JPS6130A - 接触脱ハロゲン水素方法 - Google Patents
接触脱ハロゲン水素方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/25—Preparation of halogenated hydrocarbons by splitting-off hydrogen halides from halogenated hydrocarbons
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
光里東!見
塩化水素の分子を解離することにより、1.2−ジクロ
ロ゛エタン(商業的には二塩化エチレン又はEl)Cと
呼ばれる)から塩化ビニルモノマー(VCM)を製造す
4ことができることはよく知られている。この脱ハロゲ
ン水素反応(通常はrクランキングJと呼ばれる)は、
一般には、不活性雰囲気中触媒の存在下に、高温及び高
圧、通常は約550℃及び約300〜6001)!;1
(21〜42kg/a(;2070000〜41400
00パスカル)、を用いて、EDCを加熱することによ
り行われる。
ロ゛エタン(商業的には二塩化エチレン又はEl)Cと
呼ばれる)から塩化ビニルモノマー(VCM)を製造す
4ことができることはよく知られている。この脱ハロゲ
ン水素反応(通常はrクランキングJと呼ばれる)は、
一般には、不活性雰囲気中触媒の存在下に、高温及び高
圧、通常は約550℃及び約300〜6001)!;1
(21〜42kg/a(;2070000〜41400
00パスカル)、を用いて、EDCを加熱することによ
り行われる。
この標準的な熱分解又は熱処理プロセスの重大な欠点は
、クラッキングを行うために多量の高価な熱エネルギー
を必要とすることである。ごのようなプロセスにおける
他の重大な欠点は、チューブ1番こ固体副生物(コーク
ス)が急速に堆積することであり、そのため比較的短い
操作期間の後にチューブの清掃をしなければならない。
、クラッキングを行うために多量の高価な熱エネルギー
を必要とすることである。ごのようなプロセスにおける
他の重大な欠点は、チューブ1番こ固体副生物(コーク
ス)が急速に堆積することであり、そのため比較的短い
操作期間の後にチューブの清掃をしなければならない。
また、これらの高温プロセスでは、望ましくない副反応
がしばしば起こり、これがEDCの転化率を低下させる
。
がしばしば起こり、これがEDCの転化率を低下させる
。
この標準的な熱分解タラソキングプロセスに見られる問
題を減少させるために種々の接触プロセスが提案されて
いる9例えば、米国特許2877277はEDCのV
CMへの脱ハロゲン水素を促進するために水溶液中での
アルカリ土類金属水酸化物の使用を教示しており、アル
カリ金属水酸化物の先行使用に言及している。これらの
プロセスは、極めて長い接触時間(30分〜2.5時間
)を必要とし、得られるVCMの水溶液からの分離及び
生成に困難を伴うという欠点を有する。
題を減少させるために種々の接触プロセスが提案されて
いる9例えば、米国特許2877277はEDCのV
CMへの脱ハロゲン水素を促進するために水溶液中での
アルカリ土類金属水酸化物の使用を教示しており、アル
カリ金属水酸化物の先行使用に言及している。これらの
プロセスは、極めて長い接触時間(30分〜2.5時間
)を必要とし、得られるVCMの水溶液からの分離及び
生成に困難を伴うという欠点を有する。
米国特許3290399はクラッキング反応を促進する
ためのグラファイトの使用を教示しており、英国特許8
23285に開示されているような亜硝酸により洗浄さ
れた活性炭の使用を教えている。このプロセスは反応温
度及び圧力が600℃までと依然として高い。
ためのグラファイトの使用を教示しており、英国特許8
23285に開示されているような亜硝酸により洗浄さ
れた活性炭の使用を教えている。このプロセスは反応温
度及び圧力が600℃までと依然として高い。
日本特許24 B 70/64は、活性炭上の硼酸の如
き硼素化合物の触媒の使用を教示している。
き硼素化合物の触媒の使用を教示している。
また米国特許3896182は、熱分解反応器チューブ
の炭質物質による目詰まり(コーキング)は酸素の実質
的な介在なしに、即ち2.0 p p m以下の酸素の
存在下に、反応を行うことにより減少させることができ
るということを教示している。
の炭質物質による目詰まり(コーキング)は酸素の実質
的な介在なしに、即ち2.0 p p m以下の酸素の
存在下に、反応を行うことにより減少させることができ
るということを教示している。
このようなプロセスは商業的に実施可能であるけれども
、より低い操作温度及び圧力の使用を可能にし、また望
ましくない副反応及びコーキングの減少を可能にするこ
とによって、脱ノ\ロゲン水素プロセスを改良するよう
な、触媒材料が依然として望まれている。
、より低い操作温度及び圧力の使用を可能にし、また望
ましくない副反応及びコーキングの減少を可能にするこ
とによって、脱ノ\ロゲン水素プロセスを改良するよう
な、触媒材料が依然として望まれている。
又豆q監!
