JPS613434A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS613434A JPS613434A JP59123187A JP12318784A JPS613434A JP S613434 A JPS613434 A JP S613434A JP 59123187 A JP59123187 A JP 59123187A JP 12318784 A JP12318784 A JP 12318784A JP S613434 A JPS613434 A JP S613434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parts
- lead
- leads
- island
- dashed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発′明はＬＳＩ等のＩＣチップを多ピンのフラットタ
イプ又、はＤＩＰタイプにパッケージングする方法に関
するものである。
イプ又、はＤＩＰタイプにパッケージングする方法に関
するものである。
（従来技術）
パッケージング方法の一種にサーディツプタイプがある
が、そのサーディツプタイプの一例として、外枠のリー
ドフレームで連結された複数のリードと、素子を固着す
る中央のアイランド部を一体的に形成し、素子部を中空
にして気密封止した後、リードフレームを切断する方法
が提案されている（特開昭５８−１２３７４８号公報参
照）。
が、そのサーディツプタイプの一例として、外枠のリー
ドフレームで連結された複数のリードと、素子を固着す
る中央のアイランド部を一体的に形成し、素子部を中空
にして気密封止した後、リードフレームを切断する方法
が提案されている（特開昭５８−１２３７４８号公報参
照）。
その方法によるパッケージングは放熱性が高い利点を有
するが、複数のリードが外枠のリードフレームで連結さ
れているにすぎないので、リード数が増してリード幅が
細くなったり、リードが長くなった場合、リードの先端
が振動する、所謂おどり、が発生して組立てが困難にな
る。そのため。
するが、複数のリードが外枠のリードフレームで連結さ
れているにすぎないので、リード数が増してリード幅が
細くなったり、リードが長くなった場合、リードの先端
が振動する、所謂おどり、が発生して組立てが困難にな
る。そのため。
リード数が最大４０本程度までのパッケージングにしか
適用できない。したがって、その方法は、例えば４０ピ
ン以上の多ビンのフラットパッケージや、ハイブリッド
ＩＣやマルチチップ構成のＬＳＩ等をパッケージングす
る場合には適用できなし）。
適用できない。したがって、その方法は、例えば４０ピ
ン以上の多ビンのフラットパッケージや、ハイブリッド
ＩＣやマルチチップ構成のＬＳＩ等をパッケージングす
る場合には適用できなし）。
また、リードの数が少ない場合でも、リードの形状が複
雑になってくるとやはり組立てが困難になる。
雑になってくるとやはり組立てが困難になる。
リードの数が４０本以上のような多ピンパッケージング
方法としては、セラミックタイプのパッケージング方法
があるが、その方法ではコストが高くなる欠点がある。
方法としては、セラミックタイプのパッケージング方法
があるが、その方法ではコストが高くなる欠点がある。
（目的）
本発明は、４０ピン以上のような多ピンのパッケージン
グであっても、信頼性高く、低価格に製造する方法を提
供することを目的とする。
グであっても、信頼性高く、低価格に製造する方法を提
供することを目的とする。
（構成）
本発明は外側のリードフレームと中間部の中間保持部と
で連結された複数のリードと、中央部に位置するアイラ
ンド部とを一体的に形成する工程、前記アイランド部に
素子を固着し、各リードとその素子のパッドとをボンデ
ィングした後、前記中間保持部より内側の部分で前記素
子部を中空にして気密封止する工程、並びに、 各リード及びアイランド部を分離させる切断工程、 を含む半導体装置の製造方法である。
で連結された複数のリードと、中央部に位置するアイラ
ンド部とを一体的に形成する工程、前記アイランド部に
素子を固着し、各リードとその素子のパッドとをボンデ
ィングした後、前記中間保持部より内側の部分で前記素
子部を中空にして気密封止する工程、並びに、 各リード及びアイランド部を分離させる切断工程、 を含む半導体装置の製造方法である。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図〜第３図はフラットタイプのサーディツプタイプ
パッケージングに本発明を適用した一実施例を表わす。
パッケージングに本発明を適用した一実施例を表わす。
２はリード４−１〜４−ｎ、アイランド部６などが一体
的に形成されたリード部材を表わす。リード４−１〜４
−ｎは放射状に配列され、外枠をリードフレーム８で連
結され、中間部においても４個のグループに分かれて中
間保持部１０−１〜１０−４により連結されている。
的に形成されたリード部材を表わす。リード４−１〜４
−ｎは放射状に配列され、外枠をリードフレーム８で連
結され、中間部においても４個のグループに分かれて中
