体磁器にくらべてほとんど
の点ですぐれた電気特性を示すが、静電容量はせ
いぜい300nF／cm2である。 このように粒界絶縁形半導体磁器コンデンサの
静電容量が小さい点を改善するため、次に示す磁
器組成物を提案した。つまり、（Sr1-xBax）TiO3
（ｘ＝0.30〜0.50）、または（Sr1-xBax）TiO3（ｘ
＝0.30〜0.50）を主体としてその他にチタン酸
塩、ジルコン酸塩を含む主成分に対し、La，Ｙ
などの希土類元素、Nb，Ta，Ｗなどの半導体化
剤を含有し、かつ最大結晶粒径が100μｍ以上で
ある半導体磁器を用い、この半導体磁器の結晶粒
界を、Cuと、Bi，Pb，ＢおよびSiのうち少なく
とも１種により絶縁体化したもの、または、Mn
と、Bi，Cu，Pb，ＢおよびSiのうち少なくとも
１種により絶縁体化したものである。 この磁器組成物において、（Sr1-xBax）TiO3の
ｘの値を0.30〜0.50の範囲に限定し、ｘが0.30未
満では静電容量が低下し、静電容量温度特性が悪
くなることが認められた。 ところが、ｘの値を0.15〜0.30（ただし、0.30
を含まず）の範囲とし、最大結晶粒径を150〜250
μｍとすることにより、静電容量を増大させるこ
とができるとともに、結晶粒界を少なくとも
Cu，Biにより絶縁体化することによつて、静電
容量温度特性を改良することができた。また静電
容量の経時変化を小さくすることができるという
効果が得られることを見い出したのである。つま
り、従来（Sr0.60 Ba0.40）TiO3の組成のもので、
3.0％程度の大きな経時変化が見られたが、これ
を2.0％以下におさえることができるという効果
が得られるのである。 したがつて、この発明の要旨とするところは、
（Sr1-xBax）TiO3（0.15≦ｘ＜0.30）、または
（Sr1-xBax）TiO3（0.15≦ｘ＜0.30）を主体とし
てその他にチタン酸塩、ジルコン酸塩を含む主成
分に対し、La，Ｙなどの希土類元素、Nb，Ta，
Ｗなどの半導体化剤を含有し、かつ最大結晶粒径
が150〜250μｍである半導体磁器であつて、その
半導体磁器の結晶粒界が少なくともCu，Biによ
り絶縁体化されてなる粒界絶縁形半導体磁器組成
物である。 半導体磁器には必要に応じてSiO2，Al2O3のう
ち少なくとも１種を含有させてもよい。 また結晶粒界を絶縁体化するには少なくとも
Cu，Biを用いてもよいが、そのほか少なくとも
Cu，Bi，Mnを用いることも許される。 上記したうち、（Sr1-xBax）TiO3のｘは0.15〜
0.30（ただし、0.30を含まず）の範囲に限定され
る。この範囲に限定したのはｘが0.15未満になる
と、静電容量、静電容量温度特性とも低下するの
である。またｘが0.30以上についてはすでに先に
出願（特願昭54−130522、特願昭54−130523（特
開昭56−54024号公報及び特開昭56−54025号公報
参照。））しているため範囲から除外した。 また、（Sr1-xBax）TiO3に、その他の、たとえ
ばCaTiO3などのチタン酸塩、BaZrO3などのジル
コン酸塩のうち少なくとも１種を含有させる場
合、含有させる量は10モル％以下が適当である。
これは10モル％を超えると、その含有効果である
焼結性の向上や、電気特性の再現性が期待できな
いことによる。 さらに、半導体化剤の含有範囲としては、0.1
〜1.0モル％が好ましい。この範囲を外れると通
常の焼成雰囲気である中性または還元性雰囲気中
で焼成しても、100〜10-1Ω・cm程度の値を有す
る半導体磁器が得られなくなる。 さらにまた、半導体磁器にはSiO2，Al2O3のう
ち少なくとも１種を含有させることも許される
が、その含有効果としては焼成温度を低下させる
ことができ、絶縁破壊も高めることができる。こ
のうちSiO2の含有範囲としては0.05〜0.5モル％
が好ましい。これはSiO2が0.05モル％未満ではま
だ焼成温度が高く、その添加効果が現われないか
らであり、0.5モル％を超えると誘電率の低下が
見られる。またAl2O3の含有範囲としては0.02〜