酸素の存在下に、触媒としてゼオライト上の希土類金属
塩化物を含む組成物を用いて、E T) CをVCMに
脱ハロゲン水素することを含むプロセスによって、エネ
ルギー消費及びコーキングを減少させながら、EDCを
VCMに転化することができるということが予期せず見
出されたのである。
塩化物を含む組成物を用いて、E T) CをVCMに
脱ハロゲン水素することを含むプロセスによって、エネ
ルギー消費及びコーキングを減少させながら、EDCを
VCMに転化することができるということが予期せず見
出されたのである。
本発明の希土類金属塩化物−ゼオライド触媒を用いるこ
とにより、150℃〜500℃という低い温度、さらに
好ましくは約り00℃〜約350℃の温度、及び1気圧
から約300psi (1〜21k+r/cd;10
1400〜2070000パスカル)の圧力において、
タラソキングプロセスを行うことができるのである。
とにより、150℃〜500℃という低い温度、さらに
好ましくは約り00℃〜約350℃の温度、及び1気圧
から約300psi (1〜21k+r/cd;10
1400〜2070000パスカル)の圧力において、
タラソキングプロセスを行うことができるのである。
詳鳳μ基里
塩化ビニルモノマー(VCM)は種々の方法により製造
することができるけれども、最も普通の方法はエチレン
と塩素または塩化水素との反応及び引き続く、EDCを
圧力下にVCM及び副生物塩化水素に熱クラツクするよ
うな脱ハロゲン水素工程によりEDCを生成することを
含む。通常は、塩化水素は回収され、塩化水素が追加の
エチレンと反応されてEDCを生成させるようなオキシ
塩化水素化工程に用いられ、一方このEDCはクラッキ
ング工程に用いられる。VCMは回収され、精製され、
大量の多角的なプラスチック材料であるポリ塩化ビニル
(PVC)樹脂の製造におけるモノマーとして広く用い
られる。
することができるけれども、最も普通の方法はエチレン
と塩素または塩化水素との反応及び引き続く、EDCを
圧力下にVCM及び副生物塩化水素に熱クラツクするよ
うな脱ハロゲン水素工程によりEDCを生成することを
含む。通常は、塩化水素は回収され、塩化水素が追加の
エチレンと反応されてEDCを生成させるようなオキシ
塩化水素化工程に用いられ、一方このEDCはクラッキ
ング工程に用いられる。VCMは回収され、精製され、
大量の多角的なプラスチック材料であるポリ塩化ビニル
(PVC)樹脂の製造におけるモノマーとして広く用い
られる。
典型的なりラッキングプロセスにおいては、クランキン
グ炉を操作するための熱エネルギーを供給するために、
多量の天然ガスが燃焼される。これらのプロセスにおい
ては、EDCは気化され、約り00℃〜約600℃の範
囲の温度に直接加熱されている、チューブタイプの炉に
通される。現在の標準的な商業的クラッキングプロセス
においては固体のタラソキング触媒は用いられていない
。
グ炉を操作するための熱エネルギーを供給するために、
多量の天然ガスが燃焼される。これらのプロセスにおい
ては、EDCは気化され、約り00℃〜約600℃の範
囲の温度に直接加熱されている、チューブタイプの炉に
通される。現在の標準的な商業的クラッキングプロセス
においては固体のタラソキング触媒は用いられていない
。
触媒の介在なしに、反応は熱誘導脱塩化水素であり、こ
れにより各EDC分子から1分子の塩化水素が解離され
て、1分子のVCMを与える。
れにより各EDC分子から1分子の塩化水素が解離され
て、1分子のVCMを与える。
本発明は、反応体が分配プレートから反応ゾーンに供給
されるような単一流動層、酸素が反応器中の別の再生ゾ
ーンにおいて供給されるような流動接触分解技術、固定
床クラツキング炉、または他の公知のものの如き多(の
プロセス形態の使用を包含する。熱エネルギーはいかな
る公知の方法によっても供給することができるけれども
、典型的には天然ガスを燃焼させることにより供給され
る。EDCは気化され、触媒が存在する炉内の流動床ま
たはチューブに通される。供給流中の酸素のEDCに対
する比はこの発明の目的を達成し、なお安全に操作する
ためにコントロールされる。
されるような単一流動層、酸素が反応器中の別の再生ゾ
ーンにおいて供給されるような流動接触分解技術、固定
床クラツキング炉、または他の公知のものの如き多(の
プロセス形態の使用を包含する。熱エネルギーはいかな
る公知の方法によっても供給することができるけれども
、典型的には天然ガスを燃焼させることにより供給され
る。EDCは気化され、触媒が存在する炉内の流動床ま
たはチューブに通される。供給流中の酸素のEDCに対
する比はこの発明の目的を達成し、なお安全に操作する
ためにコントロールされる。
本発明のプロセスに用いられる温度は、150℃という
低い温度から約500℃までの範匣、さらに好ましくは
約200℃から約350℃の範囲、最も好ましくは約2
50℃から約325℃の範囲である。圧力は約1気圧(
1kg/cla; i 0140Gパスカル)から20
気圧(21ktr/aJ、 2070000パスカル)
まで又はそれ以上の圧力の範囲であり、より典型的には
約5気圧から約15気圧(5〜11kg/d、5070
00〜1520000パスカル)の範囲である。
低い温度から約500℃までの範匣、さらに好ましくは
約200℃から約350℃の範囲、最も好ましくは約2
50℃から約325℃の範囲である。圧力は約1気圧(
1kg/cla; i 0140Gパスカル)から20
気圧(21ktr/aJ、 2070000パスカル)
まで又はそれ以上の圧力の範囲であり、より典型的には
約5気圧から約15気圧(5〜11kg/d、5070
00〜1520000パスカル)の範囲である。
本発明の必須の特徴はクラッキング工程に改良された触
媒を用いることである。特に、触媒はゼオライト上に堆
積された希土類金属塩化物を含む。
媒を用いることである。特に、触媒はゼオライト上に堆
積された希土類金属塩化物を含む。
天然及び合成ゼオライトのいずれをも本発明に用いるこ
とができる。天然ゼオライトの例はアナルサイト、エリ
オナイト、チャバザイト、ホージャサイト、モルデン沸
石、グメリン沸石、マツツアイト(mazzita)、