間保持部１０−１〜１０−４により連結されている。
アイランド部６は各リード４−１〜４７ｎの内側先端よ
りも中央部に設けられ、４個の角から支持部１２−１〜
１２−４が延在し、支持部１２−１はリード４−１に連
結され、他の支持部１２−２〜１２−４はリードフレー
ム８に連結されてり−ド４−１〜４− ｎとアイランド
部６が一体的に形成されている。支持部１２−２．１２
−４に設けられている幅広の部分１４−１．１４−２は
放熱部である。
りも中央部に設けられ、４個の角から支持部１２−１〜
１２−４が延在し、支持部１２−１はリード４−１に連
結され、他の支持部１２−２〜１２−４はリードフレー
ム８に連結されてり−ド４−１〜４− ｎとアイランド
部６が一体的に形成されている。支持部１２−２．１２
−４に設けられている幅広の部分１４−１．１４−２は
放熱部である。
このようなリード部材２は、薄板をフォトリソグラフィ
ー技法などによりパターン化して形成することができる
。
ー技法などによりパターン化して形成することができる
。
１６はＩＣチップであり、アイランド部６上にダイボン
ディングにより固着されそいる。そのＩＣチップ１６の
パッドと各リードの内側先端部との間にはワイヤ１８に
よりボンディングが施される。図では１個のリードとの
ワイヤボンディングのみが示されているが、他のリード
との間でも同様にしてワイヤボンディングが施される。
ディングにより固着されそいる。そのＩＣチップ１６の
パッドと各リードの内側先端部との間にはワイヤ１８に
よりボンディングが施される。図では１個のリードとの
ワイヤボンディングのみが示されているが、他のリード
との間でも同様にしてワイヤボンディングが施される。
２０はベースであり、セラミック板２２の上面にソルダ
ーガラス層２４が塗布されて形成されたものであり、周
縁部２５が平坦で、中央にアイランド部６より大きい四
部２６が設けられている。
ーガラス層２４が塗布されて形成されたものであり、周
縁部２５が平坦で、中央にアイランド部６より大きい四
部２６が設けられている。
この凹部２６は、ソルダーガラス層２６の厚みを周縁で
厚く中央部で薄くすることにより形成することもでき、
あるいはセラミック板２２自体に凹部を設けておき、そ
の上面にソルダーガラス層２４を塗布することによって
も形成することができる。
厚く中央部で薄くすることにより形成することもでき、
あるいはセラミック板２２自体に凹部を設けておき、そ
の上面にソルダーガラス層２４を塗布することによって
も形成することができる。
２８はキャップであり、セラミック板３ｏの下面にベー
ス２０と同様にソルダーガラス層３２が塗布されており
、これも周縁部３３が平坦で中央部にアイランド部６よ
り大きい凹部３４をもつように形成されている。
ス２０と同様にソルダーガラス層３２が塗布されており
、これも周縁部３３が平坦で中央部にアイランド部６よ
り大きい凹部３４をもつように形成されている。
このベース２０とキャップ２８によりリード部材２を挟
むと、ベース２０の周縁部２５とキャップ２８の周縁部
３３との間には、各リード４−１７４− ｎの内側部と
アイランド部６の支持部１２−２〜１２−４の内側部が
挟み込まれ、アイランド部６がベース２ｏの凹部２６と
キャップ２８の四部３４で形成される中空部に収納され
るようになる。
むと、ベース２０の周縁部２５とキャップ２８の周縁部
３３との間には、各リード４−１７４− ｎの内側部と
アイランド部６の支持部１２−２〜１２−４の内側部が
挟み込まれ、アイランド部６がベース２ｏの凹部２６と
キャップ２８の四部３４で形成される中空部に収納され
るようになる。
このように、ベース２ｏとキャップ２８によりリード部
材２を挟んで加熱し、両ソルダーガラス層２４．３２に
より気密的に封止した状態を第２図に示す。
材２を挟んで加熱し、両ソルダーガラス層２４．３２に
より気密的に封止した状態を第２図に示す。
第２図の状態において、次にリード部材２におけるリー
ド４−１〜４− ｎとリードフレーム８の間を鎖線３６
のように切断し、また、リード４−１〜４− ｎ間の中
間保持部１０−１−１０−４は全て鎖線３８で示される
ように切断し、アイランド部の支持部１２−２〜１２−
４とリードフレーム８との間は鎖線４０，４２．４４の
ように切断する。
ド４−１〜４− ｎとリードフレーム８の間を鎖線３６
のように切断し、また、リード４−１〜４− ｎ間の中
間保持部１０−１−１０−４は全て鎖線３８で示される
ように切断し、アイランド部の支持部１２−２〜１２−
４とリードフレーム８との間は鎖線４０，４２．４４の
ように切断する。
最後に、放熱部１４−１．１４−２を折り曲げると、第
３図に示されるようなサーデイプタイプのパッケージン
グが完成する。
３図に示されるようなサーデイプタイプのパッケージン
グが完成する。
本実施例によれば、アイランド部６につながる放熱部］
、４−１．１４−２がパッケージの外部に存在すること
になるので、ＩＣチップ１６の放熱特性が一層向上する
利点がある。
、４−１．１４−２がパッケージの外部に存在すること
になるので、ＩＣチップ１６の放熱特性が一層向上する
利点がある。
第４図は他の実施例により製造されたパッケージングで
