JPS6130730A - 光センサ - Google Patents
光センサInfo
- Publication number
- JPS6130730A JPS6130730A JP15358684A JP15358684A JPS6130730A JP S6130730 A JPS6130730 A JP S6130730A JP 15358684 A JP15358684 A JP 15358684A JP 15358684 A JP15358684 A JP 15358684A JP S6130730 A JPS6130730 A JP S6130730A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bridge
- layer
- thermistor
- thermistor material
- film
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、受光部の熱容量をかさくシ、高速応答、かつ
高感度を得るために、受光部を薄膜の橋架構造としたザ
ーミスタ形光センサにおいて、電気抵抗の大きいサーミ
スタ材料が使用でき、受光部の熱容量を乃＼さくさせる
と共にサーミスタ材料の電気抵抗を安定化させるように
工夫した光センサに関する。
高感度を得るために、受光部を薄膜の橋架構造としたザ
ーミスタ形光センサにおいて、電気抵抗の大きいサーミ
スタ材料が使用でき、受光部の熱容量を乃＼さくさせる
と共にサーミスタ材料の電気抵抗を安定化させるように
工夫した光センサに関する。
サーミスタボロメータ形光センサにおいては、受光部の
熱容量が小さい程、高速で動作し、かつ感度も大きくな
る。
熱容量が小さい程、高速で動作し、かつ感度も大きくな
る。
本出願人は、先に消費電力が少なく、かつ熱時定数の小
さい同様の橋架構造である４＼形の「電熱器」を提案し
た（特願昭５４−２７５５９）。
さい同様の橋架構造である４＼形の「電熱器」を提案し
た（特願昭５４−２７５５９）。
この電熱器においては、電流を通じることにより橋架部
を発熱させたが、本発明では、光を受ける・ことにより
濤架部が発熱するように転用し、この橋架部にサーミス
タ材料を形成して、その電気抵抗の変化から光を検出す
るようにしたサーミスタボロメータ形光センサで、高抵
抗のサーミスタ材料が使用できるように、受光により最
も昇温する橋架部中央付近まで、サーミスタ材料より電
気抵抗の小さい金属膜などの導電体層を橋架の支持部か
ら延ばし、導電体層が存在している部分のサーミスタ材
料を電気的に短絡することにより、有効に昇温部となる
部分のサーミスタの電気抵抗の変化を検出できるように
したこと、更に導電体層や光の吸収層は形成するが、主
たる橋架材料はサーミスタ材料層となるようにしたこと
が特徴で、高速、高感度化を図ったものである。
を発熱させたが、本発明では、光を受ける・ことにより
濤架部が発熱するように転用し、この橋架部にサーミス
タ材料を形成して、その電気抵抗の変化から光を検出す
るようにしたサーミスタボロメータ形光センサで、高抵
抗のサーミスタ材料が使用できるように、受光により最
も昇温する橋架部中央付近まで、サーミスタ材料より電
気抵抗の小さい金属膜などの導電体層を橋架の支持部か
ら延ばし、導電体層が存在している部分のサーミスタ材
料を電気的に短絡することにより、有効に昇温部となる
部分のサーミスタの電気抵抗の変化を検出できるように
したこと、更に導電体層や光の吸収層は形成するが、主
たる橋架材料はサーミスタ材料層となるようにしたこと
が特徴で、高速、高感度化を図ったものである。
第１図は、本発明による光センサの一実施例を設明する
ための平面図、第２図は、第１図のＩ −Ｉ’線におけ
る断面図で、図中、１は、ポリイミド板−で、２ｂ、２
ｃ、２ｄは、ポリイミド板１上に接着剤１０により張り
つけられた鍔はく２のうち、鋸のエッチ液によりエッチ
され、取り残された部分であり、２ｂ 、２ｃは、橋架
構造の橋架部Ａの両側支持部であり、２ｄは、橋架構造
の外側周辺の取り残された銅はく部分である。３は、サ
ーミスタ材料層で、たとえば、プラズマＣＶＤにより作