0.2モル％が好ましい。これは0.02モル％未満で
は絶縁破壊を高める効果が得られず、0.2モル％
を超えると誘電率の低下が見られる。 半導体磁器の結晶粒界を絶縁体化するには少な
くともCu，Bi、また必要に応じて少なくとも
Cu，Bi，Mnの金属、酸化物などの化合物を結晶
粒界に熱処理により拡散させる方法が採られる。
このほかPb，Ｂ，Siなどの金属、酸化物からな
る化合物を添加して用いることも許される。この
ような組合わせにより静電容量温度特性を改良す
ることができる。絶縁体化処理するには、蒸着
法、スパツタリングなどの乾式メツキにより半導
体磁器表面に付与したのち熱処理する方法、ある
いは化合物のペーストを塗布し熱処理する方法な
どがある。 この半導体磁器組成物は、原料を所定比率に混
合し、一定の形に成型したのち、中性または還元
性雰囲気で焼成されるが、得られた半導体磁器の
結晶粒径、特に最大結晶粒径が150〜250μｍの範
囲にあるものが電気特性に好ましい効果をもたら
す。もし最大結晶粒径が150μｍ未満であれば、
静電容量、静電容量温度特性、静電容量変化率が
低下することになる。また250μｍを越えると電
気特性が劣化するとともに、大きな静電容量を得
るための薄膜化に障害となるからである。 なお、半導体磁器には特性に悪影響を与えない
程度に不可避的な不純物が含まれることが許容さ
れるが、たとえば、TiO2，ZnO，Bi2O3，CuOな
どを含有させると、焼結性、再現性などに効果を
もたらす。含有させる範囲は明確に限定できない
が、特性改善のため微量含有させればよい。 以下、この発明を実施例に従つて詳細に説明す
る。 実施例 第１表の組成比の半導体磁器が得られるよう
に、SrCO3，BaCO3，TiO2，CaTiO3，BaZrO3な
どの主材料、Y2O3，Nb2O5，CeO2，WO3などの
半導体化剤、SiO2，Al2O3からなる鉱化剤、およ
び不純物であるTiO2を秤量、混合し、1100℃で
２時間仮焼した。 次いで、酢酸ビニル系樹脂を10重量％加えて湿
式粉砕し、30メツシユの篩で整粒したのち、成型
圧力750Kg／cm2で直径10mmφ、肉厚0.5mmの円板に
成型した。 成型円板を空気中1150℃で一旦予熱焼成し、さ
らに窒素98容量％、水素２容量％からなる還元性
雰囲気にて1400℃で２〜４時間焼成し、半導体磁
器を得た。 得られた半導体磁器の結晶粒界を絶縁体化する
ため、あらかじめ用意した金属酸化物のペースト
を塗布方法により半導体磁器表面に付与し、空気
中1150℃で２時間熱処理を行い、結晶粒界を絶縁
体化した。 金属酸化物のペーストの種類としては次のよう
なものを用い、各試料に付与する金属酸化物のペ
ーストは記号Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで第１表に示した。 Ａ：CuO ２重量％、Bi2O3 46重量％、H3BO3 ２
重量％、樹脂ワニス 50重量％ Ｂ：Bi2O3 42重量％、CuO ４重量％、MnCO3
４重量％、樹脂ワニス 50重量％ Ｃ：CuO ５重量％、Pb3O4 45重量％、樹脂ワニ
ス 50重量％ Ｄ：Pb3O4 40重量％、MnCO3 10重量％、樹脂ワ
ニス 50重量％ さらに、粒界絶縁形半導体磁器の両面に銀ペー
ストを印刷、塗布し、800℃で30分間焼付けてコ
ンデンサを作成した。 得られたコンデンサについて電気特性を測定
し、その結果を第２表に示した。第１表、第２表
中※印を付したものはこの発明範囲外のものであ
り、それ以外は発明範囲内のものである。
の組成物に関するものである。 従来、小型で大容量のコンデンサとしては、堰
層容量形半導体磁器コンデンサ、表面絶縁層形半
導体磁器コンデンサ、あるいは粒界絶縁形半導体
磁器コンデンサがある。 このうち、堰層容量形半導体磁器コンデンサは
400〜500nF／cm2の静電容量値を示すが、tanδは
４〜５％と大きく、絶縁抵抗（IR）も1MΩの値
しか得られていない。また表面絶縁層形半導体磁
器コンデンサは、tanδ、静電容量温度特性、静
電容量変化率、歪率などの特性に良好なものが得
られない。さらに粒界絶縁形半導体磁器コンデン