オフレタイト、ヒユーランダイト、ナトロライト、スチ
ルバイト、及びトムソン沸石である。
とができる。天然ゼオライトの例はアナルサイト、エリ
オナイト、チャバザイト、ホージャサイト、モルデン沸
石、グメリン沸石、マツツアイト(mazzita)、
オフレタイト、ヒユーランダイト、ナトロライト、スチ
ルバイト、及びトムソン沸石である。
合成ゼオライトは、ゼラチン状から多孔質で砂状のもの
までの範囲の種々の形にあってよい。公知の合成ゼオラ
イトの例はタイプA(米国特許2882243に記載)
;タイプX(米国特許2882244に記載) ;タイ
プY(米国特許3130007に記載);タイプR(米
国特許3030181に記載);及び1982年12月
13日イ寸の、Joseph HogginによるS
すpe 5electivity Key to De
signed Catalysts″と題する’Che
mical and Engineering MeH
s”の文献に開示されているような他のゼオライトであ
る。
までの範囲の種々の形にあってよい。公知の合成ゼオラ
イトの例はタイプA(米国特許2882243に記載)
;タイプX(米国特許2882244に記載) ;タイ
プY(米国特許3130007に記載);タイプR(米
国特許3030181に記載);及び1982年12月
13日イ寸の、Joseph HogginによるS
すpe 5electivity Key to De
signed Catalysts″と題する’Che
mical and Engineering MeH
s”の文献に開示されているような他のゼオライトであ
る。
この発明の目的に対しては、固体ゼオライトが好ましく
、特に5人またはそれ以上の気孔寸法を有する合成固体
ゼオライトが好ましい。5人を越える気孔寸法を有する
合成ゼオライトは、EngelhardMineral
s and Chemicals及びIJnion C
arbide Cor−pora t i onの1i
lld61)ivisionから商業的に容易に入手可
能である。そのような市販のゼオライトの例はEnge
lhard’s HFZ−20、HFZ−33、及び肝
z−55である。
、特に5人またはそれ以上の気孔寸法を有する合成固体
ゼオライトが好ましい。5人を越える気孔寸法を有する
合成ゼオライトは、EngelhardMineral
s and Chemicals及びIJnion C
arbide Cor−pora t i onの1i
lld61)ivisionから商業的に容易に入手可
能である。そのような市販のゼオライトの例はEnge
lhard’s HFZ−20、HFZ−33、及び肝
z−55である。
希土類金属塩化物は周期率表の57番(ランタン)から
71番(ルテチウム)までに見られるような希土類金属
の塩化物であってよい。希土類金属ランタン(La)、
プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、及びLa、
Nd、Pr、サマリウム(Sm)及びセリウム(Ce)
から本質的になる希土類金属混合物グイジニウム(Dy
dinium)は全て容易に入手可能であり、従って好
ましい希土類金属である。最も好ましい希土類金属はラ
ンタンであり、最も好ましい希土類金属塩化物は塩化ラ
ンタン(1,ac13 )である。
71番(ルテチウム)までに見られるような希土類金属
の塩化物であってよい。希土類金属ランタン(La)、
プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、及びLa、
Nd、Pr、サマリウム(Sm)及びセリウム(Ce)
から本質的になる希土類金属混合物グイジニウム(Dy
dinium)は全て容易に入手可能であり、従って好
ましい希土類金属である。最も好ましい希土類金属はラ
ンタンであり、最も好ましい希土類金属塩化物は塩化ラ
ンタン(1,ac13 )である。
ゼオライトとともに用いられる希土類金属塩化物の量は
、触媒の合計重量の約0.1重量%から30重量%まで
であってよい。更に好ましくは、希土類金属塩化物の重
量は約2重量%から約20重量%まで、最も好ましくは
約4重量%から約16重量%までである。ゼオライト上
の希土類金属塩化物の最適レベルは用いられるゼオライ
トのタイプによって変わることがある。この発明の触媒
はまた、安定性などを付与するためにしばしば用いられ
る他の金属を含んでいてもよい。そのような任意の材料
の例は、アルカリ及びアルカリ土類金属酸化物及び塩化
物、例えば、酸化リチウム及びカリウム及び塩化リチウ
ム及びカリウム、塩化マグネシウム、及び塩化ストロン
チウムである。これらの付加金属は、触媒の合計重量に
対し°C5重量%までの量で用いることができる。
、触媒の合計重量の約0.1重量%から30重量%まで
であってよい。更に好ましくは、希土類金属塩化物の重
量は約2重量%から約20重量%まで、最も好ましくは
約4重量%から約16重量%までである。ゼオライト上
の希土類金属塩化物の最適レベルは用いられるゼオライ
トのタイプによって変わることがある。この発明の触媒
はまた、安定性などを付与するためにしばしば用いられ
る他の金属を含んでいてもよい。そのような任意の材料
の例は、アルカリ及びアルカリ土類金属酸化物及び塩化
物、例えば、酸化リチウム及びカリウム及び塩化リチウ
ム及びカリウム、塩化マグネシウム、及び塩化ストロン
チウムである。これらの付加金属は、触媒の合計重量に
対し°C5重量%までの量で用いることができる。
希土類金属塩化物、及び他の任意の金属塩化物及び酸化
物は、公知の方法でゼオライト上に堆積することができ
る。好ましくは、金属の水溶液を調製し、ゼオライトと
接触させ、この混合物を次いで濾過し、約200℃以下
の温度で乾燥し、次いで約500℃〜1000℃の温度
において約2〜16時間か焼する。触媒混合物を高温即
ち800℃以上でか焼すると、得られる触媒の安定性及
び/または有効性を損なうことがある。水溶液中の金属
の濃度は、最終触媒上の金属の所望のレベルによって決
まる。1種より多くの金属がゼオライトに添加される場
合には、各乾燥工程の後に各金属を同時にまたは順次に
