JPS6132940A - 液体金属イオン源 - Google Patents

液体金属イオン源

Info

Publication number
JPS6132940A
JPS6132940A JP15286884A JP15286884A JPS6132940A JP S6132940 A JPS6132940 A JP S6132940A JP 15286884 A JP15286884 A JP 15286884A JP 15286884 A JP15286884 A JP 15286884A JP S6132940 A JPS6132940 A JP S6132940A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion source
ion
liquid metal
metal ion
accelerating electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15286884A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyasu Shichi
広康 志知
Hifumi Tamura
田村 一二三
Osami Okada
岡田 修身
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP15286884A priority Critical patent/JPS6132940A/ja
Publication of JPS6132940A publication Critical patent/JPS6132940A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/26Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/08Ion sources; Ion guns

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は液体金属イオン源装置に関するものでイオン加
速電極、レンズ系、イオン源容器壁、排気系などへのイ
オン源材料による汚染を防ぐように構成されたイオン源
に関する。
〔発明の背景〕
第1図に従来の液体金属イオン源の一例を示す。
このタイプの液体金属イオン源は、例えば特開昭59−
31541号公報に記載されている。イオン生成源はチ
ップ加熱用フィラメント1、エミッタチップ2、イオン
加速電極3、およびイオン源材料4を保持する坩堝5な
どにより構成されている。坩堝5は先端を尖らせた棒状
のエミッタチップ2を同軸上に保持しており、坩堝5の
下端面壁にはエミッタチップ2の先端を外部に貫通させ
る開口があり、坩堝の内部の下部、エミッタチップ2の
先端部外周にイオン源材料が装填されている。6はイオ
ンビーム7を集束する1個あるいは複数個からなるレン
ズ系(1個だけ図示)。8はイオンビーム7が照射する
試料である。9はイオン源容器で真空排気系10、Ii
l!察窓11を備えている。
以上のような構成を備えた第1図の如き従来装置は次の
ように動作する。真空排気後フィラメント1を加熱し、
その結果熱放射によりエミッタチップ2の先端部から加
熱される。エミッタチップ2の先端部が加熱されると熱
伝導によりイオン源材料4が加熱溶融され、エミッタチ
ップ2の先端にイオン源材料4が連続的に供給されるよ
うになる。一方エミッタチップ2の先端が加熱されてお
り、イオン源材料4がイオン化され、これがイオンビー
ム7として引き出される。引き出されたイオンビームは
6のレンズ系で制御され試料8に照射される。
上述した従来の液体金属イオン源は、イオンビーム7や
、エミッタチップ2の先端周辺部等から蒸発したイオン
源材料がイオン加速電極3、レンズ系6、イオン源容器
9の壁、観察窓11などに付着凝縮し、゛これらを著し
く汚染し、その結果、イオン加速電極3、レンズ系6の
正常動作が妨げられたり、観察窓11からの内部観察が
困難になるなどの欠点を有していた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、液体金属イオン源における上記問題点
を解決し、イオン源材料のイオン加速電極、レンズ系な
どへの汚染を防止した、液体金属イオン源を提供するこ
とにある。
〔発明の概要〕
本発明の特徴は、液体金属イオン源において、イオン加
速電極、レンズ系、イオン源容器の壁を加熱しておき、
イオン生成源より蒸発したイオン源材料が、イオン加速
電極などに凝縮することを防ぎ、イオン源材料による汚
染がイオン加速電極などにおよぶのを防ぐ点にある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第2図により説明する。これ
は第1図の従来装置に、タングステンヒータによる抵抗
加熱機構12をイオン加速電極3、レンズ系6、イオン
源容器9に取り付け、さらに液体窒素溜め13に接続さ
れた冷却パネル14を配置したものである。
動作原理は次の通りである。真空排気後、冷却パネル1
4によるトラップ機構、抵抗加熱機構12を動作させる
。その後イオン生成源を動作させイオンビーム7を引き
出し、試料に照射するまでの動作は第1図従来装置の場
合と同じである。
イオン生成源から蒸発したイオン源材料は、イオン加、
速電極などに凝縮せず、冷却パネルにトラップされる。
この結果イオンビーム7は正常に試料8に作用する。ま
た観察窓の加熱により、イオン源材料の汚染がなく、イ
オン源内部のt!A察は妨げら匙ない。例えばこのイオ
ン源をイオン打ち込みに応用した場合、目的どおりイオ
ン打ち込みが可能であった。
なお、上述の実施例において、エミッタチップと坩堝を
持つ型のイオン生成源を用いているが、他の、エミッタ
チップを用いず坩堝のみの型、また坩堝を用いずエミッ
タチップのみを用いる型など一般の液体金属イオン源に
応用できる。
また上述の実施例において、イオン加速電極などの加速
機構として、タングステンヒータによる抵抗加熱機構を
用いたが、赤外線ランプによる加熱レーザーを用いた加
熱、電子線による加熱など、イオン加速電極などを必要
な温度まで加熱できるものであればよい。
また固定した加熱源による加熱ではなく、加熱源を可動
なものとしても良く、加熱位置を選択する手段を備える
ことも有効である。
゛また上述の実施例において、トラップ機構として、液
体窒素溜めに接続した冷却パネルを用いたが、蒸発した
イオン源材料を凝縮できるものであればよい。  ゛ 又、トラップ機構の設置位置は本実施例の他、レンズ位
置、加速電極付近、試料付近に設置しても効果がある。
また上述の実施例において、本イオン源の応用例として
イオン打ち込みを上げたが、他の応用例としてイオンビ
ーム加工、イオンビーム露光、イオンビームを用いた計
測などがあり、一般のイオン源および一般のイオン源を
用いた各種装置に応用可能である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、液体金属イオン源において、イオン生
成源より蒸発したイオン源材料あるいはイオンビームに
よる他のイオン源構成要素への汚染を、加熱機構やトラ
ップ機構により防ぐことができるので、イオンビームの
試料への作用を目的どおり正常に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例になるイオン源の要部縦断面図、第2図
は本発明の一実施例になるイオン源の要部縦断面図であ
る。 ■・・・フィラメント、2・・・エミッタチップ、3・
・・イオン加速電極、4・・・イオン源材料、5・・・
坩堝、6・・・レンズ系、7・・・イオンビーム、8・
・・試料、9・・・イオン源容器、10・・・真空排気
系、11・・・観察窓、12・・・抵抗加熱機構、13
・・・液体窒素溜め、14禎 1  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、液体金属イオン生成源とイオン加速電極とイオンビ
    ームを絞るレンズ系とを備えた液体金属イオン源におい
    て、イオン加速電極、レンズ系及びイオン源容器の壁な
    どの加熱機構を備えたことを特徴とする液体金属イオン
    源。 2、蒸発したイオン源材料をトラップする機構を備えた
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の液体金属
    イオン源。 3、トラップを他の加熱部分と独立に装置外部より冷却
    可能な機構を備えたことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の液体金属イオン源。
JP15286884A 1984-07-25 1984-07-25 液体金属イオン源 Pending JPS6132940A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15286884A JPS6132940A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 液体金属イオン源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15286884A JPS6132940A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 液体金属イオン源

