JPS6130336Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6130336Y2 JPS6130336Y2 JP1985039675U JP3967585U JPS6130336Y2 JP S6130336 Y2 JPS6130336 Y2 JP S6130336Y2 JP 1985039675 U JP1985039675 U JP 1985039675U JP 3967585 U JP3967585 U JP 3967585U JP S6130336 Y2 JPS6130336 Y2 JP S6130336Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode film
- upper electrode
- crystal oscillator
- frequency
- crystal resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は水晶発振器に関するものである。
（従来の技術）
時計駆動用の水晶発振器は、独立部品の水晶振
動子、負荷容量および発振、分周、駆動回路を有
する集積回路を用いて構成されている。
動子、負荷容量および発振、分周、駆動回路を有
する集積回路を用いて構成されている。
ところで従来の水晶振動子の周波数の調整は、
封入された水晶振動子の駆動電極膜にレーザ光を
照射して直接トリミングする方法（特開昭50−
3672号）や、負荷容量を構成する電極膜の一部を
トリミングして、この負荷容量の容量値を変える
ことによつて水晶振動子の周波数を調整するもの
（特開昭48−62363号）が知られている。
封入された水晶振動子の駆動電極膜にレーザ光を
照射して直接トリミングする方法（特開昭50−
3672号）や、負荷容量を構成する電極膜の一部を
トリミングして、この負荷容量の容量値を変える
ことによつて水晶振動子の周波数を調整するもの
（特開昭48−62363号）が知られている。
（考案が解決しようとする問題点）
しかし前者の場合は、レーザートリミングの際
にレーザービームが水晶振動子に及び熱シヨツク
を与えるため高精度発振が不可能であり、後者の
場合は電極膜をレーザー等でトリミングする際に
トリミングされた飛沫が飛散して集積回路に付着
し、これが誤動作の原因となつていた。
にレーザービームが水晶振動子に及び熱シヨツク
を与えるため高精度発振が不可能であり、後者の
場合は電極膜をレーザー等でトリミングする際に
トリミングされた飛沫が飛散して集積回路に付着
し、これが誤動作の原因となつていた。
そこで本考案の目的は、気密容器内に水晶振動
子や負荷容量を封止したまま、レーザービーム等
をこの負荷容量に照射してトリミングし、水晶振
動子の周波数の調整が、上記の欠点なく、可能で
ある水晶発振器を提供しようとするものである。
子や負荷容量を封止したまま、レーザービーム等
をこの負荷容量に照射してトリミングし、水晶振
動子の周波数の調整が、上記の欠点なく、可能で
ある水晶発振器を提供しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
本考案の特徴は、気密容器２４のベース１上に
はの保持バネ８，９が植設してあり、この保持バ
ネの上部には絶縁性基板１３が、その下方には所
定間隔をもつて平行に水晶振動子１０がそれぞれ
保持してあり、上記絶縁性基板の上面には、下部
電極膜１４，１５と誘電体膜１６と上部電極膜１
７とを積層した構造の負荷容量Ｃ１，Ｃ２が形成
してあり、この上部電極膜をトリミングすること
によつて容量値を調整可能とし、上記絶縁性基板
の下面には、上記水晶振動子の駆動用集積回路チ
ツプ２３を実装したところにある。
はの保持バネ８，９が植設してあり、この保持バ
ネの上部には絶縁性基板１３が、その下方には所
定間隔をもつて平行に水晶振動子１０がそれぞれ
保持してあり、上記絶縁性基板の上面には、下部
電極膜１４，１５と誘電体膜１６と上部電極膜１
７とを積層した構造の負荷容量Ｃ１，Ｃ２が形成
してあり、この上部電極膜をトリミングすること
によつて容量値を調整可能とし、上記絶縁性基板
の下面には、上記水晶振動子の駆動用集積回路チ
ツプ２３を実装したところにある。
（実施例）
図面に基づいて本考案の実施例を説明する。
第１図に示すように、メタルベース１の内部に
は気密ガラスが充填されて、３本の外部取出しピ
ン２，３，４と２本の内部ピン５，６が植設して
ある。メタルベース１上に突設しているピン３，
５，６の上端には、保持バネ７と１対の保持バネ
