JPS6130425B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6130425B2 JPS6130425B2 JP55104823A JP10482380A JPS6130425B2 JP S6130425 B2 JPS6130425 B2 JP S6130425B2 JP 55104823 A JP55104823 A JP 55104823A JP 10482380 A JP10482380 A JP 10482380A JP S6130425 B2 JPS6130425 B2 JP S6130425B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external connection
- semiconductor element
- connection line
- circuit board
- printed circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミツク基板上に実装した半導体素
子をプリント回路基板に接続のため急加熱したと
きも熱ストレスによる影響を受けることの少ない
半導体素子の外部接続線に関する。
子をプリント回路基板に接続のため急加熱したと
きも熱ストレスによる影響を受けることの少ない
半導体素子の外部接続線に関する。
半導体素子のプリント回路と接続するため、基
板に実装するとき通常はセラミツク基板を使用し
ている。それは基板の表面平滑性、耐熱性、熱放
散性、電気絶縁性、寸法安定性などをすべて良好
にするためであつて、例えばアルミナのセラミツ
ク板としている。第1図に示す従来構成の基板に
おいて1は半導体素子2はセラミツク基板を示し
ている。一方このようなセラミツク基板の装着さ
れるプリント回路基板は成形加工性、価格に有利
なガラス繊維強化のプラスチツク材とすることが
多く、表面に銅箔を接着し、またセラミツク基板
用のスルーホールを設けている。第1図において
3はプリント回路基板、4は銅箔、5はスルーホ
ールを示す。セラミツク基板2上の半導体素子1
と外部接続線6とは薄膜または厚膜導体により接
着される。外部接続線6と半導体素子1とを接続
するときは幅1〜2mmの金めつきした金属製台を
置き、はんだ片を挾んで外部接続線6を近接さ
せ、加熱炉の中を通して半田を溶かし接続した
り、半田ごてにより半田を溶かして接続されてい
る。なお外部接続線6の形状は側面から見てL形
の例を示してあるが、コ字形セラミツク基板2を
挾み込む形状とすることもある。このような半導
体素子1の実装基板2をプリント回路基板3に装
着するとき外部接続線6をプリント回路基板3の
スルーホール5に貫通し、実装基板の反対側を溶
融半田槽に浸漬し、プリント回路基板3上の銅箔
4と外部接続線6を固着させる。第1図7は半田
固着部を示している。半田槽浸漬のときプリント
回路基板3は熱膨脹係数が比較的大であるため、
半田槽からの熱は急激に基板3に伝導し、図面の
左右側を上方に曲げる力が加わる。外部接続線6
は半田固着部7のため固着されているからプリン
ト回路基板3に生じた熱ストレスは外部接続線6
を介しセラミツク基板2に伝達され、セラミツク
基板2と半導体素子1との間の剥離、しわ、割れ
を生じさせ、半導体素子の電気的特性に悪影響を
及ぼすようになる。
板に実装するとき通常はセラミツク基板を使用し
ている。それは基板の表面平滑性、耐熱性、熱放
散性、電気絶縁性、寸法安定性などをすべて良好
にするためであつて、例えばアルミナのセラミツ
ク板としている。第1図に示す従来構成の基板に
おいて1は半導体素子2はセラミツク基板を示し
ている。一方このようなセラミツク基板の装着さ
れるプリント回路基板は成形加工性、価格に有利
なガラス繊維強化のプラスチツク材とすることが
多く、表面に銅箔を接着し、またセラミツク基板
用のスルーホールを設けている。第1図において
3はプリント回路基板、4は銅箔、5はスルーホ
ールを示す。セラミツク基板2上の半導体素子1
と外部接続線6とは薄膜または厚膜導体により接
着される。外部接続線6と半導体素子1とを接続
するときは幅1〜2mmの金めつきした金属製台を
置き、はんだ片を挾んで外部接続線6を近接さ
せ、加熱炉の中を通して半田を溶かし接続した
り、半田ごてにより半田を溶かして接続されてい
る。なお外部接続線6の形状は側面から見てL形
の例を示してあるが、コ字形セラミツク基板2を
挾み込む形状とすることもある。このような半導
体素子1の実装基板2をプリント回路基板3に装
着するとき外部接続線6をプリント回路基板3の