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6132940A true JPS6132940A (ja) 1986-02-15

Family

ID=15549872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15286884A Pending JPS6132940A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 液体金属イオン源

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6132940A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12112859B2 (en) 2021-10-01 2024-10-08 Shine Technologies, Llc Ion production system with fibrous lattice for ion collection
US12463001B2 (en) 2020-12-08 2025-11-04 Shine Technologies, Llc Isothermal ion source with auxiliary heaters

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58135557A (ja) * 1982-02-04 1983-08-12 Jeol Ltd イオンビ−ム発生方法及び装置
JPS5931541A (ja) * 1982-08-16 1984-02-20 Hitachi Ltd 液体金属イオン源
JPS5956342A (ja) * 1982-09-24 1984-03-31 Toshiba Corp ホロ−陰極放電装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58135557A (ja) * 1982-02-04 1983-08-12 Jeol Ltd イオンビ−ム発生方法及び装置
JPS5931541A (ja) * 1982-08-16 1984-02-20 Hitachi Ltd 液体金属イオン源
JPS5956342A (ja) * 1982-09-24 1984-03-31 Toshiba Corp ホロ−陰極放電装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12463001B2 (en) 2020-12-08 2025-11-04 Shine Technologies, Llc Isothermal ion source with auxiliary heaters
US12112859B2 (en) 2021-10-01 2024-10-08 Shine Technologies, Llc Ion production system with fibrous lattice for ion collection

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2746420A (en) Apparatus for evaporating and depositing a material
US3118050A (en) Electron beam devices and processes
JP2017512639A (ja) 制御された原子源
EP0302716B1 (en) X-ray detectors
JPH09304253A (ja) 不純物濃縮・分析方法およびこれに用いる装置
JP3438296B2 (ja) X線装置
JPH06124680A (ja) 2次中性粒子質量分析装置
JPS60163356A (ja) 電気流体力学イオン源
JPH0636344B2 (ja) 液体金属イオン発生方法とその装置
JPH10253536A (ja) 分析装置
JPH05119199A (ja) レーザプラズマx線源用ターゲツト
JPH0548358Y2 (ja)
JPH05151907A (ja) ランプ加熱式液体金属イオン源
JPS6134686Y2 (ja)
JPS6157907B2 (ja)
JPS6322405B2 (ja)
JPH08138613A (ja) X線マイクロアナライザ
JP3273873B2 (ja) 走査型プローブ顕微鏡用探針のクリーニング装置
Joseph et al. Development of a laser induced vaporization mass spectrometric facility
JPH01274045A (ja) 固体表面分析方法
JPH117913A (ja) 電子線発生装置およびその冷却方法
JP4707268B2 (ja) X線管装置及びx線検査装置
JP2546419B2 (ja) レーザcvd装置
Rosser et al. Single shot soft X-ray contact microscopy with laboratory laser produced plasmas
JPS5887742A (ja) 高輝度イオン源