あり、第３図と異なる点は第３図における放熱部１４−
１．１４−２が設けられていない点だけであり、他は同
じである。
あり、第３図と異なる点は第３図における放熱部１４−
１．１４−２が設けられていない点だけであり、他は同
じである。
本発明はフラットタイプだけでなく、ＤＩＰタイプのパ
ッケージングにも適用できる。
ッケージングにも適用できる。
また、本発明はハイブリッドＩＣやマルチチップＩＣに
も、また、放熱フィンを有するパッケージなどにも適用
でき、産業用、民生用、電気・電子部品など、その適用
分野は実施例のものに限定されない。
も、また、放熱フィンを有するパッケージなどにも適用
でき、産業用、民生用、電気・電子部品など、その適用
分野は実施例のものに限定されない。
（効果）
本発明の方法によれば、従来のサーディプパッケージン
グと同様の高信頼性、低価格化が実現される。
グと同様の高信頼性、低価格化が実現される。
そして、リード部材では中間保持部を設けたことにより
、例えば４ｏピン以上というような多ピンのフラットパ
ッケージングも可能になる。
、例えば４ｏピン以上というような多ピンのフラットパ
ッケージングも可能になる。
第１′図は本発明方法の途中段階を示す分解斜視図、第
２図はリード部材を挟んでベースとキャップを融着させ
た状態を示す斜視図、第３図は一実施例の完成された状
態を示す斜視図、第４図は他の実施例の完成された状態
を示す斜視図である。 ２・・・・・リード部材、 ４−１−４− ｎ −−
リード、６・・・・・・アイランド部、 ８・・・・
・・リードフレーム、１０−１〜１０−４・・・・・・
中間保持部、 １６・・・・・・ＩＣチップ、 １
８・・・・・・ワイヤ、 ３６，３８゜４０．４２
，４４・・・・・・リード部材切断個所。 第３図
２図はリード部材を挟んでベースとキャップを融着させ
た状態を示す斜視図、第３図は一実施例の完成された状
態を示す斜視図、第４図は他の実施例の完成された状態
を示す斜視図である。 ２・・・・・リード部材、 ４−１−４− ｎ −−
リード、６・・・・・・アイランド部、 ８・・・・
・・リードフレーム、１０−１〜１０−４・・・・・・
中間保持部、 １６・・・・・・ＩＣチップ、 １
８・・・・・・ワイヤ、 ３６，３８゜４０．４２
，４４・・・・・・リード部材切断個所。 第３図
Claims (1)
- （１）外側のリードフレームと中間部の中間保持部とで
連結された複数のリードと、中央部に位置するアイラン
ド部とを一体的に形成する工程、前記アイランド部に素
子を固着し、各リードと該素子のパッドとをボンディン
グした後、前記中間保持部より内側の部分で前記素子部
を中空にして気密封止する工程、並びに、 各リード及びアイランド部を分離させる切断工程、 を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123187A JPS613434A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123187A JPS613434A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613434A true JPS613434A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14854342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123187A Pending JPS613434A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613434A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02501179A (ja) * | 1988-02-29 | 1990-04-19 | ディジタル イクイプメント コーポレーション | セラミック集積回路パッケージのリードを整列するシステム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58212152A (ja) * | 1983-05-25 | 1983-12-09 | Hitachi Ltd | ガラス封止半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP59123187A patent/JPS613434A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58212152A (ja) * | 1983-05-25 | 1983-12-09 | Hitachi Ltd | ガラス封止半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02501179A (ja) * | 1988-02-29 | 1990-04-19 | ディジタル イクイプメント コーポレーション | セラミック集積回路パッケージのリードを整列するシステム |
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