JPS6130077U - 単結晶製造装置 - Google Patents

単結晶製造装置

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JPS6130077U
JPS6130077U JP11421684U JP11421684U JPS6130077U JP S6130077 U JPS6130077 U JP S6130077U JP 11421684 U JP11421684 U JP 11421684U JP 11421684 U JP11421684 U JP 11421684U JP S6130077 U JPS6130077 U JP S6130077U
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JP
Japan
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single crystal
crystal manufacturing
crucible
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manufacturing apparatus
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透 山崎
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Tokin Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図aは本考案による単結晶製造装置の要部を示す平
面図、第1図bは本考案による単結晶製造装置の要部を
示す側断面図、第2図aは結晶育成の初期段階における
るつぼと固液界面の位置関係を示子ための図・第2図b
cよ本考案番こよる単結晶製造装置を用いて単結晶を製
造する場合において、第2図aに示す状態における垂直
方向の温度分布を示すための図、第3図aは結晶育成の
後期段階におけるるつぼと固液界面の位置関係を示すた
めの図、第3図bは従来の単結晶製造装置を用いて単結
晶を製造する場合において、第3図aに示す状態におけ
る垂直方向の温度分布を示すための図、第3図Cは本考
案による単結晶製造装置を用いて単結晶を製造する場合
において、第3図aに示す状態における垂直方向の温度
分布を示すための図である。 1・・・耐火性の支持ケース、2・・・るつぼ、3・・
・高周波コイル、4・・・ガス管、5・・・ガス量調整
部、6・・・流量計、7・・・ガスボンベ、8・・・原
料融液、9・・・単結晶。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. るつぼを備え、チョクラルスキー法を用いる単結晶製造
    装置において、該るつぼの壁直上に放射一 状に配列さ
    れ、前記るつぼ内にガスを吐出するた−めの少なくとも
    3本のガス管と、該ガスの吐出量を調節するための調節
    機構とを有することを特徴とする単結晶製造装置。
JP11421684U 1984-07-28 1984-07-28 単結晶製造装置 Granted JPS6130077U (ja)

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JP11421684U JPS6130077U (ja) 1984-07-28 1984-07-28 単結晶製造装置

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JPS6130077U true JPS6130077U (ja) 1986-02-22
JPH0129241Y2 JPH0129241Y2 (ja) 1989-09-06

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