添加することにより行うことができる。金属の一部また
は全部をゼオライトが反応領域にある間にゼオライトに
添加することができ、また反応の間に失われる金属を補
充するための操作の間に追加の金属をゼオライトに添加
することもできる。
物は、公知の方法でゼオライト上に堆積することができ
る。好ましくは、金属の水溶液を調製し、ゼオライトと
接触させ、この混合物を次いで濾過し、約200℃以下
の温度で乾燥し、次いで約500℃〜1000℃の温度
において約2〜16時間か焼する。触媒混合物を高温即
ち800℃以上でか焼すると、得られる触媒の安定性及
び/または有効性を損なうことがある。水溶液中の金属
の濃度は、最終触媒上の金属の所望のレベルによって決
まる。1種より多くの金属がゼオライトに添加される場
合には、各乾燥工程の後に各金属を同時にまたは順次に
添加することにより行うことができる。金属の一部また
は全部をゼオライトが反応領域にある間にゼオライトに
添加することができ、また反応の間に失われる金属を補
充するための操作の間に追加の金属をゼオライトに添加
することもできる。
選ばれるゼオライトは、クランキング反応器に通常置か
れまたは充填されるような形状または粒径を有するべき
である。希土類金属塩化物−ゼオライド触媒は蒸気を通
過させるようなやり方でクランキング反応器中に置かれ
る。触媒は反応器の床中に固定されまたは流動床として
用いられる。
れまたは充填されるような形状または粒径を有するべき
である。希土類金属塩化物−ゼオライド触媒は蒸気を通
過させるようなやり方でクランキング反応器中に置かれ
る。触媒は反応器の床中に固定されまたは流動床として
用いられる。
典型的には、クランキング反応器はEDC及び酸素が導
入される前に窒素でパージされる。EDCが触媒と接触
されると脱塩化水素反応またはクラッキングがスムーズ
に進行し、EDCが急速にVCMおよび副生物HCIに
変換される。
入される前に窒素でパージされる。EDCが触媒と接触
されると脱塩化水素反応またはクラッキングがスムーズ
に進行し、EDCが急速にVCMおよび副生物HCIに
変換される。
このプロセスに用いられる酸素の量は、純粋な酸素とし
てまたは空気として、EDC1モル当たり約0.05モ
ル〜約0.5モルの酸素である。0.05モルより低い
と炭素の付着が増加され、0.5モルより多いと炭素酸
化物の生成が多くなる。酸素のEDCに対するモル比ぽ
、好ましくはEDCIモル当たり約0.15モル〜0.
3モルである。酸素の全てを反応ゾーンに添加する必要
はなく、即ち酸素は別のゾーンに添加されてもよい。酸
素は、安全及び非爆発性の条件下の操作を可能にするよ
うなやり方で反応器に添加される。
てまたは空気として、EDC1モル当たり約0.05モ
ル〜約0.5モルの酸素である。0.05モルより低い
と炭素の付着が増加され、0.5モルより多いと炭素酸
化物の生成が多くなる。酸素のEDCに対するモル比ぽ
、好ましくはEDCIモル当たり約0.15モル〜0.
3モルである。酸素の全てを反応ゾーンに添加する必要
はなく、即ち酸素は別のゾーンに添加されてもよい。酸
素は、安全及び非爆発性の条件下の操作を可能にするよ
うなやり方で反応器に添加される。
タラソキング反応は大気圧で行うことができるけれども
、本発明においては約5〜20気圧C5〜11kg/a
a;507000〜1520000パスカル)の加圧圧
力で行われるのが好ましい。一般に、より高い圧力にお
いて、コーキング及びCC1aの如き望ましくないクロ
ロ炭化水素副生物の形成が、大気圧における操作の場合
よりも少ない。必要ならば、反応器は□閉じられてもよ
く、炭素の生成は通常の手段、即ち、反応器を通常は3
00℃以上約700℃までの範囲の温度で加熱すること
によって容易に避けることができる。また、前述したよ
うな文献Chemical and [iBine−e
ring News”に示されているような流動接触分
解反応器を用いて、炭素を除くことができ、触媒を連続
的に再生することができる。
、本発明においては約5〜20気圧C5〜11kg/a
a;507000〜1520000パスカル)の加圧圧
力で行われるのが好ましい。一般に、より高い圧力にお
いて、コーキング及びCC1aの如き望ましくないクロ
ロ炭化水素副生物の形成が、大気圧における操作の場合
よりも少ない。必要ならば、反応器は□閉じられてもよ
く、炭素の生成は通常の手段、即ち、反応器を通常は3
00℃以上約700℃までの範囲の温度で加熱すること
によって容易に避けることができる。また、前述したよ
うな文献Chemical and [iBine−e
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解反応器を用いて、炭素を除くことができ、触媒を連続
的に再生することができる。
反応器中におけるEDCと触媒との反応または接触時間
は、反応器の容積及び形並びにEDC及び酸素の流速に
よって変化される。所望の脱塩化水素反応を促進するた
めに□必要なEDCと触媒との接触時間は、反応ゾーン
を一通過する気体材料の通過速度をコントロールするこ
とにより得られる。
は、反応器の容積及び形並びにEDC及び酸素の流速に
よって変化される。所望の脱塩化水素反応を促進するた
めに□必要なEDCと触媒との接触時間は、反応ゾーン
を一通過する気体材料の通過速度をコントロールするこ
とにより得られる。
しかしながら、多くの反応器に対しては、接触時間は約
60秒という長いものから0.5秒という短いものまで
用いることができるということが見出された。接触時間
が短すぎる場合には、未反応E D Cの量が多くなり
すぎる。一方、接触時間が長ずぎる場合には、炭素酸化
物及び副生不純物の量が増加する。個々のタイプの反応
器に対して最適な接触時間を得るために気体の供給速度
を容易に調整することができる。後述の例に詳細に説明
する実験において接触時間は約5秒〜約30秒の範囲で
あった。
60秒という長いものから0.5秒という短いものまで
用いることができるということが見出された。接触時間
が短すぎる場合には、未反応E D Cの量が多くなり
すぎる。一方、接触時間が長ずぎる場合には、炭素酸化