スルーホール5に貫通し、実装基板の反対側を溶
融半田槽に浸漬し、プリント回路基板3上の銅箔
4と外部接続線6を固着させる。第1図7は半田
固着部を示している。半田槽浸漬のときプリント
回路基板3は熱膨脹係数が比較的大であるため、
半田槽からの熱は急激に基板3に伝導し、図面の
左右側を上方に曲げる力が加わる。外部接続線6
は半田固着部7のため固着されているからプリン
ト回路基板3に生じた熱ストレスは外部接続線6
を介しセラミツク基板2に伝達され、セラミツク
基板2と半導体素子1との間の剥離、しわ、割れ
を生じさせ、半導体素子の電気的特性に悪影響を
及ぼすようになる。
本発明の目的は前述の欠点を改善し、プリント
回路基板に急に加えられた熱によるストレスのた
め半導体素子の受ける影響を少なくした半導体素
子の外部接続線を提供することにある。
回路基板に急に加えられた熱によるストレスのた
め半導体素子の受ける影響を少なくした半導体素
子の外部接続線を提供することにある。
以下図面に示す本発明の実施例について説明す
る。第2図は第1図と対応して示す本発明の第1
実施例であつて、第1図と同一符号は同様のもの
を示す。8は本発明により設けた外部接続線6の
たわみ部であつて、熱ストレスによるそりの影響
を吸収する部分である。たわみ部8を設けたこと
により半田槽に浸漬したとき発生した急激な熱ス
トレスを吸収できるから、プリント回路基板3の
そりが発生してもセラミツク基板2と半導体素子
1に影響を与えない。なおセラミツク基板2の側
方で外部接続線6と接している所をP1とし(接
着剤等により互に固着している必要はない)、ス
ルーホール5の一端で半田固着部7となつている
所を点P2としたとき、たわみ部8を設ける位置
は点P1と点P2の中間で、たわみ部の方向セラ
ミツク基板2の下側となることが望ましい。そし
てたわみ部8を除いた外部接続線6はP1,P2
を一直線状に結ぶ形としておくことが好適であ
る。それはスルーホール5の間隔がプリント回路
基板製造時に標準仕様化されているから、それに
適合させたセラミツク基板2と外部接続線6の位
置・形状のとき自動装着することも容易であり、
且つ前述の熱ストレスによる影響を受けなくなる
からである。
る。第2図は第1図と対応して示す本発明の第1
実施例であつて、第1図と同一符号は同様のもの
を示す。8は本発明により設けた外部接続線6の
たわみ部であつて、熱ストレスによるそりの影響
を吸収する部分である。たわみ部8を設けたこと
により半田槽に浸漬したとき発生した急激な熱ス
トレスを吸収できるから、プリント回路基板3の
そりが発生してもセラミツク基板2と半導体素子
1に影響を与えない。なおセラミツク基板2の側
方で外部接続線6と接している所をP1とし(接
着剤等により互に固着している必要はない)、ス
ルーホール5の一端で半田固着部7となつている
所を点P2としたとき、たわみ部8を設ける位置
は点P1と点P2の中間で、たわみ部の方向セラ
ミツク基板2の下側となることが望ましい。そし
てたわみ部8を除いた外部接続線6はP1,P2
を一直線状に結ぶ形としておくことが好適であ
る。それはスルーホール5の間隔がプリント回路
基板製造時に標準仕様化されているから、それに
適合させたセラミツク基板2と外部接続線6の位
置・形状のとき自動装着することも容易であり、
且つ前述の熱ストレスによる影響を受けなくなる
からである。
またたわみ部8を設けた外部接続線を使用した
とき、セラミツク基板2の上部に従来と同様な配
置の寸法で他のプリント回路基板を設けると、基
板同志の軽い接触のときなどにたわみ部8がプリ
ント回路基板3の銅箔4と接触することがある。
そのため第2図に破線で9と示すようにプラスチ
ツク等の絶縁物を介在させる。またはさらにセラ
ミツク基板2と半導体素子1を保護するため、第
3図に1点鎖線で10と示すように絶縁キヤツプ
を設けることがあつて、該キヤツプの高さ(セラ
ミツク基板の側方で測つた高さ)を十分高くする
ことも良い。
とき、セラミツク基板2の上部に従来と同様な配
置の寸法で他のプリント回路基板を設けると、基
板同志の軽い接触のときなどにたわみ部8がプリ
ント回路基板3の銅箔4と接触することがある。
そのため第2図に破線で9と示すようにプラスチ
ツク等の絶縁物を介在させる。またはさらにセラ
ミツク基板2と半導体素子1を保護するため、第
3図に1点鎖線で10と示すように絶縁キヤツプ
を設けることがあつて、該キヤツプの高さ(セラ
ミツク基板の側方で測つた高さ)を十分高くする
ことも良い。
次に本発明において基板そりに基因する熱スト
レスの吸収部としてはたわみ部を設けることの外