製された水素化されたアモルファスシリコン（以下、ａ
−５１という）で形成されている。橋架構造の支持部３
ｂ、３ｃと橋架部３ａとは一体の同一層であるが、説明
の都合上、ａｌｂｌｃの如く添字を付したものである。
ための平面図、第２図は、第１図のＩ −Ｉ’線におけ
る断面図で、図中、１は、ポリイミド板−で、２ｂ、２
ｃ、２ｄは、ポリイミド板１上に接着剤１０により張り
つけられた鍔はく２のうち、鋸のエッチ液によりエッチ
され、取り残された部分であり、２ｂ 、２ｃは、橋架
構造の橋架部Ａの両側支持部であり、２ｄは、橋架構造
の外側周辺の取り残された銅はく部分である。３は、サ
ーミスタ材料層で、たとえば、プラズマＣＶＤにより作
製された水素化されたアモルファスシリコン（以下、ａ
−５１という）で形成されている。橋架構造の支持部３
ｂ、３ｃと橋架部３ａとは一体の同一層であるが、説明
の都合上、ａｌｂｌｃの如く添字を付したものである。
これらの形状はい公知のリソグラフィー技術を用い、ａ
−５ｉのエッチ液または、プラズマエッチ等により形成
される。３ｄは、ａ−Ｓｉの橋架構造の外側周辺の残部
である。
−５ｉのエッチ液または、プラズマエッチ等により形成
される。３ｄは、ａ−Ｓｉの橋架構造の外側周辺の残部
である。
４ｂ、４ｃは、ａ−’ＳＬに、オーム性電極となり得る
クロム（Ｃｒ）やモリブデン（ＭＯ）の蒸着膜で形成し
た導電体層であり、ホトリソグラフィー技術により、Ｓ
気抵抗の大きいａ −Ｓｉ膜の橋架部３ａの中央付近は
ａ−５ｉ層を露出させるようにＣｒまたぼＭＯの導電体
層がエッチで除去されている。ＣｒまたはＭＯ膜の付着
形成されている領域のａ−５ｔは、電気的に短絡されて
いるので、橋架構造の支持部から引き出したリード線９
ｂ１９Ｃからみた光センサ素子の電気抵抗は、はば橋架
部３ａの中央付近のＣｒまたはＭｏＨのない部分のａ−
５ｉ層の電気抵抗とみなすことができる。８ｂ＋８ｃは
、アルミニウム（、Ａ Ｉ ）のリード線９ｂ＋９ｃを
超音波ボンダーにより引き出し易いようにＡ１の蒸着膜
を少し厚めに形成゛した電極である。６は、電気的絶縁
層で、赤外線などの光を吸収して熱に変換する合焦など
の光吸収層７が、導電性を有したときに、導電体層４ｂ
１４ｅ間が電気的に短絡されることを防ぐために設けら
れたもので、ホトレジスト膜やプラズマＣＶＤによる窒
化けい素膜などで形成することができる。５は、サーミ
スタ材層であるａ−５ｉ層３や鋸はく層２が素子の表面
からエッチされ溝となっている部分である。５ａは、橋
架部Ａの下部の空どうになっている領域であり、銅はく
２のエッチによる溝５の形成の際に橋架部Ａを残してそ
の側面からのサイドエッチにより貫通させ、閤架部Ａの
下部の銅を除去した領域である。この溝５の形成の際、
鈎のエッチ時間を充分に長くとり、鍔はく２とポリイミ
ド板１との接着剤ｌＯが露出するようにし、残された鋼
部２ｂ ＋ ２ｃ ＋ ２ａが互いに電気的に絶縁され
るように注意する。尚、この溝５および、空どう部５ａ
は、リード線９・ｂ＋９ｃを引き出す直前の工程で、溝
５となるべき領域以外をホトレジスト膜で覆い、ホトリ
ソグラフィー技術を用い、ａ −Ｓｉ膜３のエッチおよ
び、銅はく２のエッチを行うことにより形成できる。
クロム（Ｃｒ）やモリブデン（ＭＯ）の蒸着膜で形成し
た導電体層であり、ホトリソグラフィー技術により、Ｓ
気抵抗の大きいａ −Ｓｉ膜の橋架部３ａの中央付近は
ａ−５ｉ層を露出させるようにＣｒまたぼＭＯの導電体
層がエッチで除去されている。ＣｒまたはＭＯ膜の付着
形成されている領域のａ−５ｔは、電気的に短絡されて
いるので、橋架構造の支持部から引き出したリード線９
ｂ１９Ｃからみた光センサ素子の電気抵抗は、はば橋架
部３ａの中央付近のＣｒまたはＭｏＨのない部分のａ−
５ｉ層の電気抵抗とみなすことができる。８ｂ＋８ｃは
、アルミニウム（、Ａ Ｉ ）のリード線９ｂ＋９ｃを
超音波ボンダーにより引き出し易いようにＡ１の蒸着膜
を少し厚めに形成゛した電極である。６は、電気的絶縁
層で、赤外線などの光を吸収して熱に変換する合焦など
の光吸収層７が、導電性を有したときに、導電体層４ｂ
１４ｅ間が電気的に短絡されることを防ぐために設けら