物及び副生不純物の量が増加する。個々のタイプの反応
器に対して最適な接触時間を得るために気体の供給速度
を容易に調整することができる。後述の例に詳細に説明
する実験において接触時間は約5秒〜約30秒の範囲で
あった。
反応ゾーンから排出される気体混合物は、EDCを含む
凝縮性の材料を回収するためにコンデンサーに直接通さ
れ、塩化水素は上方に送られて回収され、次いでしばし
ばさらにEDCを製造するために用いられるべきオキシ
塩化水素化プロセスに再循環される。あるいは、反応ゾ
ーンを離れるガスを冷却し、加圧下に、好ましくはクラ
ッキングに用いられる圧力よりも低い圧力で、分別蒸留
に付されてもよい。塩化水素は最初に分離し、回収また
は再循環される。凝縮されない気体は別の回収または処
理ゾーンに排出されて、そこで70M及び未反応EDC
が回収され、VCMを除去するために分別蒸留されても
よい。未反応EDCはクラッキングゾーンに再循環され
る。
凝縮性の材料を回収するためにコンデンサーに直接通さ
れ、塩化水素は上方に送られて回収され、次いでしばし
ばさらにEDCを製造するために用いられるべきオキシ
塩化水素化プロセスに再循環される。あるいは、反応ゾ
ーンを離れるガスを冷却し、加圧下に、好ましくはクラ
ッキングに用いられる圧力よりも低い圧力で、分別蒸留
に付されてもよい。塩化水素は最初に分離し、回収また
は再循環される。凝縮されない気体は別の回収または処
理ゾーンに排出されて、そこで70M及び未反応EDC
が回収され、VCMを除去するために分別蒸留されても
よい。未反応EDCはクラッキングゾーンに再循環され
る。
現在の商業的なりラブキングプロセスは、典型的には、
約500℃〜600℃において、300〜600ps
i (21〜42kg/cd;2070000〜41
40000パスカル)の圧力で操作され、約1〜5秒の
接触時間である。
約500℃〜600℃において、300〜600ps
i (21〜42kg/cd;2070000〜41
40000パスカル)の圧力で操作され、約1〜5秒の
接触時間である。
例えば、560℃の温度において1秒の接触時間で触媒
を用いることなく (熱クラッキングだけ)操作すると
、80%までのEDC転化率を得ることができる。53
0℃においては、EDC転化率は約50%に下がり、5
00℃においてはEDC転化率は約20%に降下する。
を用いることなく (熱クラッキングだけ)操作すると
、80%までのEDC転化率を得ることができる。53
0℃においては、EDC転化率は約50%に下がり、5
00℃においてはEDC転化率は約20%に降下する。
500℃より低い温度での操作は経済的に受は入れられ
ない。従って、標準的な熱EDCクランキングプロセス
は高温操作と極めて高いエネルギーの使用を必要とする
。さらに、これらのプロセスは典型的には高いコーキン
グを生じ、このことは月に約1回の停止及びコークス除
去を必要とする。
ない。従って、標準的な熱EDCクランキングプロセス
は高温操作と極めて高いエネルギーの使用を必要とする
。さらに、これらのプロセスは典型的には高いコーキン
グを生じ、このことは月に約1回の停止及びコークス除
去を必要とする。
これに対して、この発明の方法は、かなりのエネルギー
の節約をともなうEDCからVCMへの有効なりラッキ
ングを与え、コークスの形成がほとんどなく、長時間の
操業が可能となる。炭素酸化物及び副生ずる塩素化炭化
水素の形成は、10%と低いものであり、少量、5%ま
で、通常は2%より低い量のエチレンが生成される。
の節約をともなうEDCからVCMへの有効なりラッキ
ングを与え、コークスの形成がほとんどなく、長時間の
操業が可能となる。炭素酸化物及び副生ずる塩素化炭化
水素の形成は、10%と低いものであり、少量、5%ま
で、通常は2%より低い量のエチレンが生成される。
下記の例は本発明をさらに詳しく説明するためのもので
ある。これらの例は例示的なものであって本発明を限定
するための意図のものではないことを理解されたい。こ
れらの例において、部およびパーセントは他に断らない
限りすべて重量で示す。
ある。これらの例は例示的なものであって本発明を限定
するための意図のものではないことを理解されたい。こ
れらの例において、部およびパーセントは他に断らない
限りすべて重量で示す。
ゑ嘉匁製造斑
500gのHEZ −55、Bngelbard旧ne
ra1gand Chemicalsから得られる合成
ゼオライト、を40ccの蒸留水中5.77 gの塩化
ランタン(LaCIs ・6H20)の水溶液に添加し
、攪拌して均一に混合した。HEZ−55上のLaCl
3の混合物を溶液から濾別し、110℃で16時間乾燥
し、次いで500℃で16時間か焼した。この希土類金
属塩化物−ゼオライド触媒はX線螢光によって分析した
ところ8重量%のLa金属を含んでいた。
ra1gand Chemicalsから得られる合成
ゼオライト、を40ccの蒸留水中5.77 gの塩化
ランタン(LaCIs ・6H20)の水溶液に添加し
、攪拌して均一に混合した。HEZ−55上のLaCl
3の混合物を溶液から濾別し、110℃で16時間乾燥
し、次いで500℃で16時間か焼した。この希土類金
属塩化物−ゼオライド触媒はX線螢光によって分析した
ところ8重量%のLa金属を含んでいた。
HEZ−55ゼオライトの代わり!::HFZ−20ゼ
オライト及びHFZ−33ゼオライトを用い、ゼオライ
ト上に含浸されたLaCl3の量を変えて、上記の操作
を実質的に繰り返した。追加の所望金属、例えば、リチ
ウム、カリウム、マグネシウム、またはストロンチウム
を添加した場合には、これらの金属は水溶液中の金属塩
化物塩として添加され、LaCl3と同時に添加された
。乾燥及びか焼の条件は特に後述する場合を除いて、す
べての触媒において実質的に同じであった。前体じたよ
うにして製造された本発明の触媒の例は、HFZ−33
上の8%LaCl3 ;HFZ−33上の8%L a
C13,4%LiC1;HFZ 33上の16%La
C1,;HFZ 55上の16%LaCl3;HFZ
−55上の8%LaCl3.4%KCI 1HFZ−2
0上の8%L a C13,4%MgCl21およびH
FZ−20上の8%LaCl3.4%5rC12である