サは表面絶縁層形半導体磁器にくらべてほとんど
の点ですぐれた電気特性を示すが、静電容量はせ
いぜい300nF／cm2である。 このように粒界絶縁形半導体磁器コンデンサの
静電容量が小さい点を改善するため、次に示す磁
器組成物を提案した。つまり、（Sr1-xBax）TiO3
（ｘ＝0.30〜0.50）、または（Sr1-xBax）TiO3（ｘ
＝0.30〜0.50）を主体としてその他にチタン酸
塩、ジルコン酸塩を含む主成分に対し、La，Ｙ
などの希土類元素、Nb，Ta，Ｗなどの半導体化
剤を含有し、かつ最大結晶粒径が100μｍ以上で
ある半導体磁器を用い、この半導体磁器の結晶粒
界を、Cuと、Bi，Pb，ＢおよびSiのうち少なく
とも１種により絶縁体化したもの、または、Mn
と、Bi，Cu，Pb，ＢおよびSiのうち少なくとも
１種により絶縁体化したものである。 この磁器組成物において、（Sr1-xBax）TiO3の
ｘの値を0.30〜0.50の範囲に限定し、ｘが0.30未
満では静電容量が低下し、静電容量温度特性が悪
くなることが認められた。 ところが、ｘの値を0.15〜0.30（ただし、0.30
を含まず）の範囲とし、最大結晶粒径を150〜250
μｍとすることにより、静電容量を増大させるこ
とができるとともに、結晶粒界を少なくとも
Cu，Biにより絶縁体化することによつて、静電
容量温度特性を改良することができた。また静電
容量の経時変化を小さくすることができるという
効果が得られることを見い出したのである。つま
り、従来（Sr0.60 Ba0.40）TiO3の組成のもので、
3.0％程度の大きな経時変化が見られたが、これ
を2.0％以下におさえることができるという効果
が得られるのである。 したがつて、この発明の要旨とするところは、
（Sr1-xBax）TiO3（0.15≦ｘ＜0.30）、または
（Sr1-xBax）TiO3（0.15≦ｘ＜0.30）を主体とし
てその他にチタン酸塩、ジルコン酸塩を含む主成
分に対し、La，Ｙなどの希土類元素、Nb，Ta，
Ｗなどの半導体化剤を含有し、かつ最大結晶粒径
が150〜250μｍである半導体磁器であつて、その
半導体磁器の結晶粒界が少なくともCu，Biによ
り絶縁体化されてなる粒界絶縁形半導体磁器組成
物である。 半導体磁器には必要に応じてSiO2，Al2O3のう
ち少なくとも１種を含有させてもよい。 また結晶粒界を絶縁体化するには少なくとも
Cu，Biを用いてもよいが、そのほか少なくとも
Cu，Bi，Mnを用いることも許される。 上記したうち、（Sr1-xBax）TiO3のｘは0.15〜
0.30（ただし、0.30を含まず）の範囲に限定され
る。この範囲に限定したのはｘが0.15未満になる
と、静電容量、静電容量温度特性とも低下するの
である。またｘが0.30以上についてはすでに先に
出願（特願昭54−130522、特願昭54−130523（特
開昭56−54024号公報及び特開昭56−54025号公報
参照。））しているため範囲から除外した。 また、（Sr1-xBax）TiO3に、その他の、たとえ
ばCaTiO3などのチタン酸塩、BaZrO3などのジル
コン酸塩のうち少なくとも１種を含有させる場
合、含有させる量は10モル％以下が適当である。
これは10モル％を超えると、その含有効果である
焼結性の向上や、電気特性の再現性が期待できな
いことによる。 さらに、半導体化剤の含有範囲としては、0.1
〜1.0モル％が好ましい。この範囲を外れると通
常の焼成雰囲気である中性または還元性雰囲気中
で焼成しても、100〜10-1Ω・cm程度の値を有す
る半導体磁器が得られなくなる。 さらにまた、半導体磁器にはSiO2，Al2O3のう
ち少なくとも１種を含有させることも許される
が、その含有効果としては焼成温度を低下させる
ことができ、絶縁破壊も高めることができる。こ
のうちSiO2の含有範囲としては0.05〜0.5モル％
が好ましい。これはSiO2が0.05モル％未満ではま
だ焼成温度が高く、その添加効果が現われないか
らであり、0.5モル％を超えると誘電率の低下が
見られる。またAl2O3の含有範囲としては0.02〜