８，９のそれぞれの下端が圧入され、この各保持
バネには所定の間隔をもつて２段の保持ミゾ７
ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ，９ａ，９ｂ（８ａ，８
ｂ，９ａ，９ｂのみ図示）が所定の間隔をもつて
穿設してある。下部の保持ミゾ７ａ，８ｂ，９ａ
には水晶振動子１０が導電性接着剤により接着さ
れ水平に保持してある。水晶振動子１０の両面に
は、駆動電極膜１１，１２が形成してあり、振動
周波数の粗調整がなされている。そして駆動電極
膜１１は保持バネ８を介してピン５に接続されて
おり、駆動電極膜１２は、保持バネ９を介してピ
ン６に接続されている。また上部の保持ミゾ７ｂ
〜９ｂには絶縁性の基板１３が導電性接着剤によ
つて接着され水晶振動子１０と平行状態で保持さ
れている。
は気密ガラスが充填されて、３本の外部取出しピ
ン２，３，４と２本の内部ピン５，６が植設して
ある。メタルベース１上に突設しているピン３，
５，６の上端には、保持バネ７と１対の保持バネ
８，９のそれぞれの下端が圧入され、この各保持
バネには所定の間隔をもつて２段の保持ミゾ７
ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ，９ａ，９ｂ（８ａ，８
ｂ，９ａ，９ｂのみ図示）が所定の間隔をもつて
穿設してある。下部の保持ミゾ７ａ，８ｂ，９ａ
には水晶振動子１０が導電性接着剤により接着さ
れ水平に保持してある。水晶振動子１０の両面に
は、駆動電極膜１１，１２が形成してあり、振動
周波数の粗調整がなされている。そして駆動電極
膜１１は保持バネ８を介してピン５に接続されて
おり、駆動電極膜１２は、保持バネ９を介してピ
ン６に接続されている。また上部の保持ミゾ７ｂ
〜９ｂには絶縁性の基板１３が導電性接着剤によ
つて接着され水晶振動子１０と平行状態で保持さ
れている。
次に、絶縁性基板１３の具体的構成について第
３図ないし第６図の各図を参照して説明する。
３図ないし第６図の各図を参照して説明する。
基板１３は、アルミナセラミツク、グレーズド
セラミツクなど絶縁性の材料で作られたもので、
その上面には第４図のように２つの下部電極膜１
４，１５が分離して形成してあり、この電極膜に
は引出し部１４ａ，１５ａが一体的に設けてあ
る。そして電極膜１４は保持バネ８を介してピン
５に接続されており、電極膜１５は保持バネ９を
介してピン６に接続されている。両下部電極膜１
４，１５の上面には、第５図示のように一酸化シ
リコンなどの蒸着によつて誘電体膜１６を形成し
てある。さらに第６図示のように下部電極膜１
４，１５と短絡しないように上部電極膜１７を形
成してあり、引出し部１７ａを設けている。した
がつて上部電極膜１７は保持バネ７を介してピン
３に接続されている。このように基板１３上に
は、誘電体膜１６をはさんで対向する下部電極膜
１４と上部電極膜１７とにより積層構造の負荷容
量たるコンデンサＣ１が形成されると共に、誘電
体膜１６をはさんで対向する下部電極膜１５と上
部電極膜１７とにより積層構造のコンデンサＣ２
が形成されている。基板１３の下面には、第７図
示のように、引出し部１８ａ，１９ａ，２０ａ，
２１ａ，２２ａを一体的に形成した回路パターン
１８，１９，２０，２１，２２が形成してあり、
その一つのパターン２０上には、水晶振動子１０
の駆動用の集積回路チツプ（ICチツプ）２３を
ダイボンデイングしてある。回路パターン１８〜
２２とICチツプ２３の所定位置との間は、ワイ
ヤボンデイングしてある。第６図示のコンデンサ
Ｃ１，Ｃ２の引出し部１４ａと１８ｂ，１５ａと
１９ａ，１７ａと２０ａとは、それぞれ導電性接
着剤により導通され、ピン５，６，３に接続され
ている。引出し部２１ａ，２２ａはピン２，４に
連結された保持バネ（図示せず）の上端に接続さ
れるものである。メタルキヤツプ２４は、第２図
示のようにその頂部にレーザーを透過する材質で
作られたレーザー透過窓２４ａ，２４ｂが形成し
てあり、このキヤツプをメタルベース１に嵌合す
ることにより、全体を気密的に封止し水晶発振器
の組立てが終る。
セラミツクなど絶縁性の材料で作られたもので、
その上面には第４図のように２つの下部電極膜１
４，１５が分離して形成してあり、この電極膜に
は引出し部１４ａ，１５ａが一体的に設けてあ
る。そして電極膜１４は保持バネ８を介してピン
５に接続されており、電極膜１５は保持バネ９を
介してピン６に接続されている。両下部電極膜１
４，１５の上面には、第５図示のように一酸化シ
リコンなどの蒸着によつて誘電体膜１６を形成し
てある。さらに第６図示のように下部電極膜１