にその個所の導電性ゴムを挿入すること等があ
る。
レスの吸収部としてはたわみ部を設けることの外
にその個所の導電性ゴムを挿入すること等があ
る。
このようにして本発明によると極めて簡易な構
成によりセラミツク基板の受ける熱ストレスの影
響を除去することができ、半導体素子使用の機器
の製造時、不良品発生の確率を大きく低下させる
効果がある。
成によりセラミツク基板の受ける熱ストレスの影
響を除去することができ、半導体素子使用の機器
の製造時、不良品発生の確率を大きく低下させる
効果がある。
第1図は従来の半導体素子実装基板をプリント
回路基板に装着する構成を示す図、第2図は本発
明の第1実施例を示す図、第3図は第2図の変形
図である。 1……半導体素子、2……セラミツク基板、3
……プリント回路基板、4……銅箔、5……スル
ーホール、6……外部接続線、7……半田固着
部、8……たわみ部。
回路基板に装着する構成を示す図、第2図は本発
明の第1実施例を示す図、第3図は第2図の変形
図である。 1……半導体素子、2……セラミツク基板、3
……プリント回路基板、4……銅箔、5……スル
ーホール、6……外部接続線、7……半田固着
部、8……たわみ部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 セラミツク基板2に実装された半導体素子1
に対し外部接続線6を接合し、該外部接続線6は
プリント回路基板3に設けた貫通孔5を通過して
該基板上の回路と接続されている半導体素子の外
部接続線において、 該外部接続線6には他方の外部接続線に近い内
側方向にたわんだたわみ部8を設け、 且つ外部接続線の該たわみ部8とプリント回路
基板3との間に電気的絶縁物9を設けたことを特
徴とする半導体素子の外部接続線。 2 サラミツク基板2に実装された半導体素子1
を対し外部接続線6を接合し、該外部接続線6は
プリント回路基板3に設けた貫通孔5を通過して
該基板上の回路と接続されている半導体素子の外
部接続線において、 該外部接続線6には他方の外部接続線に近い内
側方向にたわんだたわみ部8を設け、 且つセラミツク基板2と外部接続線たわみ部8
とを含んだ高さよりも高い形状で、半導体素子1
も全体的に被冠するキヤツプ10を設けることを
特徴とする半導体素子の外部接続線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10482380A JPS5730396A (en) | 1980-07-30 | 1980-07-30 | External connecting wire for semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10482380A JPS5730396A (en) | 1980-07-30 | 1980-07-30 | External connecting wire for semiconductor element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5730396A JPS5730396A (en) | 1982-02-18 |
| JPS6130425B2 true JPS6130425B2 (ja) | 1986-07-14 |
Family
ID=14391113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10482380A Granted JPS5730396A (en) | 1980-07-30 | 1980-07-30 | External connecting wire for semiconductor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5730396A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1089266A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-04-07 | Toyoda Mach Works Ltd | ベーンポンプ |
-
1980
- 1980-07-30 JP JP10482380A patent/JPS5730396A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5730396A (en) | 1982-02-18 |
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