れたもので、ホトレジスト膜やプラズマＣＶＤによる窒
化けい素膜などで形成することができる。５は、サーミ
スタ材層であるａ−５ｉ層３や鋸はく層２が素子の表面
からエッチされ溝となっている部分である。５ａは、橋
架部Ａの下部の空どうになっている領域であり、銅はく
２のエッチによる溝５の形成の際に橋架部Ａを残してそ
の側面からのサイドエッチにより貫通させ、閤架部Ａの
下部の銅を除去した領域である。この溝５の形成の際、
鈎のエッチ時間を充分に長くとり、鍔はく２とポリイミ
ド板１との接着剤ｌＯが露出するようにし、残された鋼
部２ｂ ＋ ２ｃ ＋ ２ａが互いに電気的に絶縁され
るように注意する。尚、この溝５および、空どう部５ａ
は、リード線９・ｂ＋９ｃを引き出す直前の工程で、溝
５となるべき領域以外をホトレジスト膜で覆い、ホトリ
ソグラフィー技術を用い、ａ −Ｓｉ膜３のエッチおよ
び、銅はく２のエッチを行うことにより形成できる。
上述の実施例では、溝５および空どう５ａの部分の飼は
くは、すべて除去し、［８ｉｉ；８ ｂ 、 ８ ｃ間
の電気的分離を図ったが、銅はく２とａ−５ｉ膜３との
界面に、たとえば二酸化けい素（ＳｉＯよ）膜や窒化け
い累（Ｓｉ３Ｎ４ ）膜などの電気絶縁層を形成してお
けば、溝５や空とう５ａの銅をすべて除去しなくともよ
いことは朗臼である。また、導電体層４ｂ１４ｅは、サ
ーミスタ材料層３であるａ−５１層の中に、不純物添加
によ、り低抵抗層を形成させることにより形成すること
もできる。
くは、すべて除去し、［８ｉｉ；８ ｂ 、 ８ ｃ間
の電気的分離を図ったが、銅はく２とａ−５ｉ膜３との
界面に、たとえば二酸化けい素（ＳｉＯよ）膜や窒化け
い累（Ｓｉ３Ｎ４ ）膜などの電気絶縁層を形成してお
けば、溝５や空とう５ａの銅をすべて除去しなくともよ
いことは朗臼である。また、導電体層４ｂ１４ｅは、サ
ーミスタ材料層３であるａ−５１層の中に、不純物添加
によ、り低抵抗層を形成させることにより形成すること
もできる。
第１図では、受光部となる橋架部の中央付近にふくらみ
を持たせた構造にしであるが、これは、光を集束したと
き有効に受光できるように受光面を広くシた例を示した
ものである。
を持たせた構造にしであるが、これは、光を集束したと
き有効に受光できるように受光面を広くシた例を示した
ものである。
上述の実施例では、導電体層４ｂと４ｃとが、互いに平
行に向い合った形状にしであるが、例えば、互いに向い
合うくし状Ｓ極とするなどして、向い合う電極周辺長を
大きく形成することによりサーミスタの電気抵抗を小さ
くさせることもできる。
行に向い合った形状にしであるが、例えば、互いに向い
合うくし状Ｓ極とするなどして、向い合う電極周辺長を
大きく形成することによりサーミスタの電気抵抗を小さ
くさせることもできる。
以上のように、空どう部５ａをサーミスタ材料であるａ
−５ｉ膜で場架し、ＩＬ電気抵抗極めて高いａ−５ｊ膜
の橋架中央付近を残し、導電体層４ｂ。
−５ｉ膜で場架し、ＩＬ電気抵抗極めて高いａ−５ｊ膜
の橋架中央付近を残し、導電体層４ｂ。
４ｃにより電気的に短絡することで、受光により昇温す
る橋架中央付近のａ−５ｉ膜の電気抵抗変化を有効に取
り出すことができる。更に、橋架部Ａは、主にａ−５ｔ
膜で形成されており、橋架部Ａが破壊されない程度に厚
くするので、安定なサーミスタ抵抗が得られ、かつ、橋
架補強材が少なくて済み、受光部の熱容量も小さくでき
る。
る橋架中央付近のａ−５ｉ膜の電気抵抗変化を有効に取
り出すことができる。更に、橋架部Ａは、主にａ−５ｔ
膜で形成されており、橋架部Ａが破壊されない程度に厚
くするので、安定なサーミスタ抵抗が得られ、かつ、橋
架補強材が少なくて済み、受光部の熱容量も小さくでき
る。
第１図および第２図に示しである実施例では、棒架部の
熱容量を少しでも小さくさせるために、絶縁層６の寸法
を橋架部Ａの濁長よりΔ＼さくさせであるが、この絶縁
層６の長さを橋架の支持部２ｂ＋ ２ｃの位置まで延ば
し、ａ−５ｉ膜の橋架部３ａを補強することができるこ
とは、もちろんである。
熱容量を少しでも小さくさせるために、絶縁層６の寸法
を橋架部Ａの濁長よりΔ＼さくさせであるが、この絶縁
層６の長さを橋架の支持部２ｂ＋ ２ｃの位置まで延ば