。
オライト及びHFZ−33ゼオライトを用い、ゼオライ
ト上に含浸されたLaCl3の量を変えて、上記の操作
を実質的に繰り返した。追加の所望金属、例えば、リチ
ウム、カリウム、マグネシウム、またはストロンチウム
を添加した場合には、これらの金属は水溶液中の金属塩
化物塩として添加され、LaCl3と同時に添加された
。乾燥及びか焼の条件は特に後述する場合を除いて、す
べての触媒において実質的に同じであった。前体じたよ
うにして製造された本発明の触媒の例は、HFZ−33
上の8%LaCl3 ;HFZ−33上の8%L a
C13,4%LiC1;HFZ 33上の16%La
C1,;HFZ 55上の16%LaCl3;HFZ
−55上の8%LaCl3.4%KCI 1HFZ−2
0上の8%L a C13,4%MgCl21およびH
FZ−20上の8%LaCl3.4%5rC12である
。
実験
パイレックスからなる、3Qmmの直径および45cm
の長さのガラス反応器を含む実験室反応装置を用いて一
連の実験を行った。触媒は反応器中に置かれ、プロセス
は1回通過の、連続流動床接触プロセスとして行った。
の長さのガラス反応器を含む実験室反応装置を用いて一
連の実験を行った。触媒は反応器中に置かれ、プロセス
は1回通過の、連続流動床接触プロセスとして行った。
反応器をまず窒素ガスでパージし、次いでEDCおよび
酸素(空気として)を導入した。存在する気体を回収し
、定期的なサンプルにより、Hewlett−Pack
ardによるガスクロマトグラフ、モデルNo810お
よび充填材料としてDC−200を用いて、EDC,V
CM、HClおよび他の生成物を分析した。下記の例は
上記の装置を用い、表に示す如き酸素/ E DCモル
比、温度および接触時間で約3Qpsi(2kg/cj
; 1000000パスカル)の圧力で操作して、得ら
れたデータを下記に示す。IE I) Cのモル%転化
率は下記の式を用いて決定された。
酸素(空気として)を導入した。存在する気体を回収し
、定期的なサンプルにより、Hewlett−Pack
ardによるガスクロマトグラフ、モデルNo810お
よび充填材料としてDC−200を用いて、EDC,V
CM、HClおよび他の生成物を分析した。下記の例は
上記の装置を用い、表に示す如き酸素/ E DCモル
比、温度および接触時間で約3Qpsi(2kg/cj
; 1000000パスカル)の圧力で操作して、得ら
れたデータを下記に示す。IE I) Cのモル%転化
率は下記の式を用いて決定された。
VCMの収率%、炭素酸化物および他の生成物の収率%
は下記の式を用いて決定された。
は下記の式を用いて決定された。
例1
この例はゼオライトのみを触媒として用いた場合と本発
明の次の触媒; (A)ゼオライト上8%LaCl3、
(B)ゼオライト上8%LaCl3.4%LiC1及び
(C)ゼオライト上16%LaCl3を用いた場合との
比較である。用いられたゼオライトばHFZ−33であ
った。
明の次の触媒; (A)ゼオライト上8%LaCl3、
(B)ゼオライト上8%LaCl3.4%LiC1及び
(C)ゼオライト上16%LaCl3を用いた場合との
比較である。用いられたゼオライトばHFZ−33であ
った。
以下余白
接触時間 温度 El)Cの 収率%四勉l
且四砒(Sec) −(”C) ’ %JL%転(i
J VCM co+co−。
且四砒(Sec) −(”C) ’ %JL%転(i
J VCM co+co−。
Zl O,2617,325012,961,7
31,120,2615,830023,558,43
8,730,2111,530013,561,938
,1AI O,2913,930051,878
,120,720,2010,930035,890,
19,230,2015,730035,183,21
5,5Bl O,2915,225032,84
8,133,320,2011,92,5014,56
0,020,330,2010,930041,368
,721,9CI O,2915,225010
,664,133,420,2913,930024,
!IJ 57.0 41.43 0.
20 10.9 300 12.5
59.9 38.2これらのデータかられかるよ
うに、ゼオライト上の希土類金属塩化物の触媒を用いる
と、極めて高いEDC転化率が得られる。16%のLa
cI3のレベルは、HFZ−33ゼオライト上の最適濃
度を越えている。例5はHFZ−55上の16%LaC
l3のレベルを示す。
31,120,2615,830023,558,43
8,730,2111,530013,561,938
,1AI O,2913,930051,878
,120,720,2010,930035,890,
19,230,2015,730035,183,21
5,5Bl O,2915,225032,84
8,133,320,2011,92,5014,56
0,020,330,2010,930041,368
,721,9CI O,2915,225010
,664,133,420,2913,930024,
!IJ 57.0 41.43 0.
20 10.9 300 12.5
59.9 38.2これらのデータかられかるよ
うに、ゼオライト上の希土類金属塩化物の触媒を用いる
と、極めて高いEDC転化率が得られる。16%のLa
cI3のレベルは、HFZ−33ゼオライト上の最適濃
度を越えている。例5はHFZ−55上の16%LaC
l3のレベルを示す。
例2
下記のデータは(A)HFZ−33上の8%LaCl3
及び(B)HFZ−33上の8%LaCl3.4%Li
C1の触媒を用いた場合のものである。
及び(B)HFZ−33上の8%LaCl3.4%Li
C1の触媒を用いた場合のものである。
以下余白
接触時間温度 EDCの 収率%怨h7且四准
(See) 尤次μ堕魁し■講必と史WΔ 1 0.29 5.2 250 1
0.6 .91.1 9.12 0.2
9 4.8 300 37.7
B0.9 13.13 0.20 1
0.9 300 35.8 90.1
9.24 0.20 15.7 300
38.9 B3.3 15.4旦 1 0.29 15.2 250
32.8 4B、1 34.32 0.