0.2モル％が好ましい。これは0.02モル％未満で
は絶縁破壊を高める効果が得られず、0.2モル％
を超えると誘電率の低下が見られる。 半導体磁器の結晶粒界を絶縁体化するには少な
くともCu，Bi、また必要に応じて少なくとも
Cu，Bi，Mnの金属、酸化物などの化合物を結晶
粒界に熱処理により拡散させる方法が採られる。
このほかPb，Ｂ，Siなどの金属、酸化物からな
る化合物を添加して用いることも許される。この
ような組合わせにより静電容量温度特性を改良す
ることができる。絶縁体化処理するには、蒸着
法、スパツタリングなどの乾式メツキにより半導
体磁器表面に付与したのち熱処理する方法、ある
いは化合物のペーストを塗布し熱処理する方法な
どがある。 この半導体磁器組成物は、原料を所定比率に混
合し、一定の形に成型したのち、中性または還元
性雰囲気で焼成されるが、得られた半導体磁器の
結晶粒径、特に最大結晶粒径が150〜250μｍの範
囲にあるものが電気特性に好ましい効果をもたら
す。もし最大結晶粒径が150μｍ未満であれば、
静電容量、静電容量温度特性、静電容量変化率が
低下することになる。また250μｍを越えると電
気特性が劣化するとともに、大きな静電容量を得
るための薄膜化に障害となるからである。 なお、半導体磁器には特性に悪影響を与えない
程度に不可避的な不純物が含まれることが許容さ
れるが、たとえば、TiO2，ZnO，Bi2O3，CuOな
どを含有させると、焼結性、再現性などに効果を
もたらす。含有させる範囲は明確に限定できない
が、特性改善のため微量含有させればよい。 以下、この発明を実施例に従つて詳細に説明す
る。 実施例 第１表の組成比の半導体磁器が得られるよう
に、SrCO3，BaCO3，TiO2，CaTiO3，BaZrO3な
どの主材料、Y2O3，Nb2O5，CeO2，WO3などの
半導体化剤、SiO2，Al2O3からなる鉱化剤、およ
び不純物であるTiO2を秤量、混合し、1100℃で
２時間仮焼した。 次いで、酢酸ビニル系樹脂を10重量％加えて湿
式粉砕し、30メツシユの篩で整粒したのち、成型
圧力750Kg／cm2で直径10mmφ、肉厚0.5mmの円板に
成型した。 成型円板を空気中1150℃で一旦予熱焼成し、さ
らに窒素98容量％、水素２容量％からなる還元性
雰囲気にて1400℃で２〜４時間焼成し、半導体磁
器を得た。 得られた半導体磁器の結晶粒界を絶縁体化する
ため、あらかじめ用意した金属酸化物のペースト
を塗布方法により半導体磁器表面に付与し、空気
中1150℃で２時間熱処理を行い、結晶粒界を絶縁
体化した。 金属酸化物のペーストの種類としては次のよう
なものを用い、各試料に付与する金属酸化物のペ
ーストは記号Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで第１表に示した。 Ａ：CuO ２重量％、Bi2O3 46重量％、H3BO3 ２
重量％、樹脂ワニス 50重量％ Ｂ：Bi2O3 42重量％、CuO ４重量％、MnCO3
４重量％、樹脂ワニス 50重量％ Ｃ：CuO ５重量％、Pb3O4 45重量％、樹脂ワニ
ス 50重量％ Ｄ：Pb3O4 40重量％、MnCO3 10重量％、樹脂ワ
ニス 50重量％ さらに、粒界絶縁形半導体磁器の両面に銀ペー
ストを印刷、塗布し、800℃で30分間焼付けてコ
ンデンサを作成した。 得られたコンデンサについて電気特性を測定
し、その結果を第２表に示した。第１表、第２表
中※印を付したものはこの発明範囲外のものであ
り、それ以外は発明範囲内のものである。
【表】
【表】
【表】
第１表中の電気特性は次に示す条件で測定した
値である。 静電容量（Cs）、誘導体損失（tanδ）： ＋20℃、周波数1KHz、電圧
0.2Vrms以下で測定した値。 絶縁抵抗（IR）：＋20℃において、試料の厚
み単位mm当り、直流電圧10V
を印加した30秒後の値であ
る。 静電容量温度特性（△TC）： ＋20℃を基準として、−25℃
〜＋85℃温度範囲における最
大容量変化率を示した値。 静電容量変化率（DCB）： ＋20℃において、直流電圧