４，１５と短絡しないように上部電極膜１７を形
成してあり、引出し部１７ａを設けている。した
がつて上部電極膜１７は保持バネ７を介してピン
３に接続されている。このように基板１３上に
は、誘電体膜１６をはさんで対向する下部電極膜
１４と上部電極膜１７とにより積層構造の負荷容
量たるコンデンサＣ１が形成されると共に、誘電
体膜１６をはさんで対向する下部電極膜１５と上
部電極膜１７とにより積層構造のコンデンサＣ２
が形成されている。基板１３の下面には、第７図
示のように、引出し部１８ａ，１９ａ，２０ａ，
２１ａ，２２ａを一体的に形成した回路パターン
１８，１９，２０，２１，２２が形成してあり、
その一つのパターン２０上には、水晶振動子１０
の駆動用の集積回路チツプ（ICチツプ）２３を
ダイボンデイングしてある。回路パターン１８〜
２２とICチツプ２３の所定位置との間は、ワイ
ヤボンデイングしてある。第６図示のコンデンサ
Ｃ１，Ｃ２の引出し部１４ａと１８ｂ，１５ａと
１９ａ，１７ａと２０ａとは、それぞれ導電性接
着剤により導通され、ピン５，６，３に接続され
ている。引出し部２１ａ，２２ａはピン２，４に
連結された保持バネ（図示せず）の上端に接続さ
れるものである。メタルキヤツプ２４は、第２図
示のようにその頂部にレーザーを透過する材質で
作られたレーザー透過窓２４ａ，２４ｂが形成し
てあり、このキヤツプをメタルベース１に嵌合す
ることにより、全体を気密的に封止し水晶発振器
の組立てが終る。
そこで水晶発振器の周波数を微調整する方法に
ついて説明する。メタルキヤツプ２４がその頂部
に上記した上部電極膜１７と対向する位置にビー
ムを透過する材質で作られたビーム透過窓２４
ａ，２４ｂを有するもの、または全体がビームを
透過する材質で作られたキヤツプを用いるもので
は、水晶発振器を完全に組立てた後で周波数の微
調整を行う。すなわち水晶振動子１０を発振させ
て周波数を測定し、所望の周波数と一致しないと
き、レーザーガンをビーム透過窓２４ａ，２４ｂ
を介して上部電極膜１７に向け、レーザービーム
２５または２６（第１図）を照射する。上部導電
膜１７の照射された部分がトリミングされること
によりコンデンサＣ１，Ｃ２の容量が変えられ
る。たとえば第６図示の上部電極膜１７の左側部
分にレーザービーム２５が照射され蒸発孔２７が
形成されるとコンデンサＣ１の容量値が変化し、
また上部電極膜１７の右側部分にレーザービーム
２６が照射され蒸発孔２８が形成されるとコンデ
ンサＣ２の容量値が変化する。周波数を測定しつ
つ所望の周波数に一致するまで微調整を行う。照
射されるビームはレーザーに限られず、電子ビー
ムを用いてもよい。
ついて説明する。メタルキヤツプ２４がその頂部
に上記した上部電極膜１７と対向する位置にビー
ムを透過する材質で作られたビーム透過窓２４
ａ，２４ｂを有するもの、または全体がビームを
透過する材質で作られたキヤツプを用いるもので
は、水晶発振器を完全に組立てた後で周波数の微
調整を行う。すなわち水晶振動子１０を発振させ
て周波数を測定し、所望の周波数と一致しないと
き、レーザーガンをビーム透過窓２４ａ，２４ｂ
を介して上部電極膜１７に向け、レーザービーム
２５または２６（第１図）を照射する。上部導電
膜１７の照射された部分がトリミングされること
によりコンデンサＣ１，Ｃ２の容量が変えられ
る。たとえば第６図示の上部電極膜１７の左側部
分にレーザービーム２５が照射され蒸発孔２７が
形成されるとコンデンサＣ１の容量値が変化し、
また上部電極膜１７の右側部分にレーザービーム
２６が照射され蒸発孔２８が形成されるとコンデ
ンサＣ２の容量値が変化する。周波数を測定しつ
つ所望の周波数に一致するまで微調整を行う。照
射されるビームはレーザーに限られず、電子ビー
ムを用いてもよい。
またメタルキヤツプ２４の頂部にビーム透過窓
２４ａ，２４ｂのないものを用いるときは、この
メタルキヤツプで封止する前にビーム透過窓を有
するダミーとなるキヤツプをかぶせて微調整作業
を行い、周波数を合せ込んだ後窓無しのメタルキ
ヤツプで封止する。
２４ａ，２４ｂのないものを用いるときは、この
メタルキヤツプで封止する前にビーム透過窓を有
するダミーとなるキヤツプをかぶせて微調整作業
を行い、周波数を合せ込んだ後窓無しのメタルキ
ヤツプで封止する。
（考案の効果）
絶縁性の基板の上面に積層構造の負荷容量を設
け、この基板の下面に集積回路を設けてあるた
め、トリミングされた上部電極膜の飛沫が飛散し
て、集積回路チツプに付着することがないので、
このチツプを樹脂封止する必要がなく、集積回路
の誤動作するのを防止することができ、また基板