し、ａ−５ｉ膜の橋架部３ａを補強することができるこ
とは、もちろんである。
絶縁層６をホトレジスト膜などのプラスチックで形成し
たこのような構造は、特に嬌架長が大きいときに有効と
なる。
たこのような構造は、特に嬌架長が大きいときに有効と
なる。
第３図は、本発明の他の実施例を説明するための断面図
で、第２図に示した実施例と略同様であるので、同様の
作用をする部分には、同一の参照番号を付しである。こ
の第３図に示した実施例が第２図の実施例と異なる主な
点は、導電体層４ｂ＋４ｃの配し方であり、このため、
電ｔ１８ｂ ＋ ８ｃおよびリード線９ｂｌ ９０が、
第３図においては、左右非対称となっている。また、銅
はく２のエッチが不充分で＠橘架支持部２ｂ、２ｃ間が
、電気的に短絡されている場合でも適用できるように、
銅は＜２＋ ２ｂ ＋ ２ｃ ＋ ２ｄの上に、″窒化
けい素（ＳｔＪＮ４ ）膜などの電気絶縁層］−１、１
１ｂ 、 １．１． ｃ、１１ｄを配しである。尚、こ
の５１３Ｎｔｔ Ｈは、プラズマＣＶＤにより、容易に
アモルファス状態で形成することができる。第３図の実
施例では、第２図の実施例と同様、サーミスタ材料ａ−
３ｉ膜３ａのうち、受光により最も昇温する橋架部Ａの
中央付近のみのサーミスタ抵抗を検出するものであるが
、第２図の例とは興なり、ａ−５１膜層の厚み方向の電
気抵抗を検出するために、橋架中央付近で、ａ−３＋膜
３ａを導電体層４’ｂ＋’４ｃでサンドイッチにした構
造にしている。このとき、はぼ、導電体層４ｂ＋４ｃの
互いに重なり合う領域のａ−５ｉ膜層の厚み方向の電気
抵抗のみが、検出されることになり、高感度に光を検出
することができる。
で、第２図に示した実施例と略同様であるので、同様の
作用をする部分には、同一の参照番号を付しである。こ
の第３図に示した実施例が第２図の実施例と異なる主な
点は、導電体層４ｂ＋４ｃの配し方であり、このため、
電ｔ１８ｂ ＋ ８ｃおよびリード線９ｂｌ ９０が、
第３図においては、左右非対称となっている。また、銅
はく２のエッチが不充分で＠橘架支持部２ｂ、２ｃ間が
、電気的に短絡されている場合でも適用できるように、
銅は＜２＋ ２ｂ ＋ ２ｃ ＋ ２ｄの上に、″窒化
けい素（ＳｔＪＮ４ ）膜などの電気絶縁層］−１、１
１ｂ 、 １．１． ｃ、１１ｄを配しである。尚、こ
の５１３Ｎｔｔ Ｈは、プラズマＣＶＤにより、容易に
アモルファス状態で形成することができる。第３図の実
施例では、第２図の実施例と同様、サーミスタ材料ａ−
３ｉ膜３ａのうち、受光により最も昇温する橋架部Ａの
中央付近のみのサーミスタ抵抗を検出するものであるが
、第２図の例とは興なり、ａ−５１膜層の厚み方向の電
気抵抗を検出するために、橋架中央付近で、ａ−３＋膜
３ａを導電体層４’ｂ＋’４ｃでサンドイッチにした構
造にしている。このとき、はぼ、導電体層４ｂ＋４ｃの
互いに重なり合う領域のａ−５ｉ膜層の厚み方向の電気
抵抗のみが、検出されることになり、高感度に光を検出
することができる。
以上の実施例では、サーミスタ材料３として、ａ−５ｔ
膜を用いであるが、抵流温度孫数の大きいアモルファス
炭化けい素（ａ−Ｓｔ工Ｃ１−’Ｘ）に代えてもよい。
膜を用いであるが、抵流温度孫数の大きいアモルファス
炭化けい素（ａ−Ｓｔ工Ｃ１−’Ｘ）に代えてもよい。
ａ−５ｉアＣ，−ヶは、プラズマＣＶＤ技術により容易
に形成することも、また反応性エッチや化学的エッチに
よりパターン形成することもできる。更に、基板材料と
して、上述の実施例では、銅はくを張ったポリイミド板
を使用しであるが、シリコンウェーハなどの半導体材料
を代用し、集積回路を同一基板上に形成して、本発明の
光センサと直結することも可能である。
に形成することも、また反応性エッチや化学的エッチに
よりパターン形成することもできる。更に、基板材料と
して、上述の実施例では、銅はくを張ったポリイミド板
を使用しであるが、シリコンウェーハなどの半導体材料
を代用し、集積回路を同一基板上に形成して、本発明の
光センサと直結することも可能である。
以上の説明から明らかなように、本発明によると、高抵
抗のサーミスタＵ＠を橋架部材料として用いても、受光