0.2Vを印加したときの静電
容量に対して、直流電圧10V
を印加したときの静電容量の
変化の百分率で表わした値。 歪 率：＋20℃、周波数1KHz、印加
電圧1Vにおける全高調波歪
率を示した値。 周波数特性（E.S.R.）：1MHz付近の値 エージング特性：試料を150℃で熱し、そのの
ち25℃に戻したときの１時間
後の静電容量値と10時間後の
静電容量値の差を１時間後の
容量値で除した値を百分率で
表わした。 上記した実施例から明らかなようにこの発明に
かかる粒界絶縁形半導体磁器組成物を用いてコン
デンサを構成することによつて、Cs，△TC，
tanδ，DCB，歪率，E.S.R.，エージング特性の
各特性とも実用上十分な値のものが得られてい
る。
値である。 静電容量（Cs）、誘導体損失（tanδ）： ＋20℃、周波数1KHz、電圧
0.2Vrms以下で測定した値。 絶縁抵抗（IR）：＋20℃において、試料の厚
み単位mm当り、直流電圧10V
を印加した30秒後の値であ
る。 静電容量温度特性（△TC）： ＋20℃を基準として、−25℃
〜＋85℃温度範囲における最
大容量変化率を示した値。 静電容量変化率（DCB）： ＋20℃において、直流電圧
0.2Vを印加したときの静電
容量に対して、直流電圧10V
を印加したときの静電容量の
変化の百分率で表わした値。 歪 率：＋20℃、周波数1KHz、印加
電圧1Vにおける全高調波歪
率を示した値。 周波数特性（E.S.R.）：1MHz付近の値 エージング特性：試料を150℃で熱し、そのの
ち25℃に戻したときの１時間
後の静電容量値と10時間後の
静電容量値の差を１時間後の
容量値で除した値を百分率で
表わした。 上記した実施例から明らかなようにこの発明に
かかる粒界絶縁形半導体磁器組成物を用いてコン
デンサを構成することによつて、Cs，△TC，
tanδ，DCB，歪率，E.S.R.，エージング特性の
各特性とも実用上十分な値のものが得られてい
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （Sr1-xBax）TiO3（0.15≦ｘ＜0.30）、また
は（Sr1-xBax）TiO3（0.15≦ｘ＜0.30）を主体と
してその他にチタン酸、ジルコン酸塩を含む主成
分に対し、La，Ｙなどの希土類元素、Nb，Ta，
Ｗからなる半導体化剤の１種以上を含有し、かつ
最大結晶粒径が150〜250μｍである半導体磁器で
あつて、その半導体磁器の結晶粒界が少なくとも
Cu，Biにより絶縁体化されてなる粒界絶縁形半
導体磁器組成物。 ２ 前記半導体磁器の結晶粒界が少なくとも
Cu，Bi，Mnにより絶縁体化されてなる特許請求
の範囲第１項記載の粒界絶縁形半導体磁器組成
物。 ３ （Sr1-xBax）TiO3（0.15≦ｘ＜0.30）、また
は（Sr1-xBax）TiO3（0.15≦ｘ＜0.30）を主体と
してその他にチタン酸、ジルコン酸塩を含む主成
分に対し、La，Ｙなどの希土類元素、Nb，Ta，
Ｗからなる半導体化剤の１種以上、および
SiO2，Al2O3のうち少なくとも１種を含有し、か
つ最大結晶粒径が150〜250μｍである半導体磁器
であつて、その半導体磁器の結晶粒界が少なくと
もCu，Biにより絶縁体化されてなる粒界絶縁形
半導体磁器組成物。 ４ 前記半導体磁器の結晶粒界が少なくとも
Cu，Bi，Mnにより絶縁体化されてなる特許請求
の範囲３項記載の粒界絶縁形半導体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56048102A JPS57160960A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Intergranular insulation semiconductor ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56048102A JPS57160960A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Intergranular insulation semiconductor ceramic composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57160960A JPS57160960A (en) | 1982-10-04 |
