JPS6130253U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6130253U JPS6130253U JP1984114643U JP11464384U JPS6130253U JP S6130253 U JPS6130253 U JP S6130253U JP 1984114643 U JP1984114643 U JP 1984114643U JP 11464384 U JP11464384 U JP 11464384U JP S6130253 U JPS6130253 U JP S6130253U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- heat sink
- semiconductor equipment
- darlington transistor
- stage portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/926—Multiple bond pads having different sizes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は本考案に係るダーリントントランジスタの一実
施例の素子パターンの平面図で、第2図はそのB−B線
断面図、第3図は本考案に係るダーリントントランジス
タの他の実施例の断面図、第4図は本考案に係るダーリ
ントントランジスタの素子表面の温度分布図、第5図は
樹脂封止型半導体装置の要部断面図、第6図はダーリン
トントランジスタの回路図、第7図はダーリントントラ
ンジスタの素子パターンの平面図で、第8図はそのA−
A線断面図、第9図は従来のダーリントントランジスタ
の素子表面の温度分布図である。 2・・・半導体素子、3・・・半田部材、4・・・リー
ド部、5・・・金属細線、6・・・樹脂材、7,8・・
・放熱板、7a・・・放熱板の突起、8a・・・放熱板
の凹部、Tr1・・・ドライバー段、Tr2・一・パワ
ー段。
施例の素子パターンの平面図で、第2図はそのB−B線
断面図、第3図は本考案に係るダーリントントランジス
タの他の実施例の断面図、第4図は本考案に係るダーリ
ントントランジスタの素子表面の温度分布図、第5図は
樹脂封止型半導体装置の要部断面図、第6図はダーリン
トントランジスタの回路図、第7図はダーリントントラ
ンジスタの素子パターンの平面図で、第8図はそのA−
A線断面図、第9図は従来のダーリントントランジスタ
の素子表面の温度分布図である。 2・・・半導体素子、3・・・半田部材、4・・・リー
ド部、5・・・金属細線、6・・・樹脂材、7,8・・
・放熱板、7a・・・放熱板の突起、8a・・・放熱板
の凹部、Tr1・・・ドライバー段、Tr2・一・パワ
ー段。
Claims (1)
- 放熱板に半導体素子を半田部材を使って固定すると共に
リード部と半導体素子の電極とを電気的に接続し、半導
体素子を含む主要部を樹脂材にて被覆したものにおいて
、半導体素子をダーリントントランジスタとし、そのパ
ワー段部分に対応する放熱板上面と半導体素子下面との
間の半田厚を、ドライバー段部分に対応する放熱板上面
と半導体素子下面との間の半田厚よりも薄くしたことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984114643U JPS6130253U (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984114643U JPS6130253U (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130253U true JPS6130253U (ja) | 1986-02-24 |
Family
ID=30673655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984114643U Pending JPS6130253U (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130253U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507338B1 (ja) * | 1970-12-29 | 1975-03-25 |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP1984114643U patent/JPS6130253U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507338B1 (ja) * | 1970-12-29 | 1975-03-25 |
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