JPH0456765U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0456765U JPH0456765U JP10058190U JP10058190U JPH0456765U JP H0456765 U JPH0456765 U JP H0456765U JP 10058190 U JP10058190 U JP 10058190U JP 10058190 U JP10058190 U JP 10058190U JP H0456765 U JPH0456765 U JP H0456765U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulling shaft
- tool
- crystal
- center
- guide
- Prior art date
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- Granted
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は本考案による育成結晶冷却用具の一実
施例の構成図、第２図は従来装置を説明する図で
ある。 １……単結晶育成炉、２……るつぼ、３……高
周波加熱コイル、４……融液、５……種結晶、６
……ガス吹付口、７……ガイド、８……引上軸シ
ヤフト、９……アルミナ管、１０……連結具、１
１……締結具、１２……ネジ、１３……連結穴、
１４……穴。
施例の構成図、第２図は従来装置を説明する図で
ある。 １……単結晶育成炉、２……るつぼ、３……高
周波加熱コイル、４……融液、５……種結晶、６
……ガス吹付口、７……ガイド、８……引上軸シ
ヤフト、９……アルミナ管、１０……連結具、１
１……締結具、１２……ネジ、１３……連結穴、
１４……穴。
補正 平３．９．６
実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
。
。
【実用新案登録請求の範囲】
引上げ法により単結晶を製造する場合の用具で
あつて、引上軸はガイドの中心穴に挿通し、前記
引上軸の側面に設けた連通穴を介して中心に貫通
する穴と連結し、前記引上軸の下部では種結晶を
固定したアルミナ管と接続したことを特徴とした
育成結晶冷却用具。
あつて、引上軸はガイドの中心穴に挿通し、前記
引上軸の側面に設けた連通穴を介して中心に貫通
する穴と連結し、前記引上軸の下部では種結晶を
固定したアルミナ管と接続したことを特徴とした
育成結晶冷却用具。
Claims (1)
- チヨクラルスキー法によつて原料融液から単結
晶を製造する場合の用具であつて、引上軸はガイ
ドの中心穴に挿通し、前記引上軸の側面に設けた
連通穴を介して中心に貫通する穴と連結し、前記
引上軸の下部では種結晶を固定したアルミナ管と
接続したことを特徴とした育成結晶冷却用具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990100581U JPH0647015Y2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 育成結晶冷却用具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990100581U JPH0647015Y2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 育成結晶冷却用具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456765U true JPH0456765U (ja) | 1992-05-15 |
| JPH0647015Y2 JPH0647015Y2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=31843343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990100581U Expired - Lifetime JPH0647015Y2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 育成結晶冷却用具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0647015Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538374A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-25 | Hitachi Ltd | Growing method for single crystal of semiconductor |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP1990100581U patent/JPH0647015Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538374A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-25 | Hitachi Ltd | Growing method for single crystal of semiconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0647015Y2 (ja) | 1994-11-30 |
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