により橋架部の最も湿度が上昇する中央部付近まで、導
電体層を嬌架ツ持部より延ばし、高抵扼サーミスタ膜を
短絡することにより、中央部付近のサーミスタの抵抗の
みを検出できるので検出感度が増大する。また、ザーミ
スタ拐料をｍ架構造材として使用しており、サーミスタ
材料を比較的厚く形成できるので、サーミスタ抵抗の安
定化が図れると共に、橋架構造補強材を多く必要としな
いので、橋架部の熱容量がかさくなり、高速、高感度化
が図れるなどの利点がある。
抗のサーミスタＵ＠を橋架部材料として用いても、受光
により橋架部の最も湿度が上昇する中央部付近まで、導
電体層を嬌架ツ持部より延ばし、高抵扼サーミスタ膜を
短絡することにより、中央部付近のサーミスタの抵抗の
みを検出できるので検出感度が増大する。また、ザーミ
スタ拐料をｍ架構造材として使用しており、サーミスタ
材料を比較的厚く形成できるので、サーミスタ抵抗の安
定化が図れると共に、橋架構造補強材を多く必要としな
いので、橋架部の熱容量がかさくなり、高速、高感度化
が図れるなどの利点がある。
第１図は、本発明による光センサの一実施例を説明する
ための平面図、第２図は、第１図の■−■１線における
断面図、第３図は、本発明による光センサの変形例を示
す第２区と同様の断面図である。 １・・・ポリイミド板、 ２＋２ｂ、２ｃ＋２ｄ・・・
銅はく、 ３ ＋ ３８ｔ ３ ｂ＋ ３ ｃ、 ３
ａ 、・・サーミスタ材料（ａ−３ｉ）、 ４ｂ１４
ｃｍ、、 導電体層（ＣｒまたはＭｏ）、５・・・溝
、 ５ａ・・・橋架部下の空どう部、 ６・・・絶
縁層、 ７・・・ 光吸取層 （全黒）、８ ’）＋
８ ｃ・・・ 電極、 ９ｂ、９ｃ・・・ リード線
、１０・’−・ 接着剤、 １１ ＋ １１ ｂ 、
１１ ｃ ＋ １１６ ” ’ 絶縁層、Ａ・・・
櫛架部。
ための平面図、第２図は、第１図の■−■１線における
断面図、第３図は、本発明による光センサの変形例を示
す第２区と同様の断面図である。 １・・・ポリイミド板、 ２＋２ｂ、２ｃ＋２ｄ・・・
銅はく、 ３ ＋ ３８ｔ ３ ｂ＋ ３ ｃ、 ３
ａ 、・・サーミスタ材料（ａ−３ｉ）、 ４ｂ１４
ｃｍ、、 導電体層（ＣｒまたはＭｏ）、５・・・溝
、 ５ａ・・・橋架部下の空どう部、 ６・・・絶
縁層、 ７・・・ 光吸取層 （全黒）、８ ’）＋
８ ｃ・・・ 電極、 ９ｂ、９ｃ・・・ リード線
、１０・’−・ 接着剤、 １１ ＋ １１ ｂ 、
１１ ｃ ＋ １１６ ” ’ 絶縁層、Ａ・・・
櫛架部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、橋架部Ａに受光部を設けた橋架構造のサーミスタボ
ロメータ形光センサにおいて、空どうを橋架している単
層または複数層の橋架部材料層のうち、少なくとも一層
がサーミスタ材料３で形成してあり、該サーミスタ材料
３の層のうち橋架部領域３ａにおいて、部分的に電気的
な短絡が行われるように導電体層４ｂ、４ｃを配したこ
とを特徴とする光センサ。 ２、サーミスタ材料３をアモルファスシリコンまたは、
アモルファスシリコンを含む材料とした特許請求の範囲
第１項記載の光センサ。 ３、サーミスタ材料３をアモルファス炭化けい素または
、アモルファス炭化けい素を含む材料とした特許請求の
範囲第１項記載の光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59153586A JPH06103218B2 (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59153586A JPH06103218B2 (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 光センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130730A true JPS6130730A (ja) | 1986-02-13 |