29 13.9 300 50.2
59.6 33.03 0.20 10
.9 300 41.3 6B、7 21
.94 0.20 15.7 300
42.2 65.4 24.8例3 この例は(A)HFZ−20上の8%LaCl3.4%
MgCl2及び(B)HFZ−20上の8%LaCl3
,4%5rC12の触媒の使用の例である。
(See) 尤次μ堕魁し■講必と史WΔ 1 0.29 5.2 250 1
0.6 .91.1 9.12 0.2
9 4.8 300 37.7
B0.9 13.13 0.20 1
0.9 300 35.8 90.1
9.24 0.20 15.7 300
38.9 B3.3 15.4旦 1 0.29 15.2 250
32.8 4B、1 34.32 0.
29 13.9 300 50.2
59.6 33.03 0.20 10
.9 300 41.3 6B、7 21
.94 0.20 15.7 300
42.2 65.4 24.8例3 この例は(A)HFZ−20上の8%LaCl3.4%
MgCl2及び(B)HFZ−20上の8%LaCl3
,4%5rC12の触媒の使用の例である。
接触時間温度 EDCの 収率%騰0xlE−
匹砒」り二」釘セ堕喧陣■讃息ヒ以雇Δ 1 0.29 15.2 250
28.8 40.8 41.62 0.2
0 5.8 300 12.0 60
.4 30.33 0.20 10.9
300 25.4 69.0 29.9
4 0.20 20.1 300
&’3.9 60.0 30.41 0
.29 15.2 250 35.1
30.7 57.72 0.20 1
7、2 250 11.7 65.0 3
0.73 0.29 13.9 300
31.3 52.5 44.64
0.20 15.7 300 25.3
54.1 42.65 0.20
10.9 300 20.5 63.4
33.26 0.20 0.9 300
17.7 73.0 20.0例4 これらのデータは(A)700℃及び(B)900℃に
おいてか焼したHFZ−33上の8%L a C13の
触媒の使用の例である。
匹砒」り二」釘セ堕喧陣■讃息ヒ以雇Δ 1 0.29 15.2 250
28.8 40.8 41.62 0.2
0 5.8 300 12.0 60
.4 30.33 0.20 10.9
300 25.4 69.0 29.9
4 0.20 20.1 300
&’3.9 60.0 30.41 0
.29 15.2 250 35.1
30.7 57.72 0.20 1
7、2 250 11.7 65.0 3
0.73 0.29 13.9 300
31.3 52.5 44.64
0.20 15.7 300 25.3
54.1 42.65 0.20
10.9 300 20.5 63.4
33.26 0.20 0.9 300
17.7 73.0 20.0例4 これらのデータは(A)700℃及び(B)900℃に
おいてか焼したHFZ−33上の8%L a C13の
触媒の使用の例である。
胸曜温度EDCの 榊%
圏0xlL匹此」べLよ五ヤ空鯨牌匹M臭ヒ息雇見
1 0.29 15.2 250 29.9
50.5 39.82 0.29 13
.9 300 42.5 63.8 33.33
0.20 17、2 250 13.8
Bo、5 19.34 0.20 15
.7 300 30.3 71.9 20.45
0.20 20.1 300 45.6
62.1 27.4互 1 G、29 15.2 250 2.7
50.6 40.92 0.29 13
.9 300 11.5 50.6 45.23
0.20 17、2 250 4.7
62.2 20.64 0.20 15.7
300 8.1 4B、2 40.15
0.20 20.1 300 20.3 52
.7 44.1700℃でか焼した触媒はより有効な
触媒で、特により高いEDCクラッキング温度において
有効である。
50.5 39.82 0.29 13
.9 300 42.5 63.8 33.33
0.20 17、2 250 13.8
Bo、5 19.34 0.20 15
.7 300 30.3 71.9 20.45
0.20 20.1 300 45.6
62.1 27.4互 1 G、29 15.2 250 2.7
50.6 40.92 0.29 13
.9 300 11.5 50.6 45.23
0.20 17、2 250 4.7
62.2 20.64 0.20 15.7
300 8.1 4B、2 40.15
0.20 20.1 300 20.3 52
.7 44.1700℃でか焼した触媒はより有効な
触媒で、特により高いEDCクラッキング温度において
有効である。
例5
下記のデータはHFZ−55上の16%LaCl3の触
媒を用いた場合の例である。
媒を用いた場合の例である。
胸鴫温度EDCの 榊%
ダ偽71匹此」■二亙−et堕喧陣■逐京ヒ以Y1
0.29 15.2 250 22.1 7
1.9 24.52 0.20 17.2
250 10.8 65.1 20.13
0.20 28.6 250 20.8 50
.0 37.54 0.29 13.9 3
00 27.9 52.5 42.45 0
.20 20.1 300 23.8 55.
9 30.66 0.20 15.7 30
0 34.9 61.2 33.0? 0
.20 8.4 300 18.7 73.9
22.1B 0.20 5.8 300
17.0 81.8 15.2これらのデータ
は、250℃よりも300℃においてより高いEDC転
化率が得られ、約15秒の接触時間において最良の結果
が得られるということを示している。
0.29 15.2 250 22.1 7
1.9 24.52 0.20 17.2
250 10.8 65.1 20.13
0.20 28.6 250 20.8 50
.0 37.54 0.29 13.9 3
00 27.9 52.5 42.45 0
.20 20.1 300 23.8 55.