| JPS6129902B2 true JPS6129902B2 (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=12793946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56048102A Granted JPS57160960A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Intergranular insulation semiconductor ceramic composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57160960A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3785506T2 (de) * | 1986-07-29 | 1993-08-12 | Tdk Corp | Halbleitende keramische zusammensetzung, sowie kondensator aus halbleitender keramik. |
-
1981
- 1981-03-30 JP JP56048102A patent/JPS57160960A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57160960A (en) | 1982-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6249977B2 (ja) | ||
| JPS6129903B2 (ja) | ||
| JPS6249976B2 (ja) | ||
| JPS6129902B2 (ja) | ||
| JPS6342849B2 (ja) | ||
| JPS6249975B2 (ja) | ||
| JP2848712B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0522372B2 (ja) | ||
| JP3125481B2 (ja) | 粒界絶縁層型半導体磁器組成物 | |
| JP2734910B2 (ja) | 半導体磁器組成物の製造方法 | |
| JPS6046811B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS6128209B2 (ja) | ||
| JPS6126208B2 (ja) | ||
| JPH0734415B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 | |
| JPS6341207B2 (ja) | ||
| JPH0761896B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS6258128B2 (ja) | ||
| JPH02128412A (ja) | 半導体磁器コンデンサ用拡散剤及びそれを使用した半導体磁器コンデンサ | |
| JPS633442B2 (ja) | ||
| JPH0761897B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH0761898B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS6258129B2 (ja) | ||
| JPS6258126B2 (ja) | ||
| JPH0761894B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS6364889B2 (ja) |