の下方に水晶振動子を所定間隔を設けているた
め、水晶振動子の周波数を調整する際に水晶振動
子にビームが及ばず、水晶振動子に熱シヨツクを
与えることがないので、高精度発振が可能であ
る。
け、この基板の下面に集積回路を設けてあるた
め、トリミングされた上部電極膜の飛沫が飛散し
て、集積回路チツプに付着することがないので、
このチツプを樹脂封止する必要がなく、集積回路
の誤動作するのを防止することができ、また基板
の下方に水晶振動子を所定間隔を設けているた
め、水晶振動子の周波数を調整する際に水晶振動
子にビームが及ばず、水晶振動子に熱シヨツクを
与えることがないので、高精度発振が可能であ
る。
第１図は要部の正面図、第２図はキヤツプの平
面図、第３図はコンデンサを形成した基板の断面
図、第４図ないし第６図はそれぞれ第３図の−
線、−線、−線に沿つて切断した平面
図、第７図は基板の底面図である。 １……ベース、８，９……保持バネ、１０……
水晶振動子、１３……絶縁性基板、１４，１５…
…下部電極膜、１６……誘電体膜、１７……上部
電極膜、２３……集積回路チツプ、２４……気密
容器、Ｃ１，Ｃ２……負荷容量。
面図、第３図はコンデンサを形成した基板の断面
図、第４図ないし第６図はそれぞれ第３図の−
線、−線、−線に沿つて切断した平面
図、第７図は基板の底面図である。 １……ベース、８，９……保持バネ、１０……
水晶振動子、１３……絶縁性基板、１４，１５…
…下部電極膜、１６……誘電体膜、１７……上部
電極膜、２３……集積回路チツプ、２４……気密
容器、Ｃ１，Ｃ２……負荷容量。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 絶縁性基板とその下方に所定間隔をもつて平行
に位置する水晶振動子とが、複数の保持バネを介
して気密容器のベース上に保持してあり、 上記絶縁性基板の上面に、下部電極膜と誘電体
膜と上部電極膜とからなりかつこの上部電極膜を
トリミングすることによつて容量値が調整可能で
ある積層構造の負荷容量が形成してあり、 上記絶縁性基板の下面に、上記水晶振動子の駆
動用集積回路チツプが実装してある ことを特徴とする水晶発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3967585U JPS60163824U (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 水晶発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3967585U JPS60163824U (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 水晶発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163824U JPS60163824U (ja) | 1985-10-31 |
| JPS6130336Y2 true JPS6130336Y2 (ja) | 1986-09-05 |
Family
ID=30547845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3967585U Granted JPS60163824U (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 水晶発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163824U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2423018B2 (de) * | 1974-05-13 | 1978-09-14 | Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt | Elektrische Uhr |
| JPS5173957U (ja) * | 1974-12-06 | 1976-06-10 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP3967585U patent/JPS60163824U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60163824U (ja) | 1985-10-31 |
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