9 30.66 0.20 15.7 30
0 34.9 61.2 33.0? 0
.20 8.4 300 18.7 73.9
22.1B 0.20 5.8 300
17.0 81.8 15.2これらのデータ
は、250℃よりも300℃においてより高いEDC転
化率が得られ、約15秒の接触時間において最良の結果
が得られるということを示している。
以下余白
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、酸素の存在下に、昇温において、二塩化エチレンを
脱ハロゲン水素して塩化ビニルにする方法において、触
媒としてゼオライト上に堆積された希土類金属塩化物の
組成物を用いることを特徴とする方法。 2、反応の温度が、約1〜約20気圧(1〜21kg/
cm^2;101400〜2070000パスカル)の
圧力において、約150℃〜約500℃である特許請求
の範囲第1項記載の方法。 3、触媒が触媒の合計重量に対して約0.1重量%〜約
30重量%の、ランタン、プラセオジム、ネオジム、及
びそれらの混合物からなる希土類金属族の塩化物を含む
特許請求の範囲第2項記載の方法。 4、触媒が5Å以上の気孔寸法を有する固体合成ゼオラ
イトを含む特許請求の範囲第3項記載の方法。 5、触媒が触媒の合計重量の約4〜約16重量%の塩化
ランタンを含む特許請求の範囲第4項記載の方法。 6、酸素が二塩化エチレン1モル当たり約0.05モル
〜約0.5モルの量で存在する特許請求の範囲第1項記
載の方法。 7、(a)(i)二塩化エチレン1モル当たり約0.0
5モル〜約0.5モルの酸素及び(ii)触媒の合計重
量当たり約2〜約20重量%のゼオライト上の希土類金
属塩化物を含む触媒の存在下に、約150℃〜約500
℃の温度において、約1気圧〜約20気圧の圧力で、二
塩化エチレンを脱ハロゲン水素し、(b)塩化水素副生
物を回収し、オキシ塩化水素反応領域に再循環すること
を含む塩化ビニルモノマーの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US61355184A | 1984-05-24 | 1984-05-24 | |
| US613551 | 1984-05-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130A true JPS6130A (ja) | 1986-01-06 |
Family
ID=24457746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60109462A Pending JPS6130A (ja) | 1984-05-24 | 1985-05-23 | 接触脱ハロゲン水素方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0162457B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6130A (ja) |
| AU (1) | AU577583B2 (ja) |
| BR (1) | BR8502381A (ja) |
| CA (1) | CA1244481A (ja) |
| DE (1) | DE3571804D1 (ja) |
| IN (1) | IN163629B (ja) |
| NO (1) | NO161798C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256630A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-10-17 | Tosoh Corp | 脱ハロゲン化水素方法 |
| JP2003514880A (ja) * | 1999-11-22 | 2003-04-22 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | エチレンを塩化ビニルに転化する方法および該方法のために有用な新規触媒組成物 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6680415B1 (en) | 1999-11-22 | 2004-01-20 | Dow Global Technologies Inc. | Oxyhalogenation process using catalyst having porous rare earth halide support |
| US6909024B1 (en) | 1999-11-22 | 2005-06-21 | The Dow Chemical Company | Process for the conversion of ethylene to vinyl chloride and novel catalyst compositions useful for such process |
| US6933417B1 (en) | 1999-11-22 | 2005-08-23 | Dow Global Technologies Inc. | Process for vinyl chloride manufacture from ethane and ethylene with partial CHl recovery from reactor effluent |
| US6797845B1 (en) | 1999-11-22 | 2004-09-28 | Dow Global Technologies Inc. | Process for vinyl chloride manufacture from ethane and ethylene with immediate HCl recovery from reactor effluent |
| JP4275952B2 (ja) | 2001-05-23 | 2009-06-10 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | C3+炭化水素の酸化的ハロゲン化および任意的な脱水素 |
| WO2016058569A1 (en) | 2014-10-16 | 2016-04-21 | Spolek Pro Chemickou A Hutni Vyrobu, Akciova Spolecnost | Process |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3927131A (en) * | 1974-06-10 | 1975-12-16 | Dow Chemical Co | Dehydrohalogenation of halogenated hydrocarbons |
| ZA784827B (en) * | 1977-09-06 | 1979-08-29 | Ici Ltd | Oxyhalogenation process |
| AU8164582A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-23 | Imperial Chemical Industries Plc | Production of chloroackanes |
-
1985
- 1985-04-29 CA CA000480304A patent/CA1244481A/en not_active Expired
- 1985-04-30 IN IN369/DEL/85A patent/IN163629B/en unknown
- 1985-04-30 AU AU41832/85A patent/AU577583B2/en not_active Ceased
- 1985-05-20 BR BR8502381A patent/BR8502381A/pt unknown
- 1985-05-22 NO NO852043A patent/NO161798C/no unknown
- 1985-05-22 DE DE8585106285T patent/DE3571804D1/de not_active Expired
- 1985-05-22 EP EP85106285A patent/EP0162457B1/en not_active Expired
- 1985-05-23 JP JP60109462A patent/JPS6130A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256630A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-10-17 | Tosoh Corp | 脱ハロゲン化水素方法 |
| JP2003514880A (ja) * | 1999-11-22 | 2003-04-22 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | エチレンを塩化ビニルに転化する方法および該方法のために有用な新規触媒組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1244481A (en) | 1988-11-08 |
| NO161798C (no) | 1989-09-27 |
| BR8502381A (pt) | 1986-01-21 |
| AU4183285A (en) | 1985-11-28 |
| EP0162457A3 (en) | 1986-12-30 |
| EP0162457A2 (en) | 1985-11-27 |
| DE3571804D1 (en) | 1989-08-31 |
| IN163629B (ja) | 1988-10-22 |
| NO852043L (no) | 1985-11-25 |
| AU577583B2 (en) | 1988-09-29 |
| NO161798B (no) | 1989-06-19 |
| EP0162457B1 (en) | 1989-07-26 |
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