| JPH06103218B2 JPH06103218B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=15565725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59153586A Expired - Lifetime JPH06103218B2 (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103218B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0604405A1 (en) * | 1990-04-18 | 1994-06-29 | Terumo Kabushiki Kaisha | Infrared ray sensor and method of manufacturing the same |
| JPH06196307A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-07-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体薄膜サーミスタおよび赤外線検出素子 |
| US5426412A (en) * | 1992-10-27 | 1995-06-20 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Infrared detecting device and infrared detecting element for use in the device |
| JP2021197433A (ja) * | 2020-06-12 | 2021-12-27 | Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55165239U (ja) * | 1979-05-16 | 1980-11-27 |
-
1984
- 1984-07-23 JP JP59153586A patent/JPH06103218B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55165239U (ja) * | 1979-05-16 | 1980-11-27 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0604405A1 (en) * | 1990-04-18 | 1994-06-29 | Terumo Kabushiki Kaisha | Infrared ray sensor and method of manufacturing the same |
| JPH06196307A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-07-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体薄膜サーミスタおよび赤外線検出素子 |
| US5426412A (en) * | 1992-10-27 | 1995-06-20 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Infrared detecting device and infrared detecting element for use in the device |
| JP2021197433A (ja) * | 2020-06-12 | 2021-12-27 | Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
| US12035628B2 (en) | 2020-06-12 | 2024-07-09 | Tianma Japan, Ltd. | Thermoelectric transducer and thermoelectric transducer module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103218B2 (ja) | 1994-12-14 |
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